CN105590953A - 具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法，所述有机发光二极管显示器包括定义出发光区和非发光区的基板；设置在基板上的非发光区中的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的钝化层；在发光区中的第一存储电容器电极和叠加于其上的第二存储电容器电极，钝化层插入其间；设置在第二存储电容器电极上的覆盖层；和设置在覆盖层上的阳极，该阳极经由穿过覆盖层的覆盖层接触孔与第二存储电容器电极的一侧接触，且经由设置在覆盖层中且穿过钝化层的钝化层接触孔与部分薄膜晶体管接触。

Description

具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法，该有机发光二极管显示器具有通过在发光区中使用透明导电材料形成存储电容器而提高的孔径比。此外，本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法，用于通过减少掩模工艺数量简化制造工艺。
背景技术
目前，与阴极射线管相比，已经开发出重量和体积降低的多种平板显示器。这样的平板显示器包括液晶显示器、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光器件(EL)等。
EL分为无机EL和有机发光二极管显示器，且是自发光器件，具有高的响应速度、发光效率和亮度、以及宽视角的优势。
图1示出了有机发光二极管的结构。如图1中所示，有机发光二极管包括有机电致发光化合物层，彼此相对的阴极和阳极，有机电致发光化合物层夹入阴极和阳极之间。有机电致发光化合物层包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
有机发光二极管根据通过来自激子的能量发光，该激子通过注入到阳极和阴极中的空穴和电子在EML中复合的过程产生。有机发光二极管显示器通过电控制在有机发光二极管的EML中产生的光量来显示图像，如图1中所示。
使用作为电致发光器件的有机发光二极管特性的有机发光二极管显示器(OLEDD)分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)。
AMOLED通过使用薄膜晶体管(以下称作TFT)控制流过有机发光二极管的电流显示图像。
图2是示出有机发光二极管显示器的一个像素结构的等效电路图，图3是有机发光二极管显示器的一个像素结构的平面图，和图4是示出沿着图3的线I-I’取得的常规有机发光二极管显示器的结构的截面图。
参照图2和图3，AMOLED包括开关TFT(TFT)ST，连接到开关TFTST的驱动TFTDT，以及与驱动TFTDT接触的有机发光二极管LED。
开关TFTST形成在扫描线SL和数据线DL的交叉处，且用于选择像素。开关TFTST包括栅极SG，半导体层SA、源极SS和漏极SD。驱动TFTDT驱动由开关TFTST选择的像素的有机发光二极管OLED。驱动TFTDT包括连接至开关TFTST的漏极SD的栅极DG，半导体层DA、连接到驱动电流线VDD的源极DS和漏极DD。驱动TFTDT的漏极连接到有机发光二极管OLED的阳极ANO。
更具体地，参照图4，开关TFTST和驱动TFTDT的栅极SG和DG形成在AMOLED的基板SUB上。栅极绝缘层GI形成在栅极SG和DG上。半导体层SA和DA形成在与栅极SG和DG对应的栅极绝缘层GI部分上。源极SS和漏极SD形成在半导体层SA上，彼此相对，其间提供预订间隙。源极DS和漏极DD形成在半导体层DA上，彼此相对，其间提供预定间隙。开关TFTST的漏极SD经由形成在栅极绝缘层GI中的接触孔连接至驱动TFTDT的栅极DG。钝化层PAS形成在基板的整个表面上以覆盖具有上述结构的开关TFTST和驱动TFTDT。
当半导体层SA和DA由氧化物半导体材料形成时，由于高迁移率，导致在具有大装载容量(chargingcapacity)的大TFT基板中能实现高分辨率和快速驱动。但是，希望氧化物半导体材料层进一步包括蚀刻停止层SE和DE，用于防止其表面受到蚀刻剂影响，以确保器件稳定性。具体地，形成蚀刻停止层SE和DE，以便防止由于蚀刻剂接触半导体层SA和DA的暴露表面导致半导体层SA和DA被回蚀刻，该暴露表面对应于源极SS和DS与漏极SD与DD之间的间隙。
滤色器CF形成在与稍后形成的阳极ANO对应的区域中。滤色器CF优选被形成为占据尽可能大的区域。例如，滤色器CF被形成为使得滤色器CF被叠加在包括数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL的大区域上。由于其上已经形成有滤色器CF的基板上形成了很多部件，因此该基板具有不平坦表面和很多台阶部分。因此，在基板的整个表面上形成覆盖层OC，以平坦化基板表面。
随后，OLED的阳极ANO形成在覆盖层OC上。此处，阳极ANO经由形成在覆盖层OC和钝化层PAS中的接触孔连接至驱动TFTDT的漏极DD。
在形成于其上形成有阳极ANO的基板上的开关TFTST、驱动TFTDT和互联线DL、SL和VDD上，形成用于定义像素区的堤部图案BN。
经由堤部图案BN暴露的阳极ANO成为发光区。有机发光层OLE和阴极层CAT顺序形成在经由堤部图案BN暴露的阳极ANO上。当有机发光层OLE由发白光的有机材料形成时，有机发光层OLE根据位于有机发光层OLE下方的滤色器CF表现赋予每个像素的颜色。具有如图4中所示结构的有机发光二极管显示器是向下发光的底发射型显示器。
在这种底发射型有机发光二极管显示器中，存储电容器STG是形成在其中阳极ANO叠加在驱动TFTDT的栅极DG上的空间中。有机发光二极管显示器通过驱动有机发光二极管显示图像信息。此处，需要相当大量的能量以驱动有机发光二极管。因此，需要大容量存储电容器以正确显示具有快速变化数据值的图像信息，诸如视频。
为了保证存储电容器具有足够的容量，存储电容器电极需要具有足够大的面积。在底发射型有机发光二极管显示器中，随着存储电容器面积增加，发光区即孔径比降低。在顶发射型有机发光二极管显示器中，可将存储电容器形成在发光区下方且由此即使设计大面积存储电容器，孔径比也不会降低。但是，在底发射型有机发光二极管显示器中，存储电容器的面积直接涉及到孔径比降低。
为了制造这种有机发光二极管显示器，执行多次使用光掩模的光刻工艺。每个掩模工艺都包括清洗、曝光、显影、蚀刻等。当掩模工艺数量增加时，用于制造有机发光二极管显示器的时间和成本以及缺陷产生率增加，降低了产率。因此，必须降低掩模工艺数量以降低制造成本且提高产率和生产效率。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种有机发光二极管显示器以及其制造方法，通过使用透明存储电容器电极在发光区中形成存储电容器，确保了具有足够容量的存储电容器而不降低孔径比。本发明的另一个目的是提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法，通过减少掩模工艺数量简化制造工艺。
在一个方面，有机发光二极管显示器包括：定义出发光区和非发光区的基板；设置在基板上非发光区中的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的钝化层；在发光区中的第一存储电容器电极和叠加于其上的第二存储电容器电极，所述钝化层设置于其间；设置在第二存储电容器电极上的覆盖层；和设置在覆盖层上的阳极，经由穿过覆盖层的覆盖层接触孔与第二存储电容器电极的一侧接触，并经由设置在覆盖层接触孔中且穿过钝化层的钝化层接触孔与部分的薄膜晶体管接触。
在另一方面，一种用于制造有机发光二极管显示器的方法包括：在基板上定义发光区和非发光区；在基板上，在非发光区中形成薄膜晶体管以及在发光区中形成第一存储电容器电极；在形成有薄膜晶体管和第一存储电容器电极的基板的整个表面上形成钝化层；在钝化层上的发光区中形成第二存储电容器电极；在形成有第一存储电容器电极的基板的整个表面上涂覆包括光敏绝缘材料的覆盖层；通过图案化覆盖层和钝化层形成用于暴露出部分的薄膜晶体管的钝化层接触孔，和通过灰化覆盖层形成用于暴露第二存储电容器电极一侧的覆盖层接触孔和钝化层接触孔；以及在覆盖层上形成阳极，所述阳极经由钝化层接触孔与部分的薄膜晶体管接触，且同时经由覆盖层接触孔与第二存储电容器电极的一侧接触。
附图说明
附图提供对本发明的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分。所述附图示出本发明的实施方式，并且与说明书文字一起用于解释本发明的原理。附图中：
图1示出了常规有机发光二极管显示器；
图2是示出常规有机发光二极管显示器的一个像素结构的等效电路图；
图3是示出常规有机发光二极管显示器的一个像素结构的平面图；
图4是示出沿着图3的线I-I’取得的常规有机发光二极管显示器的一个像素结构的截面图；
图5是示出根据本发明第一实施例的有机发光二极管显示器的结构的平面图；
图6是示出沿着图5的线II-II’取得的根据本发明第一实施例的有机发光二极管显示器的结构的截面图；
图7a-7j是示出根据本发明第一实施例用于制造有机发光二极管显示器的方法的截面图；
图8是示出根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器的结构的平面图；
图9是示出沿着图8的线II-II’取得的根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器的结构的截面图；和
图10a-10j是示出根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器的制造方法的截面图。
具体实施方式
现在将具体参照本发明的实施例，其实例于附图中示出。尽可能在整个附图中使用相同附图标记表示相同或相似部分。应注意的是，如果确定公知技术会误导本发明的实施例，则将省略该项技术的具体描述。
<第一实施例>
将参照图5和图6给出根据本发明第一实施例的有机发光二极管显示器的描述。图5是示出根据本发明第一实施例的有机发光二极管显示器的结构的平面图，和图6是示出沿着图5的线II-II’取得的根据本发明第一实施例的有机发光二极管显示器的结构的截面图。
参照图5和图6，根据本发明第一实施例的有机发光二极管显示器包括定义出发光区AA和非发光区NA的基板SUB，开关TFTST，连接至开关TFTST的驱动TFTDT，与驱动TFTDT接触的第二存储电容器电极SG2，由第一存储电容器电极SG1和叠加于其上的第二存储电容器电极SG2形成的存储电容器STG，以及经由第二存储电容器电极SG2连接到驱动TFTDT的有机发光二极管OLED。存储电容器STG和有机发光二极管OLED形成在发光区AA中，TFTST和DT或者互联线SL、DL和VDD形成在非发光区NA中。
扫描线SL和数据线DL以矩阵形式形成在基板SUB上，以便定义像素。开关TFTST形成在扫描线SL和数据线DL的交叉点处且用于选择像素。开关TFTST包括开关栅极SG、沟道层SA、开关源极SS和开关漏极SD。开关栅极SG连接至扫描线SL以及开关源极SS从数据线DL分支。
驱动TFTDT包括驱动栅极DG、沟道层DA、驱动源极DS和驱动漏极DD。驱动栅极DG连接到开关漏极SD以及驱动源极DS从驱动电流线VDD分支。
钝化层IN2被形成为覆盖TFTST和DT的源极SS和DS和漏极SD和DD同时暴露出部分的驱动漏极DD。第二存储电容器电极SG2形成在钝化层IN2上以与部分的驱动漏极DD接触。此处，第二存储电容器电极SG2叠加在第一存储电容器电极SG1上，钝化层IN2插入其间以形成存储电容器STG，该第一存储电容器电极SG1是在形成TFTST和DT的源极SS和DS以及漏极SD和DD时形成的。
由于该存储电容器STG是以由透明导电材料形成的第二存储电容器电极SG2被叠加在由透明导电材料形成的第一存储电容器电极SG1上的方式形成，因此存储电容器STG可具有大面积，而不会降低发光区AA中的孔径比。因此，根据本发明第一实施例的有机发光二极管显示器能确保具有足够容量的存储电容器STG。
发光区AA中，滤色器CF可形成在第二存储电容器电极SG2上使得滤色器CF分别对应于像素区。此处，红色、绿色和蓝色滤色器CF可顺序设置且滤色器CF可进一步包括白色滤色器CF。红色和/或绿色滤色器CF可延伸至且形成在像素区中形成有TFTST和DT的部分上，以覆盖TFTST和DT。
在其上形成有滤色器CF的基板SUB的整个表面上形成暴露出部分的第二存储器电极SG2的覆盖层OC。覆盖层OC涂覆在基板SUB整个表面上以使其上形成有滤色器CF的基板SUB的表面平坦化。
阳极ANO被形成在覆盖层OC上以与第二存储电容器电极SG2接触。阳极ANO经由第二存储电容器电极SG2电连接至驱动TFT的漏极DD。
在阳极ANO上形成暴露出部分的阳极ANO的堤部BN。有机发光层OLE形成在部分的堤部BN以及阳极ANO的暴露部分上，并且阴极CAT形成在有机发光是OLE上以覆盖有机发光层OLE。以这种方式，完成包括阳极ANO、有机发光层OLE和阴极CAT的有机发光二极管OLED。
将参照图7a-7j描述根据本发明第一实施例制造有机发光二极管显示器的工艺。通过制造工艺更具体描述根据本发明第一实施例的有机发光二极管显示器的特性。图7a-7j是根据本发明第一实施例制造有机发光二极管显示器的方法的截面图。
参照图7a，将不透光屏蔽材料涂覆在基板SUB整个表面上且经由第一掩模工艺将其图案化以形成光屏蔽层LS。希望形成光屏蔽层LS使得稍后将形成的半导体层，特别是TFT的沟道区设置在光屏蔽层LS上。光屏蔽层LS用于保护氧化物半导体元件不受外部光的影响。将绝缘材料涂覆在其上形成有光屏蔽层LS的基板SUB的整个表面上，以便形成缓冲层BF。
参照图7b，将半导体材料涂覆在其上形成有缓冲层BF的基板SUB的整个表面上。半导体材料可包括氧化物半导体材料如铟镓锌氧化物(IGZO)。经由第二掩模工艺图案化半导体材料层以形成半导体层SE。
参照图7c，将绝缘材料和金属材料顺序涂覆在其上形成有半导体层SE的基板SUB的整个表面上，并同时经由第三掩模图案化以形成栅极绝缘层GI和叠加于其上的栅极SG和DG。栅极SG和DG优选形成为使得栅极SG和DG被设置在半导体层SE的中心区，同时暴露出半导体层SE的两个侧面。半导体层SE的中心区被分别定义为开关TFT的沟道层SA和驱动TFT的沟道层DA。半导体层SE的暴露部分成为分别与开关TFT和驱动TFT的源极和漏极相接触的源极区SSA和DSA以及漏极区SDA和DDA。当半导体材料是氧化物半导体材料时，经由等离子体处理工艺使源极区SSA和DSA以及漏极区SDA和DDA导电。
参照图7d，将绝缘材料涂覆在其上形成有栅极SG和DG的基板SUB的整个表面上，以便形成层间绝缘层IN1。经由第四掩模工艺图案化层间绝缘层IN1以形成用于暴露出半导体层的源极区SSA和DSA的接触孔SSH和DSH以及用于暴露出半导体层的漏极SDA和DDA的接触孔SDH和DDH。此处，同时形成用于暴露出驱动TFT的部分栅极DG的栅极接触孔GH。
参照图7e，将透明导电材料和金属材料顺序涂覆在其中形成有接触孔的层间绝缘层IN1上。透明导电材料可以是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物等。经由第五掩模工艺图案化透明导电材料层和金属材料层以形成开关TFTST的源极SS和漏极SD和驱动TFTDT的源极DS和漏极DD。在发光区AA中，由透明导电材料形成第一存储电容器电极SG1。此处开关TFT的漏极SD连接至驱动TFT的栅极DG。
使用半色调掩模执行第五掩模工艺。通过使用半色调掩模，开关TFTST的源极SS和漏极SD以及驱动TFTDT的源极DS和漏极DD形成为包括透明导电层ITO和金属材料ME的双层，并且第一存储电容器电极SG1由仅包括透明导电层ITO的单层形成。虽然TFTST和DT的源极SS和DS以及漏极SD和DD可由仅包括透明导电材料ITO的单层形成，但是考虑到透明导电材料ITO具有高的片电阻，希望源极SS和DS以及漏极SD和DD形成为包括叠置的透明导电材料ITO和金属材料ME的双层。
参照图7f，将绝缘材料涂覆在其上形成有TFTST和DT的基板SUB的整个表面上，以便形成钝化层IN2。经由第六掩模工艺图案化钝化层IN2以形成存储电容器接触孔SGH。
参照图7g，将透明导电材料涂覆在其上形成有存储电容器接触孔SGH的基板SUB的整个表面上，并通过第七掩模工艺图案化以形成第二存储电容器电极SG2。希望第二存储电容器电极SG2形成为叠加在第一存储电容器电极SG1上。第二存储电容器电极SG2经由存储电容器接触孔SGH与驱动TFTDT的漏极DD接触。
此处，第二存储电容器电极SG2形成在第一存储电容器电极SG1上，两者在发光区AA中具有夹入其间的钝化层IN2，以便形成存储电容器STG。因此，由于第一存储电容器电极SG1和SG2由透明导电材料形成，因此根据本发明第一实施例，可在整个发光区AA中形成第一和第二存储电容器电极SG1和SG2，而不会降低有机发光二极管显示器的孔径比。因此，由于能形成具有宽广面积的存储电容器，因此根据本发明第一实施例的有机发光二极管显示器能确保具有足够容量的存储电容器STG。
参照图7h，将红色、绿色和蓝色色素涂覆在其上形成有第二存储电容器电极SG2的基板SUB整个表面上，且分别经由第八、第九和第十掩模工艺顺序图案化，以顺序形成红色、绿色和蓝色滤色器CF。为此，绿色和蓝色滤色器CF选择性地形成在表现红色、绿色和蓝色的像素区中。此处，红色和/或蓝色绿色滤色器延伸至且形成为覆盖像素区中的TFTST和DT。
参照图7i，将绝缘材料涂覆在其上形成有滤色器CF的基板SUB的整个表面上，以便形成覆盖层OC。经由第七掩模工艺图案化覆盖层OC以形成像素接触孔PH。
参照图7j，将透明导电材料涂覆在其上形成有像素接触孔PH的基板SUB整个表面上，且经由第十二掩模工艺图案化以形成阳极ANO。阳极ANO经由像素接触孔PH接触第二存储电容器电极SG2。此外，阳极ANO经由第二存储电容器电极SG2电连接至驱动TFT的漏极DD。
由于第一和第二存储电容器电极SG1和SG2可被形成为在发光区AA中具有宽广的面积，而不会降低孔径比，因此根据本发明第一实施例的有机发光二极管显示器能确保具有足够容量的存储电容器STG。因此，当驱动TFTDT处于截止状态时，有机发光二极管显示器能使用存储电容器STG的电荷保持像素数据直到下一周期。
<第二实施例>
将参照图8和9给出根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器的描述，图8是根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器结构的平面图，和图9是示出沿着图8的线III-III’取得的根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器结构的截面图。
参照图8和图9，根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器包括其中定义出发光区AA和非发光区NA的基板SUB，开关TFTST，连接至开关TFTST的驱动TFTDT，连接至开关TFTST的第一存储电容器电极SG1、通过第一存储电容器电极SG1和叠加于其上的第二存储电容器电极SG2形成的存储电容器STG，连接至驱动TFTDT和第二存储电容器电极SG2的阳极ANO，和通过顺序叠层阳极ANO、有机发发光层OLE和阴极CAT形成的有机发光二极管OLED。存储电容器STG和有机发光二极管OLED形成在发光区AA中，而TFTST和DT或者互联线SL、DL和VDD形成在非发光区NA中。
扫描线SL和数据线DL以矩阵形式形成在基板SUB上，以便定义像素。开关TFTST形成在扫描线SL和数据线DL的交叉点处且用于选择像素。开关TFTST包括开关栅极SG、沟道层SA、开关源极SS和开关漏极SD。开关栅极SG从扫描线SL分支并且开关源极SS从数据线DL分支。
驱动TFTDT包括驱动栅极DG、沟道层DA、驱动源极DS和驱动漏极DD。驱动栅极DG连接至开关漏极SD并且驱动源极DS从驱动电流线VDD分支。
钝化层IN2形成为覆盖TFTST和DT的源极SS和DS以及漏极SD和DD。第二存储电容器电极SG2形成在钝化层IN2上。此处，第二存储电容器电极SG2叠加在第一存储器电极SG1上，钝化层IN2插入到它们之间，以便形成存储电容器STG，该第一存储电容器电极SG1是在形成TFTST和DT的源极SS和DS以及漏极SD和DD时形成的。第一存储电容器电极SG1连接至开关TFTST的漏极SD。
由于存储电容器STG是以将由透明导电材料形成的第二存储电容器电极SG2叠加在由透明导电材料形成的第一存储电容器电极SG1上的方式形成的，因此，存储电容器STG可形成为具有大面积，而不会降低发光区AA中的孔径比。因此，根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器能确保具有足够容量的存储电容器STG。
可在发光区AA中将滤色器CF形成在第二存储电容器电极SG2上使得滤色器CF分别对应于像素区。此处，可顺序设置红色、绿色和蓝色滤色器CF并且滤色器CF可进一步包括白色滤色器CF。
在其上形成有滤色器CF的基板SUB的整个表面上形成暴露出驱动TFTDT的部分漏极DD以及第二存储电容器电极SG2的一侧的覆盖层OC。第二存储电容器电极SG2的一侧经由覆盖层接触孔OCH被暴露出来，该覆盖层接触孔OCH穿过覆盖层OC。驱动TFTDT的驱动电极DD经由钝化层接触孔INH被暴露出来，该钝化层接触孔INH穿过覆盖层ON和钝化层IN2。钝化层接触孔INH设置在覆盖层接触孔OCH中。将覆盖层OC涂覆在基板SUB的整个表面上，以使其上形成有滤色器CF的基板SUB的表面平坦化。
在覆盖层OC上形成阳极ANO以与驱动TFTDT的漏极DD以及第二存储电容器电极SG2的一侧接触。因此，驱动TFTDT的漏极DD、阳极和第二存储电容器电极SG2电连接。
在阳极ANO上形成暴露出部分的阳极ANO的堤部BN。有机发光层OLE形成在阳极ANO的暴露部分上，并且阴极CAT形成在有机发光层OLE上以覆盖有机发光层OLE。以这种方式，完成包括阳极ANO、有机发光层OLE和阴极CAT的有机发光二极管OLED。
将参照图10a-10j描述根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器的制造工艺的。通过制造工艺更具体地描述根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器的特性。图10a-10j是示出用于制造根据本发明第二是实力的有机发光二极管显示器的方法的截面图。
参照图10a，将不透光屏蔽材料涂覆在基板SUB整个表面上并经由第一掩模工艺图案化以形成光屏蔽层LS。希望形成光屏蔽层LS使得半导体层、特别是稍后形成的TFT沟道区被设置在光屏蔽层LS上。光屏蔽层LS用于保护氧化物半导体元件不受外部光的影响。将绝缘材料涂覆在其上形成有光屏蔽层LS的基板SUB整个表面上，以便形成缓冲层BF。
参照图10b，将半导体材料涂覆在其上形成有缓冲层BF的基板SUB的整个表面上。半导体材料可包括氧化物半导体材料如铟镓锌氧化物(IGZO)。经由第二掩模工艺图案化半导体材料层以形成半导体层SE。
参照图10c，将绝缘材料和金属材料顺序涂覆在其上形成有半导体层的基板SUB的整个表面上，并同时经由第三掩模工艺将其图案化以形成栅极绝缘层GI和叠加于其上的栅极SG和DG。优选栅极SG和DG形成为使得栅极SG和DG设置在半导体层SE的中心区域同时暴露出半导体层SE的两侧。半导体层SE的中心区域被分别限定为开关TFT的沟道层SA和驱动TFT的沟道层DA。半导体层SE的暴露部分成为源极区SSA和DSA以及分别与开关TFT和驱动TFT的源极和漏极接触的漏极区SDA和DDA。当半导体材料是氧化物半导体材料时，经由等离子体处理工艺使源极区SSA和DSA以及漏极区SDA和DDA导电。
参照图10d，将绝缘材料涂覆在其上形成有栅极SG和DG的基板SUB的整个表面上，以便形成层间绝缘层IN1。经由第四掩模工艺图案化层间绝缘层IN1以形成用于暴露出半导体层的源极区SSA和DSA的接触孔SSH和DSH以及用于暴露出半导体层的漏极SDA和DDA的接触孔SDH和DDH。此处，同时形成用于暴露出驱动TFT的部分栅极DG的栅极接触孔GH。
参照图10e，将透明导电材料和金属材料顺序涂覆在其中形成有接触孔的层间绝缘层IN1上。透明导电材料可以是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物等。经由第五掩模图案化透明导电材料层和金属材料层以形成开关TFTST的源极SS和漏极SD以及驱动TFTDT的源极DS和漏极DD。由透明导电材料在发光区AA中形成第一存储电容器电极SG1。此处，第一存储电容器电极SG1电连接至开关TFT的漏极SD。开关TFT的漏极SD连接至驱动TFT的栅极DG。
使用半色调掩模执行第五掩模工艺。通过使用半色调掩模，由包括透明导电层ITO和金属材料ME的双层形成开关TFTST的源极SS和漏极SD以及驱动TFTDT的源极DS和漏极DD，并且由仅包括透明导电层ITO的单层形成第一存储电容器电极SG1。同时，TFTST和DT的源极SS和DS以及漏极SD和DD由仅包括透明导电材料ITO的单层形成，考虑到透明导电材料ITO具有高的片电阻，希望源极SS和DS以及漏极SD和DD形成为包括叠置的透明导电材料ITO和金属材料ME的双层。
参照图10f，将绝缘材料涂覆在其上形成有TFTST和DT的基板SUB的整个表面上，以便形成钝化层IN2。随后，将透明导电材料涂覆在钝化层IN2上并经由第六掩模工艺将其图案化以形成第二存储电容器电极SG2。希望第二存储电容器电极SG2形成为使得第二存储电容器电极SG2叠加在第一存储电容器电极SG1上。
此处，在发光区AA中，第二存储电容器电极SG2形成在第一存储电容器电极SG1上，在它们之间夹有钝化层IN2，从而形成存储电容器STG。因此，由于第一和第二存储电容器电极SG1和SG2由透明导电材料形成，因此导致第一和第二存储电容器电极SG1和SG2能形成在整个发光区AA中，而不降低根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器的孔径比。因此，由于形成了具有宽广面积的存储电容器STG，根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器能确保具有足够容量的存储电容器STG。
参照图10g，可将红色、绿色和蓝色色素涂覆在其上形成有第二存储电容器电极SG2的基板SUB整个表面上，随后分别通过第七、第八和第九掩模工艺将其图案化，以顺序形成红色、绿色和蓝色滤色器CF。红色、绿色和蓝色滤色器CF选择性地形成在表现出红色、绿色和蓝色的像素区中。
参照图10h和10i，将光敏绝缘材料涂覆在其上形成有滤色器CF的基板SUB的整个表面上，以便形成覆盖层OC。经由第十掩模工艺图案化钝化层IN2和覆盖层OC以形成用于暴露出驱动TFTDT的漏极DD的钝化层接触孔INH，以及用于暴露出第二存储电容器电极SG2的一侧X的覆盖层接触孔OCH。
使用由光敏绝缘材料形成的覆盖层OC以及用于图案化覆盖层OC和钝化层IN2的半色调掩模执行第十掩模工艺。半色调掩模包括用于屏蔽投射至其上的光的全色调区域，用于传输投射至其上的部分光并且屏蔽部分光的半色调区域，以及用于完全透射投射至其上的光的区域。在半色调掩模中，用于完全透射投射至其上的光的区域被设置在形成有钝化层接触孔INH的区域上，并且半色调区域被设置在将暴露出第二存储电容器电极SG2的一侧X的区域上。半色调掩模的全色调区域被设置在剩余区域上。之后，经由所制备的半色调掩模选择性地透射光并执行显影和蚀刻工艺以便形成用于暴露驱动TFTDT的部分漏极DD的钝化层接触孔INH(图10h)。随后，执行灰化以去除预定厚度的覆盖层OC使得仅保留与全色调区域对应的覆盖层OC。因此，形成暴露出第二存储电容器电极SG2的一侧X和钝化层接触孔INH的覆盖层接触孔OCH(图10i)。
由于覆盖层OC含有光敏绝缘材料，因此覆盖层OC能在掩模工艺期间用作光阻。本发明可形成这样的覆盖层OC，其具有暴露第二存储电容器电极SG2的一侧X的覆盖层接触孔OCH，和使用光敏绝缘材料经由单个掩模工艺暴露出驱动TFTDT的漏极DD的钝化层接触孔INH。虽然已经描述了前述光敏绝缘材料是正型光阻的情况，但是本发明不限于此，并且光敏绝缘层可以是负型光阻。
参照图10j，将透明导电材料涂覆在其上形成有钝化层接触孔INH和覆盖层接触孔OCH的基板SUB的整个表面上，并经由第十一掩模工艺将其图案化以形成阳极ANO。阳极ANO经由钝化层接触孔INH与驱动TFTDT的漏极DD接触。此外，阳极ANO与第二存储电容器电极SG2的一侧接触。因此，驱动薄膜晶体管DT的漏极DD、阳极ANO和第二存储电容器电极SG2电连接。
由于在发光区AA中第一和第二存储电容器电极SG1和SG2可形成为具有宽广面积而不会降低孔径比，因此根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器能确保存储电容器STG具有足够的容量。因此，有机发光二极管显示器能在驱动TFTDT处于截止状态时使用足够的存储电容器STG的电荷保持像素数据直到下一周期。
此外，与第一实施例相比，根据本发明第二实施例用于制造有机发光二极管显示器的方法降低了掩模工艺数量。在本发明的第二实施例中，使用单个掩模图案化钝化层IN2和覆盖层OC以形成其中阳极ANO直接接触驱动TFTDT的漏极DD和第二存储电容器SG2的结构。因此，与第一实施例相比，第二实施例简化了制造工艺。
也就是说，根据本发明第二实施例的有机发光二极管显示器具有阳极ANO与驱动TFTDT的漏极DD以及第二存储电容器电极SG2直接接触的结构。为了制造具有这种结构的有机发光二极管显示器，在本发明的第二实施例中经由单个掩模工艺形成用于直接连接阳极ANO和驱动TFTDT的漏极DD的钝化层接触孔INH(图10h)，以及用于直接连接阳极ANO和第二存储电容器电极SG2的覆盖层接触孔OCH(图10i)。
在本发明的第一实施例中，有机发光二极管显示器具有其中驱动TFTDT的漏极DD和第二存储电容器电极SG2直接连接并且阳极ANO直接接触第二存储电容器电极SG2的结构。为了制造具有这种结构的有机发光二极管显示器，必须执行两次掩模工艺，也就是，用于形成使驱动TFTDT的漏极经由它直接接触第二存储电容器电极SG2的存储电容器接触孔SGH(图7e)的工艺，和用于形成使第二存储电容器电极SG2经由它直接接触阳极ANO的像素接触孔PH(图7g)的工艺。
因此，与第一实施例相比，根据本发明第二实施例的用于制造有机发光二极管显示器的方法能降低掩模工艺数目，从而简化制造工艺和减少制造时间以及制造成本。此外，可以降低该制造工艺中的缺陷产生率，提高产量。
尽管已经参照多个示意性实施例描述了各实施例，但是应当理解，本领域技术人员可设计出落入本公开原理范围内的很多其他改进和实施例。更特别地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，在主要组成结构的组成部件和/或结构方面可做出各种变化和修改。在组成部件和/或结构方面的变化和修改之外，替换使用对本领域技术人员也是显而易见的。

Claims (4)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：
定义出发光区和非发光区的基板；
设置在基板上的非发光区中的薄膜晶体管；
设置在薄膜晶体管上的钝化层；
在发光区中的第一存储电容器电极和叠加于其上的第二存储电容器电极，钝化层插入它们之间；
设置在第二存储电容器电极上的覆盖层；和
设置在覆盖层上的阳极，所述阳极经由穿过覆盖层的覆盖层接触孔与第二存储电容器电极的一侧接触，并且经由设置在覆盖层接触孔中且穿过钝化层的钝化层接触孔与部分薄膜晶体管接触。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中第一存储电容器电极和第二存储电容器电极含有透明导电材料。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中覆盖层含有光敏绝缘材料。
4.一种制造有机发光二极管显示器的方法，包括：
在基板上限定发光区和非发光区；
在基板上，在非发光区形成薄膜晶体管并且在发光区形成第一存储电容器电极；
在其上形成有薄膜晶体管和第一存储电容器电极的基板的整个表面上形成钝化层；
在钝化层上，在发光区中形成第二存储电容器电极；
在其上形成有第一存储电容器电极的基板的整个表面上涂覆包括光敏绝缘材料的覆盖层；
通过图案化覆盖层和钝化层形成用于暴露出部分薄膜晶体管的钝化接触孔，以及通过灰化覆盖层形成用于暴露出第二存储电容器电极的一侧和钝化层接触孔的覆盖层接触孔；和
在覆盖层上，形成经由钝化层接触孔与部分薄膜晶体管接触并且同时经由覆盖层接触孔与第二存储电容器电极的一侧接触的阳极。
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