CN106206662B - 一种电致发光显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电致发光显示面板、显示装置,用以提升电致发光显示面板发光的均匀性。电致发光显示面板,包括衬底基板、位于衬底基板上的像素电路、与像素电路电连接的若干导电走线,其中,至少部分导电走线的正上方或正下方位置处设置导电连接线;导电走线与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线电连接;以及第一厚度值与第二厚度值的差值小于等于预设值;第一厚度值为导电走线的厚度值与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线的厚度值之和;第二厚度值为像素电路包括的栅极层的厚度值与像素电路包括的源漏极层的厚度值之和。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种电致发光显示面板、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示技术具有自发光、广视角、高对比度、低功耗、高反应速度等优点被越来越多的应用到显示领域。OLED器件在具体制作过程中,通常采用溶液制程制作OLED器件的发光膜层等膜层,溶液制程可以采用旋涂(Spin Coating)、狭缝涂布(Slot Die Coating)、喷嘴印刷(Nozzle Printing)、喷墨打印(Inkjet Printing)、喷涂(Spray Coating)等多种方式。
OLED器件是电致发光器件,电致发光器件对采用溶液制程制作的膜层的厚度均匀性有较高的要求,顶发射结构的OLED器件采用溶液制程制作的膜层对OLED器件背板上形成的各膜层厚度依赖性较强。而OLED器件背板由于设计的原因,会存在成膜分布不均匀的区域,这样后续通过溶液制程制作膜层时,会导致制作的膜层不均匀,最终会导致OLED器件发光不均匀的问题。
为了解决以上问题,现有技术通常采用的方法是,在溶液制程制作膜层前,在OLED器件背板上制作一层平坦层,但由于平坦层的特性限制,制作形成的平坦层的厚度一般在1微米(μm)到3μm之间,如果平坦层下面有金属线等的段差,平坦层将无法达到平坦的效果,这时OLED器件仍然存在发光不均匀的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种电致发光显示面板、显示装置,用以提升电致发光显示面板发光的均匀性。
本发明实施例提供的一种电致发光显示面板,包括衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路、与所述像素电路电连接的若干导电走线,其中,至少部分所述导电走线的正上方或正下方位置处设置导电连接线;
所述导电走线与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线电连接;以及
第一厚度值与第二厚度值的差值小于等于预设值;所述第一厚度值为所述导电走线的厚度值与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线的厚度值之和;所述第二厚度值为所述像素电路包括的栅极层的厚度值与所述像素电路包括的源漏极层的厚度值之和。
由本发明实施例提供的电致发光显示面板,由于该电致发光显示面板至少部分导电走线的正上方或正下方位置处设置导电连接线,导电走线与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线电连接,第一厚度值与第二厚度值的差值小于等于预设值;因此,本发明实施例能够在不改变原有像素设计电学原理的基础上,使得至少部分导电走线的厚度增加,与现有技术相比,本发明实施例导电走线和导电连接线与像素电路包括的栅极层和源漏极层之间的段差减小,能够使得像素区域平坦化,为后续的溶液制程提供了较好的打印条件,从而能够提升电致发光显示面板发光的均匀性。
较佳地,所述第一厚度值与所述第二厚度值的差值小于等于10纳米。
较佳地,所述第一厚度值与所述第二厚度值的差值为零。
较佳地,所述导电走线在所述衬底基板上的正投影区域与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线在所述衬底基板上的正投影区域重叠。
较佳地,所述像素电路中的电容包括:位于所述衬底基板上与所述栅极层同层设置的底电极、位于所述底电极上的绝缘层、位于所述绝缘层上与所述像素电路包括的半导体有源层同层设置的半导体层、位于所述半导体层上与所述源漏极层同层设置的顶电极。
较佳地,全部所述导电走线的正上方或正下方位置处设置导电连接线,部分所述导电连接线为第一导电连接线,另一部分所述导电连接线为第二导电连接线,其余部分所述导电连接线为第三导电连接线;
所述第一导电连接线位于所述导电走线中的扫描线的正上方或正下方,并与该第一导电连接线正上方或正下方位置处的所述扫描线电连接;
所述第二导电连接线位于所述导电走线中的数据线的正上方或正下方,并与该第二导电连接线正上方或正下方位置处的所述数据线电连接;
所述第三导电连接线位于所述导电走线中的电源线的正上方或正下方,并与该第三导电连接线正上方或正下方位置处的所述电源线电连接。
较佳地,所述第一导电连接线与所述数据线同层设置;所述第二导电连接线与所述扫描线同层设置;所述第三导电连接线与所述扫描线同层设置。
较佳地,所述第一导电连接线通过贯穿位于所述第一导电连接线和所述扫描线之间的第一绝缘层的至少一个第一过孔与所述扫描线电连接;
所述第二导电连接线通过贯穿位于所述第二导电连接线和所述数据线之间的第二绝缘层的至少一个第二过孔与所述数据线电连接;
所述第三导电连接线通过贯穿位于所述第三导电连接线和所述电源线之间的第三绝缘层的至少一个第三过孔与所述电源线电连接。
较佳地,所述第一导电连接线、所述第二导电连接线和所述第三导电连接线的材料均为金属材料。
本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的电致发光显示面板。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种电致发光显示面板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的电致发光显示面板中的像素电路的电路图;
图3为本发明实施例提供的另一电致发光显示面板的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种电致发光显示面板、显示装置,用以提升电致发光显示面板发光的均匀性。
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
下面结合附图详细介绍本发明具体实施例提供的电致发光显示面板。
附图中各膜层厚度和区域大小、形状不反应各膜层的真实比例,目的只是示意说明本发明内容。
如图1所示,本发明具体实施例提供了一种电致发光显示面板,包括衬底基板10、位于衬底基板10上的像素电路11、与像素电路11电连接的若干导电走线12,其中,至少部分导电走线12的正上方或正下方位置处设置导电连接线13;
导电走线12与设置于该导电走线12正上方或正下方位置处的导电连接线13电连接(图中仅示出了导电走线12与导电连接线13的位置关系);以及
第一厚度值与第二厚度值的差值小于等于预设值;第一厚度值为导电走线12的厚度值与设置于该导电走线12正上方或正下方位置处的导电连接线13的厚度值之和;第二厚度值为像素电路11包括的栅极层(图中未示出)的厚度值与像素电路11包括的源漏极层(图中未示出)的厚度值之和。
本发明具体实施例中的像素电路11的具体设置与现有技术类似,本发明具体实施例中的像素电路可以为包括两个晶体管和一个电容(2T1C)的像素电路,也可以为包括三个晶体管和两个电容(3T2C)的像素电路,本发明具体实施例中的像素电路并不对晶体管和电容的具体个数做限定,具体实施时,本发明具体实施例中的晶体管为薄膜晶体管。其中,本发明具体实施例的2T1C的像素电路的具体电路如图2所示,该像素电路11包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和电容Cst,另外,图中还示出了有机发光二极管20。
如图1和图2所示,本发明具体实施例中的部分导电走线12为数据线121,另一部分导电走线12为扫描线122,还有一部分的导电走线123为电源线123,图1和图2中仅示出了部分区域的导电走线12和像素电路11。当然,在实际设计时,本发明具体实施例的导电走线还可以包括其它类型的导电走线,本发明具体实施例仅以导电走线12包括数据线121、扫描线122和电源线123三种类型的走线为例说明。
本发明具体实施例中的预设值为根据实际生产需要设定的值,在生产工艺允许的范围内,该值设定的越小越好,具体地,本发明具体实施例中第一厚度值与第二厚度值的差值小于等于10纳米。
优选地,本发明具体实施例中第一厚度值与第二厚度值的差值为零,导电走线12在衬底基板10上的正投影区域与设置于该导电走线12正上方或正下方位置处的导电连接线13在衬底基板10上的正投影区域重叠。这样,能够进一步提升衬底基板10上膜层的均匀性。
本发明具体实施例像素电路中的薄膜晶体管包括的各膜层以与现有技术类似的结构为例进行说明,具体地薄膜晶体管包括的膜层为:栅极层、栅极绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层和源漏极层;像素电路中的电容包括的各膜层以与现有技术类似的结构为例进行说明,具体地电容包括的膜层为:栅极层、栅极绝缘层、刻蚀阻挡层和源漏极层。
本发明具体实施例与现有技术的不同在于,现有技术走线区域仅包括导电走线,这样会导致后续进行溶液制程时,溶液制程制作的膜层的下面膜层不均匀,从而导致电致发光显示面板的发光不均匀;而本发明具体实施例中在导电走线的正上方或正下方位置处设置有导电连接线,能够提升溶液制程制作的膜层的下面膜层的均匀性,进而提升电致发光显示面板发光的均匀性,提高产品性能。
优选地,本发明具体实施例的像素电路中的电容包括:位于衬底基板上与栅极层同层设置的底电极、位于底电极上的绝缘层、位于绝缘层上与像素电路包括的半导体有源层同层设置的半导体层、位于半导体层上与源漏极层同层设置的顶电极。
此时,本发明具体实施例中的电容与现有技术的电容相比,设置了与顶电极直接接触的半导体层,半导体层可以作为电容的顶电极,为了保证电容值不减小,实际设计时需要去掉电容包括的刻蚀阻挡层。本发明具体实施例中可以将半导体层的厚度设置的大于刻蚀阻挡层的厚度,从而进一步提升溶液制程制作的膜层的下面膜层的均匀性。
如图3所示,本发明具体实施例中全部导电走线12的正上方或正下方位置处设置导电连接线13,其中,部分导电连接线13为第一导电连接线131,另一部分导电连接线13为第二导电连接线132,其余部分导电连接线131为第三导电连接线133;
第一导电连接线131位于导电走线中的扫描线122的正上方或正下方,并与该第一导电连接线131正上方或正下方位置处的扫描线122电连接;具体地,第一导电连接线131通过贯穿位于第一导电连接线131和扫描线122之间的第一绝缘层(图中未示出)的至少一个第一过孔31与扫描线122电连接,图3中仅示出了两个第一过孔31;
第二导电连接线132位于导电走线中的数据线121的正上方或正下方,并与该第二导电连接线132正上方或正下方位置处的数据线121电连接;具体地,第二导电连接线132通过贯穿位于第二导电连接线132和数据线121之间的第二绝缘层(图中未示出)的至少一个第二过孔32与数据线121电连接,图3中仅示出了两个第二过孔32;
第三导电连接线133位于导电走线中的电源线123的正上方或正下方,并与该第三导电连接线133正上方或正下方位置处的电源线123电连接;具体地,第三导电连接线133通过贯穿位于第三导电连接线133和电源线123之间的第三绝缘层(图中未示出)的至少一个第三过孔33与电源线123电连接,图3中仅示出了两个第三过孔33。
优选地,本发明具体实施例中第一导电连接线131、第二导电连接线132和第三导电连接线133的材料均为金属材料,这样,设置的第一导电连接线131、第二导电连接线132和第三导电连接线133的电阻较低,不会影响流经第一导电连接线131、第二导电连接线132和第三导电连接线133上的信号的强度。
优选地,本发明具体实施例中第一导电连接线131与数据线121同层设置;第二导电连接线132与扫描线122同层设置;第三导电连接线133与扫描线122同层设置,这样,设置第一导电连接线131、第二导电连接线132和第三导电连接线133不会增加新的工艺,能够节省生产流程,降低生产成本。
实际生产过程中,本发明具体实施例同层设置的金属之间的间距设置的越小越有利于金属层的平坦度,具体地,考虑生产工艺条件以及满足的电学性能要求,本发明具体实施例将该间距设置为5μm或以下。
本发明具体实施例能够使得电致发光显示面板的背板上的金属膜层在像素区域内达到尽可能的均匀分布,尽力降低由于背板膜层的不均匀导致溶液制程打印的膜层不均匀,从而使得电致发光显示面板发光不均匀的问题。
下面以顶发射结构的有机电致发光显示面板为例简单的介绍一下本发明具体实施例提供的电致发光显示面板的制作方法。
首先,在衬底基板上沉积一层金属层,然后通过构图工艺形成像素电路的栅极层、走线区中的扫描线、第二导电连接线和第三导电连接线,本发明具体实施例中的金属层可以为钼(Mo)等金属,沉积金属层的方法可以采用溅射等方法,本发明具体实施例中的构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀以及去除光刻胶的部分或全部过程。
之后,在完成上述步骤的衬底基板上制作一层栅极绝缘层,栅极绝缘层的具体制作方法与现有技术相同,这里不再赘述;之后,在栅极绝缘层上制作半导体有源层和刻蚀阻挡层,半导体有源层和刻蚀阻挡层的具体制作方法与现有技术相同,这里不再赘述。
之后,在完成上述步骤的衬底基板上再沉积一层金属层,然后通过构图工艺形成像素电路的源漏极层、走线区中的数据线、走线区中的电源线、第一导电连接线,本发明具体实施例中的金属层可以为钼(Mo)等金属。
之后,在完成上述步骤的衬底基板上制作绝缘层、有机平坦层,绝缘层和有机平坦层的具体制作方法与现有技术相同,这里不再赘述。
最后,在有机平坦层上制作电致发光显示面板的阳极、发光层和阴极,阳极、发光层和阴极的具体制作方法与现有技术相同,这里不再赘述。本发明具体实施例中制作发光层时采用溶液制程,发光层制作在像素限定层内,在实际生产过程中,还可以采用溶液制程制作空穴传输层、电子传输层等膜层。
本发明具体实施例在不改变原有像素设计电学原理的基础上,在单层走线区中的走线的正上方或正下方设置有导电连接线,使得走线区中的走线的厚度增加,这时与像素区域中的双层金属层之间的段差减小,能够使得像素区域平坦化,为后续的溶液制程提供了较好的打印条件,从而能够很好的解决电致发光显示面板发光不均匀的问题。
本发明具体实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括本发明具体实施例提供的上述电致发光显示面板,该显示装置可以为液晶面板、液晶显示器、液晶电视、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)面板、OLED显示器、OLED电视或电子纸等显示装置。
综上所述,本发明具体实施例提供一种电致发光显示面板,包括衬底基板、位于衬底基板上的像素电路、与像素电路电连接的若干导电走线,其中,至少部分导电走线的正上方或正下方位置处设置导电连接线;导电走线与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线电连接;以及第一厚度值与第二厚度值的差值小于等于预设值;第一厚度值为导电走线的厚度值与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线的厚度值之和;第二厚度值为像素电路包括的栅极层的厚度值与像素电路包括的源漏极层的厚度值之和。由于本发明具体实施例在至少部分导电走线的正上方或正下方位置处设置导电连接线,导电走线与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线电连接,第一厚度值与第二厚度值的差值小于等于预设值,与现有技术相比,能够使得导电走线的厚度增加,这时与像素电路包括的栅极层和源漏极层的双层金属层之间的段差减小,能够使得像素区域平坦化,为后续的溶液制程提供了较好的打印条件,从而能够提升电致发光显示面板发光的均匀性。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种电致发光显示面板,包括衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路、与所述像素电路电连接的若干导电走线,其特征在于,至少部分所述导电走线的正上方或正下方位置处设置导电连接线;
所述导电走线与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线电连接;以及
第一厚度值与第二厚度值的差值小于等于预设值;所述第一厚度值为所述导电走线的厚度值与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线的厚度值之和;所述第二厚度值为所述像素电路包括的栅极层的厚度值与所述像素电路包括的源漏极层的厚度值之和。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示面板,其特征在于,所述第一厚度值与所述第二厚度值的差值小于等于10纳米。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示面板,其特征在于,所述第一厚度值与所述第二厚度值的差值为零。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示面板,其特征在于,所述导电走线在所述衬底基板上的正投影区域与设置于该导电走线正上方或正下方位置处的导电连接线在所述衬底基板上的正投影区域重叠。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示面板,其特征在于,所述像素电路中的电容包括:位于所述衬底基板上与所述栅极层同层设置的底电极、位于所述底电极上的绝缘层、位于所述绝缘层上与所述像素电路包括的半导体有源层同层设置的半导体层、位于所述半导体层上与所述源漏极层同层设置的顶电极。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示面板,其特征在于,全部所述导电走线的正上方或正下方位置处设置导电连接线,部分所述导电连接线为第一导电连接线,另一部分所述导电连接线为第二导电连接线,其余部分所述导电连接线为第三导电连接线;
所述第一导电连接线位于所述导电走线中的扫描线的正上方或正下方,并与该第一导电连接线正上方或正下方位置处的所述扫描线电连接;
所述第二导电连接线位于所述导电走线中的数据线的正上方或正下方,并与该第二导电连接线正上方或正下方位置处的所述数据线电连接;
所述第三导电连接线位于所述导电走线中的电源线的正上方或正下方,并与该第三导电连接线正上方或正下方位置处的所述电源线电连接。
7.根据权利要求6所述的电致发光显示面板,其特征在于,所述第一导电连接线与所述数据线同层设置;所述第二导电连接线与所述扫描线同层设置;所述第三导电连接线与所述扫描线同层设置。
8.根据权利要求6所述的电致发光显示面板,其特征在于,所述第一导电连接线通过贯穿位于所述第一导电连接线和所述扫描线之间的第一绝缘层的至少一个第一过孔与所述扫描线电连接;
所述第二导电连接线通过贯穿位于所述第二导电连接线和所述数据线之间的第二绝缘层的至少一个第二过孔与所述数据线电连接;
所述第三导电连接线通过贯穿位于所述第三导电连接线和所述电源线之间的第三绝缘层的至少一个第三过孔与所述电源线电连接。
9.根据权利要求6所述的电致发光显示面板,其特征在于,所述第一导电连接线、所述第二导电连接线和所述第三导电连接线的材料均为金属材料。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一权利要求所述的电致发光显示面板。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |