CN107146857B - 显示面板、显示面板的制作方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板、显示面板的制作方法和显示装置。显示面板包括阵列基板、盖板和框胶，阵列基板包括设置在封装区域的第一金属衬底和第二金属衬底；在显示区域同一侧的封装区域中，第一金属衬底包括多条第一金属线，第二金属衬底包括多条第二金属线，第一金属线与第二金属线彼此交叉；在垂直显示面板的方向上，阵列基板在封装区域具有变化的厚度，并且在第一金属线与第二金属线重叠的区域具有最大厚度。按照本申请的方案，通过在封装区域设置两层金属线作为封装衬底，并使不同层的金属线彼此交叉，使得阵列基板在封装区域具有变化的厚度，增大了框胶与阵列基板的接触面积，从而提高封装的可靠性。

Description

显示面板、显示面板的制作方法和显示装置
技术领域
本申请一般涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制作方法和显示装置。
背景技术
玻璃胶封装是显示面板(例如，有机发光显示面板)常用的一种封装形式，如图1A和图1B所示，示出了现有技术的显示面板使用玻璃胶封装的一个示例。
如图1A所示，显示面板通常可包括显示区域191和围绕显示区域191的封装区域192。如图1B所示，在封装区域192中，显示面板可包括阵列基板11、盖板12以及将阵列基板11和盖板粘合在一起的玻璃胶13。现有技术中，通常在阵列基板11的玻璃基板10上设置金属衬底14(其上沉积有绝缘膜)，通过激光将玻璃胶13熔解并固化在阵列基板11和盖板12之间。
然而，现有技术中，金属衬底14与玻璃胶13接触的表面平坦，平坦式接触的粘合力有限，易于发生封装不良，导致水汽、氧等进入显示面板内，使液晶分子或有机发光材料恶化甚至失效。而增大粘合力，则需要将封装区域加宽(进而增加金属衬底14与玻璃胶13之间的接触面积)，这与窄边框的发展趋势相悖。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种显示面板、显示面板的制作方法和显示装置，以期解决现有技术中存在的技术问题。
根据本申请的一个方面，提供了一种显示面板，包括阵列基板、盖板以及用于将阵列基板和盖板粘合在一起的框胶，阵列基板包括设/置在封装区域的第一金属衬底和第二金属衬底，封装区域围绕显示区域，框胶设置在封装区域；在显示区域同一侧的封装区域中，第一金属衬底包括多条第一金属线，第二金属衬底包括多条第二金属线，第一金属线与第二金属线彼此交叉；在垂直显示面板的方向上，阵列基板在封装区域具有变化的厚度，并且在第一金属线与第二金属线重叠的区域具有最大厚度。
在一些实施例中，阵列基板还包括设置在封装区域的第一绝缘衬底和第二绝缘衬底；第一绝缘衬底覆盖第一金属衬底，第二绝缘衬底覆盖第二金属衬底。
在一些实施例中，阵列基板还包括设置在显示区域的栅电极层、第一绝缘层、源/漏电极层和第二绝缘层；第一绝缘层覆盖栅电极层，第二绝缘层覆盖源/漏电极层。
在一些实施例中，第一金属衬底和第二金属衬底两者之一与栅极层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第一金属衬底和第二金属衬底两者中的另一个与源/漏电极层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
在一些实施例中，阵列基板还包括设置在显示区域的遮光金属层和第三绝缘层，第三绝缘层覆盖遮光金属层；第一金属衬底和第二金属衬底两者之一与遮光金属层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第一金属衬底和第二金属衬底两者中的另一个与栅电极层和源/漏电极层两者之一位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
在一些实施例中，阵列基板还包括设置在显示区域的第四金属层和第四绝缘层，第四绝缘层覆盖第四金属层；第一金属衬底和第二金属衬底两者之一与第四金属层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第一金属衬底和第二金属衬底两者中的另一个与栅电极层和源/漏电极层两者之一位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
在一些实施例中，第一绝缘衬底和/或第二绝缘衬底的材料为氮化硅和氧化硅中的至少一种。
在一些实施例中，显示面板为有机发光显示面板。
根据本申请的另一方面还提供了一种显示面板的制作方法，包括：沉积第一金属导电膜；刻蚀第一金属导电膜以在封装区域形成第一金属衬底；沉积第二金属导电膜；刻蚀第二金属导电膜以在封装区域形成第二金属衬底；在封装区域涂覆框胶；贴合盖板并固化框胶以将盖板与阵列基板粘合在一起；其中，阵列基板包括第一金属衬底和第二金属衬底，在显示区域同一侧的封装区域中，第一金属衬底包括多条第一金属线，第二金属衬底包括多条第二金属线，第一金属线与第二金属线彼此交叉，封装区域围绕显示区域；在垂直显示面板的方向上，阵列基板在封装区域具有变化的厚度，并且在第一金属线与第二金属线重叠的区域具有最大厚度。
在一些实施例中，方法还包括：沉积第一绝缘膜以在封装区域覆盖第一金属衬底形成第一绝缘衬底；沉积第二绝缘膜以在封装区域覆盖第二金属衬底形成第二绝缘衬底；其中，阵列基板还包括第一绝缘衬底和第二绝缘衬底。
在一些实施例中，当第一绝缘衬底位于第一金属衬底和第二金属衬底之间时，在沉积第二金属导电膜之前，还刻蚀所述第一金属线之间的区域中的第一绝缘衬底。
在一些实施例中，当第一绝缘衬底位于第一金属衬底和第二金属衬底之间时，在涂覆框胶之前，还刻蚀在第二金属线之间的区域中的第二绝缘衬底，但不刻透第二绝缘衬底。
在一些实施例中，方法还包括：在显示区域形成栅电极层；在显示区域覆盖栅电极层形成第一绝缘层；在显示区域形成源/漏电极层；在显示区域覆盖源/漏电极层形成第二绝缘层；其中，阵列基板还包括栅电极层、第一绝缘层、源/漏电极层和第二绝缘层。
在一些实施例中，第一金属衬底和第二金属衬底两者之一与栅极层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第一金属衬底和第二金属衬底两者中的另一个与源/漏电极层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
在一些实施例中，方法还包括：在显示区域形成遮光金属层；在显示区域覆盖遮光金属层形成第三绝缘层；其中，阵列基板还包括遮光金属和第三绝缘层；第一金属衬底和第二金属衬底两者之一与遮光金属层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第一金属衬底和第二金属衬底两者中的另一个与栅电极层和源/漏电极层两者之一位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
在一些实施例中，方法还包括：在显示区域形成第四金属层；在显示区域覆盖第四金属层形成第四绝缘层；其中，阵列基板还包括第四金属和第四绝缘层；第一金属衬底和第二金属衬底两者之一与第四金属层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第一金属衬底和第二金属衬底两者中的另一个与栅电极层和源/漏电极层两者之一位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
根据本申请的又一方面还提供了一种显示装置，包括如上的显示面板。
本申请提供的显示面板、显示面板的制作方法和显示装置，通过在封装区域设置两层金属线作为封装衬底，并使不同层的金属线彼此交叉，使得阵列基板在封装区域具有变化的厚度，增大了框胶与阵列基板的接触面积，从而提高封装的可靠性。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1A示出了现有技术的显示面板的俯视图；
图1B为图1A沿线AB的剖视图；
图2A示出了本申请一个实施例的显示面板的俯视图；
图2B为图2A沿线CD的剖视图；
图2C为图2A的局部示意图；
图3A～图3C示出了图2A和图2B所示的实施例的显示面板的制备工艺的示意图。
图4示出了图2A所示的实施例的另一实现方式的示意图；
图5示出了图2A所示的实施例的又一实现方式的剖视图；
图6示出了本申请另一实施例的显示面板的剖视图；
图7A～图7E示出了图6所示的实施例的显示面板的制备工艺的示意图；
图8A为图7B所示的制备工艺的另一实现方式的示意图；
图8B为图7C所示的制备工艺的另一实现方式的示意图；
图9示出了本申请又一实施例的显示面板的剖视图；
图10示出了本申请再一实施例的显示面板的剖视图；
图11示出了本申请显示面板的制作方法的一个实施例的示意性流程图；
图12示出了本申请的显示装置的一个实施例的示意性结构图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
图2A示出了本申请一个实施例的显示面板的俯视图，图2B为图2A沿线CD的剖视图，图2C为图2A的局部示意图。
如图2A和图2B所示，显示面板可包括阵列基板21、盖板22以及用于将阵列基板21和盖板22粘合在一起的框胶23，框胶23设置在封装区域292。
阵列基板21可包括设置在封装区域292的第一金属衬底241b和第二金属衬底242b，在显示区域291同一侧的封装区域292中，第一金属衬底241b可包括多条第一金属线L241，第二金属衬底242b可包括多条第二金属线L242，第一金属线L241可与第二金属线L242彼此交叉。这里，封装区域292围绕显示区域291。
在垂直显示面板的方向上，阵列基板21在封装区域292具有变化的厚度，并且在第一金属线L241与第二金属线L242重叠的区域具有最大厚度。
具体而言，由于第一金属线L241和第二金属线L242彼此交叉，并且各自具有一定的膜厚，因此，根据第一金属线L241和第二金属线L242的位置关系，可将封装区域分成几种不同的区域，例如，同时被第一金属线L241和第二金属线L242覆盖的区域I、仅被第一金属线L241覆盖的区域II、仅被第二金属线L242覆盖的区域III以及未被第一金属线L241和第二金属线L242覆盖的区域IV，如图2C所示。
其中，在区域I中阵列基板21可具有第一厚度，在区域II中阵列基板21可具有第二厚度，在区域III中阵列基板21可具有第三厚度，在区域IV中阵列基板21可具有第四厚度。这里，第一厚度>第二厚度/第三厚度>第四厚度，第二厚度与第三厚度可以相同或不同。
这样，当通过框胶23将阵列基板21和盖板22粘合在一起时，框胶23与阵列基板21在上述各区域彼此接触地粘合，这种凹凸不平的粗糙表面使得阵列基板21与框胶23之间的接触面积大大增加，从而提高了框胶23与阵列基板21之间的粘合力。
本实施例中，通过在封装区域设置两层金属线(例如，第一金属线和第二金属线)作为封装衬底，并使不同层的金属线彼此交叉，使得阵列基板在封装区域具有变化的厚度，增大了框胶与阵列基板的接触面积，从而提高封装的可靠性。
与现有技术的平坦式接触相比，由于增大了框胶与阵列基板的接触面积，本实施例的显示面板在保证封装可靠性的情况下，可减少封装区域所占的面积，例如，可减少至少30％的封装区域，这有利于窄边框的实现。
本实施例的有益之处还在于：一方面，由于金属具有较佳的导热特性，第一/第二金属衬底可在框胶熔解期间进行散热避免局部过热；另一方面，当使用诸如激光、紫外光之类的光源对框胶进行固化时，由于金属衬底的反光特性，可以提高光源的利用率，降低光源的功率。
此外，将第一/第二金属衬底设置成多条金属线的形式，还可以使工艺过程中产生的金属应力释放更充分，从而避免由于形变而导致封装失效。
尽管图2A示出了第一金属线L241和第二金属线L242相互垂直，但这仅仅是示意性的。可以理解的是，第一金属线L241与第二金属线L242可以呈任意合适的角度，只要第一金属线L241和第二金属线L242形成交叉即可，本领域的技术人员可以根据实际应用场景的需要进行设置。
尽管图2B示出了第二金属衬底242b设置在第一金属衬底241b之上，应当理解，第二金属衬底242b与第一金属衬底241b的位置可以互换，例如，第一金属衬底241b可设置在第二金属衬底242b之上。
尽管图2B示出了盖板22与框胶23之间的接触表面平坦，应当理解，盖板22与框胶23之间也可以形成与框胶23和阵列基板21之间的接触表面类似的粗糙表面，以进一步提高封装的可靠性。
此外，框胶23可以是玻璃胶，但本实施例并不局限于此。框胶也可以是其他合适的粘合剂，例如，紫外光固化胶等。
可选地，显示面板为液晶显示面板。
当显示面板为液晶显示面板时，盖板22可以是彩膜基板，显示面板还可包括位于阵列基板21和彩膜基板22之间的液晶层，通过框胶23将液晶层中的液晶分子密封在两个基板之间。
可选地，显示面板为有机发光显示面板。
当显示面板为有机发光显示面板时，显示面板还可包括有机发光二极管，有机发光二极管可包括阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的有机发光层。通过框胶23将有机发光二极管密封在阵列基板21和盖板22之间。
下面将参考图3A～图3C来描述制作本实施例的显示面板的工艺流程。
首先，在阵列基板21的基底基板201上沉积第一金属导电膜，并刻蚀第一金属导电膜，以在封装区域292形成第一金属衬底241b，如图3A所示。
其中，第一金属衬底241b可包括多条第一金属线，各第一金属线可彼此平行地设置。
接下来，在基底基板201和第一金属衬底241b上沉积第二金属导电膜，并刻蚀第二金属导电膜，以在封装区域292形成第二金属衬底242b，如图3B所示。
其中，第二金属衬底242b可包括多条第二金属线，各第二金属线可彼此平行地设置。并且，第二金属线与第一金属线彼此交叉。
最后，在封装区域292涂覆框胶23，贴合盖板22并固化框胶23，以将盖板22与阵列基板21粘合在一起，如图3C所示。其中，可使用能量源28(例如，激光、紫外光等)对框胶23施加能量，以使框胶23熔解并固化。
通过上述步骤实现本实施例的显示面板的制作，从图中可以看出，经过上述步骤制作而成的显示面板，框胶23与阵列基板21之间形成了凹凸不平的粗糙表面，从而增大了它们之间的接触面积。
本领域技术人员可以明白，在结合图3A～图3C描述本实施例的显示面板的制程时，忽略了对一些公知的制作工艺步骤的描述。为了不模糊本实施例的发明点，在此不再对这些公知的制作工艺步骤进行详细描述。
需要说明的是，虽然各第一金属线L241可彼此平行，各第二金属线L242可彼此平行，如图2A所示，但本实施例并不限于此。在一些可选地实现方式中，各第一金属线L241或各第二金属线L242可相交。例如，在图4所示的实现方式中，分别位于显示区域相邻两侧的第二金属线L242可在其延伸方向上相交。
可选地，阵列基板还包括设置在封装区域的第一绝缘衬底和第二绝缘衬底，第一绝缘衬底覆盖第一金属衬底，第二绝缘衬底覆盖第二金属衬底。
如图5所示，阵列基板21还可包括设置在封装区域的第一绝缘衬底251b和第二绝缘衬底252b，第一绝缘衬底251b覆盖第一金属衬底241b，第二绝缘衬底252b覆盖第二金属衬底242b。
一般而言，相对于金属材料，绝缘材料(例如，无机绝缘材料)与框胶23之间的表面粘合力更强。因此，通过设置第一绝缘衬底251b和第二绝缘衬底252b，可进一步增强框胶23与阵列基板21之间的粘合力，使封装的可靠性更高。
可选地，第一绝缘衬底251b和/或第二绝缘衬底252b的材料为氮化硅或氧化硅中的至少一种。
框胶23通常为包含硅(Si)的粘合剂，当绝缘衬底包括氮化硅、氧化硅等含有硅的绝缘材料时，框胶23与第一绝缘衬底251b/第二绝缘衬底252b粘合接触时，接触表面的分子间作用力大于衬底材料中不含硅时的分子间作用力，因此，通过采用氮化硅和/或氧化硅来制作第一绝缘衬底251b和第二绝缘衬底252b，可以进一步增强显示面板的封装可靠性。
继续参考图6，示出了本申请另一实施例的显示面板的剖视图。
与图5所示的显示面板类似，本实施例中，显示面板同样可包括阵列基板61、盖板62和框胶63。阵列基板61同样可包括设置在封装区域692的第一金属衬底641b、第一绝缘衬底651b、第二金属衬底642b和第二绝缘衬底652b。
与图5所示的显示面板不同的是，如图6所示，本实施例中，阵列基板61还可包括设置在显示区域691的栅电极层641a、第一绝缘层651a、源/漏电极层642a和第二绝缘层652a。其中，第一绝缘层651a可覆盖栅电极层641a，第二绝缘层652a可覆盖源/漏电极层642a。
具体而言，第一金属衬底641b与栅极层641a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第二金属衬底642b与源/漏电极层642a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。相应地，第一绝缘衬底651b与第一绝缘层651a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第二绝缘衬底652b与第二绝缘层652a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
这里，栅电极层641a和第一金属衬底641b位于同一层，指的是栅电极层641a和第一金属衬底641b是由同一层金属导电膜形成，两者在垂直显示面板的方向上与基底基板之间的距离可以不同。
这样，就可以在形成栅电极层641a、第一绝缘层651a、源/漏电极层642a和第二绝缘层652a的过程中，同时形成第一金属衬底641b、第一绝缘衬底651b、第二金属衬底642b和第二绝缘衬底652b，从而不需要额外的制作工艺，并且也不会增加工艺难度。
本实施例中，通过在金属衬底上设置绝缘衬底，在增大框胶与阵列基板接触面积的基础上，增强了接触表面的粘合力提高了封装的可靠性。并且，通过将第一金属衬底和栅极层设置为同层、第二金属衬底和源/漏电极层设置为同层，简化了显示面板的制作工艺。
尽管图6示出了第一金属衬底641b与栅极层641a同层，第二金属衬底642b与源/漏电极层642a同层，但本实施例并不限于此。应当理解，第一金属衬底641b和第二金属衬底642b可互换，即，第一金属衬底641b可与源/漏电极层642a同层，第二金属衬底642b可与栅极层641a同层。
另外，阵列基板61除了上述结构之外，还可包括一些公知的结构，例如，半导体层66、栅绝缘层67等，为了不模糊本实施例的重点，将不再对这些公知的结构进行进一步的描述。
下面将以第一金属衬底641b与栅极层641a同层，第二金属衬底642b与源/漏电极层同层642a为例，结合图7A～图7E和图8A～图8B来描述制作本实施例的显示面板的工艺流程。
首先，在阵列基板61的基底基板601上沉积第一金属导电膜，经过一道图形化工艺，在显示区域691形成栅极层641a和在封装区域692形成第一金属衬底641b，如图7A所示。其中，第一金属衬底641b包括多条第一金属线(未示出)。
该步骤中的图形化工艺可包括：在第一金属导电膜上形成第一光刻胶图案，第一光刻胶图案在显示区域691覆盖待形成栅极层641a的区域并且在封装区域692覆盖待形成第一金属衬底641b的区域；刻蚀第一金属导电膜，去除未被第一光刻胶图案覆盖的区域；去除第一光刻胶图案。通过上述过程，使第一金属导电膜同时形成了栅极层641a和第一金属衬底641b。
此外，为了更好地描述本实施例的制作方法，图7A还示出了，在沉积第一金属导电膜之前，在基底基板601的显示区域691中形成半导体层66和栅绝缘层67。
接下来，在栅极层641a和第一金属衬底641b上沉积第一绝缘膜，以在显示区域691形成第一绝缘层651a和在封装区域692形成第一绝缘衬底651b，如图7B所示。
可选地，刻蚀在第一金属线之间的区域GAP1中的第一绝缘衬底651b，如图8A所示，以使得阵列基板61在区域GAP1处具有更大的高度差(在垂直显示面板的方向上)，从而进一步增大框胶63与阵列基板61之间的接触面积。
尽管图8A示出了第一绝缘衬底651b在区域GAP1被刻透，这仅仅是示意性的。可以理解的是，第一绝缘衬底651b在区域GAP1也可被部分刻蚀(不刻透)而保留部分厚度。
刻蚀第一绝缘衬底651b可与刻蚀第一绝缘层651a同时进行。例如，当需要暴露半导体66的一部分(例如，源区和漏区的部分)时，可刻蚀第一绝缘层651a和栅绝缘层67形成暴露半导体66的一部分的接触孔K1和K2。也就是说，不需要增加额外的工艺对第一绝缘衬底651b进行刻蚀，从而简化了制作工艺。
接下来，在第一绝缘层651a和第一绝缘衬底651b上沉积第二金属导电膜，经过一道图形化工艺，在显示区域691形成源/漏电极层642a和在封装区域692形成第二金属衬底642b，如图7C所示。其中，第二金属衬底642b包括多条第二金属线，第二金属线与第一金属线彼此交叉。
该步骤中的图形化工艺可包括：在第二金属导电膜上形成第二光刻胶图案，第二光刻胶图案在显示区域691覆盖待形成源/漏电极层642a的区域并且在封装区域692覆盖待形成第二金属衬底642b的区域；刻蚀第二金属导电膜，去除未被第二光刻胶图案覆盖的区域；去除第二光刻胶图案。通过上述过程，使第二金属导电膜同时形成了源/漏电极层642a和第二金属衬底642b。
需要说明的是，当图形化工艺中使用的掩膜版为能形成具有厚度差的光刻胶图案的掩膜版(例如，半色调掩膜版，狭缝掩膜版等)时，还可对在第一金属线之间的区域GAP1中的第二金属衬底642b(或第二金属线)进行刻蚀，如图8B所示。从图中可以看出，刻蚀之后，区域GAP1中的第二金属线的厚度d2小于与第一金属线重叠的第二金属线的厚度d1，即，阵列基板61在区域GAP1处具有更大的高度差，从而增大框胶63与阵列基板61之间的接触面积。
需要注意的是，区域GAP1中的第二金属线不被刻透(即，完全刻蚀)，以便于第二金属线反射光线和传导热量。
接下来，在源/漏电极层642a和第二金属衬底642b上沉积第二绝缘膜，以在显示区域691形成第二绝缘层652a和在封装区域692形成第二绝缘衬底652b，如图7D所示。
可选地，刻蚀在第二金属线之间的区域中的第二绝缘衬底652b，但不刻透，以使得阵列基板61在该区域处具有更大的高度差，并且确保框胶63与第二绝缘衬底652b接触，从而在进一步增大框胶63与阵列基板61之间的接触面积的同时，确保接触表面具有较高的分子间作用力。
当然，还可对位于第二金属线上被刻蚀的区域(区域GAP1)中的第二绝缘衬底652b进行刻蚀(但不刻透)，进一步增大框胶63与阵列基板61之间的接触面积。
最后，在封装区域涂覆框胶63，贴合盖板62并固化框胶63，以将盖板62与阵列基板61粘合在一起，如图7E所示。其中，可使用能量源68(例如，激光、紫外光等)对框胶63施加能量，以使框胶63熔解并固化。
通过上述步骤实现了本实施例的显示面板的制作，从图中可以看出，经过上述步骤制作而成的显示面板，框胶63与阵列基板61之间形成了凹凸不平的粗糙表面，从而增大了它们之间的接触面积。
继续参考图9，示出了本申请又一实施例的显示面板的剖视图。
与图6所示的实施例类似，本实施例中，显示面板同样可包括阵列基板91、盖板92和框胶93。阵列基板91同样可包括设置在封装区域992的第一金属衬底943b、第一绝缘衬底953b、第二金属衬底941b和第二绝缘衬底951b以及设置在显示区域991的栅电极层941a、源/漏电极层942a、第一绝缘层951a和第二绝缘层952a。
与图6所示的实施例不同的是，如图9所示，本实施例中，阵列基板91还包括设置在显示区域991的遮光金属层943a和第三绝缘层953a，第三绝缘层953a可覆盖遮光金属层943a。
具体而言，第一金属衬底943b与遮光金属层943a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第二金属衬底941b与栅电极层941a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。相应地，第一绝缘衬底953b与第三绝缘层953a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第二绝缘衬底951b与第一绝缘层951a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
这样，就可以在形成栅电极层941a、源/漏电极层942a、第一绝缘层951a、第二绝缘层952a、遮光金属层943a和第三绝缘层953a的过程中，同时形成第一金属衬底943b、第一绝缘衬底953b、第二金属衬底941b和第二绝缘衬底951b，从而不需要额外的制作工艺，并且也不会增加工艺难度。
本实施例中，由于所设置的金属衬底和绝缘衬底，同样能够实现增大框胶与阵列基板的接触面积和增强表面粘合力的效果。同时，由于遮光金属层可与第一/第二金属衬底同层，从而进一步丰富了本实施例的显示面板的结构样式。
尽管图9示出了第一金属衬底943b和遮光金属层943a同层，第二金属衬底941b和栅极层941a同层，但本实施例并不限于此。应当理解，第一金属衬底943b和第二金属衬底941b两者之一与遮光金属层943a同层，第一金属衬底943b和第二金属衬底941b两者中的另一个与栅电极层941a和源/漏电极层942a两者之一同层。例如，第一金属衬底943b与源/漏电极层942a同层，第二金属衬底941b与遮光金属层943a同层等。本领域的技术人员可以根据实际应用场景的需要进行设置。
继续参考图10，示出了本申请再一实施例的显示面板的剖视图。
与图6所示的实施例类似，本实施例中，显示面板同样可包括阵列基板1010、盖板1020和框胶1030。阵列基板1010同样可包括设置在封装区域1092的第一金属衬底1041b、第一绝缘衬底1051b、第二金属衬底1044b和第二绝缘衬底1054b以及设置在显示区域1091的栅电极层1041a、源/漏电极层1042a、第一绝缘层1051a和第二绝缘层1052a。
与图6所示的实施例不同的是，如图10所示，本实施例中，阵列基板1010还包括设置在显示区域1091的第四金属层1044a和第四绝缘层1054a，第四绝缘层1054a可覆盖遮光金属层1044a。例如，第四金属层1044a可以是电容金属层，即，可作为存储电容的一个金属极板，与栅极层1041a同层的另一金属电极1041c可作为存储电容的另一金属极板，则这两个金属极板之间可产生存储电容。
具体而言，第一金属衬底1041b与栅电极层1041a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第二金属衬底1044b与栅电极层1044a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。相应地，第一绝缘衬底1051b与第一绝缘层1051a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第二绝缘衬底1054b与第四绝缘层1054a可位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
这样，就可以在形成栅电极层1041a、源/漏电极层1042a、第一绝缘层1051a、第二绝缘层1052a、第四金属层1044a和第四绝缘层1054a的过程中，同时形成第一金属衬底1041b、第一绝缘衬底1051b、第二金属衬底1044b和第二绝缘衬底1054b，从而不需要额外的制作工艺，并且也不会增加工艺难度。
本实施例中，由于所设置的金属衬底和绝缘衬底，同样能够实现增大框胶与阵列基板的接触面积和增强表面粘合力的效果。同时，由于第四金属层(例如，电容金属层)可与第一/第二金属衬底同层，从而进一步丰富了本实施例的显示面板的结构样式。
尽管图10示出了第一金属衬底1041b与栅极层1041a同层，第二金属衬底1044b与第四金属层1044a同层，但本实施例并不限于此。应当理解，第一金属衬底1041b和第二金属衬底1044b两者之一与第四金属层1044a同层，第一金属衬底1041b和第二金属衬底1044b两者中的另一个与栅电极层1041a和源/漏电极层1042a两者之一同层。
此外，本申请还公开了一种显示面板的制作方法，用于制作上述各实施例的显示面板。
图11示出了本申请显示面板的制作方法的一个实施例的示意性流程图。
在本实施例中，显示面板的制作方法可包括如下步骤：
步骤1110，沉积第一金属导电膜。
步骤1120，刻蚀第一金属导电膜以在封装区域形成第一金属衬底。
步骤1130，沉积第二金属导电膜。
步骤1140，刻蚀第二金属导电膜以在封装区域形成第二金属衬底。
步骤1150，在封装区域涂覆框胶。
步骤1160，贴合盖板并固化框胶以将盖板与阵列基板粘合在一起；其中，阵列基板包括第一金属衬底和第二金属衬底，在显示区域同一侧的封装区域中，第一金属衬底包括多条第一金属线，第二金属衬底包括多条第二金属线，第一金属线与第二金属线彼此交叉，封装区域围绕显示区域；在垂直显示面板的方向上，阵列基板在封装区域具有变化的厚度，并且在第一金属线与第二金属线重叠的区域具有最大厚度。
应当注意的是，尽管图11示出了步骤1110～步骤1160的执行顺序，但这仅仅是示意性的。可以理解的是，步骤1110～步骤1140可以以不同于附图中所标记的顺序发生，例如，步骤1130和步骤1140可先于步骤1110和步骤1120执行，这依所涉及的功能而定。
通过上述步骤制作而成的显示面板，阵列基板在封装区域具有变化的厚度，使得框胶与阵列基板之间形成了凹凸不平的粗糙表面，从而增大了接触面积。
可选地，该方法还包括：沉积第一绝缘膜以在封装区域覆盖第一金属衬底形成第一绝缘衬底；沉积第二绝缘膜以在封装区域覆盖第二金属衬底形成第二绝缘衬底；其中，阵列基板还包括第一绝缘衬底和第二绝缘衬底。
通过形成第一/第二绝缘衬底，增强了框胶与阵列基板之间的粘合力。
可选地，当第一绝缘衬底位于第一金属衬底和第二金属衬底之间时，在沉积第二金属导电膜之前，还刻蚀第一金属线之间的区域中的第一绝缘衬底。
这样，阵列基板在该区域处可具有更大的高度差，从而进一步增大了框胶与阵列基板的接触面积。
可选地，当第一绝缘衬底位于第一金属衬底和第二金属衬底之间时，在涂覆框胶之前，还刻蚀在第二金属线之间的区域中的第二绝缘衬底，但不刻透第二绝缘衬底。
这样，阵列基板在该区域处可具有更大的高度差，从而进一步增大了框胶与阵列基板的接触面积。
可选地，方法还包括：在显示区域形成栅电极层；在显示区域覆盖栅电极层形成第一绝缘层；在显示区域形成源/漏电极层；在显示区域覆盖源/漏电极层形成第二绝缘层；其中，阵列基板还包括栅电极层、第一绝缘层、源/漏电极层和第二绝缘层。
可选地，第一金属衬底和第二金属衬底两者之一与栅极层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第一金属衬底和第二金属衬底两者中的另一个与源/漏电极层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
通过上述方式形成第一和第二金属衬底，简化了显示面板的制作工艺。
可选地，方法还包括：在显示区域形成遮光金属层；在显示区域覆盖遮光金属层形成第三绝缘层；其中，阵列基板还包括遮光金属和第三绝缘层；第一金属衬底和第二金属衬底两者之一与遮光金属层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第一金属衬底和第二金属衬底两者中的另一个与栅电极层和源/漏电极层两者之一位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
通过上述方式形成第一和第二金属衬底，简化了显示面板的制作工艺，并丰富了显示面板的结构样式。
可选地，方法还包括：在显示区域形成第四金属层；在显示区域覆盖第四金属层形成第四绝缘层；其中，阵列基板还包括第四金属和第四绝缘层；第一金属衬底和第二金属衬底两者之一与第四金属层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，第一金属衬底和第二金属衬底两者中的另一个与栅电极层和源/漏电极层两者之一位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
通过上述方式形成第一和第二金属衬底，简化了显示面板的制作工艺，并丰富了显示面板的结构样式。
前述各实施例已经对上述工艺步骤进行了详细介绍和具体说明，在此不作赘述。
本申请还公开了一种显示装置，如图12中所示。其中，显示装置1200可包括如上的显示面板。本领域技术人员应当理解，显示装置除了包括如上的显示面板之外，还可以包括一些其它的公知的结构。为了不模糊本申请的重点，将不再对这些公知的结构进行进一步描述。
本申请的显示装置可以是任何包含如上的显示面板的装置，包括但不限于如图12所示的蜂窝式移动电话1200、平板电脑、计算机的显示器、应用于智能穿戴设备上的显示器、应用于汽车等交通工具上的显示装置等等。只要显示装置包含了本申请公开的显示面板的结构，便视为落入了本申请的保护范围之内。
本申请提供的显示面板、显示面板的制作方法和显示装置，增大了框胶与阵列基板的接触面积，从而提高了封装的可靠性。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (17)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板、盖板以及用于将所述阵列基板和所述盖板粘合在一起的框胶，所述阵列基板包括设置在封装区域的第一金属衬底和第二金属衬底，所述封装区域围绕显示区域，所述框胶设置在所述封装区域；
在所述显示区域同一侧的所述封装区域中，所述第一金属衬底包括多条第一金属线，所述第二金属衬底包括多条第二金属线，所述第一金属线与所述第二金属线彼此交叉；
在垂直所述显示面板的方向上，所述阵列基板在所述封装区域具有变化的厚度，并且在所述第一金属线与所述第二金属线重叠的区域具有最大厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在封装区域的第一绝缘衬底和第二绝缘衬底；
所述第一绝缘衬底覆盖所述第一金属衬底，所述第二绝缘衬底覆盖所述第二金属衬底。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述显示区域的栅电极层、第一绝缘层、源和/或漏电极层和第二绝缘层；
所述第一绝缘层覆盖所述栅电极层，所述第二绝缘层覆盖所述源和/或漏电极层。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者之一与所述栅电极层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者中的另一个与所述源和/或漏电极层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述显示区域的遮光金属层和第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述遮光金属层；
所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者之一与所述遮光金属层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者中的另一个与所述栅电极层和所述源和/或漏电极层两者之一位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述显示区域的第四金属层和第四绝缘层，所述第四绝缘层覆盖所述第四金属层；
所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者之一与所述第四金属层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者中的另一个与所述栅电极层和所述源和/或漏电极层两者之一位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘衬底和/或所述第二绝缘衬底的材料为氮化硅和氧化硅中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为有机发光显示面板。
9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
沉积第一金属导电膜；
刻蚀所述第一金属导电膜以在封装区域形成第一金属衬底；
沉积第二金属导电膜；
刻蚀所述第二金属导电膜以在封装区域形成第二金属衬底；
在所述封装区域涂覆框胶；
贴合盖板并固化所述框胶以将所述盖板与阵列基板粘合在一起；
其中，所述阵列基板包括所述第一金属衬底和所述第二金属衬底，在显示区域同一侧的所述封装区域中，所述第一金属衬底包括多条第一金属线，所述第二金属衬底包括多条第二金属线，所述第一金属线与所述第二金属线彼此交叉，所述封装区域围绕所述显示区域；
在垂直所述显示面板的方向上，所述阵列基板在所述封装区域具有变化的厚度，并且在所述第一金属线与所述第二金属线重叠的区域具有最大厚度。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
沉积第一绝缘膜以在所述封装区域覆盖所述第一金属衬底形成第一绝缘衬底；
沉积第二绝缘膜以在所述封装区域覆盖所述第二金属衬底形成第二绝缘衬底；
其中，所述阵列基板还包括所述第一绝缘衬底和所述第二绝缘衬底。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，当所述第一绝缘衬底位于所述第一金属衬底和所述第二金属衬底之间时，在沉积所述第二金属导电膜之前，还刻蚀在所述第一金属线之间的区域中的所述第一绝缘衬底。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，当所述第一绝缘衬底位于所述第一金属衬底和所述第二金属衬底之间时，在涂覆所述框胶之前，还刻蚀在所述第二金属线之间的区域中的所述第二绝缘衬底，但不刻透所述第二绝缘衬底。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述显示区域形成栅电极层；
在所述显示区域覆盖所述栅电极层形成第一绝缘层；
在所述显示区域形成源和/或漏电极层；
在所述显示区域覆盖所述源和/或漏电极层形成第二绝缘层；
其中，所述阵列基板还包括所述栅电极层、所述第一绝缘层、所述源和/或漏电极层和所述第二绝缘层。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者之一与所述栅电极层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者中的另一个与所述源和/或漏电极层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述显示区域形成遮光金属层；
在所述显示区域覆盖所述遮光金属层形成第三绝缘层；
其中，所述阵列基板还包括所述遮光金属和所述第三绝缘层；
所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者之一与所述遮光金属层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者中的另一个与所述栅电极层和所述源和/或漏电极层两者之一位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述显示区域形成第四金属层；
在所述显示区域覆盖所述第四金属层形成第四绝缘层；
其中，所述阵列基板还包括所述第四金属和所述第四绝缘层；
所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者之一与所述第四金属层位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成，所述第一金属衬底和所述第二金属衬底两者中的另一个与所述栅电极层和所述源和/或漏电极层两者之一位于同一层且在同一道图形化工艺中制作形成。
17.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-8中任一项所述的显示面板。
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