CN110718572B - 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110718572B
CN110718572B CN201910990937.0A CN201910990937A CN110718572B CN 110718572 B CN110718572 B CN 110718572B CN 201910990937 A CN201910990937 A CN 201910990937A CN 110718572 B CN110718572 B CN 110718572B
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulating layer
emitting element
substrate
organic electroluminescent
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910990937.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110718572A (zh
Inventor
邹富伟
徐世洋
魏悦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910990937.0A priority Critical patent/CN110718572B/zh
Publication of CN110718572A publication Critical patent/CN110718572A/zh
Priority to US17/072,364 priority patent/US20210118972A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN110718572B publication Critical patent/CN110718572B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Abstract

本发明提供一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置。该有机电致发光显示基板包括基底、设置在所述基底上方的第一绝缘层、第一导电部和发光元件，所述第一绝缘层、所述第一导电部和所述发光元件依次远离所述基底排布，所述第一导电部至少局部内嵌于所述第一绝缘层中。该有机电致发光显示基板，通过使第一导电部至少局部内嵌于第一绝缘层中，能够改善或消除发光元件所在表面的不平整度，从而改善或消除由于发光元件所在表面不平整所导致的有机电致发光显示基板的显示色偏，提升有机电致发光显示基板的显示效果。

Description

一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示是继LCD(liquid crystal display)显示之后的第三代显示技术。OLED显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，具有非常好的市场应用前景。
目前，为了提升OLED显示产品的显示效果，OLED显示产品通常采用两层电路设计结构，发光元件形成于两层电路结构上方。由于靠近发光元件的一层电路结构会形成凸起表面，该凸起表面会造成电路结构上方的绝缘层表面不平整，从而导致发光元件的位于绝缘层上的阳极表面不平整，继而导致OLED显示产品的显示画面会出现色偏问题，严重影响显示效果。
发明内容
本发明针对现有OLED显示产品中发光元件所在表面不平整导致显示色偏影响显示效果的问题，提供一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置。该有机电致发光显示基板能够改善或消除发光元件所在表面的不平整度，从而改善或消除由于发光元件所在表面不平整所导致的有机电致发光显示基板的显示色偏，提升有机电致发光显示基板的显示效果。
本发明提供一种有机电致发光显示基板，包括基底、设置在所述基底上方的第一绝缘层、第一导电部和发光元件，所述第一绝缘层、所述第一导电部和所述发光元件依次远离所述基底排布，所述第一导电部至少局部内嵌于所述第一绝缘层中。
可选地，所述第一导电部完全内嵌于所述第一绝缘层中，且所述第一导电部的靠近所述发光元件的一侧表面与所述第一绝缘层的靠近所述发光元件的一侧表面平齐。
可选地，所述第一导电部与所述发光元件之间还设置有第二绝缘层。
可选地，所述第一导电部在所述基底上的正投影落入所述发光元件在所述基底上的正投影范围内。
可选地，所述第一导电部包括电极和导电线，所述电极和导电线采用相同材料且同层设置。
可选地，所述电极和所述导电线的分布不均匀。
可选地，还包括晶体管和信号线，所述晶体管和所述信号线设置于所述第一绝缘层和所述基底之间。
本发明还提供一种显示装置，包括上述有机电致发光显示基板。
本发明还提供一种上述有机电致发光显示基板的制备方法，包括在基底上先后形成第一绝缘层、第一导电部和发光元件，所述第一导电部至少局部形成于所述第一绝缘层中。
可选地，形成所述第一绝缘层和所述第一导电部包括：
在所述基底上涂敷第一绝缘层膜；
采用半色调曝光工艺形成所述第一绝缘层的图形和所述第一绝缘层中的凹槽的图形；
在完成上述步骤的所述基底上形成所述第一导电部；所述第一导电部至少局部形成于所述凹槽中。
本发明的有益效果：本发明所提供的有机电致发光显示基板，通过使第一导电部至少局部内嵌于第一绝缘层中，能够改善或消除发光元件所在表面的不平整度，从而改善或消除由于发光元件所在表面不平整所导致的有机电致发光显示基板的显示色偏，提升有机电致发光显示基板的显示效果。
本发明所提供的显示装置，通过采用上述有机电致发光显示基板，能够改善或消除由于发光元件所在表面不平整所导致的显示色偏，提升显示装置的显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例1中有机电致发光显示基板的结构剖视示意图；
图2为本发明实施例1中形成有机电致发光显示基板中第一绝缘层后的结构剖视示意图；
图3为本发明实施例1中形成有机电致发光显示基板中第一导电部后的结构剖视示意图。
其中附图标记为：
1、基底；2、第一绝缘层；20、凹槽；3、第一导电部；4、发光元件；5、第二绝缘层；31、电极；32、导电线；6、晶体管；61、栅极；62、第一极；63、第二极；64、栅绝缘层；65、有源层；7、信号线；8、中间介电层；9、像素界定层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置作进一步详细描述。
实施例1
本实施例提供一种有机电致发光显示基板，如图1所示，包括基底1、设置在基底1上方的第一绝缘层2、第一导电部3和发光元件4，第一绝缘层2、第一导电部3和发光元件4依次远离基底1排布，第一导电部3至少局部内嵌于第一绝缘层2中。
通过使第一导电部3至少局部内嵌于第一绝缘层2中，能够改善或消除发光元件4所在表面的不平整度，从而改善或消除由于发光元件4所在表面不平整所导致的有机电致发光显示基板的显示色偏，提升有机电致发光显示基板的显示效果。
需要说明的是，发光元件4与基底1之间可以设置一层具有上述局部内嵌结构的第一绝缘层2和第一导电部3结构，也可以设置多层具有上述局部内嵌结构的第一绝缘层2和第一导电部3结构，均能不同程度地改善或消除发光元件4所在表面的不平整度，从而改善或消除由于发光元件4所在表面不平整所导致的有机电致发光显示基板的显示色偏。
优选的，本实施例中，第一导电部3完全内嵌于第一绝缘层2中，且第一导电部3的靠近发光元件4的一侧表面与第一绝缘层2的靠近发光元件4的一侧表面平齐。如此设置，能够消除发光元件4所在表面的不平整度，从而消除由于发光元件4所在表面不平整所导致的有机电致发光显示基板的显示色偏，大大提升有机电致发光显示基板的显示效果。
本实施例中，第一导电部3与发光元件4之间还设置有第二绝缘层5。传统的有机电致发光显示基板中，第二绝缘层5的厚度需要设计得较厚才能对发光元件4所在表面的平整度有较好的改善效果，本实施例中通过将第一导电部3至少局部内嵌于第一绝缘层2中，在第二绝缘层5的厚度相对传统设计厚度减小的情况下，就能对发光元件4所在表面的平整度有很好的改善，从而能使第二绝缘层5做的很薄，节省了第二绝缘层5的用料，进而节约了有机电致发光显示基板的成本，同时还降低了有机电致发光显示基板的整体厚度。
进一步优选的，本实施例中，第一导电部3在基底1上的正投影落入发光元件4在基底1上的正投影范围内。即只要在发光元件4所覆盖范围内的第一导电部3均使其完全内嵌于第一绝缘层2中，从而使发光元件4所在表面处于平整状态，进而消除由于发光元件4所在表面不平整所导致的有机电致发光显示基板的显示色偏，提升有机电致发光显示基板的显示效果。上述设置，发光元件4所在表面以外的区域，第一导电部3可以只有局部内嵌于第一绝缘层2中，并不会影响发光元件4所在表面的平整度。
本实施例中，第一导电部3包括电极31和导电线32，电极31和导电线32采用相同材料且同层设置。由于同层设置的电极31和导电线32会使发光元件4所在表面出现凸起等不平整状态，所以将电极31和导电线32内嵌于第一绝缘层2中，能够避免出现发光元件4所在表面不平整，从而消除由于发光元件4所在表面不平整所导致的有机电致发光显示基板的显示色偏。另外，电极31和导电线32用于有机电致发光显示基板的显示驱动。
本实施例中，电极31和导电线32的分布不均匀。电极31和导电线32分布的不均匀会导致发光元件4所在表面平整度不规则以及不平整，从而导致比较严重的显示色偏问题，通过将电极31和导电线32内嵌于第一绝缘层2中，能够消除由于发光元件4所在表面平整度不规则及不平整所导致的有机电致发光显示基板的显示色偏。
当然，电极31和导电线32也可以均匀分布，但即使均匀分布，也不可避免地会使发光元件4所在表面不平整，从而导致显示色偏问题，通过将电极31和导电线32内嵌于第一绝缘层2中，能够消除由于发光元件4所在表面不平整所导致的有机电致发光显示基板的显示色偏。
本实施例中，有机电致发光显示基板还包括晶体管6和信号线7，晶体管6和信号线7设置于第一绝缘层2和基底1之间。晶体管6和信号线7用于有机电致发光显示基板的显示驱动。
其中，电极31为多个，导电线32为多根；信号线7为多根；晶体管6包括栅极61、栅绝缘层64、有源层65、第一极62和第二极63，第一极62与对应设置的电极31电连接；晶体管6为双顶栅结构，相应地，栅绝缘层64设置有两层，栅极61与第一极62和第二极63之间还设置有中间介电层8。导电线32与信号线7中至少有部分在基底1上的正投影重叠。相邻的发光元件4之间还设置有像素界定层9。该结构设置的有机电致发光显示基板有利于降低能耗，提升显示效果。
基于有机电致发光显示基板的上述结构，本实施例还提供一种该有机电致发光显示基板的制备方法，包括在基底上先后形成第一绝缘层、第一导电部和发光元件，第一导电部至少局部形成于第一绝缘层中。
其中，形成第一绝缘层和第一导电部包括：如图2-图3所示，
在基底1上涂敷第一绝缘层膜；
采用半色调曝光工艺形成第一绝缘层2的图形和第一绝缘层2中的凹槽20的图形；
在完成上述步骤的基底1上形成第一导电部3；第一导电部3至少局部形成于凹槽20中。
本实施例中，有机电致发光显示基板其他结构的制备均采用传统的比较成熟的工艺制备，这里不再赘述。
实施例1的有益效果：实施例1中所提供的有机电致发光显示基板，通过使第一导电部至少局部内嵌于第一绝缘层中，能够改善或消除发光元件所在表面的不平整度，从而改善或消除由于发光元件所在表面不平整所导致的有机电致发光显示基板的显示色偏，提升有机电致发光显示基板的显示效果。
实施例2
本实施例提供一种显示装置，包括实施例1中的有机电致发光显示基板。
通过采用实施例1中的有机电致发光显示基板，能够改善或消除由于发光元件所在表面不平整所导致的显示色偏，提升显示装置的显示效果。
本发明所提供的显示装置可以为OLED面板、OLED电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种有机电致发光显示基板，包括基底、设置在所述基底上方的第一绝缘层、第一导电部和发光元件，所述第一绝缘层、所述第一导电部和所述发光元件依次远离所述基底排布，其特征在于，所述第一导电部在所述基底上的正投影部分落入所述发光元件在所述基底上的正投影范围内；
落入所述发光元件在所述基底上的正投影范围内的所述第一导电部局部内嵌于所述第一绝缘层中；
所述发光元件与所述基底之间设置有多层所述第一导电部局部内嵌于所述第一绝缘层中的结构。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述第一导电部与所述发光元件之间还设置有第二绝缘层。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述第一导电部包括电极和导电线，所述电极和导电线采用相同材料且同层设置。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，所述电极和所述导电线的分布不均匀。
5.根据权利要求3所述的有机电致发光显示基板，其特征在于，还包括晶体管和信号线，所述晶体管和所述信号线设置于所述第一绝缘层和所述基底之间。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任意一项所述的有机电致发光显示基板。
7.一种如权利要求1-5任意一项所述的有机电致发光显示基板的制备方法，包括在基底上先后形成第一绝缘层、第一导电部和发光元件，其特征在于，所述第一导电部在所述基底上的正投影部分落入所述发光元件在所述基底上的正投影范围内；
落入所述发光元件在所述基底上的正投影范围内的所述第一导电部局部形成于所述第一绝缘层中；
所述发光元件与所述基底之间形成多层所述第一导电部局部形成于所述第一绝缘层中的结构。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光显示基板的制备方法，其特征在于，形成所述第一绝缘层和所述第一导电部包括：
在所述基底上涂敷第一绝缘层膜；
采用半色调曝光工艺形成所述第一绝缘层的图形和所述第一绝缘层中的凹槽的图形；
在完成上述步骤的所述基底上形成所述第一导电部；所述第一导电部局部形成于所述凹槽中。
CN201910990937.0A 2019-10-17 2019-10-17 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置 Active CN110718572B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910990937.0A CN110718572B (zh) 2019-10-17 2019-10-17 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置
US17/072,364 US20210118972A1 (en) 2019-10-17 2020-10-16 Organic electroluminescent display substrate, method for fabricating the same, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910990937.0A CN110718572B (zh) 2019-10-17 2019-10-17 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110718572A CN110718572A (zh) 2020-01-21
CN110718572B true CN110718572B (zh) 2022-10-11

Family

ID=69211889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910990937.0A Active CN110718572B (zh) 2019-10-17 2019-10-17 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20210118972A1 (zh)
CN (1) CN110718572B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114255704B (zh) * 2020-09-21 2023-09-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
WO2023004684A1 (zh) * 2021-07-29 2023-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101114668A (zh) * 2006-03-27 2008-01-30 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN106206426A (zh) * 2016-08-01 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN106531768A (zh) * 2016-12-07 2017-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制备方法
CN106935627A (zh) * 2015-12-29 2017-07-07 Nlt科技股份有限公司 显示设备及显示设备的制造方法
CN108695370A (zh) * 2018-05-21 2018-10-23 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及制作方法、显示装置
CN109148514A (zh) * 2017-06-16 2019-01-04 三星显示有限公司 显示设备及制造该显示设备的方法
CN109599419A (zh) * 2018-10-23 2019-04-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制造方法
CN109801954A (zh) * 2019-02-26 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置
CN109904211A (zh) * 2019-03-28 2019-06-18 合肥京东方卓印科技有限公司 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11329751A (ja) * 1998-03-18 1999-11-30 Sanyo Electric Co Ltd 有機発光素子の製造方法
JP2000252078A (ja) * 1998-12-28 2000-09-14 Toyota Motor Corp Ｅｌ表示素子およびその製造方法
JP4360015B2 (ja) * 2000-03-17 2009-11-11 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体の製造方法、半導体素子の配置方法、半導体装置の製造方法
JP4232415B2 (ja) * 2002-08-30 2009-03-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、電子機器
US7224118B2 (en) * 2003-06-17 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode
JP4707996B2 (ja) * 2004-11-08 2011-06-22 共同印刷株式会社 フレキシブルディスプレイ及びその製造方法
JP5142831B2 (ja) * 2007-06-14 2013-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
JP5408856B2 (ja) * 2007-08-30 2014-02-05 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置
KR101958419B1 (ko) * 2013-01-29 2019-03-14 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자
EP2808916B1 (en) * 2013-05-30 2018-12-12 LG Display Co., Ltd. Method of manufacturing an organic light emitting display device
KR102227474B1 (ko) * 2013-11-05 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판, 유기발광표시장치 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
KR102516054B1 (ko) * 2015-11-13 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법
CN105470282B (zh) * 2015-11-20 2020-03-31 Tcl集团股份有限公司 一种无像素bank的TFT-OLED及制备方法
JP2018190551A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 キヤノン株式会社 有機発光装置、撮像装置、及び有機発光装置の製造方法
CN107065356A (zh) * 2017-05-10 2017-08-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN107170788A (zh) * 2017-06-06 2017-09-15 武汉华星光电技术有限公司 一种显示屏
CN107665896B (zh) * 2017-10-27 2021-02-23 北京京东方显示技术有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
KR102457997B1 (ko) * 2017-12-29 2022-10-21 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
KR102010803B1 (ko) * 2017-12-29 2019-09-20 엘지디스플레이 주식회사 발광 디스플레이 장치
CN108549180A (zh) * 2018-03-30 2018-09-18 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN208208765U (zh) * 2018-06-14 2018-12-07 信利半导体有限公司 一种oled显示基板及显示模组
CN110085625B (zh) * 2018-06-19 2021-12-21 广东聚华印刷显示技术有限公司 顶发射型显示器件及其制作方法
CN109713162B (zh) * 2018-12-27 2021-04-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109713020A (zh) * 2019-01-18 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN110265460A (zh) * 2019-06-27 2019-09-20 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101114668A (zh) * 2006-03-27 2008-01-30 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN106935627A (zh) * 2015-12-29 2017-07-07 Nlt科技股份有限公司 显示设备及显示设备的制造方法
CN106206426A (zh) * 2016-08-01 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN106531768A (zh) * 2016-12-07 2017-03-22 厦门天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制备方法
CN109148514A (zh) * 2017-06-16 2019-01-04 三星显示有限公司 显示设备及制造该显示设备的方法
CN108695370A (zh) * 2018-05-21 2018-10-23 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及制作方法、显示装置
CN109599419A (zh) * 2018-10-23 2019-04-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制造方法
CN109801954A (zh) * 2019-02-26 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板及显示装置
CN109904211A (zh) * 2019-03-28 2019-06-18 合肥京东方卓印科技有限公司 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110718572A (zh) 2020-01-21
US20210118972A1 (en) 2021-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110047898B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
US11925079B2 (en) Display panel and display device
CN109904211A (zh) 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
CN104733495B (zh) 有机发光二极管显示设备及其制造方法
CN209729911U (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN104659063A (zh) 显示基板及其制造方法、显示面板和掩膜板
US11164918B2 (en) Organic light emitting diode display panel having connection portion connecting organic light emitting diode to peripheral circuit and manufacturing method thereof
CN209691758U (zh) 显示面板和显示装置
US10608070B2 (en) Organic EL display device
US11165038B2 (en) Display module and electronic device with auxiliary electrode layer on cathode layer
CN103839965A (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN204257650U (zh) 显示基板、显示面板和掩膜板
CN104752476A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN107706226A (zh) 对向基板、其制作方法、有机发光显示面板及显示装置
CN107845662B (zh) 一种彩膜基板及其制作方法和显示装置
CN110718572B (zh) 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置
US10790351B2 (en) Conductive lead arrangement for display substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN111509019A (zh) 一种显示基板及其制作方法和显示装置
CN112151694B (zh) 显示面板及其制作方法
US20060012742A1 (en) Driving device for active matrix organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
CN113517327B (zh) 显示面板、显示装置及显示方法
CN112086487B (zh) 一种显示面板及显示设备
US20220399433A1 (en) Display Substrate and Display Apparatus
CN108010950A (zh) 一种有机发光显示面板及显示装置
KR20040098138A (ko) 능동 매트릭스형 유기 이엘 디스플레이 패널의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant