CN107093680B

CN107093680B - 金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法

Info

Publication number: CN107093680B
Application number: CN201710309567.0A
Authority: CN
Inventors: 罗程远; 刘则
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2017-05-04
Filing date: 2017-05-04
Publication date: 2019-01-22
Anticipated expiration: 2037-05-04
Also published as: CN107093680A

Abstract

本公开提供一种金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法。显示器件的金属辅助电极的制造方法包括：在显示器件的像素界定层的顶部形成至少一个凹槽；以及通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极。通过凹槽结构可以有效的增大金属辅助电极与顶电极接触面积，减小接触电阻，提高电极导电性能；通过转印的方法形成金属辅助电极可以简化工艺流程。

Description

金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)是近年来逐渐发展起来的显示照明技术，尤其在显示行业，由于其具有高响应、高对比度、可柔性化等优点，被视为拥有广泛的应用前景。尤其是顶发射OLED器件，由于具有更高的开口率，和利用微腔效应实现光取出优化等优点，成为研究的主要方向。由于采用的是顶发射结构，因此要求作为出光面OLED的顶电极必须具备良好的光透过率。目前，顶发射透明电极使用的多为薄金属、ITO、IZO等材料，其中金属由于透过率较差，薄化后作为大面积电极使用容易造成电阻增大，不利于大尺寸器件的开发。ITO、IZO等透明度高的材料，本身的导电性能弱于金属，因此现有技术中，将金属作为辅助电极，采用光刻的方法制作在非发光区域，提高顶电极的整体导电性，达到降低电阻的作用。但是这种光刻技术需要复杂的工艺，涉及多道掩膜板和曝光工序，而且由于其需要高温、光刻胶冲刷等工艺特点须避免对OLED器件发光层的损害，不适合作为量产手段。

转印技术由于可以做到精确图案印刷，方法简单，作为一种新型的技术收到业界的青睐，金属电路的制作可采用转印技术，通常方法是将金属膜制作在平面脱膜层上，再将涂布电路分布图案的粘性胶材的电路板与金属层对合，分离后使金属从脱膜层上剥离，以电路图案的形状粘结在电路板上，达到转印金属电路的效果，但是此种方案容易发生金属膜的片状剥离，造成多余的金属粘连，也是急需解决的技术问题。

此外，还需考虑接触电阻的问题。由于透明电极多为铟锌、铟锡的氧化物，其成膜过程中会产生氧或添加氧辅助成膜，使辅助电极表面产生氧化物绝缘层，导致导体接触的不连续性，会产生一个附加电阻，即接触电阻。接触电阻越高，造成的压降越大，释放的能量越多，会造成器件变暗，温度上升至一定极限，甚至会出现接触点损坏。减少接触电阻的主要方法有改善接触面材料和增大接触面积，其中，改善接触面材料往往引入更贵重材料，增加成本。因此，增大顶电极与辅助电极的接触面积应是主要考虑的对象。

因此，设计一种新的金属辅助电极的制作方法是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本公开的目的在于提供一种金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰，或者部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种显示器件的金属辅助电极的制造方法，包括：

在显示器件的像素界定层的顶部形成至少一个凹槽；以及

通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极。

在本公开的一种示例性实施例中，所述凹槽形状为矩形、倒梯形或半圆形。

在本公开的一种示例性实施例中，所述凹槽的深度为所述像素界定层高度的20％-50％。

在本公开的一种示例性实施例中，所述凹槽为两个。

在本公开的一种示例性实施例中，所述通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极包括：

在第一平面载台上涂布胶黏剂，将所述像素界定层的顶部放置在第一平面载台上，使所述像素界定层的顶部粘有胶黏剂；

在第二平面载台上制作脱膜层，在脱膜层上制作薄金属层，将粘有胶黏剂的所述像素界定层的顶部与薄金属层对合，并施加压力，使薄金属层粘结在所述像素界定层的顶部；以及

使薄金属层与脱膜层分离。

根据本公开的第二方面，提供一种显示器件的制造方法，包括：

在基板上形成TFT和像素界定层；

在所述像素界定层的顶部形成至少一个凹槽；

在所述TFT上形成发光层；

通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极；以及

在所述显示器件表面上形成顶电极。

使薄金属层与脱膜层分离。

根据本公开的第三方面，提供一种显示器件的制造方法，包括：

在基板上形成TFT和像素界定层；

在所述像素界定层的顶部形成至少一个凹槽；

通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极；

在所述TFT上形成发光层；以及

在所述显示器件表面上形成顶电极。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述形成金属辅助电极之后、所述形成发光层之前，使用激光照射所述金属辅助电极。

在本公开的一种示例性实施例中，所述显示器件为有机电致发光显示器件。

根据本公开的一些实施方式，在金属辅助电极的制造中通过凹槽结构可以有效的增大金属辅助电极与顶电极接触面积，减小接触电阻，提高电极导电性能。

根据本公开的一些实施方式，通过转印的方法形成金属辅助电极可以简化工艺流程，减少生产成本，并保证了实施效果。

根据本公开的一些实施方式，在使用金属辅助电极的显示器件的制造中，通过在所述形成金属辅助电极之后、所述形成发光层之前，使用激光照射所述金属辅助电极，可以去除金属表面的有机物，并可使金属熔化流平，去除翘曲，以固定在凹槽内。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施例，本发明的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出根据本公开一示例实施方式的显示器件的金属辅助电极的制造方法的流程图。

图2示出根据本公开一示例实施方式的金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法的工艺流程示意图。

图3示出根据本公开另一示例实施方式的双凹槽结构示意图。

图4示出根据本公开一示例实施方式的显示器件的制造方法的流程图。

图5示出根据本公开另一示例实施方式的显示器件的制造方法的流程图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能会夸大层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

本公开提供一种金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法。显示器件的金属辅助电极的制造方法包括：在显示器件的像素界定层的顶部形成至少一个凹槽；以及通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极。显示器件的制造方法，包括：在基板上形成TFT和像素界定层；在所述像素界定层的顶部形成至少一个凹槽；在所述TFT上形成发光层；通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极；以及在所述显示器件表面上形成顶电极。在金属辅助电极的制造中通过凹槽结构可以有效的增大金属辅助电极与顶电极接触面积，减小接触电阻，提高电极导电性能；通过转印的方法形成金属辅助电极可以简化工艺流程；此外，通过在所述形成金属辅助电极之后、所述形成发光层之前，使用激光照射所述金属辅助电极，可以去除金属表面的有机物，并可使金属熔化流平，去除翘曲，以固定在凹槽内。

下面结合附图对本公开的金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法进行具体说明，其中，图1示出根据本公开一示例实施方式的显示器件的金属辅助电极的制造方法的流程图；图2示出根据本公开一示例实施方式的金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法的工艺流程示意图；图3示出根据本公开另一示例实施方式的双凹槽结构示意图；图4示出根据本公开一示例实施方式的显示器件的制造方法的流程图；图5示出根据本公开另一示例实施方式的显示器件的制造方法的流程图。

首先结合图1-2就显示器件的金属辅助电极的制造方法的进行详细说明。

图1示出根据本公开一示例实施方式的显示器件的金属辅助电极的制造方法的流程图；图2示出根据本公开一示例实施方式的金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法的工艺流程示意图。其中所述金属辅助电极的制造方法可应用于顶发射的显示器件的制造以保证在顶电极具备良好的光透过率的同时也具有很好的导电性能，但本发明不限于此，也可以应用于其他光出射方式如底发射的显示器件的制造；所述显示器件可为有机电致发光显示器件即OLED器件，但本发明不限于此，也可以为其他类型的显示器件。

在S102，在显示器件的像素界定层的顶部形成至少一个凹槽。

其中，显示器件的像素界定层通常采用常用光阻胶材料，通过曝光显影等工艺形成，但本发明不限于此，也可以采用其他不透光的有机或无机材料形成；所述在像素界定层的顶部所开至少一个凹槽，可通过光刻和激光照射的方式形成，凹槽形状可为矩形、倒梯形、半圆形等，凹槽深度可为像素界定层高度的20％-50％，但本发明不限于此，也可以根据增大接触面积的需要选择合适的深度。

在S104，通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极。

通过转印形成金属辅助电极的具体方法结合图2如下所示：在第一平面载台上涂布胶黏剂，将像素界定层顶部放置在第一平面载台上，使像素界定层顶部粘有胶黏剂；在第二平面载台上制作脱膜层，在脱膜层上制作薄金属层，将粘有胶黏剂的像素界定层与薄金属层对合，并施加压力，使薄金属层粘结在像素界定层顶部，之后与脱膜层分离，完成辅助金属电极转印。

其中，所述胶黏剂，材料可为含有丙烯酸树脂或蜜胺树脂等成分的环氧系材料接着剂；通过滚轮或刮涂的方式均匀的涂布在第一平面载台上，胶黏剂厚度应与像素界定层的凹槽深度相同；所述脱膜层，可为氟树脂、烯烃树脂、聚乙烯醇树脂等与金属接着性较差的材料，通过喷涂等方式制作在第二平面载台上；所述第一平面载台和第二平面载台，材料可为玻璃、金属、陶瓷、塑料等；要求表面光滑，水平高度均一性在0.5％以内；所述第一平面载台表面应做疏水性处理，所述第二平面载台表面应做亲水性处理，以保证胶黏剂和脱模层的附着；所述薄金属层，材料可为Al、Mg、Ag等常用金属电极材料，通过蒸镀或溅镀的方式，在脱膜层上形成50nm-200nm的薄膜。

在本示例实施方式中，通过转印的方法在形成有至少一个凹槽的像素界定层的顶部形成金属辅助电极，可以有效的增大金属辅助电极与顶电极接触面积，减小接触电阻，提高电极导电性能；同时还可以简化工艺流程，减少生产成本，并保证了实施效果；此外，还可以避免现有的转印金属电路的技术方案中容易发生的金属膜的片状剥离，造成多余的金属粘连的技术问题。

据本公开的一实施方式，所述凹槽可为两个或两个以上，以进一步增大金属辅助电极与顶电极接触的面积，减小接触电阻，提高电极导电性能。图3示出了顶部具有双凹槽结构的显示器件的像素界定层的示意图。

下面结合图2、4就采用前述的金属辅助电极的制造方法来制造显示器件进行详细说明。

图4示出根据本公开一示例实施方式的显示器件的制造方法的流程图。其中所述显示器件的制造方法可应用于顶发射的显示器件的制造以保证在顶电极具备良好的光透过率的同时也具有很好的导电性能，但本发明不限于此，也可以应用于其他光出射方式如底发射的显示器件的制造；所述显示器件可为有机电致发光显示器件即OLED器件，但本发明不限于此，也可以为其他类型的显示器件。

在S402，在基板上形成TFT和像素界定层。其中，在显示器件的基板上以传统方式形成TFT即薄膜晶体管各层结构；而显示器件的像素界定层通常采用常用光阻胶材料，通过曝光显影等工艺形成，但本发明不限于此，也可以采用其他不透光的有机或无机材料形成。

在S404，在显示器件的像素界定层的顶部形成至少一个凹槽。

其中，所述在显示器件的像素界定层的顶部所开至少一个凹槽，可通过光刻和激光照射的方式形成，凹槽形状可为矩形、倒梯形、半圆形等，凹槽深度可为像素界定层高度的20％-50％，但本发明不限于此，也可以根据增大接触面积的需要选择合适的深度。所述凹槽可为两个(如图3所示)或两个以上，以进一步增大金属辅助电极与顶电极接触的面积，减小接触电阻，提高电极导电性能。

在S406，在所述TFT上形成发光层。发光层通常包括多个发光功能层，各发光功能层的形成方式以有机电致发光显示器件即OLED器件的发光功能层为例，可通过蒸镀、喷墨打印等方式形成。

在S408，通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极。

其中，通过转印形成金属辅助电极的具体方法结合图2如下所示：在第一平面载台上涂布胶黏剂，将像素界定层顶部放置在第一平面载台上，使像素界定层顶部粘有胶黏剂；在第二平面载台上制作脱膜层，在脱膜层上制作薄金属层，将粘有胶黏剂的像素界定层与薄金属层对合，并施加压力，使薄金属层粘结在像素界定层顶部，之后与脱膜层分离，完成辅助金属电极转印。

在S410，在所述显示器件表面上形成顶电极，完成器件结构。所述顶电极可为透明顶电极，材料可为ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等材料，通过物理气相沉积(PVD)的方式制作在显示器件表面。

在本公开前述的示例实施方式的显示器件的制造方法中金属辅助电极转印过程是在发光功能层制作之后完成的；但是同样的，在本公开另一示例实施方式中，金属辅助电极转印过程也可在发光功能层制作之前完成，再使用激光照射去除金属表面的有机物，并可使金属熔化流平，去除翘曲，以固定在凹槽内。下面结合图5进行详细说明。

在S502，在基板上形成TFT和像素界定层。其中，在显示器件的基板上以传统方式形成TFT即薄膜晶体管各层结构；而显示器件的像素界定层通常采用常用光阻胶材料，通过曝光显影等工艺形成，但本发明不限于此，也可以采用其他不透光的有机或无机材料形成。

在S504，在显示器件的像素界定层的顶部形成至少一个凹槽。

在S506，通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极。

在此需要特别说明的是，在本示例实施方式中，金属辅助电极转印过程是在发光功能层制作之前完成的，因此需要使用激光照射去除金属表面的有机物，并且使用激光照射还可使金属熔化流平，去除翘曲，以更好地固定在凹槽内。

在S508，在所述TFT上形成发光层。发光层通常包括多个发光功能层，各发光功能层的形成方式以有机电致发光显示器件即OLED器件的发光功能层为例，可通过蒸镀、喷墨打印等方式形成。

在S510，在所述显示器件表面上形成顶电极，完成器件结构。所述顶电极可为透明顶电极，材料可为ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)等材料，通过物理气相沉积(PVD)的方式制作在显示器件表面。

综上所述，根据本公开的一些实施方式，在金属辅助电极的制造中通过凹槽结构可以有效的增大金属辅助电极与顶电极接触面积，减小接触电阻，提高电极导电性能。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims

1.一种显示器件的金属辅助电极的制造方法，依次包括：

在显示器件的像素界定层的顶部形成至少一个凹槽；以及

其中所述通过转印的方法在所述像素界定层的顶部形成金属辅助电极包括：

使薄金属层与脱膜层分离。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凹槽的深度为所述像素界定层高度的20％-50％。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凹槽为两个。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述显示器件为有机电致发光显示器件。

5.一种显示器件的制造方法，依次包括：

在基板上形成TFT和像素界定层；

在所述像素界定层的顶部形成至少一个凹槽；

在所述TFT上形成发光层；

在所述显示器件表面上形成顶电极；

使薄金属层与脱膜层分离。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述显示器件为有机电致发光显示器件。

7.一种显示器件的制造方法，依次包括：

在基板上形成TFT和像素界定层；

在所述像素界定层的顶部形成至少一个凹槽；

在所述TFT上形成发光层；以及

在所述显示器件表面上形成顶电极；

使薄金属层与脱膜层分离。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述形成金属辅助电极之后、所述形成发光层之前，使用激光照射所述金属辅助电极。

9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述显示器件为有机电致发光显示器件。