CN111063697A - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 321
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 9
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract description 6
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 5
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007715 excimer laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。一方面，本发明通过在显示区设置有机层。由此可以释放阵列基板在多次弯折时产生的应力。另一方面，本发明在不增加新的掩膜板数量的前提下，通过半色调掩膜工艺对凹槽处的有机材料进行部分去除，对显示区的其他区域进行曝光完全去除，对弯折区的有机光阻层的有机材料进行保留，以致所述有机层远离所述基板的表面与所述层间绝缘层远离所述基板的表面平齐，最终达到上层源漏极层设置时无断差，避免其增加过孔深度，导致走线过孔金属沉积受阻形貌不够完整，使得过孔金属连接易出现断线,导致Panel在信号传输受到影响，画面显示异常。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
有机发光显示装置(英文全称：Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的工作原理是：当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对)，而此激发态在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子复合并将能量传递给发光材料，使其从基态能级跃迁为激发态，激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子，释放出光能，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色，构成基本色彩。
OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一。
由于柔性显示面板在使用过程中需进行多次弯折，弯折过程中由于应力作用容易产生裂纹。同时由于现有的有机膜层对比无机膜层有更好的应力释放的作用，因此通过在走线空白区域进行挖孔，对挖孔部分进行有机膜层填充，以达到应力释放的作用。由于需保留挖孔结构中有机膜层填充，若对其他区域有机膜层进行去除，将导致填充挖孔区域产生较大的断差在后续金属层覆盖中易发生断线，故使得大面积有机膜层保留在叠层结构中。由此会导致在过孔走线连接位置，由于有机膜层极大增加过孔深度，导致走线过孔金属沉积受阻形貌不够完整，使得过孔金属连接易出现断线,导致Panel在信号传输受到影响，画面显示异常。因此，需要寻找一种新型的显示面板以解决上述问题。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其能够解决现有显示面板中存在的有机膜层极大增加过孔深度，导致走线过孔金属沉积受阻形貌不够完整，使得过孔金属连接易出现断线,导致Panel在信号传输受到影响，画面显示异常。
为了解决上述问题，本发明的一个实施方式提供了一种阵列基板，其定义有显示区和弯折区。所述阵列基板包括：基板、阻挡层、绝缘层、导电层以及层间绝缘层。其中所述阻挡层设置于所述基板上；所述绝缘层设置于所述阻挡层上；所述导电层间隔设置于所述绝缘层中；所述层间绝缘层设置于所述导电层上；所述显示区的层间绝缘层远离所述基板的表面向下凹陷直至所述阻挡层形成凹槽，所述凹槽内填充有机材料形成有机层；所述有机层远离所述基板的表面与所述层间绝缘层远离所述基板的表面平齐。
进一步的，其中所述阵列基板还包括：缓冲层、有源层、源漏极层以及平坦层。其中所述缓冲层设置于所述阻挡层与所述绝缘层之间，其中所述有机层贯穿所述缓冲层；所述有源层设置于所述缓冲层与所述绝缘层之间；所述源漏极层设置于所述层间绝缘层上；所述源漏极层通过过孔连接于所述有源层上；所述平坦层设置于所述源漏极层上。
进一步的，其中绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层；所述导电层包括第一栅极层和第二栅极层。其中所述第一栅极绝缘层设置于所述阻挡层上；所述第一栅极层设置于所述第一栅极绝缘层上；所述第二栅极绝缘层设置于所述第一栅极层上；所述第二栅极层设置于所述第二栅极绝缘层上，所述层间绝缘层设置于所述第二栅极层上。
本发明的另一个实施方式还提供了一种制备本发明所涉及的阵列基板的制备方法，其中包括以下步骤：阻挡层制备步骤，将待制备的阵列基板定义出显示区和弯折区，提供一基板，在所述基板上制备阻挡层；绝缘层制备步骤，在所述阻挡层上制备所述绝缘层；导电层制备步骤，在所述绝缘层中间隔设置所述导电层；层间绝缘层制备步骤，在所述导电层上制备所述层间绝缘层；所述显示区的层间绝缘层远离所述基板的表面向下凹陷直至所述阻挡层形成凹槽；有机层制备步骤，在所述凹槽内填充有机材料形成有机层；其中所述有机层远离所述基板的表面与所述层间绝缘层远离所述基板的表面平齐。
进一步的，其中所述阵列基板的制备方法还包括：缓冲层制备步骤，在所述阻挡层与所述绝缘层之间制备缓冲层，所述有机层贯穿所述缓冲层；有源层制备步骤，在所述缓冲层与所述绝缘层之间制备有源层；源漏极层制备步骤，在所述层间绝缘层上制备源漏极层，并且所述源漏极层通过过孔连接于所述有源层上；平坦层制备步骤，在所述源漏极层上制备平坦层。
进一步的，其中所述绝缘层制备步骤包括第一栅极绝缘层制备步骤和第二栅极绝缘层制备步骤；所述导电层制备步骤包括第一栅极层制备步骤和第二栅极层制备步骤。其中第一栅极绝缘层制备步骤，在所述阻挡层上制备第一栅极绝缘层；第一栅极层制备步骤，在所述第一栅极绝缘层上制备第一栅极层；第二栅极绝缘层制备步骤，在所述第一栅极层上制备第二栅极绝缘层；第二栅极层制备步骤，在所述第二栅极绝缘层上制备第二栅极层；其中所述层间绝缘层制备于所述第二栅极层上。
进一步的，其中所述有机层制备步骤包括：在所述层间绝缘层上以及凹槽内涂覆填充有机材料，采用半色调掩膜工艺对凹槽处的有机材料进行部分去除形成有机层。
进一步的，其中所述有机层制备步骤还包括：采用曝光工艺将层间绝缘层上的有机材料进行去除，最终达到所述有机层远离所述基板的表面与所述层间绝缘层远离所述基板的表面平齐。
进一步的，其中所述半色调掩膜工艺的透过率范围为20-45％。
本发明的另一个实施方式还提供了一种显示面板，其包括本发明所涉及的阵列基板。
本发明的优点是：本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。一方面，本发明通过在显示区的层间绝缘层远离所述基板的表面向下凹陷直至所述阻挡层形成凹槽，所述凹槽内填充有机材料形成有机层。由此可以释放阵列基板在多次弯折时产生的应力。另一方面，本发明在不增加新的掩膜板数量的前提下，通过半色调掩膜工艺对凹槽处的有机材料进行部分去除，对显示区的其他区域进行曝光完全去除，对弯折区的有机光阻层的有机材料进行保留，以致所述有机层远离所述基板的表面与所述层间绝缘层远离所述基板的表面平齐，最终达到上层源漏极层设置时无断差，避免其增加过孔深度，导致走线过孔金属沉积受阻形貌不够完整，使得过孔金属连接易出现断线,导致Panel在信号传输受到影响，画面显示异常。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明显示面板的结构示意图。
图2是本发明阵列基板的制备步骤流程图。
图3是本发明阵列基板的制备结构示意图。
图中部件标识如下：
100、显示面板 101、显示区
102、弯折区 1、基板
2、阻挡层 3、缓冲层
4、有源层 5、第一栅极绝缘层
6、第一栅极层 7、第二栅极绝缘层
8、第二栅极层 9、层间绝缘层
10、源漏极层 11、平坦层
12、阳极 13、像素定义层
14、发光层 15、阴极
41、主体部 42、侧部
16、有机层 17、第一区域
18、第二区域 19、第三区域
20、凹槽 21、有机光阻层
具体实施方式
以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。
本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。
在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。
当某些组件，被描述为“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接置于所述另一组件上；也可以存在一中间组件，所述组件置于所述中间组件上，且所述中间组件置于另一组件上。当一个组件被描述为“安装至”或“连接至”另一组件时，二者可以理解为直接“安装”或“连接”，或者一个组件通过一中间组件“安装至”或“连接至”另一个组件。
实施例1
如图1所示，一种显示面板100，其定义有显示区101和弯折区102。所述显示面板100包括阵列基板。其中所述阵列基板包括：基板1、阻挡层2、缓冲层3、有源层4、第一栅极绝缘层5、第一栅极层6、第二栅极绝缘层7、第二栅极层8、层间绝缘层9、源漏极层10以及平坦层11。其中所述显示面板100还包括：阳极12、像素定义层13、发光层14以及阴极15。
其中所述基板1可以包括第一衬底、中间层以及第二衬底。其中所述第一衬底与所述第二衬底的组成材料可以选择聚酰亚胺，由此制成的所述第一衬底与所述第二衬底柔韧性好。其中所述中间层的组成材料可以是SiO2也可以是SiNx，还可以是SiO2与SiNx的叠层结构，由此制备的所述中间层阻水氧性能好，还可以提高第一衬底与第二衬底之间的信耐性。
如图1所示，其中所述阻挡层2设置于所述基板1上，主要是起阻水氧作用。
如图1所示，所述缓冲层3设置于所述阻挡层2上，主要是充当缓冲及保护作用。
如图1所示，其中所述有源层4设置于所述显示区101的缓冲层3上。所述有源层4包括主体部41和两个侧部42。具体的，本实施例中主要是利用准分子激光晶化技术实现有源层4的多晶硅化，然后通过PR光罩对有源层4进行图案化处理，形成主体部41和两个侧部42，最后通过一道PR光罩多有源层4的两个侧部42进行离子掺杂处理形成P型半导体。
如图1所示，所述第一栅极绝缘层5设置于所述有源层4上；所述第一栅极层6设置于所述第一栅极绝缘层5上；所述第二栅极绝缘层7设置于所述第一栅极层6上；所述第二栅极层8设置于所述第二栅极绝缘层7上；其中所述层间绝缘层9设置于所述第二栅极层8上；所述源漏极层10设置于所述层间绝缘层9上；所述源漏极层10通过过孔连接于所述有源层4上，具体的，所述源漏极层10通过过孔连接于所述有源层4的两个侧部42上；所述平坦层11设置于所述源漏极层10上。
如图1所示，其中所述阳极12相互间隔设置于所述平坦层11上；所述像素定义层13设置于相邻所述阳极12之间的所述平坦层11上；所述发光层14设置于所述阳极13上；所述阴极15设置于所述发光层14上。
如图1所示，本实施例的所述显示区101的层间绝缘层9远离所述基板1的表面向下凹陷直至所述阻挡层2形成凹槽20，所述凹槽20内填充有机材料形成有机层16。由此可以通过有机材料组成的有机层释放阵列基板在多次弯折时产生的应力。并且本实施例中所述有机层16只形成于凹槽20处，去除了显示区101的其他区域的有机材料，避免增加源漏极层10走线过孔处深度，导致过孔金属沉积受阻形貌不够完整，使得过孔金属连接易出现断线,导致Panel在信号传输受到影响，画面显示异常等现象。
如图1所示，所述有机层16远离所述基板1的表面与所述层间绝缘层9远离所述基板1的表面平齐。由此可以避免凹槽20处有机层16与层间绝缘层9存在断差，从而避免导致后续走线发生断线，影响画面显示。
实施例2
如图1、图2所示，本实施方式提供了一种制备本发明所涉及的阵列基板的制备方法，其中包括以下步骤：步骤S1，阻挡层2制备步骤，将待制备的阵列基板定义出显示区101和弯折区102，提供一基板1，在所述基板1上制备阻挡层2；步骤S2，缓冲层3制备步骤，在所述阻挡层2上制备缓冲层3；步骤S3，有源层4制备步骤，在所述缓冲层3上制备有源层4；步骤S4，第一栅极绝缘层5制备步骤，在所述有源层4上制备第一栅极绝缘层5；步骤S5，第一栅极层6制备步骤，在所述第一栅极绝缘层5上制备第一栅极层6；步骤S6，第二栅极绝缘层7制备步骤，在所述第一栅极层6上制备第二栅极绝缘层7；步骤S7，第二栅极层8制备步骤，在所述第二栅极绝缘层7上制备第二栅极层8；步骤S8，层间绝缘层9制备步骤，在所述第二栅极层8上制备所述层间绝缘层9；所述显示区101的层间绝缘层9远离所述基板1的表面向下凹陷直至所述阻挡层2形成凹槽20；步骤S9，有机层16制备步骤，在所述凹槽20内填充有机材料形成有机层16；其中所述有机层16远离所述基板1的表面与所述层间绝缘层9远离所述基板1的表面平齐；步骤S10，源漏极层10制备步骤，在所述层间绝缘层9上制备源漏极层10，并且所述源漏极层10通过过孔连接于所述有源层4上；步骤S11，平坦层11制备步骤，在所述源漏极层10上制备平坦层11。
如图3所示，其中所述有机层16制备步骤包括：在所述层间绝缘层9上以及凹槽内涂覆填充有机材料，后采用掩膜板对其进行曝光去除。其中所述掩膜板包括对应于凹槽20处的第一区域17、对应于弯折区102中的有机光阻层21的第二区域18以及第三区域19。其中第一区域17采用半色调掩膜工艺对凹槽20处的有机材料进行部分去除形成有机层16。其中第三区域19采用曝光工艺将层间绝缘层9上的有机材料进行完全去除。以此避免在非凹槽20处的有机材料保留导致走线过孔深度加深，导致走线过孔金属沉积受阻形貌不够完整，使得过孔金属连接易出现断线,导致Panel在信号传输受到影响，画面显示异常。同时保留了凹槽20处的有机材料形成有机层16，可以释放阵列基板多次弯折时产生的压力。其中所述第二区域18采用普通的掩膜工艺，保留此处的有机光阻层21中的有机材料。其中所述凹槽处的半掩膜板工艺与弯折区102中的有机光阻层21制备时采用的掩膜板工艺同时进行，因此在不增加掩膜板数量的情况下实现了弯折区102的有机光阻层21的制备，以及凹槽20处的有机材料的部分去除和非凹槽处的有机材料的完全去除。
其中所述半色调掩膜工艺的透过率范围为20-45％，以此可以最终达到所述有机层16远离所述基板1的表面与所述层间绝缘层9远离所述基板1的表面平齐。以此可以避免凹槽处有机层16与层间绝缘层9存在断差，从而避免导致后续走线发生断线，影响画面显示。
其中所述有机材料可以通过蒸镀或沉积的方式填充于所述凹槽内。
以上对本发明所提供的阵列基板及其制备方法、显示面板进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。在每个示例性实施方式中对特征或方面的描述通常应被视作适用于其他示例性实施例中的类似特征或方面。尽管参考示例性实施例描述了本发明，但可建议所属领域的技术人员进行各种变化和更改。本发明意图涵盖所附权利要求书的范围内的这些变化和更改，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其定义有显示区和弯折区，其特征在于，包括：
基板；
阻挡层，所述阻挡层设置于所述基板上；
绝缘层，所述绝缘层设置于所述阻挡层上；
导电层，所述导电层间隔设置于所述绝缘层中；
层间绝缘层，所述层间绝缘层设置于所述导电层上；
所述显示区的层间绝缘层远离所述基板的表面向下凹陷直至所述阻挡层形成凹槽，所述凹槽内填充有机材料形成有机层；
所述有机层远离所述基板的表面与所述层间绝缘层远离所述基板的表面平齐。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
缓冲层，所述缓冲层设置于所述阻挡层与所述绝缘层之间，其中所述有机层贯穿所述缓冲层；
有源层，所述有源层设置于所述缓冲层与所述绝缘层之间；
源漏极层，所述源漏极层设置于所述层间绝缘层上；所述源漏极层通过过孔连接于所述有源层上；以及
平坦层，所述平坦层设置于所述源漏极层上。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层；所述导电层包括第一栅极层和第二栅极层；
所述第一栅极绝缘层设置于所述阻挡层上；所述第一栅极层设置于所述第一栅极绝缘层上；所述第二栅极绝缘层设置于所述第一栅极层上；所述第二栅极层设置于所述第二栅极绝缘层上，所述层间绝缘层设置于所述第二栅极层上。
4.一种制备权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
阻挡层制备步骤，将待制备的阵列基板定义出显示区和弯折区，提供一基板，在所述基板上制备阻挡层；
绝缘层制备步骤，在所述阻挡层上制备所述绝缘层；
导电层制备步骤，在所述绝缘层中间隔设置所述导电层；
层间绝缘层制备步骤，在所述导电层上制备所述层间绝缘层；所述显示区的层间绝缘层远离所述基板的表面向下凹陷直至所述阻挡层形成凹槽；
有机层制备步骤，在所述凹槽内填充有机材料形成有机层；
其中所述有机层远离所述基板的表面与所述层间绝缘层远离所述基板的表面平齐。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括：
缓冲层制备步骤，在所述阻挡层与所述绝缘层之间制备缓冲层，所述有机层贯穿所述缓冲层；
有源层制备步骤，在所述缓冲层与所述绝缘层之间制备有源层；
源漏极层制备步骤，在所述层间绝缘层上制备源漏极层，并且所述源漏极层通过过孔连接于所述有源层上；
平坦层制备步骤，在所述源漏极层上制备平坦层。
6.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述绝缘层制备步骤包括第一栅极绝缘层制备步骤和第二栅极绝缘层制备步骤；所述导电层制备步骤包括第一栅极层制备步骤和第二栅极层制备步骤；
第一栅极绝缘层制备步骤，在所述阻挡层上制备第一栅极绝缘层；
第一栅极层制备步骤，在所述第一栅极绝缘层上制备第一栅极层；
第二栅极绝缘层制备步骤，在所述第一栅极层上制备第二栅极绝缘层；
第二栅极层制备步骤，在所述第二栅极绝缘层上制备第二栅极层；
其中所述层间绝缘层制备于所述第二栅极层上。
7.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有机层制备步骤包括：在所述层间绝缘层上以及凹槽内涂覆填充有机材料，采用半色调掩膜工艺对凹槽处的有机材料进行部分去除形成有机层。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有机层制备步骤还包括：采用曝光工艺将层间绝缘层上的有机材料进行去除，最终达到所述有机层远离所述基板的表面与所述层间绝缘层远离所述基板的表面平齐。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述半色调掩膜工艺的透过率范围为20-45％。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-3任意一项所述的阵列基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911266283.3A CN111063697A (zh) | 2019-12-11 | 2019-12-11 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| PCT/CN2020/074876 WO2021114471A1 (zh) | 2019-12-11 | 2020-02-12 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911266283.3A CN111063697A (zh) | 2019-12-11 | 2019-12-11 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111063697A true CN111063697A (zh) | 2020-04-24 |
Family
ID=70300614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911266283.3A Pending CN111063697A (zh) | 2019-12-11 | 2019-12-11 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN111063697A (zh) |
| WO (1) | WO2021114471A1 (zh) |
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