JP5708482B2 - 有機電界発光装置,及び有機電界発光装置の製造方法 - Google Patents
有機電界発光装置,及び有機電界発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5708482B2 JP5708482B2 JP2011505878A JP2011505878A JP5708482B2 JP 5708482 B2 JP5708482 B2 JP 5708482B2 JP 2011505878 A JP2011505878 A JP 2011505878A JP 2011505878 A JP2011505878 A JP 2011505878A JP 5708482 B2 JP5708482 B2 JP 5708482B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- light emitting
- layer
- organic
- organic electroluminescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 246
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 213
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 177
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 144
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 14
- 150000002484 inorganic compounds Chemical group 0.000 claims description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 577
- 239000010408 film Substances 0.000 description 200
- 239000000463 material Substances 0.000 description 156
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 59
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 53
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 43
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 43
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 36
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 32
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 32
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 29
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 29
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 26
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 26
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 23
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 14
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 13
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 7
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007774 anilox coating Methods 0.000 description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 4
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 3
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- QLZJUIZVJLSNDD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylidenebutanoyloxy)ethyl 2-methylidenebutanoate Chemical compound CCC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(=C)CC QLZJUIZVJLSNDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-(4-cyanophenyl)phenolate Chemical compound [Al+3].C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1 ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000000469 dry deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000005042 ethylene-ethyl acrylate Substances 0.000 description 2
- 229920006244 ethylene-ethyl acrylate Polymers 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 2
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 2
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXIYMAYIEOSSJE-UHFFFAOYSA-N 4-methylquinoline-8-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1C(O)=O QXIYMAYIEOSSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical class C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHBWHCNFIIQBPZ-UHFFFAOYSA-K [Al+3].Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O Chemical compound [Al+3].Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O.Cc1ccnc2c(ccc(c12)C(F)(F)F)C([O-])=O XHBWHCNFIIQBPZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTIXKRAVIUCTOC-UHFFFAOYSA-K aluminum;5-cyano-4-methylquinoline-8-carboxylate Chemical compound [Al+3].C1=CC(C#N)=C2C(C)=CC=NC2=C1C([O-])=O.C1=CC(C#N)=C2C(C)=CC=NC2=C1C([O-])=O.C1=CC(C#N)=C2C(C)=CC=NC2=C1C([O-])=O VTIXKRAVIUCTOC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000005010 aminoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPWMFDFZVVRFEG-UHFFFAOYSA-N indium;propan-2-one Chemical compound [In].CC(C)=O YPWMFDFZVVRFEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-M octanoate Chemical compound CCCCCCCC([O-])=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WEHQTWMFKLIGEJ-UHFFFAOYSA-N triphenylen-1-amine Chemical class C1=CC=CC2=C3C(N)=CC=CC3=C(C=CC=C3)C3=C21 WEHQTWMFKLIGEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- IJSCRHIUHQOAFM-UHFFFAOYSA-L zinc;quinoline-8-carboxylate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1 IJSCRHIUHQOAFM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本願は、2009年3月25日に出願された特願2009−073551号,2009年3月25日に出願された特願2009−073567号,及び2009年7月21日に出願された特願2009−169849号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
低分子正孔輸送材料の代表例としては、TPD(トリフェニレンアミン系誘導体:特許文献3を参照)が知られている。高分子正孔輸送材料の代表例としてはPEDOT:PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物:特許文献4を参照)が知られている。成膜法に関しては、有機発光材料と同様に、ドライコーティング法又はウェットコーティング法が用いられる。
本発明の第1態様の有機電界発光装置においては、前記隔壁上に形成された前記発光媒体層は、正孔輸送層であることが好ましい。
本発明の第1態様の有機電界発光装置においては、前記正孔輸送層は、無機化合物であることが好ましい。
本発明の第1態様の有機電界発光装置においては、前記無機化合物は、遷移金属を一種以上含むことが好ましい。
本発明の第1態様の有機電界発光装置においては、前記無機化合物は、酸化物、窒化物、又は硫化物であることが好ましい。
本発明の第1態様の有機電界発光装置においては、前記無機化合物の膜厚は、1nm以上50nm以下であることが好ましい。
本発明の第1態様の有機電界発光装置においては、前記凹凸形状の表面における前記凸部の平均間隔は、1nm以上100nm以下であることが好ましい。
本発明の第1態様の有機電界発光装置においては、前記隔壁上に形成された前記発光媒体層は、前記凹凸形状に応じて形成された凹凸膜であることが好ましい。
本発明の第2態様の有機電界発光装置の製造方法においては、前記隔壁の前記表面にプラズマ処理を施すことにより、前記凹凸形状を形成することが好ましい。
本発明の第2態様の有機電界発光装置の製造方法においては、前記プラズマ処理において用いられるチャンバに供給される導入ガスは、アルゴン、酸素、窒素、ヘリウム、フッ素、水素から選択された一種類のガス又は二種類以上の混合ガスであることが好ましい。
本発明の第2態様の有機電界発光装置の製造方法においては、前記プラズマ処理においては、酸素を含むプラズマが50W以上300W以下の電力で、前記隔壁の前記表面に照射されることが好ましい。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
図1は、本発明の第1実施形態の有機EL表示装置(有機電界発光装置)の構成を示す断面図である。
図1に示す第1実施形態に係る有機EL素子を用いた表示装置50は、基板11,第一電極(陽極,画素電極)12,隔壁23,正孔輸送層14,有機発光層16,第二電極(陰極)17,発光媒体層19(図4A参照),及び封止体28を含む。第一電極12は、基板11に画素毎に設けられている。隔壁23は、第一電極12の画素間を区画する。正孔輸送層14は、第一電極12の上方に形成されている。有機発光層16は、正孔輸送層上に形成されている。第二電極17は、発光層の全面を被覆するように形成されている。発光媒体層19は、第一電極12,隔壁23,正孔輸送層14,有機発光層16を含む。封止体28は、第二電極17を覆うように基板11と接触している。
封止体28としては、図1に示すように有機EL素子を覆う封止キャップ26を用いて、封止キャップ26内に不活性ガスが封入された構造が採用される。
図2に示す第1実施形態に係る有機EL素子を用いた表示装置51は、図1に示す電極,層,及び隔壁を含む。表示装置51においては、第二電極17を覆うように樹脂層21が設けられ、樹脂層21を介して基板11に封止板29が貼り合わされている。このような図2においては、樹脂層21及び封止板29が封止体28を構成する。
図1及び図2においては、各画素を制御するためのスイッチング素子(薄膜トランジスタ)が第一電極に接続されている(不図示)。
本発明の第1実施形態においては、ストライプ状の第一電極12と、ストライプ状の第二電極17とが交差し、第一電極12と第二電極17との間に発光媒体層19が設けられた構成を採用してもよい。即ち、交差部分に位置する画素を点灯させるパッシブマトリクス方式の有機EL表示装置に、本発明の構造を適用してもよい。
図4Aは、ボトムエミッション型の有機電界発光素子を示し、基板11上に第一電極12,発光媒体層19,及び第二電極17aが順に積層された構造を示す。第一電極12,発光媒体層19,及び第二電極17aがこの順番に積層されている発光媒体層19の構造において、正孔輸送層14及び有機発光層16以外にもインターレイヤ15、或いはその他の発光媒体層が各層の間に配置されてもよい。第二電極17aは、光非透過性電極である。第二電極17aの材料として金属等の反射率の高い材料を用いることにより、第二電極17aに向けて発光された光を第二電極17aで反射させて、光透過性電極である第一電極12を通じて、有機EL素子の外部へ発光光を出射することができる。このため、光取り出し効率を向上させることができる。
以下の説明においては、ボトムエミッション型の有機電界発光素子を例として本実施形態を説明するが、第二電極17bの材料として透明導電膜が用いられたトップエミッション型に本実施形態の構造を適用することも可能である。
後述するように、所定の発光媒体層をこの隔壁23上に設けることによって、発光媒体層が凹凸形状に沿って形成され、発光媒体層からなる凹凸膜が形成される。これによって、発光媒体層の膜厚が不均一になる。また、発光媒体層は、凹凸形状に応じて部分的に分断されている。これによって、発光媒体層には、部分的に孔部が形成されている。このため、発光媒体層の膜面方向の比抵抗が増大する。このため、発光媒体層を基板11の全面に形成した場合であっても、隔壁23の表面に形成された発光媒体層を通じて流れるリーク電流を抑制することができる。なお、ここでいう「発光媒体層の膜が不均一である」とは、隔壁23に形成された発光媒体層の一部の膜厚が非常に薄くなっている状態、或いは、図7に示すように隔壁23の断面において、発光媒体層が非連続に分布している状態を含む。また、隔壁23の凹凸形状に沿って形成された発光媒体層は、隔壁23の凹部及び凸部の各々に形成される。このように形成された発光媒体層は、凹凸膜を構成する。このため、「発光媒体層の膜が不均一である」とは、凹部と凸部との間の段差に起因して、発光媒体層は、部分的に絶縁されている状態を含む。また、凹部に形成された発光媒体層と、凸部に形成された発光媒体層とは、微細な段差部を介して接続されている。このように、凹凸形状に沿って形成された発光媒体層の膜厚は、平坦面に沿って形成された発光媒体層の膜厚よりも小さい。従って、凹凸形状に沿って形成された発光媒体層の膜面方向の比抵抗が増大する。
また、後述するように、例えば、蒸着法等の気相成膜法を用いて発光媒体層を隔壁23に成膜する場合、発光媒体層の材料は、蒸着源に対して露出している露出部に成膜され、蒸着源に対して露出されていない部分、例えば、段差部に起因する影部には成膜されない。具体的に、基板11の水平方向に対して斜め方向に傾斜している隔壁23の表面に発光媒体層の材料が成膜されると、段差部に起因する影部には発光媒体層の材料が到達しない。このため、隔壁23に成膜された発光媒体層は、段差部によって部分的に分断される。
なお、隔壁23に成膜された発光媒体層のうち、全ての発光媒体層は段差部によって分断されていない。上記のように、隔壁23に段差部が形成されている場合であっても、凹部に形成された発光媒体層と、凸部に形成された発光媒体層とが部分的に電気的に接続された発光媒体層も隔壁23の表面に形成されている。しかしながら、段差部に形成された発光媒体層の導電性は、他の部位に形成された発光媒体層の導電性よりも低い。結果的に、凹凸形状に沿って形成された発光媒体層の膜面方向の比抵抗が増大する。
ところで、スパッタリング法又は抵抗加熱蒸着法等の物理蒸着法を用いて形成される無機材料は、材料が成膜される表面の状態に依存して成膜される。無機材料の膜厚が1nm以下の超薄膜である場合、平坦な基板であっても島状に無機材料が形成され、無機材料からなる非連続膜が得られる場合がある。
これに対し、本発明においては、隔壁23の表面に凹凸形状を形成することによって、次の効果が得られる。
(1)隔壁23の表面積が大きくなり、隔壁23の表面に形成される発光媒体層の実質的な膜厚を低下させることができる。
(2)隔壁23の凹凸形状に沿って発光媒体層を形成することにより、膜厚が不均一な発光媒体層を隔壁23上に堆積させることができる。これによって、膜の非連続性を維持したまま発光媒体層を成長させることができる。
本実施形態においては、このような効果が得られるので、より大きな膜厚を有し、かつ、電気抵抗が増加された膜を隔壁23の表面に形成することができる。また、図7に示すように、基板11上に垂直方向に均一に膜を堆積させる成膜工程においては、隔壁23の凹凸面(表面)上に発光媒体層9aが不均一に形成され易いので、好適に上記の効果が得られる。
なお、本発明の構成はこれに限られない。発光媒体層19aとして、正孔輸送層以外の層を隔壁23の表面に形成してもよく、発光層を含まない構造を採用してもよく、画素領域毎に材料を配置しない方法を採用してもよい。
以下に、第1実施形態に係る有機EL素子において用いられる具体的な材料及び形成方法について説明する。
隔壁23は、互いに隣接する画素電極12を区切るように画素電極12の間に配置されている。隔壁23の構造としては、多段に構成された構造(多層構造)を採用しても良い。
この場合、少なくとも最上段に位置する隔壁部が凹凸形状を有する必要がある。凹凸形状が設けられていない隔壁部については、後述の第1参考例に記載された構成と同様の材料・作製方法を採用してもよい。
ITOを用いる場合、表面処理前の仕事関数は約4.8eVである。これに対し、後述のように陽極上に発光媒体層として正孔輸送層又は正孔注入層を形成する場合、例えば、酸化モリブデンの仕事関数は約5.8eVである。従って、表面処理前の状態においては、陽極の仕事関数と正孔輸送層の仕事関数との差が大きすぎるため、正孔注入障壁が高くなり、正孔が注入され難い。そこで、表面処理によって陽極の仕事関数を高くし、陽極の仕事関数を正孔輸送層の仕事関数に近づける。
このような電子注入層又は電子輸送層を構成する材料としては、例えば、1,2,4−トリアゾール誘導体(TAZ)等のニトロ置換フルオレン、ジフェニルキソン誘導体等が挙げられる。
トップエミッション構造を有する有機EL表示装置においては、発光媒体層から出射された光は、基板11とは反対側に位置する封止体28を透過し、有機EL表示装置の外部に取り出される。このため、可視光波長領域において高い光透過性が必要である。可視光波長領域において85%以上の平均光透過性が得られていることが好ましい。
一方、樹脂層21の材料として熱硬化型接着樹脂を使用した場合は、加熱されたロールを用いて封止体28を基板11に圧着した後、さらに硬化温度で加熱硬化を行うことが好ましい。
更に、樹脂層21の材料として光硬化性接着樹脂を使用した場合は、ロールを用いて封止体28を基板11に圧着した後、さらに光を光硬化性接着樹脂に照射することによって樹脂を硬化することができる。なお、上記の方法においては、封止板29上に樹脂層21を形成したが、基板11上に樹脂層21を形成し、封止板29と基板11とを貼り合わせることも可能である。
次に、本発明の第1参考例について説明する。
第1参考例においては、上述した第1実施形態と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略または簡略化する。また、第1の実施形態の構成と第1参考例の構成とが矛盾しない限りにおいて、第1の実施形態で説明された形態を第1参考例においても採用することができる。
図8Aに示す第1参考例の有機EL素子100においては、第一電極102と第二電極107との間に発光媒体層109が設けられている。発光媒体層109は、発光層106及び正孔輸送層104を含む。発光媒体層109は、発光層106及び正孔輸送層104以外にも、電荷ブロック層(インターレイヤ105),正孔注入層,電子注入層,電子輸送層等が適宜組み合わされた積層構造を含んでもよい。
第一電極102は、画素毎にパターニングによって複数形成されている。第一電極102の各々に対応するように、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光波長で発光する発光層106、色素変換層、又はカラーフィルタが形成されている。
正孔輸送層は、基板上及び第一電極102上に島状に形成されている。即ち、基板上及び第一電極102上には、正孔輸送層からなる複数の島状部が形成されている。この複数の島状部の位置は、基板上及び第一電極102上において、不連続に分布されている。このような島状部は、第一電極102から第二電極107に向けて突起するように、設けられている。
また、第一電極102の表面においては、島状部が形成されている部位と、島状部が形成されていない部位とが存在する。島状部が形成されていない部位上には、インターレイヤ105が形成されている。
このような図8Aの構成においては、発光媒体層109における上向き矢印で示されているように、陽極(第一電極)102から陰極(第二電極)107に向けて電流が流れ、有機EL素子が発光する。
図9に示す本発明の第1参考例に係る有機EL素子を用いた表示装置200は、基板101,第一電極(陽極,画素電極)102,隔壁203,正孔輸送層104,インターレイヤ105,有機発光層106,発光媒体層109,第二電極(陰極)107,及び封止体208を含む。第一電極102は、基板101上に、画素毎に設けられている。隔壁203は、第一電極102の画素間を区画する。正孔輸送層104は、第一電極102の上方に形成されている。インターレイヤ105は、正孔輸送層104上に形成されている。有機発光層106は、インターレイヤ105上に形成されている。第二電極107は、有機発光層106上の全面を被覆するように形成されている。発光媒体層109は、第一電極102,隔壁203,正孔輸送層104,インターレイヤ105,及び有機発光層106を含む、封止体208は、第二電極107を覆うように基板11と接触している。
図10Aは、ボトムエミッション型の有機電界発光素子を示す。
基板101上に第一電極102,正孔輸送層104,有機発光層106,及び第二電極107aがこの順で積層されている。この順番に複数の層が積層された構造においては、インターレイヤ105又は他の発光媒体層が複数の層の間に配置されてもよい。第二電極107は、光不透過性電極である。第二電極107の材料として、金属等の反射率の高い材料を用いることにより、第二電極107向けて発光された光は、第二電極107で反射される。反射された光は、光透過性電極である第一電極102を透過し、有機EL素子の外部へ出射する。このため、光を取り出す効率が向上する。
以下の説明においては、ボトムエミッション型の有機電界発光素子について説明するが、第二電極107が透明導電膜であるトップエミッション型についても適用される。
第一電極102は、基板101上に成膜され、必要に応じてパターニングによって形成される。第一電極102は、隔壁203によって区画され、各画素(サブピクセル)に対応した画素電極である。
また、第一電極102の構造としては、上述した第1実施形態の第一電極12と同じ構造が採用される。
また、第一電極102の形成方法としては、上述した第1実施形態の第一電極12と同じ形成方法が採用される。
また、第一電極102のパターニング方法としては、上述した第1実施形態の第一電極12と同じパターニング方法が採用される。
反射層301の材料としては、上述した第1実施形態の反射層31と同じ材料が採用される。
反射層301の構造としては、上述した第1実施形態の反射層31と同じ構造が採用される。
反射層301の形成方法としては、上述した第1実施形態の反射層31と同じ形成方法が採用される。
反射層301のパターニング方法としては、上述した第1実施形態の反射層31と同じパターニング方法が採用される。
隔壁203は、第一電極102の端部を覆うように形成されていることが好ましい。一般的に、アクティブマトリクス駆動型有機電界発光表示装置200においては、各画素に第一電極102が形成されており、各画素の面積をできるだけ広くするために、第一電極102の画素領域が露出されている面積を大きくしている。このため、隔壁203は、第一電極102の端部を覆うように形成されている。隔壁203の最も好ましい平面形状は、格子状である。隔壁203は、互いに隣接する画素電極102を区切るように画素電極102の間に配置されている。
この構造において、第一電極(陽極)102から正孔が注入され、正孔輸送層104は、インターレイヤ105に向けて電荷を運ぶ機能を有する。正孔輸送層104に限らず、第一電極(陽極)102に接する層においては、素子構造に起因してリーク電流が生じるという問題がある。
図11Aは、有機EL素子の初期特性を評価するために用いられた有機EL素子の構造を示す断面図である。
この構造においては、第一電極102の表面上に形成された膜を除いて、膜に電流が流れ難い。一方、第一電極102の表面においては、電流が流れ易く、正常な発光が得られやすい。このため、比抵抗の小さい無機材料を用いて発光媒体層109を形成した場合であっても、リーク電流が流れ難い。
隔壁203の端部の表面と第一電極102の表面との角度は、およそ30〜50度である。第一電極102上及び隔壁上に正孔輸送層104,インターレイヤ105,有機発光層106,及び第二電極107を形成すると、第一電極102上に形成された膜の厚さ、隔壁上に形成された膜の厚さは、同程度になる。
この構造においては、正孔輸送層104の材料として比抵抗の小さい無機材料を用いた場合、第一電極102から注入された電荷が隔壁203上の正孔輸送層104に移動し、リーク電流が生じ、正常な発光が得られない。この構造においては、有機EL素子の特性が低下する。このように、特に、互いに隣接する画素間に隔壁203が形成された構造においては、有機EL素子の全面に形成された正孔輸送層104を通じるリーク電流が生じ、このリーク電流は、有機EL素子の特性に大きな影響を与える。
第1参考例の有機EL素子及び有機EL表示装置においては、正孔輸送層104の少なくとも一部において、正孔輸送層を構成する材料が複数の微小な孤立領域(島)に分断されて配置されることで、非連続な領域となっている。換言すると、正孔輸送層104は、島状部が形成されている領域を有する。
図12Aは、第一電極102および隔壁203の全面に、島状構造を有する正孔輸送層104が形成された構造を示す。この構成によれば、正孔輸送層104の膜面方向に移動する電荷の経路が不連続であり、この経路が断絶される。このため、第一電極102以外の領域から第二電極107に向けて流れる電流を顕著に抑制することができる。
膜の表面エネルギーをσfで表し、基板の表面エネルギーをσsで表し、界面エネルギーをσfsで表し、薄膜が基板と接触角θで接していると、以下の式(1)に示すヤングの式が成立する。
σf COSθ + σfs = σs ・・・ (1)
島状構造を有する薄膜を得るためには、基板(或いは隔壁)上において薄膜粒子が自由に動き難い(ぬれ性が低い)状態を示す以下の式(2)が成立すればよい。
σf + σfs = σs ・・・ (2)
この場合、膜の表面エネルギーは、無機材料自体の特性、成膜法の特性に基づいて決定される。例えば、スパッタ法を用いる場合においては、低い成膜速度かつ高圧下で成膜される。これのように形成された薄膜は、基板101上或いは隔壁203上で動き難くなり、島状構造の薄膜を得ることが可能である。また、基板の種類を適切に選定し、基板に対する表面処理(前処理,例えば、プラズマ処理等)の種類を適切に選択し、表面処理の条件を調整することにより、基板101の表面エネルギーを適切に制御することが可能である。
また、ボトムエミッション構造では第一電極102を透過させて発光光が取り出されるため、正孔輸送層104の光透過性が低い場合には取り出し効率が低下する。このため、可視光波長領域において、正孔輸送層104の平均光透過性は、75%以上であることが好ましく、85%以上であればより好ましい。
また、インターレイヤ105の材料としては、上述した第1実施形態のインターレイヤ15と同じ材料が採用される。
また、インターレイヤ105の材料が溶解又は分散される溶媒としては、上述した第1実施形態と同様の溶媒が採用される。
また、インターレイヤ105の構造としては、上述した第1実施形態のインターレイヤ15と同じ構造が採用される。
また、インターレイヤ105の形成方法としては、上述した第1実施形態のインターレイヤ15と同じ形成方法が採用される。
また、インターレイヤ105のパターニング方法としては、上述した第1実施形態のインターレイヤ15と同じパターニング方法が採用される。
図13Aは、湿式成膜法を用いて形成された発光媒体層109’を有する有機EL素子を示す。図13Bは、乾式成膜法を用いて形成された発光媒体層109’を有する有機EL素子を示す。
また、図13A及び図13Bは、図12Aと同様に、第一電極102の表面と隔壁203の表面とに正孔輸送層104の島状部が形成された構造を示す。
上述したように、第1参考例の正孔輸送層104は、島状構造(島状部)を有するため、正孔輸送層104の表面に凹凸部が形成される。図13Bに示すように、例えば、真空蒸着法等を用いて発光媒体層109’を形成した場合、不連続な下地膜(正孔輸送層104,島状部)の凹凸形状に沿って発光媒体層109’が形成される。これによって、発光媒体層109’には、下地膜の凹凸形状に対応する凹凸面が形成される。また、発光媒体層109’の凹凸面上に形成された有機発光層106は、膜厚が大きい部分と、膜厚が小さい部分とを有する。この場合、有機発光層において層厚が小さい部分に、局所的に高電界が印加されるので、この部分に大きな負荷がかかる場合がある。
このような構造においては、有機発光層106に対して局所的に高電界が印加されることが防止され、多大な負荷がかかることを抑制することができる。これによって、有機EL素子の長寿命化を実現できる等の効果が得られる。
特に、湿式成膜法の中でも、凸版印刷法は、版の凸部を用いてインキを押し広げながら、互いに隣接する隔壁203の間の開口部の画素にインキを転写することができ、レベリング性に優れる。
図8A,図8B,及び図9に示す有機EL素子及び有機EL表示装置の構造においては、インターレイヤ105が湿式成膜法を用いて形成されており、インターレイヤ105をバッファ層として機能させることができる。バッファ層は、複数の有機発光媒体層からなる構成されてもよいが、有機EL素子の特性を低下させないために、単層で正孔輸送層104の凹凸形状を覆うことが好ましい。このため、バッファ層の膜厚は、特に、正孔輸送層104の膜厚以上であることが好ましい。
また、有機発光層16の形成方法についても、上述した第1実施形態の有機発光層16と同じ形成方法が採用される。
また、上記成膜法の中でも、特に、印刷法を有機発光層160の形成方法及び有機EL表示装置の製造工程に適用することが好ましい。印刷法によれば、基板上11の全面にインキを塗布する必要がなく、複数の画素の各々の位置にインキを配置することが可能であり、生産性、製造コストにも優れる。
また、第二電極107の材料としては、上述した第1実施形態の第二電極17と同じ材料が採用される。
また、第二電極107の構造としては、上述した第1実施形態の第二電極17と同じ構造が採用される。
また、第二電極107の形成方法としては、上述した第1実施形態の第二電極17と同じ形成方法が採用される。
また、封止板209の材料としては、上述した第1実施形態の封止板29と同じ材料が採用される。
また、樹脂層210の材料としては、上述した第1実施形態の樹脂層21と同じ材料が採用される。
また、樹脂層210の形成方法としては、上述した第1実施形態の樹脂層21と同じ形成方法が採用される。
また、樹脂層210の膜厚としては、上述した第1実施形態の樹脂層21と同じ膜厚が採用される。
また、封止板209及び樹脂層210による封止構造としては、上述した第1実施形態の封止板29及び樹脂層21による同じ封止構造が採用される。
本実施形態においては、有機電界発光装置の一つである有機EL表示装置について説明したが、本発明は表示装置を限定しない。本発明の有機電界発光装置は、照明装置にも適用可能である。
まず、実施例1〜3と比較例1を参照し、第1実施形態の有機EL表示装置の実施例について説明する。
まず、対角が2.2インチサイズのガラス基板(透光性基板)を準備した。このガラス基板上に、スパッタ法を用いてITO(インジウム−錫酸化物)薄膜を形成した。フォトリソグラフィ法と酸溶液によるエッチング法とを用いてITO膜をパターニングした。これによって、複数のラインパターンを有する画素電極を形成した。この複数のラインパターンにおいて、線幅は136μmであり、互いに隣接する線の間隔は30μmである。また、約40mm角であるガラス基板上には、192本のラインが形成されている。
酸化モリブデンは、発光画素部に均一に成膜された。また、隔壁上に形成された酸化モリブデンの膜は、隔壁上に形成された微細な凹凸によって分断された。これによって、隔壁上に、不連続な酸化モリブデンの膜が形成された。
最後に、外部の酸素又は水分から保護するために、上記のように形成された有機EL構成体を、ガラスキャップと接着剤とを用いて密閉封止し、有機EL表示装置を作製した。
まず、実施例1と同様に、ガラス基板を準備し、画素電極を形成し、隔壁を形成し、ITOの表面処理を行った。
次に、実施例2においては、隔壁の表面処理として、プラズマ装置(ヤマト科学社製)を用いて、酸素ガス圧力0.003torr,投入電力150Wで、隔壁が形成されたガラス基板に酸素プラズマ照射を8分間行った。隔壁の表面における算術平均粗さRaは、0.5nmから15nmに変化した。また、SEMを用いて隔壁の表面を観察すると、表面にナノオーダーの微細な凹凸が多数形成されていた。
酸化モリブデンは発光画素部に均一に成膜された。また、隔壁上に形成された酸化モリブデンの膜の比抵抗は、隔壁上に形成された微細な凹凸形状に起因して、増大した。
次に、実施例1と同様に、発光層と陰極層とを形成した。
このように得られた有機EL表示装置を駆動したところ、7Vの駆動電圧で2400cd/cm2の輝度が得られ、リーク電流によるクロストークは見られなかった。
まず、実施例1と同様に、ガラス基板を準備し、画素電極を形成し、隔壁を形成し、ITOの表面処理を行った。
次に、実施例3においては、隔壁の表面処理として、プラズマ装置(ヤマト科学社製)を用いて、アルゴンガス圧力0.003torr,投入電力150Wで、隔壁が形成されたガラス基板にアルゴンプラズマ照射を10分間行った。隔壁の表面における算術平均粗さRaは、0.5nmから8nmに変化した。また、SEMを用いて隔壁の表面を観察すると、表面にナノオーダーの微細な凹凸が多数形成されていた。
次に、実施例1と同様に、正孔輸送層14,発光層,及び陰極層を形成した。
このように得られた有機ELディスプレイパネルを駆動したところ、7Vの駆動電圧で2800cd/cm2の輝度が得られ、リーク電流によるクロストークは見られなかった。
まず、実施例1と同様に、ガラス基板を準備し、画素電極を形成し、隔壁を形成し、ITOの表面処理を行った。
次に、比較例1においては、隔壁に対する表面処理としてプラズマ照射を行わなかった。
次に、正孔輸送層を形成した。正孔輸送層を構成する無機材料として酸化モリブデンを用いた。表示領域の全面が成膜されるように、スパッタリング法を用いて酸化モリブデンを30nm成膜した。パターニング工程においては、120mm×300mmの開口を有するメタルマスクを用いた。
酸化モリブデンは、発光画素部に均一に成膜された。また、発光画素部に形成された酸化モリブデンの比抵抗と、隔壁上に形成された酸化モリブデンの比抵抗とは変化していなかった。
次に、実施例1と同様に、正孔輸送層,発光層,及び陰極層を形成した。
このように得られた有機ELディスプレイパネルを駆動したところ、7Vの駆動電圧で300cd/cm2の輝度が得られ、リーク電流によるクロストークが発生していた。
なお、実施例及び比較例におけるクロストークの評価方法として、発光画素部以外の領域が発光されているか否かを判定した。また、実施例及び比較例における輝度の測定方法として、画素部のみから発光されている光を集光し、この集光された光の輝度を測定した。
比較例1の評価結果から明らかなように、隔壁の表面処理を行わない場合、隔壁上に成膜される正孔輸送層は分断されないため、又は発光画素部に形成された酸化モリブデンの比抵抗と隔壁上に形成された酸化モリブデンの比抵抗とは変化していないため、リーク電流が発生し、クロストーク又は発光輝度の低下が生じた。
一方、本発明の実施例1,2,及び3においては、隔壁に表面処理を施すことによって、隔壁上に微細な凹凸形状を多数形成している。次に、隔壁上に正孔輸送層を成膜している。ここで、隔壁上に形成された凹凸形状によって正孔輸送層が分断される。或いは、隔壁上に形成された正孔輸送層の比抵抗が発光画素部に形成された正孔輸送層の比抵抗よりも増大する。このため、リーク電流が低減又は抑制され、クロストークを生じることがなく、発光輝度の高い有機ELディスプレイパネルが得られた。
まず、アクティブマトリクス基板101を準備した。このアクティブマトリクス基板101においては、第一電極(画素電極)102としてITO薄膜が形成されており、基板のサイズは対角6インチであり、画素数は320×240である。
アクティブマトリックス基板上に酸化モリブデンを成膜する方法としては、スパッタリング法を用い、表示領域の全面が成膜されるように116mm×87mmの開口を有するメタルマスクを用いてパターニングを行った。
次に、画素電極102,隔壁203,及び正孔輸送層104が形成された基板101を被印刷基板602として、図16に示す凸版印刷装置600にセッティングした。
凸版印刷装置600は、アニロックスロール605と、ドクタ606と、感光性樹脂で形成された凸版607と、版胴608とを含む。アニロックスロール605の表面には、インキ層609が塗布される。
被印刷基板602上には、隔壁203で囲まれた画素電極102が形成され、画素電極102上には、正孔輸送層204が形成されている。
上記インキを用いて、画素電極のラインパターンに一致するように、インターレイヤ105を正孔輸送層204上に凸版印刷法を用いて印刷した。このような凸版印刷法においては、300線/インチのアニロックスロール605及び凸版607を使用した。インキが印刷され、かつ、インキが乾燥された後のインターレイヤ105の膜厚は、20nmであった。
次に、画素電極102,隔壁203,正孔輸送層104,及びインターレイヤ105が形成された基板101を被印刷基板602として、図16に示す凸版印刷装置600にセッティングした。
被印刷基板602上には、隔壁203で囲まれたインターレイヤ205が形成されている。
上記有機発光インキを用いて、インターレイヤ205のラインパターンに一致するように、有機発光層106をインターレイヤ205上に凸版印刷法を用いて印刷した。このような凸版印刷法においては、150線/インチのアニロックスロール605及び感光性樹脂で形成された凸版607を使用した。インキが印刷され、かつ、インキが乾燥された後の有機発光層106の膜厚は80nmであった。
また、図18は、0.5V〜13Vまで電圧を印加した場合の電圧−電流効率特性を示している。図18に示すように、電圧が7Vである場合、酸化モリブデンの膜厚が30nmであるアクティブマトリックス基板(試料2)の効率は1cd/Aであり、酸化モリブデンの膜厚が8nmであるアクティブマトリックス基板(試料1)の効率は5cd/Aの効率であった。従って、試料2の効率よりも試料1の効率が高いことが分かった。
次に、第2参考例の有機発光媒体層の成膜方法として、乾式成膜法を用いた比較例について説明する。第2参考例においては、第1参考例と同様に有機発光媒体層を作成しているが、有機発光媒体層の成膜法として、真空蒸着法を用いた乾式成膜法を採用した。
また、参考実施例4においては、インターレイヤ層としてポリビニルカルバゾール誘導体を採用したが、第2参考例においては、この材料に代えてCuPc(銅フタロシアニン)を選択した。CuPcの成膜法としては、抵抗加熱蒸着法を採用した。蒸着時の真空度は3.0〜5.0×10−4である。蒸着室内に配置された水晶振動子を用いた測定器をモニタリングすることによって、膜の厚さを制御し、1.5〜2.0Å/secの蒸着速度で20nmの膜厚を有するCuPc膜を成膜した。
また、参考実施例4においては、有機発光層としてポリフェニレンビニレン誘導体を採用したが、第2参考例においては、この材料に代えて、低分子材料として一般的に知られている発光材料であるAlq3(アルミニウムキノリノール錯体)を選択した。この低分子材料の成膜方法としては、抵抗加熱蒸着法を採用した。蒸着時の真空度は2.0〜4.0×10−4である。3.0〜4.0Å/secの蒸着速度で、60nmの膜厚を有する有機発光層を成膜した。
次に、低分子材料からなる有機発光層上に、陰極として、2nmの膜厚を有するLiF(フッ化リチウム)を成膜した。更に、保護膜として、150nmの膜厚を有するAlを成膜した。封止工程は、参考実施例4と同様に行われた。
11,101・・・基板
12,102・・・第一電極(画素電極)
14,104・・・正孔輸送層/正孔注入層
15,105・・・インターレイヤ
16,106・・・有機発光層
17,107・・・第二電極(陰極)
17a,107a・・・光非透過性第二電極
17b,107b・・・光透過性第二電極
19,109・・・発光媒体層
19a・・・隔壁上に形成された発光媒体層
19b・・・パターニングされた発光媒体層
21,210・・・樹脂層
50,200・・・有機電界発光表示装置(有機電界発光装置)
23,203・・・隔壁
23a・・・微細な凹凸が形成された隔壁
26・・・封止キャップ
28,208・・・封止体
29,209・・・封止板
31,301・・・反射層
100・・・有機電界発光素子
600・・・凸版印刷装置
601・・・ステージ
602・・・被印刷基板
603・・・インキタンク
604・・・インキチャンバ
605・・・アニロックスロール
606・・・ドクタ
607・・・凸版
608・・・版胴
609・・・インキ層
Claims (12)
- 有機電界発光装置であって、
基板と、
前記基板上に形成され、画素領域を有する第一電極と、
前記基板上に前記第一電極よりも突出して前記第一電極を区画するように形成されるとともに、突出方向に対する側方の表面を含む表面領域に、前記第一電極からの突出寸法よりも小さい高低差を有する複数の凸部および凹部からなる凹凸形状を有する隔壁と、
前記画素領域上及び前記隔壁上に形成され、前記隔壁上では、少なくとも前記側方の表面における前記凸部または前記凹部によって部分的に分断されている発光媒体層と、
前記発光媒体層上に形成された第二電極と、
を含むことを特徴とする有機電界発光装置。 - 請求項1に記載の有機電界発光装置であって、
前記隔壁上に形成された前記発光媒体層は、正孔輸送層であることを特徴とする有機電界発光装置。 - 請求項2に記載の有機電界発光装置であって、
前記正孔輸送層は、無機化合物であることを特徴とする有機電界発光装置。 - 請求項3に記載の有機電界発光装置であって、
前記無機化合物は、遷移金属を一種以上含むことを特徴とする有機電界発光装置。 - 請求項4に記載の有機電界発光装置であって、
前記無機化合物は、酸化物、窒化物、又は硫化物であることを特徴とする有機電界発光装置。 - 請求項3から請求項5のいずれか一項に記載の有機電界発光装置であって、
前記無機化合物の膜厚は、1nm以上50nm以下であることを特徴とする有機電界発光装置。 - 請求項1に記載の有機電界発光装置であって、
前記凹凸形状の前記凸部の平均間隔は、1nm以上100nm以下であることを特徴 とする有機電界発光装置。 - 請求項1に記載の有機電界発光装置であって、
前記隔壁上に形成された前記発光媒体層は、前記凹凸形状に応じて形成された凹凸膜であることを特徴とする有機電界発光装置。 - 有機電界発光装置の製造方法であって、
基板を準備し、
前記基板上に、画素領域を有する第一電極を形成し、
前記基板上に前記第一電極よりも突出して前記第一電極を区画するように形成するとともに、突出方向に対する側方の表面を含む表面領域に、前記第一電極からの突出寸法よりも小さい高低差を有する複数の凸部および凹部からなる凹凸形状を有する隔壁を形成し、
ドライ成膜法を用いて、発光媒体層を前記画素領域上及び前記隔壁上に形成することにより、前記隔壁上では、少なくとも前記側方の表面における前記凸部または前記凹部によって部分的に分断された状態の前記発光媒体層を形成し、
前記発光媒体層上に第二電極を形成する
ことを特徴とする有機電界発光装置の製造方法。 - 請求項9に記載の有機電界発光装置の製造方法であって、
前記隔壁の前記表面にプラズマ処理を施すことにより、前記凹凸形状を形成することを特徴とする有機電界発光装置の製造方法。 - 請求項10に記載の有機電界発光装置の製造方法であって、
前記プラズマ処理において用いられるチャンバに供給される導入ガスは、アルゴン、酸素、窒素、ヘリウム、フッ素、水素から選択された一種類のガス又は二種類以上の混合ガスであることを特徴とする有機電界発光装置の製造方法。 - 請求項11に記載の有機電界発光装置の製造方法であって、
前記プラズマ処理においては、酸素を含むプラズマが50W以上300W以下の電力で、前記隔壁の前記表面に照射されることを特徴とする有機電界発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011505878A JP5708482B2 (ja) | 2009-03-25 | 2010-03-25 | 有機電界発光装置,及び有機電界発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009073551 | 2009-03-25 | ||
JP2009073567 | 2009-03-25 | ||
JP2009073551 | 2009-03-25 | ||
JP2009073567 | 2009-03-25 | ||
JP2009169849 | 2009-07-21 | ||
JP2009169849 | 2009-07-21 | ||
JP2011505878A JP5708482B2 (ja) | 2009-03-25 | 2010-03-25 | 有機電界発光装置,及び有機電界発光装置の製造方法 |
PCT/JP2010/002127 WO2010109877A1 (ja) | 2009-03-25 | 2010-03-25 | 有機電界発光装置,有機電界発光装置の製造方法,画像表示装置,及び画像表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010109877A1 JPWO2010109877A1 (ja) | 2012-09-27 |
JP5708482B2 true JP5708482B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=42780573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011505878A Expired - Fee Related JP5708482B2 (ja) | 2009-03-25 | 2010-03-25 | 有機電界発光装置,及び有機電界発光装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8772762B2 (ja) |
JP (1) | JP5708482B2 (ja) |
TW (1) | TW201101478A (ja) |
WO (1) | WO2010109877A1 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101252026B1 (ko) | 2004-05-20 | 2013-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자 및 표시장치 |
KR101663840B1 (ko) * | 2010-03-01 | 2016-10-07 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 유기 el 장치 및 그 제조 방법 |
JP5552887B2 (ja) * | 2010-04-30 | 2014-07-16 | ソニー株式会社 | 配線構造体、およびその製造方法 |
JP5659677B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2015-01-28 | 大日本印刷株式会社 | 有機el素子および有機el照明装置 |
JP2012204202A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法 |
KR101995700B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2019-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 패널, 발광 패널을 사용한 발광 장치 및 발광 패널의 제작 방법 |
EP2736089B1 (en) * | 2011-07-19 | 2018-09-12 | Hitachi, Ltd. | Organic light-emitting element, light source device and organic light-emitting element manufacturing method |
JP5988624B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2016-09-07 | キヤノン株式会社 | 発光装置及びこれを用いた撮像装置、画像形成装置 |
KR20130108027A (ko) | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판의 제조방법 |
KR101955621B1 (ko) | 2012-09-21 | 2019-05-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시패널 및 그 제조방법 |
KR102048952B1 (ko) * | 2013-02-06 | 2019-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102024098B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2019-09-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
JP6592877B2 (ja) | 2013-07-31 | 2019-10-23 | 株式会社リコー | 印刷装置、印刷システムおよび印刷物の製造方法 |
JP6242121B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-12-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 発光素子表示装置及び発光素子表示装置の製造方法 |
JP2015053215A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
TWI545735B (zh) | 2013-09-09 | 2016-08-11 | Japan Display Inc | Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof |
KR102139577B1 (ko) | 2013-10-24 | 2020-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JPWO2015072063A1 (ja) * | 2013-11-12 | 2017-03-16 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルとその製造方法及び有機el表示装置 |
KR102304198B1 (ko) * | 2014-08-22 | 2021-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
KR102181978B1 (ko) * | 2014-08-22 | 2020-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20160066650A (ko) * | 2014-12-02 | 2016-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
KR102413120B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법 |
KR102579326B1 (ko) * | 2015-12-23 | 2023-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2018006067A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
KR101681454B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2016-11-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR102603867B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2023-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102692252B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-08-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN106707500B (zh) * | 2017-02-16 | 2019-05-31 | 华南师范大学 | 一种制备电润湿显示支撑板的方法 |
KR102314655B1 (ko) * | 2017-05-17 | 2021-10-20 | 애플 인크. | 측방향 누설이 감소된 유기 발광 다이오드 디스플레이 |
US11145700B2 (en) | 2019-03-28 | 2021-10-12 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with pixel definition layers |
KR20200124372A (ko) * | 2019-04-23 | 2020-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 컬러제어부재 및 이를 적용한 표시장치 |
US20230172033A1 (en) * | 2020-02-28 | 2023-06-01 | Applied Materials, Inc. | Processes for improving thin-film encapsulation |
US11626568B1 (en) | 2020-03-24 | 2023-04-11 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with a conductive layer having an additive |
CN111710706B (zh) * | 2020-06-30 | 2022-11-29 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 |
CN111785685B (zh) * | 2020-07-16 | 2022-05-17 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板的制造方法、显示面板及显示装置 |
US11910654B1 (en) | 2020-08-18 | 2024-02-20 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with active leakage-reducing structures |
KR20220034948A (ko) * | 2020-09-11 | 2022-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006302723A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2008171644A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 |
JP2009009708A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Canon Inc | 有機elアレイ |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5061569A (en) | 1990-07-26 | 1991-10-29 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with organic electroluminescent medium |
ATE287929T1 (de) | 1994-05-06 | 2005-02-15 | Bayer Ag | Leitfähige beschichtungen hergestellt aus mischungen enthaltend polythiophen und lösemittel |
JP2824411B2 (ja) | 1995-08-25 | 1998-11-11 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機薄膜発光素子 |
JP2001093668A (ja) | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Canon Inc | 有機発光材料、それを用いた表示体及びその製造方法 |
JP2001155858A (ja) | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Sharp Corp | 有機el素子の製造方法 |
JP2007012504A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法及び有機el素子 |
US20070241665A1 (en) * | 2006-04-12 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent element, and manufacturing method thereof, as well as display device and exposure apparatus using the same |
US7977866B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-07-12 | Toppan Printing Co., Ltd | Organic electroluminescence element having partition wall covered by insulating layer |
-
2010
- 2010-03-24 TW TW099108839A patent/TW201101478A/zh unknown
- 2010-03-25 WO PCT/JP2010/002127 patent/WO2010109877A1/ja active Application Filing
- 2010-03-25 JP JP2011505878A patent/JP5708482B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-22 US US13/240,835 patent/US8772762B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006302723A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2008171644A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | 有機el表示装置および有機el表示装置の製造方法 |
JP2009009708A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Canon Inc | 有機elアレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2010109877A1 (ja) | 2012-09-27 |
TW201101478A (en) | 2011-01-01 |
US8772762B2 (en) | 2014-07-08 |
WO2010109877A1 (ja) | 2010-09-30 |
US20120007067A1 (en) | 2012-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5708482B2 (ja) | 有機電界発光装置,及び有機電界発光装置の製造方法 | |
JP5625448B2 (ja) | 有機el素子,有機el画像表示装置の製造方法 | |
JP4975064B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5633516B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子、有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよび有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル製造方法 | |
JP5526610B2 (ja) | 有機elディスプレイの構造とその製造方法 | |
JP5910496B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2010103500A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法、画像表示装置、照明装置 | |
WO2012133206A1 (ja) | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル及びその製造方法 | |
TW201332179A (zh) | 有機電激發光顯示面板及其製造方法 | |
JP5569023B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
US20090146553A1 (en) | Organic Electroluminescence Element, Method for Manufacturing Same, and Display Device | |
JP5278686B2 (ja) | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP2012209138A (ja) | 有機el素子及びその製造方法、画像表示装置及びその製造方法 | |
JP6083122B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP5359731B2 (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP5732977B2 (ja) | 有機el素子及びその製造方法 | |
JP2012216810A (ja) | 有機el素子及びその製造方法 | |
JP2011210614A (ja) | 有機el素子及びその製造方法 | |
JP2009070859A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 | |
JP2014072013A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2012069876A (ja) | 有機el素子及びその製造方法 | |
JP5817393B2 (ja) | 有機el素子及びその製造方法 | |
JP2012209464A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP2012079484A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
WO2012132292A1 (ja) | 有機el表示素子、有機el表示装置、及びこれらの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20141027 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5708482 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |