JP2008243559A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】陽極2および隔壁11が形成された透光性基板1の表示領域全面に正孔輸送層3を成膜する。画素となる部位P同士を隔絶するサブピクセル間Sに形成された隔壁11上の正孔輸送層3を除去して、正孔輸送層3を形成する一括成型された膜を分割する。次いで、発光体層4および陰極6を画素部位Pの正孔輸送層3上に形成する。このように、正孔輸送層3を表示領域全体に一括形成した後、隔壁11を覆う正孔輸送層3のみを除去することで、画素部位辺縁の印刷抜けおよびリーク電流発生が防止された有機EL素子を形成する。
【選択図】図4
Description
対角1.8インチサイズのガラス基板を透光性基板として用いて、このガラス基板上にスパッタ法を用いてITO(インジウム-錫酸化物)薄膜を形成し、フォトリソグラフィ法により陽極のパターンを描き、酸溶液によるエッチングでITO膜をパターニングして、陽極を形成した。陽極のラインパターンは、線幅136μm、スペース30μmでラインが約32mm角の中に192ライン形成されるパターンとした。
サブピクセル間に成膜された正孔輸送層を除去する方法として、粘着性物質による剥離方法を用いた以外は実施例1と同様に作製した。具体的には、ポリビニルカルバゾールと増粘多糖類の混合物である粘着性物質が塗布されているフィルムをロール状にしてフィルムと正孔輸送層とを接触させることにより、サブピクセル間に成膜された正孔輸送層を剥離させた。この方法を用いて作製した有機EL表示装置を駆動したところクロストークは見られなかった。
サブピクセル間に成膜された正孔輸送層を除去する方法としてレーザーアブレーションを用いた以外は実施例1と同様に作製した。レーザーアブレーションの方法としては、正孔輸送層を成膜した基板をXYステージ付きの台に固定し、KrFの284nmのUVパルスレーザーを100mJ/cm2の出力で3ショット照射し行った。この方法を用いて作製した有機EL表示装置を駆動したところクロストークは見られなかった。
正孔輸送層を形成するインキとしてポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸(以下PEDOT/PSS)の1wt%水分散液を、スピンコート法を用いて表示領域全面に50nm成膜した後、サブピクセル間に成膜された正孔輸送層の除去を一切行わなかった。その他の条件は実施例1と同様である。
2 陽極
3 正孔輸送層
4 発光体層
5 有機発光媒体層
6 陰極
7 陽極取り出し電極
8 陰極取り出し電極
9 封止缶
10 封止樹脂
11 隔壁(隔絶帯)
12 粘着性物質
13 ロール
Claims (7)
- 透光性基板上に、陽極、正孔輸送層と発光体層とを少なくとも含む有機発光媒体層、および陰極が積層された有機エレクトロルミネッセンス素子が形成され、複数の画素が隔絶帯により互いに隔絶されて配置された表示領域を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記透光性基板上に、前記陽極を形成し、
前記陽極が形成された前記透光性基板の少なくとも表示領域全面に前記有機発光媒体層を構成する有機膜を成膜し、
前記有機膜のうち前記隔絶帯を覆う部分を除去することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記有機膜をウエットプロセスで一括成膜した後に、前記有機膜のうち前記隔絶帯を覆う部分を除去することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記有機膜のうち前記隔絶帯を覆う部分を拭き取ることにより除去することを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記有機膜のうち前記隔絶帯を覆う部分を粘着性物質に接触させることにより剥離させ除去することを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記有機膜のうち前記隔絶帯を覆う部分をレーザーアブレーションにより除去することを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記有機膜は、前記正孔輸送層を構成する第1の有機膜および前記発光体層を構成する第2の有機膜を含み、前記第1の有機膜のうち前記隔絶帯を覆う部分を除去することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記第1の有機膜が、水溶液または水分散液によりウエットプロセスで成膜されることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
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