CN109904211A - 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109904211A
CN109904211A CN201910244376.XA CN201910244376A CN109904211A CN 109904211 A CN109904211 A CN 109904211A CN 201910244376 A CN201910244376 A CN 201910244376A CN 109904211 A CN109904211 A CN 109904211A
Authority
CN
China
Prior art keywords
via hole
conductive part
layer
luminescent device
underlay substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910244376.XA
Other languages
English (en)
Inventor
袁粲
李永谦
袁志东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Zhuoyin Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Zhuoyin Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei BOE Zhuoyin Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910244376.XA priority Critical patent/CN109904211A/zh
Priority to CN202210179307.7A priority patent/CN114551555A/zh
Publication of CN109904211A publication Critical patent/CN109904211A/zh
Priority to US16/638,556 priority patent/US11296162B2/en
Priority to PCT/CN2019/104385 priority patent/WO2020192018A1/en
Priority to US17/680,790 priority patent/US11825700B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，以及位于衬底基板上的驱动晶体管，位于驱动晶体管上的绝缘层，绝缘层在驱动晶体管的第一电极上具有过孔；位于绝缘层上的导电部，导电部通过过孔与驱动晶体管的第一电极相连；位于导电部上且填充于过孔的填充部；位于填充部和导电部上且与导电部电连接的发光器件，发光器件在衬底基板上的正投影覆盖过孔在衬底基板上的正投影。通过填充部的设置将过孔进行填充，形成一个由该填充部和导电部组成的平坦化的平面，再在该平面形成与导电部电连接的发光器件，使该发光器件可以设置在过孔所在的区域，从而增加像素的开口率，可以有效的提高显示面板的使用寿命。

Description

一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，人们对显示面板的质量要求也越来越高，针对基于打印方式的OLED显示面板，在阵列基板上发光器件的制作的位置受到很大的局限，从而会对显示面板的使用寿命产生影响。
相关技术中，发光器件的阳极通过设置在阵列基板上的过孔与用于驱动该发光器件的驱动晶体管的第一电极电连接，由于该过孔的存在，在制作后续膜层的时候会形成断层，该断层的形成到这该过孔所在的区域无法设置为像素的开口区域，导致像素的开口率降低。
因此，如何提高阵列基板中像素的开口率是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置，用以解决相关技术中阵列基板的像素开口率低的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，以及位于所述衬底基板上的驱动晶体管，所述阵列基板还包括：
位于所述驱动晶体管上的绝缘层，所述绝缘层在所述驱动晶体管的第一电极上具有过孔；
位于所述绝缘层上的导电部，所述导电部通过所述过孔与所述驱动晶体管的第一电极相连；
位于所述导电部上且填充于所述过孔的填充部；
位于所述填充部和所述导电部上且与所述导电部电连接的发光器件，所述发光器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底基板上的正投影。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述导电部位于除所述过孔所在区域外的部分且远离所述衬底基板一侧的表面与所述填充部远离所述衬底基板一侧的表面齐平。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述阳极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底基板上的正投影。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述发光器件包括依次位于填充部和所述导电部上的阳极层、发光功能层以及阴极层；
所述阳极层在所述衬底基板上的正投影与所述导电部在所述衬底基板上的正投影完全重叠。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：像素界定层，所述阳极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述像素界定层的开口区域在所述衬底基板上的正投影。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述绝缘层包括依次位于所述驱动晶体管上的钝化层和树脂层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述填充部为树脂材料。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述阵列基板包括多个呈阵列排布的发光器件；
相邻两行所述发光器件之间包括用于驱动一行发光器件的驱动晶体管以及用于驱动另一行发光器件的驱动晶体管。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包与所述驱动晶体管连接的电源信号线和检测信号线；
沿行方向延伸的所述电源信号线和所述检测信号线位于相邻两行所述发光器件之间，相邻两行所述发光器件共用所述电源信号线和所述检测信号线。
第二方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成驱动晶体管；
在所述驱动晶体管上形成绝缘层；
在所述绝缘层与所述驱动晶体管的第一电极对应的位置形成过孔；
形成所述过孔后在所述绝缘层上形成导电部，所述导电部通过所述过孔与所述驱动晶体管的第一电极相连；
在所述过孔位置处形成填充部，以填充所述过孔；
在所述填充部和所述导电部上形成与所述导电部电连接的发光器件，其中，所述发光器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底基板上的正投影。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，在所述填充部和所述导电部上形成与所述导电部电连接的发光器件，具体包括：
在所述填充部和所述导电部上依次形成阳极层、发光功能层和阴极层；
其中，所述阳极层与所述导电部通过同一第一掩膜版形成，所述发光功能层通过打印工艺形成。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，形成所述绝缘层和所述填充部，具体包括：
利用所述第二掩膜版对所述绝缘层进行曝光显影，形成具有所述过孔的绝缘层的图形，其中，在对所述绝缘层进行曝光显影之前涂覆的光刻胶为第一光刻胶；
在所述绝缘层背离所述衬底基板一侧形成一树脂膜层；
利用所述第二掩膜版对所述树脂膜层进行曝光显影，形成填充所述过孔的所述填充部的图形，其中，在对所述树脂膜层进行曝光显影之前涂覆的光刻胶为第二光刻胶；
其中，所述第一光刻胶与所述第二光刻胶为正负性相反的光刻胶。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括第一方面任一实施例所述的阵列基板。
第四方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第三方面实施例提供的显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的驱动晶体管，位于所述驱动晶体管上的绝缘层，所述绝缘层在所述驱动晶体管的第一电极上具有过孔；位于所述绝缘层上的导电部，所述导电部通过所述过孔与所述驱动晶体管的第一电极相连；位于所述导电部上且填充于所述过孔的填充部；位于所述填充部和所述导电部上且与所述导电部电连接的发光器件，所述发光器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底基板上的正投影。通过填充部的设置可以将过孔进行填充，形成一个由该填充部和导电部组成的平坦化的平面，再在该平面形成与导电部电连接的发光器件，使该发光器件可以设置在过孔所在的区域，从而增加像素的开口率，可以有效的提高显示面板的使用寿命。
附图说明
图1为相关技术中阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的截面结构示意图；
图3a至图3j为本发明实施例提供阵列基板制作步骤对应的结构示意图；
图4为相关技术中的阵列基板的平面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的阵列基板的平面结构示意图之一；
图6为本发明实施例提供的阵列基板的平面结构示意图之二；
图7为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
相关技术中的阵列基板，如图1所示，包括：衬底基板01，位于该衬底基板01上的驱动晶体管02，以及通过设置在绝缘层上的过孔与该驱动晶体管02的第一电极D电连接的阳极层03，由于该过孔的存在，若将像素的开口区域设置在该过孔所在的区域，会使发光功能层05存在断层，影响发光器件的性能，因此，像素界定层限定04的像素的开口区域不能设置在过孔所在的区域，即发光功能层05所在的区域与该过孔所在的区域不重叠，在发光功能层05上形成阴极层06，从而形成完整的发光器件。该种设置方式，由于过孔的存在，对像素的开口区域的限制较大，严重影响像素的开口面积，从而导致像素的使用寿命降低。
针对相关技术中的阵列基板存在的上述问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置。为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
具体地，如图2所示，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板1，以及位于衬底基板1上的驱动晶体管2；以及：
位于驱动晶体管2上的绝缘层3，绝缘层3在驱动晶体管2的第一电极21上具有过孔；
位于绝缘层3上的导电部4，导电部4通过过孔与驱动晶体管2的第一电极21相连；
位于导电部4上且填充于过孔的填充部5；
位于填充部5和导电部4上且与导电部4电连接的发光器件6，发光器件6在衬底基板1上的正投影覆盖过孔在衬底基板1上的正投影。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，通过填充部的设置可以将过孔进行填充，形成一个由该填充部和导电部组成的平坦化的平面，再在该平面形成与导电部电连接的发光器件，使该发光器件可以设置在过孔所在的区域，从而增加像素的开口率，可以有效的提高显示面板的使用寿命。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2所示，导电部4位于除过孔所在区域外的部分且远离衬底基板一侧的表面与填充部5远离衬底基板一侧的表面齐平。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，由于发光器件对其设置的表面的平坦化的要求较高，其表面越平坦则发光器件的性能越稳定，表面越是凹凸不平则发光器件的性能会受到很大的影响，因此在制作填充部的图形时，应使得该填充部的表面与该导电部位于非开口区域的表面齐平，以给后续发光器件的制作提供一个平坦程度较好的表面。
需要说明的是，虽然填充部的表面与导电部位于非开口区域的表面完全齐平可以更好的满足发光器件的要求，但是由于工艺水平的限制，不能完全使填充部的表面与导电部位于非开口区域的表面齐平，两个表面会存在一定的误差，由于该误差较小，在实际制作过程中可以忽略不计。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，阳极层在衬底基板上的正投影覆盖过孔在衬底基板上的正投影。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，使过孔在衬底基板上的正投影位于阳极层在衬底基板上的正投影之内，从而可以将发光器件的位置设置在过孔所在区域，与相关技术相比，增大了阵列基板的开口率。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2所示，发光器件6包括依次位于填充部5和导电部4上的阳极层61、发光功能层62以及阴极层63；
阳极层63在衬底基板1上的正投影与导电部4在衬底基板1上的正投影完全重叠。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，可以使用同一掩膜版制作导电部和阳极层，可以减少掩膜版的设置，从而节约生产成本。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2所示，还包括：像素界定层7，阳极层61在衬底基板1上的正投影覆盖像素界定层7的开口区域在衬底基板1上的正投影。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，由于填充部的存在，在制作完阳极层之后，像素界定层设置的开口区域可以设置在过孔所在的区域，从而使得该开口区域的面积相较于不能设置的过孔区域时的开口区域的面积要提升20％～30％。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2所示，绝缘层3包括依次位于驱动晶体管2上的钝化层31和树脂层32。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，该钝化层所采用的材料为氮氧化硅材料，可以对源第一电极所在的金属层进行防腐蚀保护，对水氧进行阻绝；树脂层的设置，可以使形成树脂层以后的表面更加平坦，利于发光器件的制作。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，填充部为树脂材料。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，该填充部采用树脂材料，是为了使填充过孔后的表面更加的平坦，有利于发光器件的制作。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图6所示，该阵列基板包括多个呈阵列排布的发光器件6；
相邻两行发光器件6之间包括用于驱动一行发光器件6的驱动晶体管以及用于驱动另一行发光器件6的驱动晶体管。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，由于发光器件可以设置在过孔所在的区域，因此，过孔的设置位置可以随意的进行选择，而不会对发光器件的性能产生影响，因此可以将用于驱动相邻两行发光器件的驱动晶体管位于相邻两行发光器件之间，以节省驱动晶体管所在的空间。
优选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，该发光器件可以为顶发射型发光器件，其中，顶发射型发光器件指该发光器件的出光面位于背离衬底基板一侧。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，还包与驱动晶体管连接的电源信号线8和检测信号线9；
沿行方向延伸的电源信号线8和检测信号线9位于相邻两行发光器件6之间，相邻两行发光器件6共用电源信号线8和检测信号线9。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，相邻两行的发光器件可以共用电源信号线和检测信号，以减少了电源信号线和检测信号线的设置，从而简化了阵列基板的布线。其中，该电源信号线可以为用于向用于驱动发光器件的电路提供固定电压的高电平信号或低电平信号。
下面以图2所示的阵列基板为例说明本发明实施例提供的阵列的制作方法，具体该制作法包括以下步骤：
(1)在衬底基板1上形成驱动晶体管2，如图3a所示；
(2)在驱动晶体管2上形成绝缘层3，如图3b所示；
(3)利用第二掩膜版B在绝缘层3与驱动晶体管2的第一电极21对应的位置通过曝光显影的方式形成过孔A，如图3c和图3d所示，其中在该次曝光显影之前涂覆的光刻胶为第一光刻胶；
(4)形成过孔A后，利用第一掩膜版(在图中未示出)在绝缘层3上形成导电部4，导电部4通过过孔A与驱动晶体管2的第一电极21相连，如图3e所示；
(5)在导电部4上形成一树脂膜层51，利用第二掩膜版B对该树脂膜层51进行曝光显影，形成填充过孔A的填充部5的图形，其中，在对树脂膜层51进行曝光显影之前涂覆的光刻胶为第二光刻胶，如图3f和图3g所示；
其中，第一光刻胶与第二光刻胶为正负性相反的光刻胶。
(6)利用第一掩膜版(在图中未示出)在填充部5和导电部4上形成与导电部4电连接的阳极层61，如图3h所示；
(7)在阳极层61上形成用于限定发光功能层62与阳极层61接触位置的像素界定层7，其中该像素界定层7形成的开口区域在衬底基板1上的正投影覆盖过孔A在衬底基板1上的正投影，如图3i所示；
(8)在像素开口区域通过打印工艺形成发光功能层62，如图3j所示；由于该发光功能层62是通过打印工艺形成的，因此需要过孔所在区域平整才能保证打印效果，进而提高阵列基板的开口率。
(9)在形成发光功能层62后形成阴极层63，其中该阴极层63可以整面设置，如图2所示。
其中，通过上述方法形成的阵列基板的平面结构示意图，如图5所示，发光器件6在衬底基板上的正投影覆盖过孔A在衬底基板上的正投影，与如图4所示的相关技术中的阵列基板，将发光器件05设置在过孔A所在区域之外的区域相比，本发明实施例提供的阵列基板的像素开口率可以提高20％～30％。
除此之外，如图6所示，由于过孔A所在的区域对发光器件6的设置位置不会产生影响，因此可以将驱动晶体管、与驱动晶体管连接电源信号线8和检测信号线9设置在相邻两行发光器件6之间，可以使相连两行的发光器件6共用电源信号线8和检测信号线9，从而减少信号线的设置。
基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成驱动晶体管；
在驱动晶体管上形成绝缘层；
在绝缘层与驱动晶体管的第一电极对应的位置形成过孔；
形成过孔后在绝缘层上形成导电部，导电部通过过孔与驱动晶体管的第一电极相连；
在过孔位置处形成填充部，以填充过孔；
在填充部和导电部上形成与导电部电连接的发光器件，其中，发光器件在衬底基板上的正投影覆盖过孔在衬底基板上的正投影。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板的制作方法中，在填充部和导电部上形成与导电部电连接的发光器件，具体包括：
在填充部和导电部上依次形成阳极层、发光功能层和阴极层；
其中，阳极层与导电部通过同一第一掩膜版形成，该发光功能层通过打印工艺形成。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板的制作方法中，形成绝缘层和填充部，具体包括：
利用第二掩膜版对绝缘层进行曝光显影，形成具有过孔的绝缘层的图形，其中，在对绝缘层进行曝光显影之前涂覆的光刻胶为第一光刻胶；
在绝缘层背离衬底基板一侧形成树脂膜层；
利用第二掩膜版对树脂膜层进行曝光显影，形成填充过孔的填充部的图形，其中，在对树脂膜层进行曝光显影之前涂覆的光刻胶为第二光刻胶；
其中，第一光刻胶与第二光刻胶为正负性相反的光刻胶。
该制作方法的具体实施步骤已经在上述阵列基板的实施例中，进行了详细的阐述，因此该阵列基板的制作方法可以参考上述阵列基板的实施例进行实施，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述任一实施例提供的阵列基板。
基于同一发明构思，如图7所示，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例提供的显示面板。
由于该显示面板及显示装置解决问题的原理与前述一种阵列基板相似，因此该显示面板及显示装置的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。
其中，该显示装置适用于有机电致发光显示器、无机电致发光显示器、有源矩阵有机发光二极管显示器(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，AMOLED)等多种类型的显示器。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，在此不作限定。
本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置，该阵列基板包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的驱动晶体管，位于所述驱动晶体管上的绝缘层，所述绝缘层在所述驱动晶体管的第一电极上具有过孔；位于所述绝缘层上的导电部，所述导电部通过所述过孔与所述驱动晶体管的第一电极相连；位于所述导电部上且填充于所述过孔的填充部；位于所述填充部和所述导电部上且与所述导电部电连接的发光器件，所述发光器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底基板上的正投影。通过填充部的设置可以将过孔进行填充，形成一个由该填充部和导电部组成的平坦化的平面，再在该平面形成与导电部电连接的发光器件，使该发光器件可以设置在过孔所在的区域，从而增加像素的开口率，可以有效的提高显示面板的使用寿命。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种阵列基板，包括衬底基板，以及位于所述衬底基板上的驱动晶体管，其特征在于，所述阵列基板还包括：
位于所述驱动晶体管上的绝缘层，所述绝缘层在所述驱动晶体管的第一电极上具有过孔；
位于所述绝缘层上的导电部，所述导电部通过所述过孔与所述驱动晶体管的第一电极相连；
位于所述导电部上且填充于所述过孔的填充部；
位于所述填充部和所述导电部上且与所述导电部电连接的发光器件，所述发光器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底基板上的正投影。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电部位于除所述过孔所在区域外的部分且远离所述衬底基板一侧的表面与所述填充部远离所述衬底基板一侧的表面齐平。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光器件包括依次位于填充部和所述导电部上的阳极层、发光功能层以及阴极层；
所述阳极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底基板上的正投影。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极层在所述衬底基板上的正投影与所述导电部在所述衬底基板上的正投影完全重叠。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：像素界定层，所述阳极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述像素界定层的开口区域在所述衬底基板上的正投影。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括依次位于所述驱动晶体管上的钝化层和树脂层。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述填充部为树脂材料。
8.如权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个呈阵列排布的发光器件；
相邻两行所述发光器件之间包括用于驱动一行发光器件的驱动晶体管以及用于驱动另一行发光器件的驱动晶体管。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包与所述驱动晶体管连接的电源信号线和检测信号线；
沿行方向延伸的所述电源信号线和所述检测信号线位于相邻两行所述发光器件之间，相邻两行所述发光器件共用所述电源信号线和所述检测信号线。
10.一种如权利要求1-9任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成驱动晶体管；
在所述驱动晶体管上形成绝缘层；
在所述绝缘层与所述驱动晶体管的第一电极对应的位置形成过孔；
形成所述过孔后在所述绝缘层上形成导电部，所述导电部通过所述过孔与所述驱动晶体管的第一电极相连；
在所述过孔位置处形成填充部，以填充所述过孔；
在所述填充部和所述导电部上形成与所述导电部电连接的发光器件，其中，所述发光器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述过孔在所述衬底基板上的正投影。
11.如权利要求10所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述填充部和所述导电部上形成与所述导电部电连接的发光器件，具体包括：
在所述填充部和所述导电部上依次形成阳极层、发光功能层和阴极层；
其中，所述阳极层与所述导电部通过同一第一掩膜版形成，所述发光功能层通过打印工艺形成。
12.如权利要求10所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成所述绝缘层和所述填充部，具体包括：
利用所述第二掩膜版对所述绝缘层进行曝光显影，形成具有所述过孔的绝缘层的图形，其中，在对所述绝缘层进行曝光显影之前涂覆的光刻胶为第一光刻胶；
在所述绝缘层背离所述衬底基板一侧形成树脂膜层；
利用所述第二掩膜版对所述树脂膜层进行曝光显影，形成填充所述过孔的所述填充部的图形，其中，在对所述树脂膜层进行曝光显影之前涂覆的光刻胶为第二光刻胶；
其中，所述第一光刻胶与所述第二光刻胶为正负性相反的光刻胶。
13.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的显示面板。
CN201910244376.XA 2019-03-28 2019-03-28 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 Pending CN109904211A (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910244376.XA CN109904211A (zh) 2019-03-28 2019-03-28 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
CN202210179307.7A CN114551555A (zh) 2019-03-28 2019-03-28 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
US16/638,556 US11296162B2 (en) 2019-03-28 2019-09-04 Array substrate and fabricating method thereof, display panel, and display apparatus
PCT/CN2019/104385 WO2020192018A1 (en) 2019-03-28 2019-09-04 Array substrate and fabricating method thereof, display panel, and display apparatus
US17/680,790 US11825700B2 (en) 2019-03-28 2022-02-25 Array substrate and fabricating method thereof, display panel, and display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910244376.XA CN109904211A (zh) 2019-03-28 2019-03-28 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210179307.7A Division CN114551555A (zh) 2019-03-28 2019-03-28 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109904211A true CN109904211A (zh) 2019-06-18

Family

ID=66953106

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210179307.7A Pending CN114551555A (zh) 2019-03-28 2019-03-28 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
CN201910244376.XA Pending CN109904211A (zh) 2019-03-28 2019-03-28 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210179307.7A Pending CN114551555A (zh) 2019-03-28 2019-03-28 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11296162B2 (zh)
CN (2) CN114551555A (zh)
WO (1) WO2020192018A1 (zh)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110379930A (zh) * 2019-07-18 2019-10-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN110416233A (zh) * 2019-08-30 2019-11-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
CN110718572A (zh) * 2019-10-17 2020-01-21 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置
CN111244326A (zh) * 2020-01-22 2020-06-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN111415587A (zh) * 2020-03-31 2020-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示面板
CN111463248A (zh) * 2020-04-10 2020-07-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN111708203A (zh) * 2020-07-20 2020-09-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
WO2020192018A1 (en) * 2019-03-28 2020-10-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and fabricating method thereof, display panel, and display apparatus
CN112103325A (zh) * 2020-09-23 2020-12-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示背板及其制作方法和显示装置
CN112965310A (zh) * 2021-02-26 2021-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
WO2022088534A1 (zh) * 2020-10-30 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制备方法和显示面板
CN115274555A (zh) * 2022-09-27 2022-11-01 南昌虚拟现实研究院股份有限公司 制作阵列基板方法、阵列基板及显示面板
CN115720468A (zh) * 2022-10-25 2023-02-28 惠科股份有限公司 显示面板和显示设备
WO2023184406A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制造方法、显示面板
WO2023226138A1 (zh) * 2022-05-25 2023-11-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050082534A1 (en) * 2003-10-16 2005-04-21 Mu-Hyun Kim Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same
KR100543009B1 (ko) * 2003-10-16 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
CN103792746A (zh) * 2014-01-27 2014-05-14 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
CN107579089A (zh) * 2016-06-29 2018-01-12 乐金显示有限公司 有机发光显示装置、其制造方法和包括其的头戴式显示器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100552975B1 (ko) * 2003-11-22 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US7554261B2 (en) * 2006-05-05 2009-06-30 Eastman Kodak Company Electrical connection in OLED devices
KR20130105161A (ko) 2012-03-16 2013-09-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR102178796B1 (ko) * 2014-01-22 2020-11-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102352285B1 (ko) 2014-10-10 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US10069098B2 (en) 2016-06-29 2018-09-04 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device, method of manufacturing the same, and head mounted display including the same
CN106098710A (zh) 2016-08-29 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN107452780B (zh) 2017-07-31 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及制作方法、显示装置
US20190294280A1 (en) 2018-03-21 2019-09-26 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Manufacturing method for display panel, display panel and display device
CN108364993B (zh) 2018-03-21 2020-12-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
KR102543918B1 (ko) * 2018-06-08 2023-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109037282B (zh) 2018-07-24 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN114551555A (zh) 2019-03-28 2022-05-27 合肥京东方卓印科技有限公司 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050082534A1 (en) * 2003-10-16 2005-04-21 Mu-Hyun Kim Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same
KR100543009B1 (ko) * 2003-10-16 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
CN103792746A (zh) * 2014-01-27 2014-05-14 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
CN107579089A (zh) * 2016-06-29 2018-01-12 乐金显示有限公司 有机发光显示装置、其制造方法和包括其的头戴式显示器

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11296162B2 (en) 2019-03-28 2022-04-05 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Array substrate and fabricating method thereof, display panel, and display apparatus
US11825700B2 (en) 2019-03-28 2023-11-21 Hefel BOE Joint Technology Co., Ltd. Array substrate and fabricating method thereof, display panel, and display apparatus
WO2020192018A1 (en) * 2019-03-28 2020-10-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and fabricating method thereof, display panel, and display apparatus
CN110379930A (zh) * 2019-07-18 2019-10-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN110416233A (zh) * 2019-08-30 2019-11-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
US11398507B2 (en) 2019-08-30 2022-07-26 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, display panel, and manufacturing method of the array substrate
CN110718572A (zh) * 2019-10-17 2020-01-21 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置
CN110718572B (zh) * 2019-10-17 2022-10-11 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置
CN111244326A (zh) * 2020-01-22 2020-06-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN111415587A (zh) * 2020-03-31 2020-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示面板
CN111463248A (zh) * 2020-04-10 2020-07-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN111708203A (zh) * 2020-07-20 2020-09-25 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN112103325A (zh) * 2020-09-23 2020-12-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示背板及其制作方法和显示装置
CN112103325B (zh) * 2020-09-23 2023-10-03 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示背板及其制作方法和显示装置
WO2022088534A1 (zh) * 2020-10-30 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制备方法和显示面板
CN114442353A (zh) * 2020-10-30 2022-05-06 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制备方法和显示面板
CN112965310A (zh) * 2021-02-26 2021-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
WO2023184406A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制造方法、显示面板
WO2023226138A1 (zh) * 2022-05-25 2023-11-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN115274555A (zh) * 2022-09-27 2022-11-01 南昌虚拟现实研究院股份有限公司 制作阵列基板方法、阵列基板及显示面板
CN115720468A (zh) * 2022-10-25 2023-02-28 惠科股份有限公司 显示面板和显示设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN114551555A (zh) 2022-05-27
WO2020192018A1 (en) 2020-10-01
US11825700B2 (en) 2023-11-21
US20220278182A1 (en) 2022-09-01
US20210233982A1 (en) 2021-07-29
US11296162B2 (en) 2022-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109904211A (zh) 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
US11005056B2 (en) Flexible display panel and manufacturing method for the same
CN102629621B (zh) 一种电路、阵列基板及制作方法、显示器
US9252398B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
CN108172605B (zh) 有机发光二极管基板及其制备方法、显示面板
CN110047898A (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
US10916609B2 (en) Array substrate and method for manufacturing array substrate
CN105590953B (zh) 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法
CN110048005A (zh) 一种oled显示器件及其制备方法
CN106992204A (zh) 一种oled阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104779269B (zh) Oled显示器件
CN103681773A (zh) 一种有机电致发光显示器件、其制备方法及显示装置
US9679953B2 (en) WOLED back panel and method of manufacturing the same
CN105355646A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103489894A (zh) 有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法
WO2019196336A1 (zh) Oled面板
CN204257650U (zh) 显示基板、显示面板和掩膜板
WO2015043269A1 (zh) Oled像素结构和oled显示装置
US20220037615A1 (en) Display substrate, manufacturing method thereof and display panel
CN107706226A (zh) 对向基板、其制作方法、有机发光显示面板及显示装置
CN104576694A (zh) Oled显示装置及其制造方法
CN108198838A (zh) 显示面板及其制作方法
CN110416257A (zh) 显示面板背板结构、其制备方法及顶发射型显示面板
CN110718572B (zh) 一种有机电致发光显示基板及其制备方法和显示装置
WO2015027532A1 (zh) 有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190618

RJ01 Rejection of invention patent application after publication