CN104518004A - Oled显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的一种OLED显示装置及其制造方法，通过设置所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分第二绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分第二绝缘层的厚度，增加了白色子像素区中底层走线与第一电极之间的垂直距离，能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线发生短路或过流，所述OLED显示装置的制造方法简单，易于操作，制备的OLED显示装置能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流，提高OLED显示装置的制程良率。

Description

OLED显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及其制造方法。
背景技术
有机电致发光显示(Organic Light Emitting Display，OLED)是一种极具发展前景的显示技术，它不仅具有十分优异的显示性能，还具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。
OLED显示装置通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的有机发光层，设于有机发光层上的电子传输层、及设于电子传输层上的阴极。工作时向有机发光层发射来自阳极的空穴和来自阴极的电子，将这些电子和空穴组合产生激发性电子-空穴对，并将激发性电子-空穴对从受激态转换为基态实现发光。
OLED显示装置的制程中，为了降低制程难度以及发光材料的色度和亮度的恶化不均，通常采用包含有红色(Red，R)、绿色(Green，G)、蓝色(Bule，B)、白色(White，W)四种颜色的子像素的显示方法，即WRGB OLED显示。所述WRGB OLED显示的工作原理为利用发射白光的白光有机发光二极管以及将白光转换成红光、绿光、及蓝光的滤光片实现具有WRGB四色显示的OLED显示装置。
如图1所示，在现有WRGB OLED的像素结构中，所采用的有机发光二极管为发射白光的有机发光二极管，在红色、绿色、及蓝色子像素中均包含用于将白光分别转换为红光、绿光、及蓝光的滤光片300，而白色子像素照原样发射白光，不需要滤光片300，因此，白色子像素的白光有机发光二级管的形成层低于红色、绿色、及蓝色子像素的有机发光二极管形成层，则白色子像素中第一电极层100也低于红色、绿色、蓝色子像素的第一电极层100’，白色子像素的第一电极层100与底层走线400之间的垂直距离y1小于红色、绿色、蓝色子像素的第一电极层100’与底层走线400之间的垂直距离y2，图1中以蓝色子像素与白色子像素的结构说明。
在实际的制程中，由于处理不当(如光刻胶残留，刻蚀不净等)造成杂质的引入，容易对底层走线400与第一电极100之间垂直距离较小的白色子像素造成影响，在底层线400与第一电极100重叠的区域200中引起底层走线400与第一电极100之间的短路或过流。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示装置，能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流。
本发明的目的还在与提供一种OLED显示装置的制作方法，制造方法简单，易于操作，使用该制作方法制作的OLED显示装置能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流，提高OLED显示装置的制程良率。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED显示装置，包括：红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区、及白色子像素区；
其中，所述白色子像素区包括：第一基板、设于所述第一基板上的底层走线和薄膜晶体管、设于所述底层走线、薄膜晶体管和第一基板上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的第三绝缘层、设于第三绝缘层上的第一电极、设于所述第一电极上的有机层、设于所述有机层上的第二电极、及设于第二电极上的第二基板；
所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分第二绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分第二绝缘层的厚度。
所述红色子像素区包括：第一基板、设于所述第一基板上的底层走线和薄膜晶体管、设于所述底层走线、薄膜晶体管和第一基板上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的红光滤光片、设于红光滤光片上的第三绝缘层、设于第三绝缘层上的第一电极、设于所述第一电极上的有机层、设于所述有机层上的第二电极、及设于第二电极上的第二基板；
所述绿色子像素区包括：第一基板、设于所述第一基板上的底层走线和薄膜晶体管、设于所述底层走线、薄膜晶体管和第一基板上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的绿光滤光片、设于绿光滤光片上的第三绝缘层、设于第三绝缘层上的第一电极、设于所述第一电极上的有机层、及设于所述有机层上的第二电极、设于第二电极上的第二基板；
所述蓝色子像素区包括：第一基板、设于所述第一基板上的底层走线和薄膜晶体管、设于所述底层走线、薄膜晶体管和第一基板上的第二绝缘层、设于第二绝缘层上的蓝光滤光片、设于蓝光滤光片上的第三绝缘层、设于第三绝缘层上的第一电极、设于所述第一电极上的有机层、设于所述有机层上的第二电极、及设于第二电极上的第二基板。
所述红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区和白色子像素区中任意两个相邻的子像素区之间设有间隔物层，所述间隔物层位于第三绝缘层和第二电极之间，并将相邻的两个子像素区内的第一电极和有机层隔开。
所述第一基板为透明基板，所述第一电极为阳极，其为透明电极；所述第二电极为阴极，其为反射电极。
所述第一电极通过贯穿第二绝缘层与第三绝缘层的过孔与薄膜晶体管电性连接。
本发明还提供一种OLED显示装置的制造方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一第一基板，在所述第一基板制作薄膜晶体管和底层走线，然后在底层走线、薄膜晶体管和第一基板上形成第二绝缘层；
步骤2、在红色子像素区内的第二绝缘层上方设置红光滤光片，在绿色子像素区内的第二绝缘层上方设置绿光滤光片，在蓝色子像素区内的第二绝缘层上方设置蓝光滤光片；然后在第二绝缘层和所述红光、绿光、及蓝光滤光片上方形成第三绝缘层；
步骤3、在所述红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区、及白色子像素区中每一子像素区内的第三绝缘层的上方依次形成第一电极和有机层，同时在每相邻的两个子像素区之间的第三绝缘层的上方形成间隔物层；然后在有机层和间隔物层上方形成第二电极，并在第二电极上方设置第二基板。
所述步骤1中，所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分第二绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分第二绝缘层的厚度。
所述步骤1中，所述薄膜晶体管的制作步骤为：在第一基板上依次沉积栅极层、设于栅极层上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的半导体层、及设于半导体层上的源/漏极层。
所述第一基板为透明基板，所述第一电极为阳极，其为透明电极；所述第二电极为阴极，其为反射电极。
所述步骤3还包括如下步骤：在第二绝缘层与第三绝缘层上形成过孔，所述第一电极通过贯穿第二绝缘层与第三绝缘层的过孔与薄膜晶体管电性连接。
本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED显示装置及其制造方法，通过设置所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分第二绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分第二绝缘层的厚度，增加了白色子像素区中底层走线与第一电极之间的垂直距离，能够防止白色子像素的第一电极与底层走线发生短路或过流，所述制造方法简单，易于操作，能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流，提高了OLED显示装置的制程良率。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的一种采用WRGB技术的OLED显示装置的示意图；
图2为本发明的OLED显示装置的示意图；
图3为本发明的OLED显示装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供了一种OLED显示装置，其包括红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区20、及白色子像素区40。
其中，所述白色子像素区40包括：第一基板1、设于所述第一基板1上的底层走线2和薄膜晶体管3、设于所述底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上的第二绝缘层4、设于第二绝缘层4上的第三绝缘层5、设于第三绝缘层5上的第一电极6、设于所述第一电极6上的有机层7、设于所述有机层7上的第二电极8、及设于第二电极8上的第二基板9；
所述白色子像素区40中对应于底层走线2上方的该部分第二绝缘层4的厚度大于白色子像素区40中的其它部分第二绝缘层4的厚度。
所述蓝色子像素区20包括：第一基板1、设于所述第一基板1上的底层走线2和薄膜晶体管3、设于所述底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上的第二绝缘层4、设于第二绝缘层4上的蓝光滤光片25、设于蓝光滤光片上的第三绝缘层5、设于第三绝缘层5上的第一电极6、设于所述第一电极6上的有机层7、设于所述有机层7上的第二电极8、及设于第二电极8上的第二基板9；
所述红色子像素区(未图示)包括：第一基板1、设于所述第一基板1上的底层走线2和薄膜晶体管3、设于所述底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上的第二绝缘层4、设于第二绝缘层4上的红光滤光片、设于红光滤光片上的第三绝缘层5、设于第三绝缘层5上的第一电极6、设于所述第一电极6上的有机层7、设于所述有机层7上的第二电极8、及设于第二电极8上的第二基板9；
所述绿色子像素区(未图示)包括：第一基板1、设于所述第一基板1上的底层走线2和薄膜晶体管3、设于所述底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上的第二绝缘层4、设于第二绝缘层4上的绿光滤光片、设于绿光滤光片上的第三绝缘层5、设于第三绝缘层5上的第一电极6、设于所述第一电极6上的有机层7、设于所述有机层7上的第二电极8、及设于第二电极8上的第二基板9。
此外，所述红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区20和白色子像素区40中任意两个相邻的子像素区之间设有间隔物层10，所述间隔物层10位于第三绝缘层5和第二电极8之间，并将相邻的两个子像素区内的第一电极6和有机层7隔开。所述间隔物层10不仅可以起到将相邻的子像素区隔开的作用，同时起到支撑第二基板9的作用。优选的，所述间隔物层10由绝缘材料制备。
具体的，所述底层走线2包括诸如数据线DL1-DLn和SL1-SLm之类的信号线，以及诸如高电位电力线EVDD和低电位电力线EVSS之类的电力线。如果子像素包括补偿电路，那么底层线还包括用于提供辅助电压的辅助电力线、用于提供参考电压的参考电力线、用于提供初始化电压的初始化电力线等。
具体的，所述第一基板1为透明基板，所述第一电极6为阳极，其为透明电极，采用ITO(氧化铟锡)等透明导电材料制备；所述第二电极8为阴极，其为反射电极，采用铝、镁、或银等金属材料制备。
具体的，所述有机层7包括：设于第一电极6上的空穴传输层、设于所述空穴传输层上的白光发光层、及设于所述白光发光层上的电子传输层；当在第一电极6与第二电极8之间施加一定的驱动电压后，电子和空穴分别从第二电极8和第一电极6注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在白光发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出白光。光线经过透明的第一电极6直接射出或者经过反射型的第二电极8反射后从透明的第一电极6射出。
具体的，所述薄膜晶体管3包括设于第一基板1上的栅极层、设于栅极层上的第一绝缘层11、设于第一绝缘层11上的半导体层、及设于半导体层上的源/漏极层。所述第一电极6通过贯穿第二绝缘层4与第三绝缘层5的过孔31与薄膜晶体管3的漏极电性连接。
请参阅图3，本发明还提供了一种制备上述OLED显示装置的方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一第一基板1，在所述第一基板1制作薄膜晶体管3和底层走线2，然后在底层走线2、薄膜晶体管3和第一基板1上形成第二绝缘层4。
所述底层走线2包括诸如数据线DL1-DLn和SL1-SLm之类的信号线，以及诸如高电位电力线EVDD和低电位电力线EVSS之类的电力线。如果子像素包括补偿电路，那么底层线还包括用于提供辅助电压的辅助电力线、用于提供参考电压的参考电力线、用于提供初始化电压的初始化电力线等。
具体的，所述白色子像素区40中对应于底层走线2上方的该部分第二绝缘层4的厚度大于白色子像素区40中的其它部分第二绝缘层4的厚度。
具体的，所述薄膜晶体管3的制作步骤为：在第一基板1上依次沉积栅极层、设于栅极层上的第一绝缘层11、设于第一绝缘层11上的半导体层、及设于半导体层上的源/漏极层。
步骤2、在红色子像素区内的第二绝缘层4上方设置红光滤光片，在绿色子像素区内的第二绝缘层4上方设置绿光滤光片，在蓝色子像素区内的第二绝缘层4上方设置蓝光滤光片；然后在第二绝缘层4和所述红光、绿光、及蓝光滤光片上方形成第三绝缘层5。
步骤3、在所述白色子像素区40、红色子像素区、绿色子像素区、及蓝色子像素区20中每一子像素区内的第三绝缘层5的上方依次形成第一电极6和有机层7，同时在每相邻的两个子像素区之间的第三绝缘层5的上方形成间隔物层10，然后在有机层7和间隔物层10上方形成第二电极8，并在第二电极8上方设置第二基板9。
其中，所述间隔物层10不仅可以将相邻的子像素区隔开，同时能够起到支撑第二基板9的作用，并且所述间隔物层10由绝缘材料构成。
所述步骤3还可以包括如下步骤：在第二绝缘层4与第三绝缘层5上形成过孔31，所述第一电极6通过贯穿第二绝缘层4与第三绝缘层5的过孔31与薄膜晶体管3的漏极电性连接。
本发明提供的一种OLED显示装置及其制造方法，通过设置所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分第二绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分第二绝缘层的厚度，增加了白色子像素区中底层走线与第一电极之间的垂直距离，能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线发生短路或过流，所述OLED显示装置的制造方法简单，易于操作，制备的OLED显示装置能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流，提高OLED显示装置的制程良率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括：红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区(20)、及白色子像素区(40)；
其中，所述白色子像素区(40)包括：第一基板(1)、设于所述第一基板(1)上的底层走线(2)和薄膜晶体管(3)、设于所述底层走线(2)、薄膜晶体管(3)和第一基板(1)上的第二绝缘层(4)、设于第二绝缘层(4)上的第三绝缘层(5)、设于第三绝缘层(5)上的第一电极(6)、设于所述第一电极(6)上的有机层(7)、设于所述有机层(7)上的第二电极(8)、及设于第二电极(8)上的第二基板(9)；
所述白色子像素区(40)中对应于底层走线(2)上方的该部分第二绝缘层(4)的厚度大于白色子像素区(40)中的其它部分第二绝缘层(4)的厚度。
2.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述红色子像素区包括：第一基板(1)、设于所述第一基板(1)上的底层走线(2)和薄膜晶体管(3)、设于所述底层走线(2)、薄膜晶体管(3)和第一基板(1)上的第二绝缘层(4)、设于第二绝缘层(4)上的红光滤光片、设于红光滤光片上的第三绝缘层(5)、设于第三绝缘层(5)上的第一电极(6)、设于所述第一电极(6)上的有机层(7)、设于所述有机层(7)上的第二电极(8)、及设于第二电极(8)上的第二基板(9)；
所述绿色子像素区包括：第一基板(1)、设于所述第一基板(1)上的底层走线(2)和薄膜晶体管(3)、设于所述底层走线(2)、薄膜晶体管(3)和第一基板(1)上的第二绝缘层(4)、设于第二绝缘层(4)上的绿光滤光片、设于绿光滤光片上的第三绝缘层(5)、设于第三绝缘层(5)上的第一电极(6)、设于所述第一电极(6)上的有机层(7)、设于所述有机层(7)上的第二电极(8)、及设于第二电极(8)上的第二基板(9)；
所述蓝色子像素区(20)包括：第一基板(1)、设于所述第一基板(1)上的底层走线(2)和薄膜晶体管(3)、设于所述底层走线(2)、薄膜晶体管(3)和第一基板(1)上的第二绝缘层(4)、设于第二绝缘层(4)上的蓝光滤光片(25)、设于蓝光滤光片上的第三绝缘层(5)、设于第三绝缘层(5)上的第一电极(6)、设于所述第一电极(6)上的有机层(7)、设于所述有机层(7)上的第二电极(8)、及设于第二电极(8)上的第二基板(9)。
3.如权利要求2所述的OLED显示装置，其特征在于，所述红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区(20)和白色子像素区(40)中任意两个相邻的子像素区之间设有间隔物层(10)，所述间隔物层(10)位于第三绝缘层(5)和第二电极(8)之间，并将相邻的两个子像素区内的第一电极(6)和有机层(7)隔开。
4.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一基板(1)为透明基板，所述第一电极(6)为阳极，其为透明电极；所述第二电极(8)为阴极，其为反射电极。
5.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一电极(6)通过贯穿第二绝缘层(4)与第三绝缘层(5)的过孔(31)与薄膜晶体管(3)电性连接。
6.一种OLED显示装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一第一基板(1)，在所述第一基板(1)制作薄膜晶体管(3)和底层走线(2)，然后在底层走线(2)、薄膜晶体管(3)和第一基板(1)上形成第二绝缘层(4)；
步骤2、在红色子像素区内的第二绝缘层(4)上方设置红光滤光片，在绿色子像素区内的第二绝缘层(4)上方设置绿光滤光片，在蓝色子像素区内的第二绝缘层(4)上方设置蓝光滤光片(25)；然后在第二绝缘层(4)和所述红光、绿光、及蓝光滤光片上方形成第三绝缘层(5)；
步骤3、在所述红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区(20)、及白色子像素区(40)中每一子像素区内的第三绝缘层(5)的上方依次形成第一电极(6)和有机层(7)，同时在每相邻的两个子像素区之间的第三绝缘层(5)的上方形成间隔物层(10)；然后在有机层(7)和间隔物层(10)上方形成第二电极(8)，并在第二电极(8)上方设置第二基板(9)。
7.如权利要求6所述的OLED显示装置的制造方法，其特征在于，所述步骤1中，所述白色子像素区(40)中对应于底层走线(2)上方的该部分第二绝缘层(4)的厚度大于白色子像素区(40)中的其它部分第二绝缘层(4)的厚度。
8.如权利要求6所述的OLED显示装置的制造方法，其特征在于，所述步骤1中，所述薄膜晶体管(3)的制作步骤为：在第一基板(1)上依次沉积栅极层、设于栅极层上的第一绝缘层(11)、设于第一绝缘层(11)上的半导体层、及设于半导体层上的源/漏极层。
9.如权利要求6所述的OLED显示装置的制造方法，其特征在于，所述第一基板(1)为透明基板，所述第一电极(6)为阳极，其为透明电极；所述第二电极(8)为阴极，其为反射电极。
10.如权利要求6所述的OLED显示装置的制造方法，其特征在于，所述步骤3还包括如下步骤：在第二绝缘层(4)与第三绝缘层(5)上形成过孔(31)，所述第一电极(6)通过贯穿第二绝缘层(4)与第三绝缘层(5)的过孔(31)与薄膜晶体管(3)电性连接。
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