JP6567856B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる有機化合物を一対の電極間に挟んでなる発光素子、また、このような発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。

発光素子の発光機構は、一対の電極間に発光体を含むＥＬ層を挟んで電圧を印加することにより、電極からキャリア（電子または正孔）が注入され、このキャリアが再結合することにより励起子を形成し、その励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起状態（Ｓ^＊）と三重項励起状態（Ｔ^＊）が知られ、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。そして、発光素子における統計的な生成比率は、Ｓ^＊：Ｔ^＊＝１：３であると考えられている。

この様な発光素子に関しては、素子構造の改良や材料開発等により、様々な発光色が得られるように開発が行われている。しかしながら、複数の発光色を組み合わせて得られる白色発光素子では、所望の白色を得ることが難しく、これを克服すべく様々な試みがなされている。（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００７−５３０９０号公報

本発明の一態様では、異なる発光色が得られる発光層において、発光色に応じた発光領域を形成することで、所望の白色発光が得られる発光素子を提供する。また、本発明の一態様は、上記発光素子を適用し、低消費電力を実現できる発光装置を提供する。さらに、本発明の一態様は、上記発光素子を適用し、低消費電力を実現できる電子機器および照明装置を提供する。または、本発明の一態様は、新規な発光素子、新規な発光装置、または、新規な照明装置などを提供する。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、第１の発光層および第２の発光層は、それぞれ発光色の異なる発光物質を含み、第１の発光層および第２の発光層のいずれか一方は、一部に非形成領域（すなわち、発光層において、一部に第１の発光層および第２の発光層のいずれか他方のみからなる領域）を有し、発光層において第１の発光層および第２の発光層が積層された領域からの第１の発光は、非形成領域を有する領域からの第２の発光と発光色が異なり、発光層からは、第１の発光および第２の発光が同時に得られることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、第１の発光層および第２の発光層は、それぞれ発光色の異なる発光物質を含み、第１の発光層および第２の発光層のいずれか一方は、一部に非形成領域（すなわち、発光層において、一部に第１の発光層および第２の発光層のいずれか他方のみからなる領域）を有し、一対の電極と重なる非形成領域の面積は、一対の電極と重なる発光層の面積に対し５％以上９５％以下とし、発光層において第１の発光層および第２の発光層が積層された領域からの第１の発光は、非形成領域を有する領域からの第２の発光と発光色が異なり、発光層からは、第１の発光および第２の発光が同時に得られることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、第１の発光層は、一部に非形成領域（発光層において、一部に第２の発光層のみからなる領域）を有し、一対の電極と重なる非形成領域の面積は、一対の電極と重なる発光層の面積に対し５％以上９５％以下とし、発光層において第１の発光層および第２の発光層が積層された領域からの第１の発光は、非形成領域を有する領域からの第２の発光と発光色が異なり、発光層からは、第１の発光および第２の発光が同時に得られることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、第１の発光層は、一部に非形成領域（発光層において、一部に第２の発光層のみからなる領域）を有し、発光層からの発光は、第１の発光層と第２の発光層との積層領域から得られる第１の発光スペクトルと、第２の発光層から得られる第２の発光スペクトルと、を同時に有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、第１の発光層は、一部に非形成領域（発光層において、一部に第２の発光層のみからなる領域）を有し、一対の電極と重なる非形成領域の面積は、一対の電極と重なる発光層の面積に対し５％以上９５％以下とし、発光層からの発光は、第１の発光層と第２の発光層との積層領域から得られる第１の発光スペクトルと、第２の発光層から得られる第２の発光スペクトルとを、同時に有することを特徴とする発光素子である。

また、上記構成において、第１の発光スペクトルは、５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有し、第２の発光スペクトルは、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲にスペクトルピークを有すことを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、第１の発光層は、燐光発光を呈し、第２の発光層は、蛍光発光を呈し、第１の発光層および第２の発光層のいずれか一方は、一部に非形成領域（すなわち、発光層において、一部に第１の発光層および第２の発光層のいずれか他方のみからなる領域）を有し、発光層において第１の発光層および第２の発光層が積層された領域からの第１の発光は、非形成領域を有する領域からの第２の発光と発光色が異なり、発光層からは、第１の発光および第２の発光が同時に得られることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、第１の発光層は、燐光発光を呈し、第２の発光層は、蛍光発光を呈し、第１の発光層および第２の発光層のいずれか一方は、一部に非形成領域（すなわち、発光層において、一部に第１の発光層および第２の発光層のいずれか他方のみからなる領域）を有し、一対の電極と重なる非形成領域の面積は、一対の電極と重なる発光層の面積に対し５％以上９５％以下とし、発光層において第１の発光層および第２の発光層が積層された領域からの第１の発光は、非形成領域を有する領域からの第２の発光と発光色が異なり、発光層からは、第１の発光および第２の発光が同時に得られることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、第１の発光層は、燐光発光を呈し、第２の発光層は、蛍光発光を呈し、第１の発光層は、励起錯体を形成する層を含み、第１の発光層および第２の発光層のいずれか一方は、一部に非形成領域（すなわち、発光層において、一部に第１の発光層および第２の発光層のいずれか他方のみからなる領域）を有し、発光層において第１の発光層および第２の発光層が積層された領域からの第１の発光は、非形成領域を有する領域からの第２の発光と発光色が異なり、発光層からは、第１の発光および第２の発光が同時に得られることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、少なくとも発光層を有し、発光層は、燐光発光を呈する第１の発光層と蛍光発光を呈する第２の発光層を少なくとも有し、第１の発光層は、励起錯体を形成する層を含み、第１の発光層および第２の発光層のいずれか一方は、一部に非形成領域（すなわち、発光層において、一部に第１の発光層および第２の発光層のいずれか他方のみからなる領域）を有し、一対の電極と重なる非形成領域の面積は、一対の電極と重なる発光層の面積に対し５％以上９５％以下とし、発光層において第１の発光層および第２の発光層が積層された領域からの第１の発光は、非形成領域を有する領域からの第２の発光と発光色が異なり、発光層からは、第１の発光および第２の発光が同時に得られることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、少なくとも発光層を有し、発光層は、燐光発光を呈する第１の発光層と蛍光発光を呈する第２の発光層を少なくとも有し、第２の発光層は、蛍光発光物質と、蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含み、第１の発光層および第２の発光層のいずれか一方は、一部に非形成領域（すなわち、発光層において、一部に第１の発光層および第２の発光層のいずれか他方のみからなる領域）を有し、発光層において第１の発光層および第２の発光層が積層された領域からの第１の発光は、非形成領域を有する領域からの第２の発光と発光色が異なり、発光層からは、第１の発光および第２の発光が同時に得られることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、少なくとも発光層を有し、発光層は、燐光発光を呈する第１の発光層と蛍光発光を呈する第２の発光層を少なくとも有し、第２の発光層は、蛍光発光物質と蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含み、第１の発光層および第２の発光層のいずれか一方は、一部に非形成領域（すなわち、発光層において、一部に第１の発光層および第２の発光層のいずれか他方のみからなる領域）を有し、一対の電極と重なる非形成領域の面積は、一対の電極と重なる発光層の面積に対し５％以上９５％以下とし、発光層において第１の発光層および第２の発光層が積層された領域からの第１の発光は、非形成領域を有する領域からの第２の発光と発光色が異なり、発光層からは、第１の発光および第２の発光が同時に得られることを特徴とする発光素子である。

また、上記構成において、第１の発光層は、黄橙色発光を示し、第２の発光層は青色発光を示すことを特徴とする。

また、上記構成において、第１の発光層は、緑色の発光物質を含む層と、橙色の発光物質を含む層との積層であることを特徴とする。

また、上記構成において、第１の発光層は、燐光発光物質を含み、第２の発光層は、蛍光発光物質を含むことを特徴とする。

また、本発明の一態様は、上記各構成を有する発光素子を用いた発光装置である。

また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する電子機器および照明装置も範疇に含めるものである。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置を含む場合がある。

本発明の一態様により、白色発光が得られる発光素子を提供することができる。また、本発明の一態様は、上記発光素子を適用し、低消費電力を実現した発光装置を提供することができる。さらに、本発明の一態様は、上記発光素子を適用し、低消費電力を実現した電子機器および照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な発光素子、新規な発光装置、または、新規な照明装置などを提供することができる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

本発明の一態様である発光素子の構造について説明する図。 発光装置について説明する図。 電子機器について説明する図。 照明装置について説明する図。 発光素子１、発光素子２、発光素子３、発光素子４の構造について説明する図。 本発明の一態様である発光素子の構造について説明する図。 発光素子の構造について説明する図。 発光素子１、発光素子２、発光素子３、発光素子４の発光スペクトルを示す図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子について説明する。

本発明の一態様である発光素子は、一対の電極間に発光層を含むＥＬ層を挟んで形成されており、発光層は、それぞれ異なる発光物質を含む第１の発光層と第２の発光層とが積層された構造を有する。また、第１の発光層と第２の発光層のいずれか一方の発光層において、一部に発光層が形成されていない非形成領域を有する。以下、本発明の一態様である発光素子の素子構造について、図１（Ａ）（Ｂ）を用いて詳細に説明する。

図１（Ａ）に示す発光素子は、一対の電極（第１の電極１０１、第２の電極１０２）間に発光層１０６を含むＥＬ層１０３が挟まれており、ＥＬ層１０３は、第１の電極１０１を陽極とした場合、第１の電極１０１側から正孔（ホール）注入層１０４、正孔（ホール）輸送層１０５、発光層１０６、電子輸送層１０７、電子注入層１０８等が順次積層された構造を有する。また、発光層１０６は、第１の発光層１０６ａと、第２の発光層１０６ｂとが積層された構造を有するが、領域１１０に示すように第１の発光層１０６ａの一部において第１の発光層１０６ａが形成されていない非形成領域を有する。なお、この場合、第１の発光層１０６ａの非形成領域には、第１の発光層１０６ａ上と同様に第２の発光層１０６ｂが形成される。

図１（Ａ）において、発光層１０６の領域１１１は、第１の発光層１０６ａと第２の発光層１０６ｂとが積層された構造を有するため、第１の発光スペクトルを有する光が矢印Ａの方向に射出される。また、発光層１０６の領域１１２は、第２の発光層１０６ｂのみで形成されているため、第１の発光スペクトルとは異なる第２の発光スペクトルを有する光が矢印Ｂの方向に射出される。すなわち、発光層１０６は、非形成領域の有無により異なる発光スペクトルを射出させることができるため、発光層１０６に占める非形成領域の割合を制御することで一つの発光素子内（または、一画素内）における複数の発光スペクトルを含む混合色の相関色温度（または色度）を所望の範囲に制御することができる。なお、発光層１０６に占める非形成領域の割合（面積比率（％））は、５〜９５％とするのが好ましい。また、本明細書中における相関色温度の所望の範囲は、ＪＩＳ規格に定められている室内用照明の相関色温度の規定範囲（２６００Ｋ〜７１００Ｋ）とし、好ましくは電球色（２６００〜３２５０Ｋ）や温白色（３２５０〜３８００Ｋ）の発光が得られる範囲とする。

なお、図１（Ａ）（Ｂ）に示した発光素子のＥＬ層に含まれる発光層の構造について、図６（Ａ）に断面図の一例を示す。図６（Ａ）において、基板６００上に素子形成層６０７を介して第１の電極（陽極）６０１が形成され、第１の電極（陽極）６０１の端部は、絶縁体６０３で覆われている。また、第１の電極（陽極）６０１上に正孔（ホール）注入層および正孔（ホール）輸送層の積層６０４が形成され、その上に、第１の発光層６０５ａが形成されている。第１の発光層６０５ａは、マスクを用いた蒸着法により形成されるので、同一面上に第１の発光層６０５ａが形成されない領域（非形成領域）を含む。また、第１の発光層６０５ａ上には、マスクを用いることなく第２の発光層６０５ｂが形成されるため、第２の発光層６０５ｂは、第１の発光層６０５ａ上だけでなく、第１の発光層６０５ａの非形成領域である正孔（ホール）注入層および正孔（ホール）輸送層の積層６０４上にも形成される。このように、連続した同一平面を有する第１の電極（陽極）６０１上に第１の発光層６０５ａが複数形成された構造は、本発明の一態様における特徴的な構造である。なお、図６（Ａ）に示した素子形成層６０７は、発光素子と電気的に接続されたＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成される層であるが、必ず設ける必要はなく、必要に応じて適宜形成する。

また、図６（Ａ）において点線で囲まれた領域６０６の上面図を図６（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す。なお、図６（Ａ）における直線ＡＢは、図６（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）における直線ＡＢに対応している。図６（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示すように第１の発光層６０５ａの形成領域は、蒸着の際に用いるマスクの形状によって、様々な構造とすることが可能であり、例えば、図６（Ｂ）に示す概略長方形、図６（Ｃ）に示す概略正方形、図６（Ｄ）に示す円形、そのほか、三角形や楕円形などとしてもよい。なお、配列についても自由な配列とすることができる。

また、図１（Ｂ）に示すように発光層１０６’は、第１の発光層１０６ａ’と、第２の発光層１０６ｂ’とが積層された構造を有し、第１の発光層１０６ａ’上に領域１１０’で示される非形成領域を有する第２の発光層１０６ｂ’を形成する構成とすることもできる。なお、この場合、第２の発光層１０６ｂ’の非形成領域には、第２の発光層１０６ｂ’上と同様に電子輸送層１０７’が形成される。

図１（Ｂ）に示す構造の場合も図１（Ａ）に示す構造の場合と同様であり、発光層１０６’の領域１１１’は、第１の発光層１０６ａ’と第２の発光層１０６ｂ’とが積層された構造を有するため、第１’の発光スペクトルを有する光が矢印Ａ’の方向に射出される。また、発光層１０６’の領域１１２’は、第２’の発光スペクトルを有する光が矢印Ｂ’の方向に射出される。そのため、発光層に占める非形成領域の割合を制御することで一つの発光素子内（または、一画素内）における複数の発光スペクトルを含む混合色の相関色温度（または色度）を所望の範囲に制御することができる。

また、第１の発光層（１０６ａ、１０６ａ’）および第２の発光層（１０６ｂ、１０６ｂ’）のそれぞれに用いる発光性物質（蛍光発光物質、燐光発光物質）の発光色は異なる必要があるが、両方に蛍光発光物質を用いても、両方に燐光発光物質を用いても、一方に蛍光発光物質を用いて他方に燐光発光物質を用いてもよい。さらに、これらの発光性物質に加えてホスト材料となる有機化合物（正孔輸送性材料や電子輸送性材料等）を用いることもできる。なお、ホスト材料に加えてさらに異なる種類の有機化合物（正孔輸送性材料や電子輸送性材料等）を含む構成とすることも可能である。

また、発光層（１０６、１０６’）に蛍光発光物質とホスト材料とを含む場合には、ホスト材料から生成される三重項励起子を効率良く三重項−三重項消滅（ＴＴＡ：ｔｒｉｐｌｅｔ−ｔｒｉｐｌｅｔ ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ）させることにより、一重項励起子に変換し、一重項励起子からのエネルギー移動により蛍光発光物質を発光させる構成とすることもできる。

具体的には、発光層（１０６、１０６’）におけるホスト材料のＴ１準位（最低三重項励起子エネルギー準位）が、蛍光発光物質のＴ１準位よりも低いことが好ましい。通常、発光層における存在比率は、ホスト材料の方が圧倒的に高い。ホスト材料のＴ１準位が蛍光発光物質のＴ１準位よりも低くなるように組み合わせて用いることで、発光層（１０６、１０６’）で生じた三重項励起子が、発光層（１０６、１０６’）中にわずかにしか存在しない蛍光発光物質（分子）にトラップされ局在化してしまうことによる、三重項励起子同士の衝突確率の低下を防ぎ、ＴＴＡの発生確率を高めることができる。これにより、発光層１０６における蛍光発光の発光効率を高めることができる。なお、発光層（１０６、１０６’）に用いる蛍光発光物質としては、公知の物質を用いることができ、青色（例えば、４００ｎｍと４８０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、緑色（例えば、５００ｎｍと５６０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、赤色（例えば、５８０ｎｍと６８０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、黄色（例えば、５４０ｎｍと６００ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有し、黄緑から橙色までを含む）などの発光色を示す物質を適宜用いることができるものとする。

また、発光層（１０６、１０６’）に燐光発光物質とホスト材料とを含む場合には、ホスト材料から生成される三重項励起子からのエネルギー移動により燐光発光物質を発光させる構成とすることもできるが、燐光発光物質とホスト材料に加えて、新たな有機化合物を含む構成とすることにより、ホスト材料と新たな有機化合物により形成される励起錯体（エキサイプレックス）からのエネルギー移動により燐光発光物質を発光させる構成とすることもできる。なお、励起錯体からのエネルギー移動を利用する燐光発光の場合には、形成された励起錯体の発光波長が、励起錯体を形成する有機化合物のそれぞれの発光波長（蛍光波長）に比べて長波長側に存在するため、これらの発光スペクトルが長波長側に変換させることができる。これにより、駆動電圧を低減させることができる。また、励起錯体から燐光発光物質へのエネルギー移動も可能であるため、高い発光効率を実現することができる。なお、発光層（１０６、１０６’）に用いる燐光発光物質としては、公知の物質を用いることができ、青色（例えば、４００ｎｍと４８０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、緑色（例えば、５００ｎｍと５６０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、赤色（例えば、５８０ｎｍと６８０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、黄色（例えば、５４０ｎｍと６００ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有し、黄緑から橙色までを含む）などの発光色を示す物質を適宜用いることができるものとする。

発光層（１０６、１０６’）に含まれる第１の発光層（１０６ａ、１０６ａ’）および第２の発光層（１０６ｂ、１０６ｂ’）において、発光性物質に加えて用いるホスト材料などの有機化合物としては、主として１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する電子輸送性材料や、主として１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する正孔輸送性材料が挙げられる。但し、発光層（１０６、１０６’）のうち燐光発光物質を含む層においては、各層毎に上記有機化合物の２種以上であって、励起錯体を形成しうる組み合わせを用いることとする。

また、発光層（１０６、１０６’）において、発光性物質（蛍光発光物質や燐光発光物質）は、上記有機化合物中に分散させた構成とすることにより、発光層における結晶化を抑制することができる。さらにこのような構成とすることで、発光層（１０６、１０６’）中における発光性物質の濃度が高いことに起因した濃度消光を抑制し、発光素子の発光効率を高くすることができる。

また、発光層（１０６、１０６’）において、燐光発光物質を含む場合、燐光発光物質の他に含まれる有機化合物のＴ１準位は、上記燐光発光物質のＴ１準位よりも高いことが好ましい。有機化合物のＴ１準位が燐光発光物質のＴ１準位よりも低いと、発光に寄与する燐光発光物質の三重項励起エネルギーを有機化合物が消光（クエンチ）してしまい、発光効率の低下を招くためである。

以上のような発光層（１０６、１０６’）における第１の発光層（１０６ａ、１０６ａ’）および第２の発光層（１０６ｂ、１０６ｂ’）のそれぞれから得られる発光色の組み合わせ（「第１の発光層（１０６ａ、１０６ａ’）で得られる発光色＼第２の発光層（１０６ｂ、１０６ｂ’）で得られる発光色」と示す）としては、例えば、「青色＼黄色」、「青色＼橙色・緑色」、「青色＼緑色・橙色」、「青色＼黄色・赤色」、「青色＼緑色・赤色」、「青色＼赤色・黄色」、「黄色＼青色」、「黄色＼青色・赤色」、「黄色＼赤色・緑色」、「黄色＼青色・橙色」、「黄色＼赤色・青色」、「赤色＼青色・緑色」、「赤色＼緑色・青色」、「橙色・緑色＼青色」、「緑色・橙色＼青色」、「黄色・赤色＼青色」、「緑色・赤色＼青色」、「赤色・黄色＼青色」、「青色・赤色＼黄色」、「赤色・緑色＼黄色」、「青色・橙色＼黄色」、「赤色・青色＼黄色」、「青色・緑色＼赤色」、「緑色・青色＼赤色」などが挙げられる。なお、第１の発光層（１０６ａ、１０６ａ’）と第２の発光層（１０６ｂ、１０６ｂ’）との積層関係が逆になる場合も同様の組み合わせが可能である。なお、ここでは、４００ｎｍと４８０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する発光を「青色」と示し、５００ｎｍと５６０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する発光を「緑色」と示し、５８０ｎｍと６８０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する発光を「赤色」と示し、５４０ｎｍと６００ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する発光を「黄色」または「橙色」と示す。

なお、上記発光層（１０６、１０６’）において、第１の発光層（１０６ａ、１０６ａ’）および第２の発光層（１０６ｂ、１０６ｂ’）のどちらか一方が蛍光発光物質を含み、他方が燐光発光物質を含む構成である場合には、燐光発光物質を含む層において、励起錯体が形成される構成とすることが好ましい。これは、通常、蛍光が得られる発光層と燐光が得られる発光層とを積層すると、燐光発光層で生じた三重項励起エネルギーが蛍光発光層のホスト材料に移動して無放射失活する。しかし、燐光発光層において励起錯体を形成する構成の場合には、燐光発光物質へ三重項励起エネルギーが移動して発光が得られ、励起錯体から燐光発光物質以外への励起子の拡散が原理的に起こりにくい。従って、このような構成とすることにより、積層された発光層（１０６、１０６’）からは、蛍光発光だけでなく燐光発光も効率良く得ることができる。

次に、上記の発光素子を作製する上での具体例について説明する。

第１の電極（陽極）１０１および第２の電極（陰極）１０２には、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。なお、第１の電極（陽極）１０１および第２の電極（陰極）１０２は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。

正孔注入層１０４は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１０５を介して発光層（１０６、１０６’）に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む層である。従って、アクセプター材料を他の材料と混合して形成することができる。但し、アクセプター材料の単膜でも正孔注入層１０４として機能させることができる。なお、正孔注入層１０４として正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む構成とすることにより、アクセプター性物質により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層１０５を介して発光層（１０６、１０６’）に正孔が注入される。なお、正孔輸送層１０５は、正孔輸送性材料を用いて形成される。なお、正孔注入層１０４および正孔輸送層１０５は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。

正孔注入層１０４および正孔輸送層１０５に用いる正孔輸送性材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。

また、正孔注入層１０４に用いるアクセプター性物質としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。さらに、アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ−ＣＮ）等の電子吸引基（ハロゲン基やシアノ基）を有する化合物を挙げることができる。特に、ＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。

発光層（１０６、１０６’）は、第１の発光層（１０６ａ、１０６ａ’）と、第２の発光層（１０６ｂ、１０６ｂ’）とが積層された層であり、これらの層は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。但し、第１の発光層（１０６ａ、１０６ａ’）、または第２の発光層（１０６ｂ、１０６ｂ’）のいずれか一方に非形成領域を設けるため、非形成領域を有する発光層の形成の際には、発光層が一部形成されないようにする。例えば、所望のパターン（格子状パターン、環状パターン）の形成が可能なマスク等を用いることで、発光層の一部に非形成領域を設けることができる。また、非形成領域を設けない方の発光層を形成する場合は、マスク等を用いることなく形成する。

発光層（１０６、１０６’）に用いる蛍光発光物質としては、下記の一重項励起エネルギーを発光に変える物質が挙げられる。

例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。特に、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）や、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率や信頼性に優れているため好ましい。

また、発光層（１０６、１０６’）に用いる燐光発光物質としては、下記の三重項励起エネルギーを発光に変える物質が挙げられる。

例えば、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）などが挙げられる。

なお、上記燐光発光物質に代えて、熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料を用いることもできる。なお、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、１０^−６秒以上、好ましくは１０^−３秒以上である。

具体的なＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等が挙げられる。さらに、２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（ＰＩＣ−ＴＲＺ）等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることもできる。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、Ｓ１とＴ１のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。

発光層（１０６、１０６’）に蛍光発光物質が含まれている場合には、次のような有機化合物をホスト材料として用いるのが好ましい。具体的には、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−ビフェニル−４’−イル｝−アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）等のアントラセン化合物が挙げられる。なお、アントラセン骨格を有する物質をホスト材料として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能である。特に、ＣｚＰＡ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ、２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示すため、好ましい。

発光層（１０６、１０６’）に用いることができる電子輸送性の有機化合物（電子輸送性材料）としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましく、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、および６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）等が挙げられる。

また、発光層（１０６、１０６’）に用いることができる正孔輸送性の有機化合物（正孔輸送性材料）としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）や芳香族アミン化合物などが挙げられる。具体的には、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。

電子輸送層（１０７、１０７’）は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層（１０７、１０７’）には、Ａｌｑ_３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層（１０７、１０７’）として用いてもよい。

また、電子輸送層（１０７、１０７’）は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層したものとしてもよい。

電子注入層１０８は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１０８には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１０８にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層（１０７、１０７’）を構成する物質を用いることもできる。

また、電子注入層１０８に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層（１０７、１０７’）を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物）、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

なお、上述した正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、発光層（１０６、１０６’）（第１の発光層（１０６ａ、１０６ａ’）、第２の発光層（１０６ｂ、１０６ｂ’））、電子輸送層（１０７、１０７’）、電子注入層１０８は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

上述した発光素子は、第１の電極１０１および第２の電極１０２との間に生じた電位差によりキャリアが注入され、ＥＬ層１０３において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第１の電極１０１および第２の電極１０２のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１および第２の電極１０２のいずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。

以上、本実施の形態で説明した構造を有する発光素子を形成することにより、発光層から得られる発光の発光強度を発光色毎に制御することができるため、発光素子全体として所望の白色発光を示す発光素子を得ることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を有する発光装置の一例として、アクティブマトリクス型の発光装置について図２を用いて説明する。なお、本実施の形態に示す発光装置には、実施の形態１で説明した発光素子を適用することが可能である。

なお、図２（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板２０１上に設けられた画素部２０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）２０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）２０４（２０４ａ及び２０４ｂ）と、を有する。画素部２０２、駆動回路部２０３、及び駆動回路部２０４は、シール材２０５によって、素子基板２０１と封止基板２０６との間に封止されている。

また、素子基板２０１上には、駆動回路部２０３、及び駆動回路部２０４に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線２０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）２０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図２（Ｂ）を用いて説明する。素子基板２０１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部２０３と、画素部２０２が示されている。

駆動回路部２０３はＦＥＴ２０９とＦＥＴ２１０とを組み合わせた構成について例示している。なお、駆動回路部２０３が有するＦＥＴ２０９とＦＥＴ２１０は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路で形成されても良いし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で形成されても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部２０２はスイッチング用ＦＥＴ２１１と、電流制御用ＦＥＴ２１２と電流制御用ＦＥＴ２１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極（陽極）２１３とを含む複数の画素により形成される。また、本実施の形態においては、画素部２０２はスイッチング用ＦＥＴ２１１と、電流制御用ＦＥＴ２１２との２つのＦＥＴにより画素部２０２を構成する例について示したが、これに限定されない。例えば、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせた画素部２０２としてもよい。

ＦＥＴ２０９、２１０、２１１、２１２としては、例えば、スタガ型や逆スタガ型のトランジスタを適用することができる。ＦＥＴ２０９、２１０、２１１、２１２に用いることのできる半導体材料としては、例えば、第１３族（ガリウム等）半導体、第１４族（ケイ素等）半導体、化合物半導体、酸化物半導体、有機半導体材料を用いることができる。また、該半導体材料を用いた膜の結晶性については、特に限定されず、例えば、非晶質半導体膜、または結晶性半導体膜を用いることができる。特に、ＦＥＴ２０９、２１０、２１１、２１２としては、酸化物半導体を用いると好ましい。該酸化物半導体としては、例えば、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、またはＮｄ）等が挙げられる。ＦＥＴ２０９、２１０、２１１、２１２として、例えば、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体材料を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

また、第１の電極２１３の端部を覆って絶縁物２１４が形成されている。ここでは、絶縁物２１４として、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。また、本実施の形態においては、第１の電極２１３を陽極として用いる。

また、絶縁物２１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。絶縁物２１４の形状を上記のように形成することで、絶縁部２１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。例えば、絶縁物２１４の材料として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれかを使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等を使用することができる。

第１の電極（陽極）２１３上には、ＥＬ層２１５及び第２の電極（陰極）２１６が積層形成されている。ＥＬ層２１５は、少なくとも発光層が設けられており、発光層は、実施の形態１で説明した積層構造を有する。また、ＥＬ層２１５には、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を適宜設けることができる。

なお、第１の電極（陽極）２１３、ＥＬ層２１５及び第２の電極（陰極）２１６との積層構造で、発光素子２１７が形成されている。第１の電極（陽極）２１３、ＥＬ層２１５及び第２の電極（陰極）２１６に用いる材料としては、実施の形態１に示す材料を用いることができる。また、ここでは図示しないが、第２の電極（陰極）２１６は外部入力端子であるＦＰＣ２０８に電気的に接続されている。

また、図２（Ｂ）に示す断面図では発光素子２１７を１つのみ図示しているが、画素部２０２において、本発明の一態様である発光素子を含む複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。なお、画素部２０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子の他に、例えば、ホワイト（Ｗ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）等の発光が得られる発光素子を形成し、４種類（（Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ）、（Ｒ，Ｇ、Ｂ、Ｙ）、（Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｍ）、（Ｒ，Ｇ、Ｂ、Ｃ））の発光が得られる素子などとしてもよい。このように、数種類の発光が得られる発光素子を追加することにより、色純度の向上、消費電力の低減等の効果が得ることができる。また、各発光色を狭線化させるべく、電極間での光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティー）構造を有する構成としても良い。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。さらに、本発明の一態様である発光素子の構成にタンデム構造を組み合わせた発光素子を適用しても良い。

さらに、シール材２０５で封止基板２０６を素子基板２０１と貼り合わせることにより、素子基板２０１、封止基板２０６、およびシール材２０５で囲まれた空間２１８に発光素子２１７が備えられた構造になっている。なお、空間２１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材２０５で充填される構成も含むものとする。

なお、シール材２０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板２０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材としてガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から素子基板２０１及び封止基板２０６はガラス基板であることが好ましい。

以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。なお、本実施の形態では、発光装置の一例として、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、実施の形態１で説明した本発明の一態様である発光素子を適用したパッシブマトリクス型の発光装置を作製することもできる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を適用して作製された発光装置を用いて完成させた様々な電子機器の一例について、図３を用いて説明する。

発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図３に示す。

図３（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。

テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図３（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製することができる。

図３（Ｃ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。

ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。

なお、図３（Ｃ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。

また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光装置をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。

図３（Ｄ）は、携帯電話機（スマートフォンを含む）の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に、表示部７４０２、マイク７４０６、スピーカ７４０５、カメラ７４０７、外部接続部７４０４、操作用ボタン７４０３などを備えている。また、本発明の一態様に係る発光素子を、可撓性を有する基板に形成した場合、図３（Ｄ）に示すような曲面を有する表示部７４０２に適用することが可能である。

図３（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。

また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロセンサや加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１のボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

さらに、携帯電話機（スマートフォンを含む）の別の構成として、図３（Ｄ’−１）や図３（Ｄ’−２）のような構造を有する携帯電話機に適用することもできる。

なお、図３（Ｄ’−１）や図３（Ｄ’−２）のような構造を有する場合には、文字情報や画像情報などを筐体７５００（１）、７５００（２）の第１面７５０１（１）、７５０１（２）だけでなく、第２面７５０２（１）、７５０２（２）に表示させることができる。このような構造を有することにより、携帯電話機を胸ポケットに収納したままの状態で、第２面７５０２（１）、７５０２（２）などに表示された文字情報や画像情報などを使用者が容易に確認することができる。

以上のようにして、本発明の一態様である発光素子を含む発光装置を適用して電子機器を得ることができる。なお、適用できる電子機器は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を含む発光装置を適用した照明装置の一例について、図４を用いて説明する。

図４は、発光装置を室内の照明装置８００１として用いた例である。なお、発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８００２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８００３を備えても良い。

また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照明装置８００４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。

以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

本実施例では、本発明の一態様である発光素子として、発光層の一部に非形成領域を有する発光素子を作製し、非形成領域の無い発光素子との特性比較を行った。なお、本実施例では、発光素子の発光層の一部に非形成領域を設けるために、発光層の一部を成膜する際にメッシュ状のマスクを用いる。

図５（Ａ）（Ｂ）により、本実施例で作製する発光素子について説明する。なお、本実施例で示す発光素子１、発光素子２、発光素子３、および発光素子４は、いずれも図５（Ａ）（Ｂ）に示すように基板５００上に第１の電極５０１、正孔注入層５０４、正孔輸送層５０５、発光層５０６、電子輸送層５０７、電子注入層５０８、および第２の電極５０２が積層された構造を有する。

図５（Ａ）に示すのは、発光素子１である。発光素子１の発光層５０６に含まれる第１の発光層５０６ａおよび第２の発光層５０６ｂは、メッシュ状のマスクを用いることなく形成されるため、発光層５０６中に非形成領域を有さない。また、発光素子２は、図５（Ａ）の発光層５０６が第２の発光層５０６ｂのみで形成された構造を有する。

図５（Ｂ）に示すのは、本発明の一態様である発光素子の構成を有する発光素子３および発光素子４である。発光素子３および発光素子４は、第１の発光層５０６ａの成膜時にメッシュ状のマスクを用いて成膜し、非形成領域５１０を設ける。その後、マスクを用いることなく第２の発光層５０６ｂを形成することにより、第１の発光層５０６ａ上だけでなく非形成領域５１０にも第２の発光層５０６ｂが形成された構造となる。なお、発光素子３と発光素子４は、第１の発光層５０６ａの成膜時に用いるメッシュ状のマスクの開口部のサイズが異なるため、形成される非形成領域５１０の面積が異なる。すなわち、発光素子３と発光素子４は、第１の発光層５０６ａに占める非形成領域の割合が異なる。

ここで、発光素子３のＥＬ層５０３に含まれる発光層の構造について、より詳細な断面図を図７（Ａ）に示す。なお、図５（Ｂ）と図７（Ａ）では、共通の符号を用いる。図７（Ａ）において、基板５００上に形成された第１の電極（陽極）５０１の端部は、絶縁体７０３で覆われている。また、第１の電極（陽極）５０１上に正孔（ホール）注入層５０４および正孔（ホール）輸送層５０５が積層して形成され、その上に、第１の層５０６（ａ１）と第２の層５０６（ａ２）、との積層構造である、第１の発光層５０６ａが形成されている。第１の発光層５０６ａは、マスクを用いた蒸着法により形成されるので、同一面上に第１の発光層５０６ａが形成されない領域（非形成領域）を含む。また、第１の発光層５０６ａ上には、マスクを用いることなく第２の発光層５０６ｂが形成されるため、第２の発光層５０６ｂは、第１の発光層５０６ａ上だけでなく、第１の発光層５０６ａの非形成領域である正孔（ホール）輸送層５０５の上にも形成される。また、図７（Ａ）において点線で囲まれた領域７０６の上面図を図７（Ｂ）に示す。なお、図７（Ａ）で示す断面ＡＢは、図７（Ｂ）における上面図を直線ＡＢで切った断面図に相当する。図７（Ｂ）において、第１の発光層５０６ａ（第１の層５０６（ａ１）、第２の層５０６（ａ２））上には第２の発光層５０６ｂが積層されており、それ以外の領域は、第１の発光層５０６ａ（第１の層５０６（ａ１）、第２の層５０６（ａ２））が形成されない非形成領域であり、第２の発光層５０６ｂのみで形成された単層構造を有する。なお、発光素子４は、第１の発光層５０６ａの成膜時に用いるメッシュ状のマスクの開口部のサイズが発光素子３と異なるため、形成される非形成領域５１０の面積が異なる以外は同様である。

本実施例において、第１の発光層５０６ａは、積層構造を有しており、積層された第１の層５０６（ａ１）と第２の層５０６（ａ２）から得られる発光の発光ピークがそれぞれ異なる構成を有する。さらに、第１の発光層５０６ａに積層される第２の発光層５０６ｂから得られる発光の発光ピークも、第１の層５０６（ａ１）や第２の層５０６（ａ２）から得られる発光の発光ピークとは異なる。なお、本実施例において、第１の発光層５０６ａの第１の層５０６（ａ１）は、緑色発光を示し、第２の層５０６（ａ２）は、橙色発光を示し、第２の発光層５０６ｂは、青色発光を示す。

以下に本実施例で発光素子の作製に用いる材料の構造式と略称を以下に示す。

≪発光素子１乃至発光素子４の作製≫
第１の電極５０１は、陽極として機能する電極であり、ガラス基板５００上にシリコン、または酸化シリコンを含有したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、１１０ｎｍの膜厚で成膜し、形成した。電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

ここで、前処理として、基板５００の表面を水で洗浄した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板５００を３０分程度放冷した。

第１の電極５０１上には、ＥＬ層５０３、第２の電極５０２が順次形成される。なお、図５（Ａ）に示すように発光素子１におけるＥＬ層５０３には、正孔注入層５０４、正孔輸送層５０５、発光層５０６（第１の発光層５０６ａ、第２の発光層５０６ｂ）、電子輸送層５０７、電子注入層５０８が含まれる。また、第１の発光層５０６ａは、含まれる物質が異なる複数の層（第１の層５０６（ａ１）、第２の層５０６（ａ２））からなる積層構造を有する。また、発光素子２は、発光層５０６が、第２の発光層５０６ｂのみで形成され、発光素子１に示す第１の発光層５０６ａを有さない点が発光素子１と異なる。また、図５（Ｂ）に示すように発光素子３および発光素子４は、発光層５０６（第１の発光層５０６ａ、第２の発光層５０６ｂ）のうち第１の発光層５０６ａの一部に非形成領域を有する。従って、本実施例では、発光素子１〜発光素子４の共通部分については、まとめて説明し、異なる部分のみを個別に説明することとする。

正孔注入層５０４は、真空装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）−ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝２：１（質量比）となるように共蒸着して第１の電極５０１上に形成した。共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。なお、発光素子１、発光素子２、発光素子３、および発光素子４のいずれの場合も、膜厚を３０ｎｍとした。

正孔輸送層５０５は、発光素子１、発光素子２、および発光素子３の場合は、正孔注入層５０４上に３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）を２０ｎｍの膜厚で蒸着して形成した。また、発光素子４の場合は、正孔注入層５０４上に４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を２０ｎｍの膜厚で蒸着して形成した。

発光層５０６は、発光素子１の場合には、第１の発光層５０６ａが第１の層５０６（ａ１）と第２の層５０６（ａ２）の積層構造からなり、第２の発光層５０６ｂは単層構造を有する。なお、第１の層５０６（ａ１）は、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］を、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］＝０．７：０．３：０．０５（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、１０ｎｍとした。また、第２の層５０６（ａ２）は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＮＢＢ、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（別名：ビス［２−（６−フェニル−４−ピリミジニル−κＮ３）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ_２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ））（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）を、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＮＢＢ：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］＝０．８：０．２：０．０５（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、２０ｎｍとした。さらに、第２の発光層５０６ｂは、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）を、ＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ＝１：０．０５（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、２０ｎｍとした。

発光素子２の場合には、第１の発光層５０６ａを形成せず、第２の発光層５０６ｂのみの単層構造を有する。従って、第２の発光層５０６ｂは、ＣｚＰＡ、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎを、ＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ＝１：０．０５（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、２０ｎｍとした。

発光素子３および発光素子４の積層構造は、発光素子１と同様であり、第１の発光層５０６ａが第１の層５０６（ａ１）と第２の層５０６（ａ２）の積層構造からなり、第２の発光層５０６ｂは単層構造を有する。また、材料、組成、および膜厚も発光素子１と同様であるが、発光素子３および発光素子４の第１の発光層５０６ａ（第１の層５０６（ａ１）、第２の層５０６（ａ２））形成時にメッシュ状のマスクを用いる点が異なる。なお、発光素子３および発光素子４の第１の発光層５０６ａを作製する際には、ニッケル１００％の積層膜からなる「株式会社くればぁ」社製の超高精度ナノメッシュをマスクとして用いた。以下の表１に各素子に用いたメッシュ状のマスクの詳細を示す。なお、表１におけるメッシュ数は、２５．４ｍｍ（１インチ）の１辺の線の中心から中心においての網目の数を表す。また、目開きは、線と線の間の隙間の大きさを表す。また、線径は、線の直径を表す。なお、透過率は、発光層に占める第３の発光素子および第４の発光素子の第１の発光層５０６ａ（第１の層５０６（ａ１）、第２の層５０６（ａ２））の面積比率（％）に対応する。言い換えれば、発光層に占める非形成領域の面積比率（％）は、１００（％）−透過率（％）により求めることができる。

なお、上記マスクは、第１の発光層５０６ａ（第１の層５０６（ａ１）、第２の層５０６（ａ２））形成時に被成膜基板に固定して用いた。

上記マスクを用いて第１の発光層５０６ａ（第１の層５０６（ａ１）、第２の層５０６（ａ２））を形成することにより、図５（Ｂ）に示す非形成領域５１０を設けることができる。

電子輸送層５０７は、発光層５０６上にＣｚＰＡを５ｎｍ蒸着した後、Ｂｐｈｅｎを１５ｎｍ蒸着して形成した。

電子注入層５０８は、電子輸送層５０７上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ蒸着して形成した。

第２の電極５０２は、陰極として機能する電極であり、電子注入層５０８上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚で成膜して形成した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

なお、作製した発光素子１、発光素子２、発光素子３、および発光素子４は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射し、８０℃にて１時間熱処理した。）。

以上により得られた発光素子１、発光素子２、発光素子３、および発光素子４の素子構造を表２に示す。但し、発光素子１、発光素子３、および発光素子４における第１の発光層５０６ａの第１の層５０６（ａ１）については、表中に＊^１で示し、発光素子１、発光素子３、および発光素子４における第２の層５０６（ａ２）については、表中に＊^２で示し、発光素子１、発光素子２、発光素子３、および発光素子４における第２の発光層５０６ｂについては、表中に＊^３で示し、欄外に詳細を示した。

≪発光素子１、発光素子２、発光素子３、および発光素子４の素子特性≫
作製した発光素子１、発光素子２、発光素子３、および発光素子４の素子特性について、室温（２５℃に保たれた雰囲気）で測定した結果を以下の表３に示す。なお、表３に示す結果は、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における各発光素子の主な初期特性値である。また、表３中のｄｕｖは、黒体軌跡からの偏差を示す。

上記結果から、本実施例で作製した発光素子は、第２の発光層５０６ｂのみで形成された発光層を有する発光素子２に比べ、第１の発光層５０６ａと第２の発光層５０６ｂとが積層された発光層を有する発光素子（発光素子１、発光素子３、発光素子４）の方がパワー効率、外部量子効率ともに高いことがわかった。また、発光層の一部に非形成領域５１０を有する発光素子３や発光素子４では、発光層に占める非形成領域の割合（面積比率（％））が、発光素子３の場合には５２％、発光素子４の場合には、８０％であった。すなわち、発光層に占める非形成領域の面積比率（％）は、いずれも５％以上９５％以下の好ましい範囲（より好ましくは、４０％以上９０％以下の範囲）に含まれており、ＪＩＳ規格に定められている室内用照明の相関色温度の規定範囲（２６００Ｋ〜７１００Ｋ）のうちのより好ましい範囲にある電球色（２６００〜３２５０Ｋ）や温白色（３２５０〜３８００Ｋ）の発光を示すという結果が得られた。さらに、発光素子３や発光素子４では、平均演色評価数が発光素子１より高く、照明用途としてより好ましい発光を呈することがわかった。

また、発光素子１、発光素子２、発光素子３、および発光素子４に３．７５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の駆動初期の発光スペクトルを、図８に示す。発光素子１は、発光層５０６が積層構造を有し、その各層が異なる発光性物質を含むにもかかわらず、第１の発光層５０６ａからの発光であり、５７８ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルのみが確認された。また、発光素子２は、発光層５０６が第２の発光層５０６ｂのみからなるため、第２の発光層５０６ｂからの発光であり、４６７ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルが確認された。また、発光層５０６の一部に非形成領域５１０を有する発光素子３および発光素子４については、いずれも第１の発光層５０６ａからの発光であり、５７８ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルが確認されるのに加えて、第２の発光層５０６ｂからの発光であり、４６７ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルが確認された。但し、発光素子３と発光素子４では、第２の発光層５０６ｂからの発光において、その発光強度が異なっていた。これは、発光素子３と発光素子４の発光層５０６に形成された非形成領域５１０の形状が異なるためであると考えられる。

なお、上述した発光素子の相関色温度は、発光素子から得られる複数の発光の発光色と発光強度により決まる。そのため、本実施例で示したように、発光層の一部に非形成領域を設けることにより、発光素子の相関色温度を制御することができるので、所望の発光を有する発光素子を得ることができる。

１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３ ＥＬ層
１０４ 正孔注入層
１０５ 正孔輸送層
１０６、１０６’ 発光層
１０６ａ、１０６ａ’ 第１の発光層、１０６ｂ、１０６ｂ’ 第２の発光層
１０７、１０７’ 電子輸送層
１０８ 電子注入層
１１０、１１０’ 領域
１１１、１１１’ 領域
１１２、１１２’ 領域
２０１ 素子基板
２０２ 画素部
２０３ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
２０４ａ、２０４ｂ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
２０５ シール材
２０６ 封止基板
２０７ 配線
２０８ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
２０９ ＦＥＴ
２１０ ＦＥＴ
２１１ スイッチング用ＦＥＴ
２１２ 電流制御用ＦＥＴ
２１３ 第１の電極（陽極）
２１４ 絶縁物
２１５ ＥＬ層
２１６ 第２の電極（陰極）
２１７ 発光素子
２１８ 空間
５００ 基板
５０１ 第１の電極
５０２ 第２の電極
５０３ ＥＬ層
５０４ 正孔注入層
５０５ 正孔輸送層
５０６ 発光層
５０６ａ 第１の発光層、５０６ｂ 第２の発光層
５０６（ａ１） 第１の層
５０６（ａ２） 第２の層
５０７ 電子輸送層
５０８ 電子注入層
５１０ 非形成領域
６００ 基板
６０１ 第１の電極
６０３ 絶縁体
６０４ 正孔注入層および正孔輸送層
６０５ａ 第１の発光層、６０５ｂ 第２の発光層
６０７ 素子形成層
７０３ 絶縁体
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ 時刻を表すアイコン
７３０６ その他のアイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作用ボタン
７４０４ 外部接続部
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４０７ カメラ
７５００（１）、７５００（２） 筐体
７５０１（１）、７５０１（２） 第１面
７５０２（１）、７５０２（２） 第２面
８００１ 照明装置
８００２ 照明装置
８００３ 照明装置
８００４ 照明装置

Claims (7)

1. 一対の電極間に発光層を有し、
   前記発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、
   前記第１の発光層および前記第２の発光層の積層領域と、前記第１の発光層の非形成領域と、を有し、
   前記第１の発光層および前記第２の発光層は、それぞれ発光色の異なる発光物質を含み、
   前記第１の発光層は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層との積層構造を有し、
   前記第１の層および前記第２の層は、それぞれ発光色の異なる発光物質を含み、
   前記第２の層の下面全体が、前記第１の層と重なり、
   前記発光層において、前記積層領域からの第１の発光の発光色は、前記非形成領域を有する領域からの第２の発光の発光色と異なる発光装置。
2. 一対の電極間に発光層を有し、
   前記発光層は、第１の発光層および第２の発光層を有し、
   前記第１の発光層および前記第２の発光層の積層領域と、前記第１の発光層の非形成領域と、を有し、
   前記第１の発光層は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層との積層構造を有し、
   前記第２の層の下面全体が、前記第１の層と重なり、
   前記発光層からの発光は、前記積層領域から得られる第１の発光スペクトルと、前記第２の発光層から得られる第２の発光スペクトルと、を有する発光装置。
3. 一対の電極間に発光層を有し、
   前記発光層は、第１の発光層および第２の発光層が積層された第１の領域と、前記第１の発光層が形成されず、かつ前記第２の発光層が形成された第２の領域と、を有し、
   前記第１の発光層および前記第２の発光層は、それぞれ発光色の異なる発光物質を含み、
   前記第１の発光層は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層との積層構造を有し、
   前記第１の層および前記第２の層は、それぞれ発光色の異なる発光物質を含み、
   前記第２の層の下面全体が、前記第１の層と重なり、
   前記発光層において、前記第１の領域からの第１の発光の発光色は、前記第２の領域からの第２の発光の発光色と異なる発光装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の層は、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の範囲に発光スペクトルピークを有し、
   前記第２の層は、５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲に発光スペクトルピークを有する発光装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の発光層は、燐光発光を呈し、前記第２の発光層は、蛍光発光を呈し、
   前記第１の発光層は、励起錯体を形成する層を含む発光装置。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の発光層は、燐光発光を呈し、前記第２の発光層は、蛍光発光を呈し、
   前記第２の発光層は、蛍光発光物質と、前記蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含む発光装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の発光層は、複数の島状に設けられている発光装置。