KR101663840B1 - 유기 el 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
유기 el 장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101663840B1 KR101663840B1 KR1020107024417A KR20107024417A KR101663840B1 KR 101663840 B1 KR101663840 B1 KR 101663840B1 KR 1020107024417 A KR1020107024417 A KR 1020107024417A KR 20107024417 A KR20107024417 A KR 20107024417A KR 101663840 B1 KR101663840 B1 KR 101663840B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- organic
- active layer
- elements
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 202
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 101
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 403
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 38
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 5
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 150000002016 disaccharides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 39
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 26
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 18
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 2
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000544 Rb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000001882 coronenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AWOORJZBKBDNCP-UHFFFAOYSA-N molybdenum;oxotungsten Chemical compound [Mo].[W]=O AWOORJZBKBDNCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000007660 quinolones Chemical class 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
유기 EL소자를 이용한 유기 EL장치에 있어서, 유기 EL장치의 박형화를 도모하는 것과 함께, 장기간에 걸쳐서 유기 EL소자의 구성 요소의 변질을 방지한다.
제1 기판과, 제1 기판 상에 설치된 복수의 유기 EL소자와, 복수의 유기 EL소자를 피복하는 제1 무기물층(109)과, 제1 기판 상에 있어서의 복수의 유기 EL소자가 설치되어 있지 않은 영역에 설치되어, 적어도 흡습성 및 이산화성의 한쪽을 갖는 재료로 이루어지는 활성층(114)과, 활성층(114)을 피복하는 제2 무기물층(116)과, 제1 기판과 복수의 유기 EL소자를 통하여 대향 배치된 제2 기판과, 제1 기판과 제2 기판의 간극에 설치되어, 복수의 유기 EL소자 및 활성층(114)을 둘러싸는 시일재(113)를 구비하고, 제2 무기물층(116)에 설치된 관통 구멍(115)을 통하여 활성층(114)이 제1 기판, 제2 기판 및 시일재(113)에 의해 형성되는 시일링 공간(110)에 노출되어 있다.
제1 기판과, 제1 기판 상에 설치된 복수의 유기 EL소자와, 복수의 유기 EL소자를 피복하는 제1 무기물층(109)과, 제1 기판 상에 있어서의 복수의 유기 EL소자가 설치되어 있지 않은 영역에 설치되어, 적어도 흡습성 및 이산화성의 한쪽을 갖는 재료로 이루어지는 활성층(114)과, 활성층(114)을 피복하는 제2 무기물층(116)과, 제1 기판과 복수의 유기 EL소자를 통하여 대향 배치된 제2 기판과, 제1 기판과 제2 기판의 간극에 설치되어, 복수의 유기 EL소자 및 활성층(114)을 둘러싸는 시일재(113)를 구비하고, 제2 무기물층(116)에 설치된 관통 구멍(115)을 통하여 활성층(114)이 제1 기판, 제2 기판 및 시일재(113)에 의해 형성되는 시일링 공간(110)에 노출되어 있다.
Description
본 발명은 복수의 유기 EL소자를 구비하는 유기 EL장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 유기 EL소자의 경시적(經時的) 열화를 억제하는 기술에 관한 것이다.
근래, 표시 장치로서 기판 상에 유기 EL소자를 설치한 유기 EL장치가 연구 개발되고 있다. 유기 EL장치는 자기 발광을 실시하는 유기 EL소자를 이용하기 때문에 시인성(視認性)이 높고, 또한, 완전 고체 소자이기 때문에 내충격성이 우수한 등의 특징을 갖는다. 이들의 특징에 의해 최근에는 휴대 전화 등의 소형 전자 기기나 TV의 디스플레이로서 유기 EL장치가 보급되고 있다.
유기 EL소자는 전류 구동형의 발광 소자이며, 양극 및 음극의 전극쌍의 사이에 발광층을 설치한 구성을 갖는다. 발광층은 통상 캐리어의 재결합에 의한 전계 발광 현상을 실시하는 유기 발광층 외에, 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 적층하여 구성된다.
유기 EL장치가 사용 상태에 놓이면, 장치의 외부 환경에 포함되는 수분이나 산소가 장치 내로 침입하는 일이 있다. 그러나 발광층을 구성하는 각 층은 수분이나 산소에 약한 재료로 형성되어 있는 일이 많아서, 이들 층이 장치 내로 침입해 온 수분이나 산소에 닿음으로써 변질될 염려가 있으며, 이것이 원인으로 되어 표시 영역에 있어서의 비발광부(다크 스폿)의 발생이나 휘도 저하를 초래하는 일이 있다. 이 문제에 대처하기 위해, 장치의 외부 환경에 존재하는 수분이나 산소로부터 발광층을 보호하는 기술이 고안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1, 2).
도 8은 특허 문헌 2에 관련되는 유기 EL장치의 주요부 단면도이다. 지지 기판(32) 상에 복수의 유기 EL소자가 행렬상(行列狀)으로 배열되어 이루어지는 표시부(31)가 설치되어 있다(이하, 표시부(31) 및 지지 기판(32)을 합쳐서 어레이 기판(33)으로 기재). 어레이 기판(33)에 대하여 시일링 부재(34)가 대향 배치되어 있으며, 어레이 기판(33)과 시일링 부재(34)의 간극을 시일(seal)재(35)에 의해 시일링함으로써 표시부(31)를 장치의 외부 환경으로부터 차단하고 있다. 그러나 이 시일재(35)에 의한 시일링을 실시해도, 경시적으로 시일재(35)가 열화되는 등의 이유에 의해 장치의 외부 환경으로부터 수분이나 산소가 침입하는 일이 있어서, 발광층의 열화를 초래할 염려가 있다. 이 때문에, 또다른 대책으로서, 장치의 외부 환경으로부터 침입한 수분이나 산소를 흡착하기 위한 건조제(36)를 시일링 부재의 내면측의 오목부(37)에 설치하는 구성이 채택되고 있다.
특허 문헌 2에 나타낸 바와 같은 중공 시일링 구조에서는 장치 내부로의 수분이나 산소의 침입을 억제하기 위해, 2장의 기판과 시일재로 형성되는 시일링 공간에 건조시킨 불활성 가스를 충전하는 방법이 취해진다. 이 때문에, 기판끼리를 시일재에 의해 접합하는 공정은 건조시킨 불활성 가스 분위기 하에서 실시된다. 이 때, 상측의 기판(특허 문헌 2에서는 시일링 부재)에 설치하는 건조제로서, 흡습성 또는 이산화성(易酸化性: 산화되기 쉬운 성질을 가리킨다. 이하 명세서에서 같은 의미로 쓰인다.)이 높은 강력한 건조제, 즉, 반응성이 높은 건조제를 이용하면 건조시킨 불활성 가스에 포함되는 미량의 수분 및 산소와 건조제가 반응을 일으킬 염려가 있다. 그렇다면, 건조를 개시시키고 싶은 장치 사용 시에는 건조제로서의 기능이 저하되어 있을 가능성이 있다. 이 때문에, 특허 문헌 2에 기재된 구성에서는 약한 건조제를 이용하고, 그만큼 양을 늘림으로써 건조제로서의 기능을 보충할 필요가 있다. 따라서, 건조제의 양을 늘림에 따라 건조제 자체의 두께가 늘기 때문에 유기 EL장치의 박형화가 곤란하다는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 종래보다도 박형화를 도모할 수 있는 유기 EL장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일양태인 유기 EL장치는, 제1 기판과, 상기 제1 기판 상에 설치된 복수의 유기 EL소자와, 상기 복수의 유기 EL소자를 피복하는 제1 무기물층과, 상기 제1 기판 상에 있어서의 상기 복수의 유기 EL소자가 설치되어 있지 않은 영역에 설치되어, 적어도 흡습성 및 이산화성의 한쪽을 갖는 재료로 이루어지는 활성층과, 상기 활성층을 피복하는 제2 무기물층과, 상기 제1 기판과 상기 복수의 유기 EL소자를 통하여 대향 배치된 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 간극에 설치되어, 상기 복수의 유기 EL소자 및 상기 활성층을 둘러싸는 시일재를 구비하고, 상기 제2 무기물층에 설치된 관통 구멍을 통하여 상기 활성층이 상기 제1 기판, 상기 제2 기판 및 상기 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출되어 있는 구성으로 했다.
본 발명의 일양태에 관련되는 유기 EL장치에서는 예를 들면, 활성층을 피복하도록 상기 제2 무기물층을 형성하는 공정을 거친 후에 제1 기판과 제2 기판의 간극을 시일재에 의해 접합하는 공정, 계속해서 제2 무기물층에 관통 구멍을 설치함으로써 활성층을 제1 기판과 제2 기판 및 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출시키는 공정을 실시한다는 흐름의 제조 공정을 채용할 수 있다. 이 경우에는 제1 기판과 제2 기판의 간극을 시일재에 의해 접합하는 공정에 있어서, 활성층이 수분이나 산소와 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 활성층으로서 흡습성 또는 이산화성이 높은 건조제를 이용할 수 있으며, 그만큼 건조제의 양을 삭감해도 장치 사용 시까지 건조제로서의 기능을 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 건조제량의 삭감에 동반하여 건조제 자체를 얇게 할 수 있어서, 결과적으로 박형의 유기 EL장치를 제공할 수 있다.
도 1은 실시 형태 1에 관련되는 유기 EL장치의 구성을 나타내는 정면도이다.
도 2는 실시 형태 1에 관련되는 유기 EL장치의 구성을 나타내는 부분 단면도이다.
도 3은 실시 형태 1에 관련되는 유기 EL장치의 제조 공정예를 나타내는 도면이다.
도 4는 실시 형태 2에 관련되는 유기 EL장치의 구성을 나타내는 부분 단면도이다.
도 5는 실시 형태 2에 관련되는 유기 EL장치의 제조 공정예를 나타내는 도면이다.
도 6은 실시 형태 3에 관련되는 유기 EL장치의 구성을 나타내는 부분 단면도이다.
도 7은 표시 장치(5)의 외관을 나타내는 외관 사시도이다.
도 8은 종래의 유기 EL장치의 단면도이다.
도 2는 실시 형태 1에 관련되는 유기 EL장치의 구성을 나타내는 부분 단면도이다.
도 3은 실시 형태 1에 관련되는 유기 EL장치의 제조 공정예를 나타내는 도면이다.
도 4는 실시 형태 2에 관련되는 유기 EL장치의 구성을 나타내는 부분 단면도이다.
도 5는 실시 형태 2에 관련되는 유기 EL장치의 제조 공정예를 나타내는 도면이다.
도 6은 실시 형태 3에 관련되는 유기 EL장치의 구성을 나타내는 부분 단면도이다.
도 7은 표시 장치(5)의 외관을 나타내는 외관 사시도이다.
도 8은 종래의 유기 EL장치의 단면도이다.
[실시 형태]
본 발명의 일양태인 복수의 유기 EL소자는 제1 기판과, 상기 제1 기판 상에 설치된 복수의 유기 EL소자와, 상기 복수의 유기 EL소자를 피복하는 제1 무기물층과, 상기 제1 기판 상에 있어서의 상기 복수의 유기 EL소자가 설치되어 있지 않은 영역에 설치되어, 적어도 흡습성 및 이산화성의 한쪽을 갖는 재료로 이루어지는 활성층과, 상기 활성층을 피복하는 제2 무기물층과, 상기 제1 기판과 상기 복수의 유기 EL소자를 통하여 대향 배치된 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 간극에 설치되어, 상기 복수의 유기 EL소자 및 상기 활성층을 둘러싸는 시일재를 구비하고, 상기 제2 무기물층에 설치된 관통 구멍을 통하여 상기 활성층이 상기 제1 기판, 상기 제2 기판 및 상기 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출되어 있는 구성으로 했다.
이 구성에 따르면, 예를 들면, 활성층을 피복하도록 상기 제2 무기물층을 형성하는 공정을 거친 후에, 제1 기판과 제2 기판의 간극을 시일재에 의해 접합하는 공정, 계속해서 제2 무기물층에 관통 구멍을 설치함으로써 활성층을 제1 기판과 제2 기판 및 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출시키는 공정을 실시한다는 흐름의 제조 공정을 채용할 수 있다. 이 경우에는 활성층으로서 흡습성 또는 이산화성이 높은 건조제를 이용할 수 있으며, 그만큼 건조제의 양을 삭감해도 장치 사용 시까지 건조제로서의 기능을 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 박형의 유기 EL장치를 제공할 수 있다.
또, 본 발명의 다른 양태로서, 상기 관통 구멍은 크랙(crack)인 것으로 해도 좋다.
이에 따라, 활성층을 제1 기판과 제2 기판 및 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출시키는 공정에 있어서, 치수가 규정된 관통 구멍을 형성할 필요가 없어진다.
또한, 본 발명의 다른 양태로서, 상기 복수의 유기 EL소자는 상기 제1 기판 상에 행렬상으로 배열되어 있으며, 상기 활성층이 상기 복수의 유기 EL소자의 주위를 둘러싸도록 설치되어 있는 것으로 해도 좋다.
유기 EL소자의 주위를 둘러싸도록 활성층을 설치함으로써 장치의 사용 상태에 있어서, 외부 환경으로부터 침입한 수분이나 산소를 유기 EL소자가 형성되어 있는 표시 영역에 이르기까지의 경로에 있어서 효율적으로 흡착할 수 있다.
또, 본 발명의 다른 양태로서, 상기 활성층은 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 알칼리 금속 산화물, 알칼리 토류 금속 산화물, 알칼리 금속 불화물, 알칼리 토류 금속 불화물, 이들 중 어느 하나를 포함하는 전하 수송성의 유기물 중 어느 하나로 이루어지는 것으로 해도 좋다.
이들 재료를 채용함으로써 흡습성 및 이산화성이 매우 높은 활성층을 구성하는 것이 가능하다.
또, 본 발명의 다른 양태로서, 제1 기판과, 상기 제1 기판 상에 설치된 복수의 유기 EL소자와, 상기 복수의 유기 EL소자를 시일링하는 제1 무기물층과, 상기 제1 기판 상에 있어서 상기 복수의 유기 EL소자가 설치되어 있지 않은 영역에 형성되어, 적어도 흡습성 및 이산화성의 한쪽을 갖는 재료로 이루어지는 활성층과, 상기 활성층을 피복하는 제2 무기물층과, 상기 제1 기판과 상기 복수의 유기 EL소자를 통하여 대향 배치된 제2 기판과, 상기 제1 기판과, 이에 대향 배치된 상기 제2 기판의 간극에 설치되어, 상기 복수의 유기 EL소자 및 상기 활성층을 둘러싸는 시일재를 구비하고, 상기 활성층을 피복하도록 상기 제2 무기물층을 형성하는 공정과, 상기 제1 기판과, 이에 대향 배치된 상기 제2 기판의 간극을 상기 시일재에 의해 접합하는 공정과, 상기 제2 무기물층에 관통 구멍을 설치함으로써 상기 활성층을 상기 제1 기판, 상기 제2 기판 및 상기 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출시키는 공정에 의해 상기 활성층은 상기 제2 무기물층에 설치된 관통 구멍을 통하여 상기 제1 기판, 상기 제2 기판 및 상기 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출되어 있는 것으로 해도 좋다.
이 양태에 따르면, 활성층을 피복하도록 상기 제2 무기물층을 형성하는 공정을 거친 후에 제1 기판과 제2 기판의 간극을 시일재에 의해 접합하는 공정, 계속해서 제2 무기물층에 관통 구멍을 설치함으로써 활성층을 제1 기판과 제2 기판 및 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출시키는 공정을 실시한다. 이와 같이 함으로써, 건조시킨 불활성 가스 분위기 하에서 실시되는, 제1 기판과 제2 기판을 시일재에 의해 접합하는 공정에 있어서, 활성층이 수분이나 산소와 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 활성층으로서 흡습성 또는 이산화성이 높은 건조제를 이용할 수 있으며, 그만큼 건조제의 양을 삭감해도 장치 사용 시까지 건조제로서의 기능을 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 박형의 유기 EL장치를 제공할 수 있다.
또, 본 발명의 다른 양태로서, 제1 기판 상에 복수의 유기 EL소자를 형성하는 공정과, 상기 복수의 유기 EL소자를 시일링하는 제1 무기물층을 형성하는 공정과, 상기 제1 기판 상에 있어서의 상기 복수의 유기 EL소자가 형성되어 있지 않은 영역에 적어도 흡습성 또는 이산화성을 갖는 재료로 이루어지는 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층을 피복하도록 제2 무기물층을 형성하는 공정과, 상기 제1 기판 및 해당 제1 기판과 상기 유기 EL소자를 통하여 대향 배치된 제2 기판의 간극을 시일재에 의해 접합하는 공정과, 상기 제2 무기물층에 관통 구멍을 설치함으로써 상기 활성층을 상기 제1 기판, 상기 제2 기판 및 상기 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출시키는 공정을 포함하는 것으로 해도 좋다.
유기 EL소자를 시일링하는 제1 무기물층을 형성하는 공정을 설치함으로써 수분이나 산소로부터 유기 EL소자를 보호할 수 있다. 또, 상기 양태에 따르면, 활성층을 피복하도록 상기 제2 무기물층을 형성하는 공정을 거친 후에 제1 기판과 제2 기판의 간극을 시일재에 의해 접합하는 공정, 계속해서 제2 무기물층에 관통 구멍을 설치함으로써, 활성층을 제1 기판과 제2 기판 및 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출시키는 공정을 실시한다. 이렇게 함으로써, 건조시킨 불활성 가스 분위기 하에서 실시되는, 제1 기판과 제2 기판의 간극을 시일재에 의해 접합하는 공정에 있어서, 활성층이 수분이나 산소와 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 활성층으로서 흡습성 또는 이산화성이 높은 건조제를 이용할 수 있으며, 그만큼 건조제의 양을 삭감해도 장치 사용 시까지 건조제로서의 기능을 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 박형의 유기 EL장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 양태로서, 활성층을 상기 시일링 공간에 노출시키는 공정에 있어서, 레이저광을 상기 제2 무기물층을 향하여 조사함으로써 상기 관통 구멍을 설치하는 것으로 해도 좋다.
제2 무기물층에 레이저광을 조사함으로써 제2 무기물층에 크랙을 발생시킬 수 있으며, 이 크랙을 관통 구멍으로서 이용할 수 있다. 또, 관통 구멍을 설치하는 수단으로서 레이저광을 이용함으로써 제1 기판 및 제2 기판을 접합한 후에 관통 구멍을 설치할 수 있다.
여기에서, 본 발명의 다른 양태로서, 상기 유기 EL장치의 제조 방법은 상기 제1 무기물층을 형성하는 공정과 상기 활성층을 형성하는 공정의 사이에 있어서, 상기 활성층의 형성이 예정된 영역에 상기 제2 무기물층보다도 열팽창률이 높은 재료로 이루어지는 열팽창성 촉진층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것으로 해도 좋다.
열팽창성 촉진층을 활성층의 하층에 설치함으로써 관통 구멍 형성을 위한 레이저광을 조사할 때, 제2 무기물층보다도 열팽창성 촉진층쪽에 먼저 크랙을 발생시키는 것이 가능하다. 따라서, 열팽창성 촉진층을 설치하지 않는 경우보다도 약한 레이저 파워로 관통 구멍을 형성할 수 있다. 이에 따라, 제1 기판 상에 배치된 인출 전극 등에 주는 손상을 저감할 수 있다.
또, 본 발명의 다른 양태로서, 상기 유기 EL장치의 제조 방법은 상기 제1 무기물층을 형성하는 공정과 상기 활성층을 형성하는 공정의 사이에 있어서, 상기 활성층의 형성이 예정된 영역에 광반사성을 갖는 재료로 이루어지는 광반사성 촉진층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것으로 해도 좋다.
활성층의 하층에 광반사성 촉진층을 설치함으로써 관통 구멍 형성을 위한 레이저광을 조사할 때에, 제2 무기물층 및 활성층을 넘어서 제1 기판에 침입한 레이저광을 활성층측으로 반사시키는 것이 가능하다. 그 때문에, 광반사성 촉진층을 설치하는 않는 경우보다도 약한 레이저 파워로 관통 구멍을 형성할 수 있으며, 그에 추가하여 제1 기판에 침입한 레이저광을 반사시킬 수도 있다. 따라서, 열팽창성 촉진층을 이용하는 경우보다도, 제1 기판상에 배치된 인출 전극 등에 주는 손상을 보다 저감할 수 있다.
여기에서, 본 발명의 다른 양태로서, 상기 제2 무기물층은 적어도 파장 500㎚ 이하의 빛을 흡수하는 재료로 이루어지는 것으로 해도 좋다.
이와 같이 함으로써 관통 구멍을 설치하는 수단으로서 레이저광을 이용할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 양태로서, 상기 제2 기판은 적어도 파장 500㎚ 이하의 빛을 투과하는 재료로 이루어지는 것으로 해도 좋다.
이와 같이 함으로써 제2 기판측으로부터의 레이저광 조사에 의해서도 관통 구멍을 설치할 수 있다.
또, 본 발명의 다른 양태로서, 각 유기 EL소자는 제1 기능층을 포함하고, 상기 활성층은 상기 제1 기능층과 동일 재료로 이루어지고, 또한, 상기 활성층을 형성하는 공정은 상기 복수의 유기 EL소자를 형성하는 공정에 있어서의 상기 제1 기능층의 형성과 동시에 실시되고, 상기 제2 무기물층은 상기 제1 무기물층과 동일 재료로 이루어지고, 또한, 상기 제2 무기물층을 형성하는 공정은 상기 제1 무기물층을 형성하는 공정과 동시에 실시되는 것으로 해도 좋다.
이와 같은 공정을 거침으로써, 활성층을 형성하는 공정 및 제2 무기물층을 형성하는 공정을 삭감할 수 있다. 따라서, 종래의 유기 EL소자를 형성하는 공정에 새로운 공정을 추가하지 않고, 박형의 유기 EL장치를 제조할 수 있다. 또, 유기 EL소자를 형성하는 공정은 통상 진공 중에서 실시된다. 이 때문에, 제1 기능층 및 활성층의 재료로서 흡습성 또는 이산화성이 높은 건조제를 이용하는 경우이어도 안전하게 취급하는 것이 가능하다.
여기에서, 본 발명의 다른 양태로서, 상기 제1 기능층이 전자 수송층인 것으로 해도 좋다.
전자 수송층은 흡습성 또는 이산화성이 높은 재료가 이용되고 있는 일이 많기 때문에, 이것을 활성층의 재료로서 이용할 수 있다.
또, 본 발명의 다른 양태로서, 각 유기 EL소자는 상기 제1 기능층의 형성보다도 전에 형성되는 것과 함께, 상기 제1 기능층보다도 열팽창률이 높은 재료로 이루어지는 제2 기능층을 더 포함하고, 상기 복수의 유기 EL소자를 형성하는 공정에 있어서, 상기 제2 기능층과 동일 재료로 이루어지는 열팽창성 촉진층이 상기 제2 기능층의 형성과 동시에 상기 활성층의 형성이 예정된 영역에 형성되고, 상기 활성층을 형성하는 공정에 있어서, 상기 활성층은 상기 열팽창성 촉진층 상에 형성되는 것으로 해도 좋다.
열팽창성 촉진층을 활성층의 하층에 설치함으로써, 관통 구멍 형성을 위한 레이저광을 조사할 때, 제2 무기물층보다도 열팽창성 촉진층쪽에 먼저 크랙을 발생시키는 것이 가능하다. 따라서, 열팽창성 촉진층을 설치하지 않는 경우보다도 약한 레이저 파워로 관통 구멍을 형성할 수 있다. 이에 따라, 제1 기판 상에 배치된 인출 전극 등에 주는 손상을 저감할 수 있다. 또한, 이와 같은 공정을 거침으로써 종래의 유기 EL소자를 형성하는 공정에 새로운 공정을 추가하지 않고, 열팽창성 촉진층을 설치할 수 있다.
여기에서, 본 발명의 다른 양태로서, 각 유기 EL소자는 상기 제1 기능층의 형성보다도 전에 형성되는 것과 함께, 광반사성을 갖는 재료로 이루어지는 제2 기능층을 더 포함하고, 상기 복수의 유기 EL소자를 형성하는 공정에 있어서, 상기 제1 전극과 동일 재료로 이루어지는 광반사성 촉진층이 상기 제1 전극의 형성과 동시에 상기 활성층의 형성이 예정된 영역에 형성되고, 상기 활성층을 형성하는 공정에 있어서, 상기 활성층은 상기 광반사성 촉진층 상에 형성되는 것으로 해도 좋다.
활성층의 하층에 광반사성 촉진층을 설치함으로써, 관통 구멍 형성을 위한 레이저광을 조사할 때에 제2 무기물층 및 활성층을 넘어서 제1 기판에 침입한 레이저광을 활성층측으로 반사시키는 것이 가능하다. 그 때문에, 광반사성 촉진층을 설치하지 않는 경우보다도 약한 레이저 파워로 관통 구멍을 형성할 수 있으며, 그에 추가하여 제1 기판에 침입한 레이저광을 반사시킬 수도 있다. 따라서, 열팽창성 촉진층을 이용하는 경우보다도 제1 기판 상에 배치된 인출 전극 등에 주는 손상을 보다 저감할 수 있다. 또한, 이와 같은 공정을 거침으로써 종래의 유기 EL소자를 형성하는 공정에 새로운 공정을 추가하지 않고, 광반사성 촉진층을 설치할 수 있다.
또, 본 발명의 다른 양태로서, 상기 제2 기능층이 전극인 것으로 해도 좋다.
통상의 유기 EL장치에 있어서, 발광층을 구성하는 한쌍의 전극 중, 빛을 꺼내는 측과는 반대측에 형성되는 전극의 재료로서 광반사성의 것이 채용된다. 따라서, 이 전극을 광반사성 촉진층의 재료로서 이용할 수 있다.
여기에서, 본 발명의 다른 양태로서, 상기 제1 기판은 적어도 파장 500㎚ 이하의 빛을 투과하는 재료로 이루어지는 것으로 해도 좋다.
이와 같이 함으로써 제1 기판측으로부터 레이저광을 조사할 수 있다.
[실시 형태 1]
<개략 구성>
도 1은 실시 형태 1에 관련되는 유기 EL장치의 구성을 나타내는 정면도이다. 유기 EL장치(1)는 톱 에미션형의 표시 장치로서, 도 1은 표시면측(상측)의 기판(도 2의 제2 기판(2))을 제거한 상태의 유기 EL장치(1)를 표시면측에서 본 도면이다.
제1 기판(3) 상의 중심 영역에는 복수의 유기 EL소자(4(R), 4(G), 4(B))가 행렬 상에 배치되어 있다. 유기 EL소자(4(R), 4(G), 4(B))는 각각 적색, 녹색, 청색에 대응하는 유기 EL소자로서, 이 각각을 서브 픽셀로 하고, 해당 3개의 서브 픽셀의 조합을 1화소(픽셀)로 하고 있다. 또한, 이하의 도면에 있어서, 유기 EL소자(4)가 형성되어 있는 중심 영역을 표시 영역(10), 표시 영역(10)을 둘러싸는 소자 주위의 영역을 주변 영역(20)이라 부른다.
주변 영역(20)에는 흡습성 또는 이산화성을 갖는 재료로 이루어지고, 유기 EL장치(1)의 외부 환경으로부터 침입한 수분이나 산소를 흡착하는 기능을 갖는 활성층(114)이 설치되어 있다. 도시하지 않지만, 활성층(114)의 상부에는 이것을 시일링할 목적으로 무기물층(도 2의 제2 무기물층(116))이 형성되어 있으며, 이 단면을 관통하도록 복수의 관통 구멍(115)이 설치되어 있다. 관통 구멍(115)의 역할에 대해서는 도 2에서 상세히 서술한다. 제1 기판(3)의 주연(周緣)부에는 활성층(114) 및 유기 EL소자(4)를 둘러싸도록 설치되어, 제1 기판(3)과 제2 기판(2)(도 2)을 시일링하는 시일재(113)가 설치되어 있다. 또한, 본 실시 형태의 시일재(113)는 도 1에 나타낸 바와 같은 한 겹으로 형성하는 구성에 한정되지 않고, 시일링 공간(110)의 시일링성을 높이기 위해 두 겹 이상으로 형성하는 것으로 해도 좋다.
도 2는 도 1에 있어서의 A―A’단면도(유기 EL장치의 가로 방향을 따른 XZ단면도)이다.
표시 영역(10)에 있어서, TFT기판(100)의 표면에 인출 전극(101), 패시베이션층(102), 평탄화층(103), 반사 양극(104), 뱅크(105), 유기 발광층(106), 전자 수송층(107), 투명 음극(108), 제1 무기물층(109)이 순차 적층되어 있다.
주변 영역(20)에 있어서는, 인출 전극(101), 패시베이션층(102), 활성층(114), 제2 무기물층(116)이 순차 적층되어 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 유기 EL소자(4)는 반사 양극(104), 뱅크(105), 유기 발광층(106), 전자 수송층(107), 투명 음극(108)의 각 기능층으로 구성되어 있으며, 상기 각 기능층 중의 어느 하나의 기능층을 결여하고 있는, 또는 예를 들면, 투명 도전층, 홀 주입층, 전자 주입층 등의 다른 기능층을 더 포함하는 구성으로 해도 좋다.
TFT기판(100)은 유기 EL패널(1)에 있어서의 배면 기판이며, 무알칼리 유리, 소다 유리, 무형광 유리, 인산계 유리, 붕산계 유리, 석영, 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 에폭시계 수지, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 실리콘계 수지, 또는 알루미나 등의 절연성 재료 중 어느 하나를 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 도시하지 않지만, TFT기판(100)의 표면에는 TFT(박막 트랜지스터)가 형성되어 있다.
인출 전극(101)은 각 TFT에 대하여 외부로부터 전력을 공급하기 위한 배선이며, 인출 전극(101)에 구동 회로가 접속되게 되어 있다.
패시베이션층(102)은 TFT 및 인출 전극(101)을 피복하여 보호하기 위해 설치되고, SiO나 SiN 등의 박막으로 구성된다.
평탄화층(103)은 인출 전극(101) 및 패시베이션층(102)이 설치된 것에 의해 발생하는 TFT기판(100)에 있어서의 표면 단차를 평탄하게 조정하기 위해 설치된다. 평탄화층(103)은 폴리이미드계 수지 또는 아크릴계 수지 등의 절연 재료로 구성된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 제1 기판(3)이란, TFT기판(100)으로부터 평탄화층(103)까지의 부분, 평탄화층(103)이 형성되어 있지 않은 영역에 있어서는, TFT기판(100)으로부터 패시베이션층(102)까지의 부분을 가리키는데, 이들 층 중 어느 하나를 결여하고 있는 것 및 다른 층을 더 포함하는 것도 본 실시 형태에 포함된다.
반사 양극(104)은 Ag(은) 외에, 예를 들면, Al(알루미늄), 은과 팔라듐과 구리의 합금, 은과 루비듐과 금의 합금, MoCr(몰리브덴과 크롬의 합금), NiCr(니켈과 크롬의 합금) 등의 광반사성 재료를 이용하여 형성할 수 있다.
뱅크(105)는 인접하는 서브 픽셀끼리를 분리하기 위해 설치된다. 이에 따라, 유기 발광층(106)을 형성할 때의 잉크젯 장치에 의한 웨트 프로세스에 있어서, R, G, B의 각 색에 대응하는 유기 발광층(106)의 재료와 용매를 포함하는 잉크가 서로 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 뱅크(105)의 재료로서는, 절연성의 유기 재료인 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 노볼락형 페놀 수지 등이 선택된다.
또한, 도 2에는 도시하지 않지만, 반사 양극(104)의 표면에는 공지의 투명 도전층, 홀 주입층 등을 설치해도 좋다. 투명 도전층의 재료로서는 예를 들면, ITO(산화인듐주석), IZO(산화인듐아연)를 이용할 수 있다. 홀 주입층은 홀 주입 기능을 완수하는 재료로 형성되어 있으면 좋고, 그와 같은 재료로서는 예를 들면, MoOx(산화몰리브덴), WOx(산화텅스텐), 또는 MoxWyOz(몰리브덴―텅스텐 산화물) 등의 금속 산화물, 금속 질화물, 또는 금속 산질화물을 들 수 있다.
각각의 뱅크(105)로 구획된 영역에는 RGB 각 색 중 어느 하나에 대응하는 유기 발광층(106)이 형성된다.
유기 발광층(106)은 구동 시에 캐리어(홀과 전자)의 재결합에 의한 발광을 실시하는 부위로서, 유기 재료를 포함하도록 구성되어 있다. 그 재료에는 공지 재료를 이용하는 것이 가능하다. 예를 들면, 일본국 특개평5―163488호 공보에 기재된 옥시노이드 화합물, 페릴렌 화합물, 쿠마린 화합물, 아자쿠마린 화합물, 옥사졸 화합물, 옥사디아졸 화합물, 페리논 화합물, 피롤로피롤 화합물, 나프탈렌 화합물, 안트라센 화합물, 플루오렌 화합물, 플루오란텐 화합물, 테트라센 화합물, 피렌 화합물, 코로넨 화합물, 퀴놀론 화합물 및 아자퀴놀론 화합물, 피라졸린 유도체 및 피라졸론 유도체, 로다민 화합물, 크리센 화합물, 페난트렌 화합물, 시클로펜타디엔 화합물, 스틸벤 화합물, 디페닐퀴논 화합물, 스티릴 화합물, 부타디엔 화합물, 디시아노메틸렌피란 화합물, 디시아노메틸렌티오피란 화합물, 플루오레세인 화합물, 피릴륨 화합물, 티아피릴륨 화합물, 셀레나피릴륨 화합물, 텔루로피릴륨 화합물, 방향족 알다디엔 화합물, 올리고페닐렌 화합물, 티옥산텐 화합물, 시아닌 화합물, 아크리딘 화합물, 8―히드록시퀴놀린 화합물의 금속 착체, 2―비피리딘 화합물의 금속 착체, 시프염과 Ⅲ족 금속의 착체, 옥신 금속 착체, 희토류 착체 등의 형광 물질 등을 들 수 있다.
또한, 도시하지 않지만, 유기 발광층(106)의 위에는 공지의 전자 주입층을 설치해도 좋다.
전자 수송층(107)은 투명 음극(108)으로부터 주입된 전자를 유기 발광층(106)으로 수송하는 기능을 갖는다. 전자 수송층(107)의 재료로서는 예를 들면, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘 등의 알칼리 금속, 칼슘, 바륨 등의 알칼리 토류 금속, 산화 나트륨, 산화 칼륨, 산화 세슘 등의 알칼리 금속 산화물, 산화 칼슘, 산화 바륨 등의 알칼리 토류 금속 산화물, 불화 리튬, 불화 나트륨, 불화 세슘 등의 알칼리 금속 불화물, 불화 칼슘 등의 알칼리 토류 금속 불화물, 산화 마그네슘, 프탈로시아닌 등, 또는 이들의 조합, 또는 이들 중 어느 하나를 포함하는 전하 수송성의 유기물 등을 이용할 수 있다.
투명 전극(108)은 예를 들면, ITO(산화인듐주석), IZO(산화인듐아연) 등의 투명 재료로 구성된다.
제1 무기물층(109)은 유기 EL소자(4)가 수분이나 공기 등에 닿아서 열화되는 것을 억제할 목적으로 설치되고, 예를 들면, SiN(질화실리콘), SiON(산질화실리콘) 등의 재료로 형성된다. 유기 EL장치(1)를 톱 에미션형으로 하는 경우에는, 제1 무기물층(109)을 광투과성 재료로 구성할 필요가 있다.
제1 기판(3), 제2 기판(2) 및 시일재(113)에 의해 형성되는 시일링 공간(110)은 건조시킨 불활성 가스를 충전한 공간 외에, 대기압보다 저압의 공간으로 해도 좋다. 또, 시일링 공간(110)에 각종 투명 수지 재료(에폭시계 수지, 실리콘계 수지 등)를 충전한 경우 등, 수분이나 산소 등이 자유롭게 왕래할 수 있는 환경이어도 좋다.
활성층(114)은 시일재(113)를 통하여 시일링 공간(110)에 침입한 수분이나 산소를 흡착하고, 표시 영역(10)에 설치된 복수의 유기 EL소자(4)의 열화를 막기 위해 설치된다. 활성층(114)으로서는 예를 들면, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘 등의 알칼리 금속, 칼슘, 바륨 등의 알칼리 토류 금속, 산화 나트륨, 산화 칼륨, 산화 세슘 등의 알칼리 금속 산화물, 산화 칼슘, 산화 바륨 등의 알칼리 토류 금속 산화물, 불화 리튬, 불화 나트륨, 불화 세슘 등의 알칼리 금속 불화물, 불화 칼슘 등의 알칼리 토류 금속 불화물, 산화 마그네슘, 프탈로시아닌 등, 또는 이들의 조합, 또는 이들 중 어느 하나를 포함하는 전하 수송성의 유기물 등을 이용할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서, 활성층(114)은 전자 수송층(107)과 공통의 재료로 하고 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써 전자 수송층(107)을 형성하는 공정에 있어서, 활성층(114)을 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 활성층(114)을 설치하기 위한 공정을 별도로 필요로 하지 않는다. 또한, 이와 같은 효과를 얻기 위해서는, 반드시 전자 수송층(107)의 재료를 활성층(114)의 재료로서 채용할 필요는 없고, 유기 EL소자(4)를 구성하는 어느 하나의 기능층이면 좋다.
제2 무기물층(116)은 제1 기판(3)과 제2 기판(2)이 시일재(113)에 의해 밀착 시일링되기까지의 사이, 활성층(114)이 수소나 산소에 닿는 것에 의한 반응 억제 및 건조제로서 기능을 유지할 목적으로 설치된다. 본 실시 형태에 있어서는, 제2 무기물층(116)은 제1 무기물층(109)과 동일 재료로 이루어지고, 또한, 양자가 연속하도록 설치되어 있다.
제1 기판(3) 및 제2 기판(2)의 주연부에는 그들의 간극을 메우도록 시일재(113)가 설치되어 있다. 또한, 본 실시 형태의 시일재(113)는 제2 무기물층(116) 상에 형성해도 좋고, 제2 무기물층(116)이 제1 기판(3) 상의 주연부까지 형성되어 있지 않은 경우에는 제1 기판(3) 상에 시일재(113)를 형성하는 것으로 해도 좋다.
제2 무기물층(116)의 단면에는 관통 구멍(115)이 형성된다. 이 관통 구멍(115)을 통하여 활성층(114)이 시일링 공간(110)에 노출되어 있다. 이에 따라, 시일재(113)를 통하여 시일링 공간(110)에 침입해 온 수분이나 산소를 표시 영역(10)에 이르기까지의 경로에서 효율적으로 흡착할 수 있다. 활성층(114)은 유기 EL장치(1)의 외부 환경으로부터 침입한 수분이나 산소 뿐만 아니라, 유기 EL장치(1)의 내부에 이용되고 있는 유기 재료로부터 발생하는 수분이나 유기 물질 등을 포함하는 불순물 가스, 이른바, 아웃 가스도 흡착할 수 있다.
시일링 기판(112)의 한쪽 면에는 컬러 필터(111(R), 111(G), 111(B)) 및 블랙 매트릭스(120, 121)가 각각 설치되어 있다.
시일링 기판(112)은 유기 EL장치(1)에 있어서의 표시면 기판이며, TFT기판 (100)과 동일한 재료로 구성할 수 있다. 다만, 유기 EL장치(1)를 톱 에미션형으로 하기 위해 양호한 투명성을 갖는 것이 요구된다.
각각의 컬러필터(111(R), 111(G), 111(B))는 제1 기판(3)측에 형성되는 각 유기 발광층(106)의 위치에 맞추어서 설치되어 있다. 각각의 컬러 필터는 청색, 녹색, 적색에 대응하는 파장의 가시광을 투과하는 투명층으로서, 공지의 수지 재료(예를 들면, 시판 제품으로서, JSR주식회사제 컬러 레지스트) 등으로 구성되어 있다.
블랙 매트릭스(120, 121)는 유기 EL장치(1)의 표시면으로의 외광의 반사나 외광의 입사를 방지하고, 표시 콘트라스트를 향상시킬 목적으로 설치되는 흑색층으로서, 예를 들면, 광흡수성 및 차광성이 우수한 흑색 안료를 포함하는 자외선 경화 수지 재료로 구성된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 제2 기판(2)이란, 시일링 기판(112), 블랙 매트릭스(120, 121), 컬러 필터(111)를 가리키는데, 이들 층 중의 어느 하나를 결여하고 있는 것 및 다른 층을 더 포함하는 것도 본 실시 형태에 포함된다.
도 1에서 서술한 바와 같이, 시일링 기판(112)과 제1 기판(3)의 주연부에는 양 기판을 접착하는 시일재(113)가 설치되어 있다. 해당 시일재(113)는 치밀한 수지 재료로 구성되어 있으며, 예를 들면, 실리콘 수지를 들 수 있다.
<제조 방법>
도 3에 있어서 유기 EL장치(1)의 제조 공정의 일례를 나타낸다.
우선, 한쪽 면에 TFT를 형성한 TFT기판(100)을 준비하고, 각 TFT를 배선으로 접속하도록 인출 전극(101)을 형성한다. 이 기판을 챔버에 도입하고, 패시베이션층(102)을 증착법 등의 박막법에 의해 형성한다.
다음으로, 패시베이션층(102) 상에 디스펜스법 등에 의해 평탄화층(103)을 형성한다. 그리고 이 기판을 다시 챔버 내로 도입하고, 스퍼터링법에 의해 반사 양극(104)을 성막한다.
다음으로, 형성한 반사 양극(104)의 위에 뱅크(105)를 포토리소그래피법에 의해 형성한다.
다음으로, 뱅크(105)로 구획된 반사 양극(104)의 표면에 잉크젯 장치를 이용한 웨트 프로세스에 의해 유기 발광층(106)의 재료가 용매에 분산되어 있는 잉크를 도포한다. 도포 후, 이것을 건조시킴으로써 유기 발광층(106)이 형성된다.
다음으로, 해당 기판을 챔버 내에 도입하고, 상기 형성한 유기 발광층(106)의 표면에 진공 증착법에 의거하여 전자 수송층(107)을 형성한다. 이 때, 본 실시 형태에서는 동시에 활성층(114)도 형성한다. 이렇게 함으로써 별도로 활성층(114)을 형성하는 공정이 불필요하게 된다. 또한, 종래의 제조 공정에 있어서의 마스크 패턴을 바꿈으로써 전자 수송층(107) 및 활성층(114)을 동시에 형성할 수 있다. 여기까지의 공정에 의해 도 3(a)의 상태의 기판이 완성된다.
다음으로, 상기 전자 수송층(107)의 표면 상에 진공 증착법에 의해 투명 음극(108)을 형성한다.
다음으로, 투명 음극(108)의 표면에 SiN(질화실리콘), SiON(산질화실리콘) 등의 재료를 진공 증착법으로 성막하여 제1 무기물층(109)을 형성한다. 이 때, 표시 영역(10) 상 뿐만 아니라, 주변 영역(20) 상에 있어서 활성층(114)을 덮도록 이 층을 도포함으로써 제1 무기물층(109) 및 제2 무기물층(116)을 동시에 형성할 수 있다. 이 공정에 의해 도 3(b)의 상태의 기판이 완성된다. 이 공정을 거침으로써, 이후의 공정에 있어서, 제조 환경 중에 포함되는 미량의 수분이나 산소와 닿는 것에 의한, 유기 EL소자(4) 및 활성층(114)의 열화를 방지할 수 있다. 특히, 이후에서 서술하는 제1 기판(3) 및 제2 기판(2)을 시일재(113)에 의해 접합하는 공정에 있어서, 활성층(114)이 수분이나 산소와 접촉하는 것을 유효하게 방지할 수 있다. 따라서, 활성층(114)으로서 흡습성 또는 이산화성이 높은 건조제를 이용할 수 있으며, 그만큼 건조제의 양을 삭감해도 장치 사용 시까지 건조제로서의 기능을 유지하는 것이 가능하다.
계속해서 시일링 기판(112) 상에 블랙 매트릭스(120 및 121), 컬러 필터(111)를 적층한다. 또한, 이하의 제조 공정은 시일링 기판(112) 및 그 위에 적층하는 구성 요소에 수분이나 산소 및 아웃 가스가 부착되는 것을 방지하기 위해, 가능한 한 저습도이고, 또한 깨끗한 환경에서 실시하는 것이 바람직하다.
블랙 매트릭스(120, 121)의 재료로 되는 블랙 매트릭스 페이스트를 시일링 기판(112)의 한쪽 면에 도포한다. 그 후, 블랙 매트릭스의 설치가 예정된 영역에 개구부가 실시된 패턴 마스크를 겹치고, 그 위로부터 자외선 조사를 실시함으로써 블랙 매트릭스(120, 121)를 형성한다.
다음으로, 블랙 매트릭스(120, 121)를 형성한 기판 표면에 컬러 필터(111)의 재료로 되는 컬러 필터 페이스트를 도포한다. 용매를 일정 제거한 후, 컬러 필터의 설치가 예정된 영역에 개구부가 실시된 패턴 마스크를 재치(載置)하여 자외선을 조사한다. 그 후에는 큐어를 실시하고, 패턴 마스크 및 미경화의 컬러 필터 페이스트를 제거하여 현상한다. 이 공정을 각 색의 컬러 필터 재료에 대하여 동일하게 반복함으로써 컬러 필터(111(R), 111(G), 111(B))가 형성된다. 또한, 컬러 필터 페이스트를 이용하는 대신에, 시판되고 있는 컬러 필터 제품(예를 들면, JSR주식회사제 컬러 레지스트)을 이용할 수도 있다.
다음으로, 제1 기판(3) 또는 제2 기판(2)의 주위에 시일재(113)의 페이스트를 도포하고, 양 기판을 접합한다. 여기까지의 공정에 의해 도 3(c)의 상태의 기판이 완성된다.
다음으로, 레이저 광조사를 실시하고(도 3(d)), 제2 무기물층(116)에 크랙을 발생시킴으로써 관통 구멍(115)이 형성된다(도 3(e)). 이들의 공정에 의해 유기 EL장치(1)가 완성된다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 따르면, 활성층(114)을 제2 무기물층에 의해 시일링해 둔 후에 시일재(113)에 의한 제1 기판(3) 및 제2 기판(2)의 접착, 계속해서 제2 무기물층(116)에 관통 구멍(115)을 설치하는 것에 의한 활성층(114)의 노출이라는 제조 공정을 거친다. 이와 같은 공정을 거침으로써, 활성층(114)으로서 흡습성 또는 이산화성이 높은 건조제를 이용할 수 있다. 그만큼 건조제의 양을 삭감해도 건조를 개시시키고자 하는 장치 사용 시까지 건조제로서의 기능을 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 종래와 비교하여 박형의 유기 EL장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 따르면, 종래와 같이, 건조제를 설치하는 공정을 별도로 설치할 필요가 없다. 따라서, 기존의 유기 EL장치를 제조하는 공정에 새로운 공정을 늘리지 않고, 유기 EL장치의 박형화를 도모할 수 있다.
[실시 형태 2]
실시 형태 1에서는 전자 수송층(107)과 활성층(114)을 공통 재료로 하고, 또한, 동일 공정으로 형성했다. 또, 제1 무기물층(109)과 제2 무기물층(116)을 공통 재료로 하고, 또한, 동일 공정으로 형성했다. 본 실시 형태에 관련되는 유기 EL장치는 전자 수송층(107) 및 활성층(114), 제1 무기물층(109) 및 제2 무기물층(116)을 각각 공통 재료로 하지 않고, 별도 공정으로 형성하는 구성을 나타낸다. 본 실시 형태는 유기 EL소자(4)를 구성하는 층에 흡습성 또는 이산화성이 높은 재료로 이루어지는 층이 포함되어 있지 않은 경우에 유효하다.
<개략 구성>
도 4는 본 실시 형태에 관련되는 유기 EL장치의 가로 방향을 따른 XZ단면도이다.
표시 영역(10)의 구성은 실시 형태 1과 동일하므로 설명을 생략한다.
주변 영역(20)에 있어서는, 인출 전극(101), 패시베이션층(102), 제1 무기물층(109), 활성층(114), 제2 무기물층(116)이 순차 적층되어 있다.
인출 전극(101), 패시베이션층(102), 제1 무기물층(109)에 대해서는, 실시 형태 1과 동일하므로 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 있어서의 활성층(114)은 유기 EL소자(4)를 구성하는 기능층과는 별도의 재료를 채용할 수 있다. 활성층(114)의 재료로서는, 실시 형태 1에서 서술한 바와 같이, 흡습성 또는 이산화성이 높은 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
제2 무기물층(116)은 제1 기판(3)과 제2 기판(2)이 시일재(113)에 의해 시일링되기까지의 사이에, 활성층(114)이 수소나 산소에 닿는 것에 의한 반응 억제 및 흡습 성능을 유지할 목적으로 설치된다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 제2 무기물층(116)은 제1 무기물층(109)과 연속적으로 설치되는 것은 아니고, 다음 항의 <제조 방법>에서 서술하는 바와 같이, 별도 공정으로 형성된다. 따라서, 본 실시 형태에 있어서는, 제2 무기물층(116)의 재료는 제1 무기물층(109)과 별도 재료로 할 수 있다. 제2 무기물층(116)의 재료로서는, 실시 형태 1에서 예시한 제1 무기물층(109)과 동일한 재료, 예를 들면, SiN(질화실리콘), SiON(산질화실리콘) 등의 재료를 이용할 수 있다.
<제조 방법>
도 5에 있어서 유기 EL장치(1A)의 제조 공정의 일례를 나타낸다.
우선, TFT기판(100) 상에 인출 전극(101), 패시베이션층(102), 반사 양극(104), 뱅크(105), 유기 발광층(106), 전자 수송층(107)을 차례로 적층한다(도 5(a)).
다음으로, 전자 수송층(107)의 표면 상에 투명 음극(108), 제1 무기물층(109)을 형성한다(도 5(b)).
다음으로, 기판을 챔버 내에 도입하고, 제1 무기물층(109) 상에 진공 증착법에 의해 활성층(114)을 형성한다(도 5(c)).
다음으로, 활성층(114) 상에 진공 증착법에 의해 제2 무기물층(116)을 형성한다(도 6(d)). 이 공정을 거침으로써 제1 기판(3) 및 제2 기판(2)을 시일재(113)에 의해 접합하는 공정(도 5(e))에 있어서, 활성층(114)이 수분이나 산소와 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 활성층(114)으로서 흡습성 또는 이산화성이 높은 건조제를 이용할 수 있으며, 그만큼 건조제의 양을 삭감해도 장치 사용 시까지 건조제로서의 기능을 유지하는 것이 가능하다.
계속해서 시일링 기판(112) 상에 블랙 매트릭스(120 및 121), 컬러 필터(111)를 적층하는 공정, 제1 기판(3) 및 제2 기판(2)을 시일재(113)에 의해 접합하는 공정(도 5(e))으로 진행되는데, 이들은 실시 형태 1과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
제1 기판(3) 및 제2 기판(2)을 접합한 후, 제2 무기물층을 향하여 레이저광을 조사한다(도 5(f)). 이에 따라, 제2 무기물층(116)의 단면에 관통 구멍(115)이 형성된다(도 5(g)). 이들의 공정에 의해 유기 EL장치(1A)가 완성된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 의해서도 건조시킨 불활성 가스 분위기 하에서 실시되는, 제1 기판(3) 및 제2 기판(2)을 시일재(113)에 의해 접합하는 공정에 있어서, 활성층(114)이 수분이나 산소와 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 활성층(114)으로서 흡습성 또는 이산화성이 높은 건조제를 이용할 수 있다. 그만큼 건조제의 양을 삭감해도 건조를 개시시키고자 하는 장치 사용 시까지 건조제로서의 기능을 유지하는 것이 가능하다. 따라서, 종래와 비교하여 박형의 유기 EL장치를 제공할 수 있다.
[실시 형태 3]
본 실시 형태에 관련되는 유기 EL장치는 활성층(114)의 하층에 레이저광 조사에 의해 크랙이 발생하기 쉬운 재료 또는 레이저광을 반사하는 광반사성의 재료로 이루어지는 촉진층을 설치함으로써 관통 구멍(115) 형성 시에 필요한 에너지를 저감하는 것이 가능한 구성을 나타낸다.
<개략 구성>
도 6은 본 실시 형태에 관련되는 유기 EL장치의 가로 방향을 따른 XZ단면도이다.
표시 영역(10)의 구성은 실시 형태 1과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
주변 영역(20)에 있어서는, 인출 전극(101), 패시베이션층(102), 촉진층(117), 활성층(114), 제2 무기물층(116)이 순차 적층되어 있다.
촉진층(117)은 레이저광을 반사하는 광반사성의 재료 또는 레이저광 조사에 의해 크랙이 발생하기 쉬운 재료로 이루어지는 층이다. 이하, 레이저광을 반사하는 광반사성의 재료로 이루어지는 촉진층을 광반사성 촉진층(117), 레이저광 조사에 의해 크랙이 발생하기 쉬운 재료로 이루어지는 촉진층을 열팽창성 촉진층(117)이라 부른다. 본 실시 형태에서는 예를 들면, 광반사성 촉진층(117)을 반사 양극(104)과 공통의 재료로 한 예를 나타내고 있다.
광반사성 촉진층(117)을 활성층(114)의 하층에 설치함으로써 관통 구멍(115) 형성 시에 제2 무기물층(116) 및 활성층(114)을 넘어서 TFT기판(100)에 침입한 레이저광을 활성층(114)측에 반사시킬 수 있어서, 에너지를 효율적으로 제2 무기물층(116)에 전달하는 것이 가능하다. 따라서, 광반사성 촉진층(117)을 설치하지 않는 경우보다도 약한 레이저 파워로 관통 구멍(115)을 형성할 수 있다. 이에 따라, TFT기판(100) 상에 배치된 인출 전극 등에 주는 손상을 저감할 수 있다. 또한, 광반사성 촉진층(117)을 채용한 경우에는 TFT기판(100)에 침입한 레이저광을 반사시킬 수도 있다. 따라서, 열팽창성 촉진층(117)을 이용하는 경우보다도 TFT기판(100) 상에 배치된 인출 전극(101) 등에 주는 손상을 보다 저감할 수 있다.
본 실시 형태로서, 도 6에서는 광반사성 촉진층(117)을 반사 양극(104)과 공통의 재료로 하고 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 반사 양극(104)을 형성하는 공정에 있어서, 광반사성 촉진층(117)을 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 광반사성 촉진층(117)을 설치하기 위한 공정을 별도로 필요로 하지 않는다. 또한, 이와 같은 효과를 얻기 위해서는, 반드시 반사 양극(104)의 재료를 광반사성 촉진층(117)의 재료로서 채용할 필요는 없고, 유기 EL소자(4)를 구성하는 각 기능층 중, 활성층(114)과 공통 재료로 하는 층보다도 먼저 형성되는 층이면 좋다.
한편, 열팽창성 촉진층(117)을 채용한 경우에는 관통 구멍(115) 형성을 위한 레이저광을 조사할 때, 제2 무기물층(116)보다도 열팽창성 촉진층(117)쪽에 먼저 크랙을 발생시키고, 이 크랙이 발생했을 때의 충격을 제2 무기물층(116)에 전달시키는 것이 가능하다. 따라서, 열팽창성 촉진층(117)을 설치하지 않는 경우보다도 약한 레이저 파워로 관통 구멍(115)을 형성할 수 있다. 이렇게 함으로써, TFT기판(100) 상에 배치된 인출 전극(101) 등에 주는 손상을 보다 저감할 수 있다.
열팽창성 촉진층(117)의 재료로서는, 유기 EL소자(4)를 구성하는 각 기능층 중, 활성층(114)과 공통 재료로 하는 층보다도 먼저 형성되는 층이고, 또한, 유기물로 형성되어 있는 층과 동일 재료를 채용하는 것이 바람직하다. 일반적으로, 유기물은 무기물보다도 열팽창성이 높다. 또, 유기 EL소자(4)를 구성하는 층은 유기물로 구성되어 있는 것이 많기 때문에 별도로 열팽창성 촉진층(117)용의 재료를 검토할 필요가 없어진다. 또한, 유기 EL소자(4)를 구성하는 어느 하나의 기능층과 동일 재료로 함으로써, 그 기능층을 형성하는 공정에 있어서, 열팽창성 촉진층(117)을 동시에 형성할 수 있다.
<제조 방법>
유기 EL장치(1B)의 제조 공정의 일례를 나타낸다. 여기에서는 반사 양극(104)을 광반사성 촉진층(117)으로서 이용하는 구성의 제조 공정에 대하여 설명한다.
우선, TFT기판(100) 상에 인출 전극(101), 패시베이션층(102), 반사 양극(104)을 차례로 적층한다.
다음으로, 반사 양극(104)을 형성한다. 이 때, 주변 영역(20)에 있어서 활성층(114)의 형성이 예정된 영역에도 반사 양극(104)과 동일 재료로 이루어지는 층을 동시에 형성하고, 이것을 광반사성 촉진층(117)으로 한다. 이와 같이 함으로써 별도로 촉진층(117)을 형성하는 공정이 불필요하게 된다. 또한, 종래의 제조 공정에 있어서의 패턴 마스크를 바꿈으로써, 반사 양극(104) 및 광반사성 촉진층(117)을 동시에 형성할 수 있다.
다음으로, 뱅크(105), 유기 발광층(106), 전자 수송층(107)을 차례로 적층한다. 전자 수송층(107)을 형성할 때, 실시 형태 1과 마찬가지로, 동시에 활성층(114)도 형성한다. 이렇게 함으로써 별도로 활성층(114)을 형성하는 공정이 불필요하게 된다.
다음으로, 투명 음극(108)의 표면에 SiN(질화실리콘), SiON(산질화실리콘) 등의 재료를 진공 증착법으로 성막하여 제1 무기물층(109)을 형성한다. 이 때, 표시 영역(10) 상 뿐만 아니라, 주변 영역(20) 상에 있어서 활성층(114)을 덮도록 제1 무기물층(109)을 도포함으로써 제1 무기물층(109) 및 제2 무기물층(116)을 동시에 형성할 수 있다. 이 공정을 거침으로써, 이후의 제1 기판(3) 및 제2 기판(2)을 시일재(113)에 의해 접합하는 공정에 있어서, 활성층(114)이 수분이나 산소와 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
계속해서 시일링 기판(112) 상에 블랙 매트릭스(120 및 121), 컬러 필터(111)를 적층하는 공정, 제1 기판(3) 및 제2 기판(2)을 시일재(113)에 의해 접합하는 공정으로 진행하는데, 이들은 실시 형태 1과 동일하기 때문에 설명을 생략한다.
시일링 기판(112) 및 제1 기판(3)을 접합한 후, 제2 무기물층을 향하여 레이저광을 조사한다. 이에 따라, 제2 무기물층(116)의 단면에 관통 구멍(115)이 형성된다. 이들의 공정에 의해 유기 EL장치(1B)가 완성된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 촉진층(117)을 설치함으로써 약한 레이저 파워로 제2 무기물층(116)의 단면에 관통 구멍(115)을 형성할 수 있다. 따라서, TFT기판(100) 상에 배치된 인출 전극(101) 등에 주는 손상을 보다 저감할 수 있다. 또한, 유기 EL소자(4)를 구성하는 어느 하나의 기능층에 이용되고 있는 재료와 촉진층(117)의 재료를 공통 재료로 함으로써 촉진층(117)을 형성하는 공정을 종래의 유기 EL소자를 형성하는 공정 중에 동시에 실시할 수 있다.
또한, 본 실시 형태로서는, 열팽창성 촉진층 및 광반사성 촉진층 중 어느 한쪽을 형성하는 구성 외에, 광반사성 촉진층을 형성한 후에 열팽창성 촉진층을 적층하는 구성도 생각된다. 또, 상기한 제조 방법에 한정되지 않고, 촉진층(117)을 유기 EL소자(4)의 형성과는 별도 공정으로 형성하는 것으로 해도 좋다. 이 경우에는 촉진층(117)의 재료를, 유기 EL소자(4)를 구성하는 어느 하나의 기능층과 다른 것으로 할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태 1∼3에서 서술한 유기 EL장치(1, 1A, 1B)는 톱 에미션형의 유기 EL장치에 한정되지 않고, 보텀 에미션형의 유기 EL장치에도 적용할 수 있다.
[표시 장치]
도 7은 본 발명의 일양태에 관련되는 유기 EL장치(1, 1A, 1B) 중 어느 하나를 탑재한 표시 장치(5)의 외관을 예시하는 도면이다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명의 유기 EL장치는 예를 들면, 가정용, 또는 공공 시설, 또는 업무용의 각종 표시 장치, TV장치, 휴대형 전자 기기용 디스플레이 등에 적합하게 이용 가능하다.
1, 1A, 1B: 유기 EL장치
2: 제2 기판
3: 제1 기판
4: 유기 EL소자
5: 표시 장치
10: 표시 영역
20: 주변 영역
100: TFT기판
101: 인출 전극
102: 패시베이션층
103: 평탄화층
104: 반사 양극
105: 뱅크
106: 유기 발광층
107: 전자 수송층
108: 투명 음극
109: 제1 무기물층
110: 시일링 공간
111: 컬러 필터
112: 시일링 기판
113: 시일재
114: 활성층
115: 관통 구멍
116: 제2 무기물층
117: 촉진층
120, 121: 블랙 매트릭스
2: 제2 기판
3: 제1 기판
4: 유기 EL소자
5: 표시 장치
10: 표시 영역
20: 주변 영역
100: TFT기판
101: 인출 전극
102: 패시베이션층
103: 평탄화층
104: 반사 양극
105: 뱅크
106: 유기 발광층
107: 전자 수송층
108: 투명 음극
109: 제1 무기물층
110: 시일링 공간
111: 컬러 필터
112: 시일링 기판
113: 시일재
114: 활성층
115: 관통 구멍
116: 제2 무기물층
117: 촉진층
120, 121: 블랙 매트릭스
Claims (22)
- 제1 기판과,
상기 제1 기판 상에 설치된 복수의 유기 EL소자와,
상기 복수의 유기 EL소자를 피복하는 제1 무기물층과,
상기 제1 기판 상에 있어서의 상기 복수의 유기 EL소자가 설치되어 있지 않은 영역에 설치되어, 적어도 흡습성 및 이산화성(易酸化性)의 한쪽을 갖는 재료로 이루어지는 활성층과,
상기 활성층을 피복하는 제2 무기물층과,
상기 제1 기판과 상기 복수의 유기 EL소자를 통하여 대향 배치된 제2 기판과,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 간극에 설치되어, 상기 복수의 유기 EL소자 및 상기 활성층을 둘러싸는 시일재를 구비하고,
상기 제2 무기물층에 설치된 관통 구멍을 통하여 상기 활성층이 상기 제1 기판, 상기 제2 기판 및 상기 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출되어 있으며,
상기 관통 구멍은 크랙인 것을 특징으로 하는 유기 EL장치. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 복수의 유기 EL소자는 상기 제1 기판 상에 행렬상으로 배열되어 있고, 상기 활성층이 상기 복수의 유기 EL소자의 주위를 둘러싸도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치. - 제1항에 있어서,
상기 활성층은 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 알칼리 금속 산화물, 알칼리 토류 금속 산화물, 알칼리 금속 불화물, 알칼리 토류 금속 불화물, 이들 중 어느 하나를 포함하는 전하 수송성의 유기물 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치. - 제1 기판과,
상기 제1 기판 상에 설치된 복수의 유기 EL소자와,
상기 복수의 유기 EL소자를 시일링하는 제1 무기물층과,
상기 제1 기판 상에 있어서 상기 복수의 유기 EL소자가 설치되어 있지 않은 영역에 형성되어, 적어도 흡습성 및 이산화성의 한쪽을 갖는 재료로 이루어지는 활성층과,
상기 활성층을 피복하는 제2 무기물층과,
상기 제1 기판과 상기 복수의 유기 EL소자를 통하여 대향 배치된 제2 기판과,
상기 제1 기판과, 이에 대향 배치된 상기 제2 기판의 간극에 설치되어, 상기 복수의 유기 EL소자 및 상기 활성층을 둘러싸는 시일재를 구비하고,
상기 활성층을 피복하도록 상기 제2 무기물층을 형성하는 공정과,
상기 제1 기판과, 이에 대향 배치된 상기 제2 기판의 간극을 상기 시일재에 의해 접합하는 공정과,
상기 접합하는 공정 후에, 상기 제2 무기물층에 관통 구멍을 설치함으로써 상기 활성층을 상기 제1 기판, 상기 제2 기판 및 상기 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출시키는 공정에 의해,
상기 활성층은 상기 제2 무기물층에 설치된 관통 구멍을 통하여 상기 제1 기판, 상기 제2 기판 및 상기 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치. - 제5항에 있어서,
상기 관통 구멍은 크랙인 것을 특징으로 하는 유기 EL장치. - 제5항에 있어서,
상기 복수의 유기 EL소자는 상기 제1 기판 상에 행렬상으로 배열되어 있으며, 상기 활성층이 상기 복수의 유기 EL소자의 주위를 둘러싸도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치. - 제5항에 있어서,
상기 활성층은 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 알칼리 금속 산화물, 알칼리 토류 금속 산화물, 알칼리 금속 불화물, 알칼리 토류 금속 불화물, 이들 중 어느 하나를 포함하는 전하 수송성의 유기물 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치. - 제1 기판 상에 복수의 유기 EL소자를 형성하는 공정과,
상기 복수의 유기 EL소자를 시일링하는 제1 무기물층을 형성하는 공정과,
상기 제1 기판 상에 있어서의 상기 복수의 유기 EL소자가 형성되어 있지 않은 영역에 적어도 흡습성 또는 이산화성을 갖는 재료로 이루어지는 활성층을 형성하는 공정과,
상기 활성층을 피복하도록 제2 무기물층을 형성하는 공정과,
상기 제1 기판 및 해당 제1 기판과 상기 유기 EL소자를 통하여 대향 배치된 제2 기판의 간극을 시일재에 의해 접합하는 공정과,
상기 접합하는 공정 후에, 상기 제2 무기물층에 관통 구멍을 설치함으로써 상기 활성층을 상기 제1 기판, 상기 제2 기판 및 상기 시일재에 의해 형성되는 시일링 공간에 노출시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
활성층을 상기 시일링 공간에 노출시키는 공정에 있어서, 레이저광을 상기 제2 무기물층을 향하여 조사함으로써 상기 관통 구멍을 설치하는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제10항에 있어서,
상기 유기 EL장치의 제조 방법은,
상기 제1 무기물층을 형성하는 공정과 상기 활성층을 형성하는 공정의 사이에 있어서,
상기 활성층의 형성이 예정된 영역에 상기 제2 무기물층보다도 열팽창률이 높은 재료로 이루어지는 열팽창성 촉진층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제10항에 있어서,
상기 유기 EL장치의 제조 방법은,
상기 제1 무기물층을 형성하는 공정과 상기 활성층을 형성하는 공정의 사이에 있어서,
상기 활성층의 형성이 예정된 영역에 광반사성을 갖는 재료로 이루어지는 광반사성 촉진층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제10항에 있어서,
상기 제2 무기물층은 적어도 파장 500㎚ 이하의 빛을 흡수하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제10항에 있어서,
상기 제2 기판은 적어도 파장 500㎚ 이하의 빛을 투과하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
각 유기 EL소자는 제1 기능층을 포함하고,
상기 활성층은 상기 제1 기능층과 동일 재료로 이루어지고, 또한, 상기 활성층을 형성하는 공정은 상기 복수의 유기 EL소자를 형성하는 공정에 있어서의 상기 제1 기능층의 형성과 동시에 실시되고,
상기 제2 무기물층은 상기 제1 무기물층과 동일 재료로 이루어지고, 또한, 상기 제2 무기물층을 형성하는 공정은 상기 제1 무기물층을 형성하는 공정과 동시에 실시되는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제15항에 있어서,
상기 제1 기능층이 전자 수송층인 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제15항에 있어서,
활성층을 상기 시일링 공간에 노출시키는 공정에 있어서, 레이저광을 상기 제2 무기물층을 향하여 조사함으로써 상기 관통 구멍을 설치하는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제17항에 있어서,
각 유기 EL소자는 상기 제1 기능층의 형성보다도 전에 형성되는 것과 함께, 상기 제1 기능층보다도 열팽창률이 높은 재료로 이루어지는 제2 기능층을 더 포함하고,
상기 복수의 유기 EL소자를 형성하는 공정에 있어서, 상기 제2 기능층과 동일 재료로 이루어지는 열팽창성 촉진층이 상기 제2 기능층의 형성과 동시에 상기 활성층의 형성이 예정된 영역에 형성되고,
상기 활성층을 형성하는 공정에 있어서, 상기 활성층은 상기 열팽창성 촉진층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제17항에 있어서,
각 유기 EL소자는 상기 제1 기능층의 형성보다도 전에 형성되는 것과 함께, 광반사성을 갖는 재료로 이루어지는 제2 기능층을 더 포함하고,
상기 복수의 유기 EL소자를 형성하는 공정에 있어서, 상기 제2 기능층과 동일 재료로 이루어지는 광반사성 촉진층이 상기 제2 기능층의 형성과 동시에 상기 활성층의 형성이 예정된 영역에 형성되고,
상기 활성층을 형성하는 공정에 있어서, 상기 활성층은 상기 광반사성 촉진층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제19항에 있어서,
상기 제2 기능층이 전극인 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 활성층은 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 알칼리 금속 산화물, 알칼리 토류 금속 산화물, 알칼리 금속 불화물, 알칼리 토류 금속 불화물, 이들 중 어느 하나를 포함하는 전하 수송성의 유기물 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법. - 제17항에 있어서,
상기 제1 기판은 적어도 파장 500㎚ 이하의 빛을 투과하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2010/001361 WO2011108020A1 (ja) | 2010-03-01 | 2010-03-01 | 有機el装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120136433A KR20120136433A (ko) | 2012-12-20 |
KR101663840B1 true KR101663840B1 (ko) | 2016-10-07 |
Family
ID=44504834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020107024417A KR101663840B1 (ko) | 2010-03-01 | 2010-03-01 | 유기 el 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8604490B2 (ko) |
JP (1) | JP5576296B2 (ko) |
KR (1) | KR101663840B1 (ko) |
CN (1) | CN102326448B (ko) |
WO (1) | WO2011108020A1 (ko) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201138029A (en) * | 2010-03-26 | 2011-11-01 | Kyocera Corp | Light-reflecting substrate, substrate which can be mounted in light-emitting element, light-emitting device, and process for production of substrate which can be mounted in light-emitting element |
KR101722026B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2017-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 패널, 평판 표시 패널용 원장기판, 및 평판 표시 패널 제조 방법 |
JP5858367B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2016-02-10 | シャープ株式会社 | 有機el表示ユニット、有機el表示装置、及び有機el表示ユニットの製造方法 |
KR101521676B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2015-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법 |
JP6296187B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2018-03-20 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
JP6142151B2 (ja) | 2012-07-31 | 2017-06-07 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
KR101473309B1 (ko) | 2012-11-29 | 2014-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
KR20140089856A (ko) * | 2013-01-07 | 2014-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR102082780B1 (ko) * | 2013-01-10 | 2020-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
JP6054763B2 (ja) | 2013-02-12 | 2016-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP2015122148A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2015216096A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-12-03 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造装置 |
JP6636736B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2020-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、電子機器の作製方法、及び発光装置 |
JP6557601B2 (ja) * | 2015-12-29 | 2019-08-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、表示装置の製造方法 |
CN110970462B (zh) * | 2018-09-29 | 2022-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
US11038149B2 (en) * | 2018-11-13 | 2021-06-15 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel having light-absorbing photoresist layer |
JP7458847B2 (ja) | 2020-03-24 | 2024-04-01 | キヤノン株式会社 | 表示装置および電子装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005216752A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Seiko Epson Corp | 吸湿ブロック、電気光学装置、電子機器、画像形成装置及び電気光学装置の製造方法 |
JP2007265764A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Canon Inc | 有機el素子 |
Family Cites Families (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5443922A (en) | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
JPH05163488A (ja) | 1991-12-17 | 1993-06-29 | Konica Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
US6124006A (en) * | 1995-04-19 | 2000-09-26 | Capitol Specialty Plastics, Inc. | Modified polymers having controlled transmission rates |
JPH10114310A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Daicel Chem Ind Ltd | 包装加工方法 |
JP3817081B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2006-08-30 | パイオニア株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JP4342023B2 (ja) * | 1999-03-11 | 2009-10-14 | トヨタ自動車株式会社 | 吸湿膜及び有機el表示装置 |
JP2000294369A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Chisso Corp | 有機el素子 |
JP2001068266A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-16 | Toyota Motor Corp | 有機el素子及びその製造方法 |
US6833668B1 (en) * | 1999-09-29 | 2004-12-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display device having a desiccant |
JP2001167875A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Toyota Motor Corp | 有機el素子の吸着剤保持構造 |
JP3409762B2 (ja) * | 1999-12-16 | 2003-05-26 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
SG111923A1 (en) * | 2000-12-21 | 2005-06-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP4306977B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2009-08-05 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 粉体保持シート、粉体保持シートの製造方法及び該粉体保持シートを備えた有機el表示装置 |
JP4841751B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2011-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機半導体装置及びその作製方法 |
US6470594B1 (en) * | 2001-09-21 | 2002-10-29 | Eastman Kodak Company | Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication utilizing vent holes or gaps |
JP4305811B2 (ja) * | 2001-10-15 | 2009-07-29 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置、画像表示装置およびその製造方法 |
JP4023655B2 (ja) * | 2001-11-07 | 2007-12-19 | 双葉電子工業株式会社 | 透明膜状乾燥剤及び透明液状乾燥剤 |
US7141817B2 (en) * | 2001-11-30 | 2006-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP3977669B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2007-09-19 | 双葉電子工業株式会社 | 有機el素子 |
US6770502B2 (en) * | 2002-04-04 | 2004-08-03 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures |
WO2003096752A1 (en) * | 2002-05-10 | 2003-11-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent panel |
KR100460210B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2004-12-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
JP2004207084A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2004296202A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Tohoku Pioneer Corp | 有機elパネル及びその製造方法 |
JP2004348971A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-12-09 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el表示パネル及びその製造方法 |
KR100496286B1 (ko) * | 2003-04-12 | 2005-06-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
TWI241148B (en) * | 2003-05-21 | 2005-10-01 | Pioneer Corp | Organic electroluminescence display panel |
JP2005011794A (ja) * | 2003-05-22 | 2005-01-13 | Tohoku Pioneer Corp | 有機elパネル及びその製造方法 |
JP4820536B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2011-11-24 | 彬雄 谷口 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
KR100563059B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조에 사용되는레이저 열전사용 도너 필름 |
US7495644B2 (en) * | 2003-12-26 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing display device |
KR100542771B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-01-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 |
US7423373B2 (en) * | 2004-03-26 | 2008-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
KR100591254B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2006-06-19 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
JP2005317476A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
US7476908B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7491590B2 (en) * | 2004-05-28 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor in display device |
DE102004035965B4 (de) * | 2004-07-23 | 2007-07-26 | Novaled Ag | Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit zumindest einer organischen Schicht |
US7316756B2 (en) * | 2004-07-27 | 2008-01-08 | Eastman Kodak Company | Desiccant for top-emitting OLED |
US20060093795A1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-05-04 | Eastman Kodak Company | Polymeric substrate having a desiccant layer |
JP2006185840A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Tohoku Pioneer Corp | シート状乾燥部材、有機elパネル、有機elパネルの製造方法 |
KR100670328B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
JP2007103317A (ja) | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | El表示パネル |
KR100700831B1 (ko) * | 2005-11-16 | 2007-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 열 전사법 및 이를 이용한 유기 발광소자의제조방법 |
US7508130B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-03-24 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
US20070172971A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Eastman Kodak Company | Desiccant sealing arrangement for OLED devices |
EP1863105B1 (en) * | 2006-06-02 | 2020-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
JP2007335365A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
US7646015B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device |
KR100824902B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US8153201B2 (en) * | 2007-10-23 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting device, and evaporation donor substrate |
JP4920548B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-04-18 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
KR101689519B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2016-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 증착용 기판, 증착용 기판의 제조방법, 및 발광장치의 제조방법 |
JP5174145B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2013-04-03 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
KR101563763B1 (ko) * | 2008-05-07 | 2015-10-27 | 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 | 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들 |
JP2010182449A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Fujifilm Corp | 有機el表示装置 |
US7948178B2 (en) * | 2009-03-04 | 2011-05-24 | Global Oled Technology Llc | Hermetic seal |
TW201101478A (en) * | 2009-03-25 | 2011-01-01 | Toppan Printing Co Ltd | Organic electroluminescence device, method for manufacturing the same, image display device, and method for manufacturing the same |
KR101700989B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2017-01-31 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 유기 전자 디바이스 및 그 제조 방법 |
JP4599469B1 (ja) * | 2009-08-31 | 2010-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子 |
WO2011045911A1 (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | パナソニック株式会社 | 表示パネル装置及びその製造方法 |
US20120242937A1 (en) * | 2009-10-30 | 2012-09-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electro-optic device and method for manufacturing same |
KR102138213B1 (ko) * | 2010-11-24 | 2020-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 광 디바이스 및 유기 광 디바이스의 보호 부재 |
US8809879B2 (en) * | 2011-04-07 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and a method of manufacturing light-emitting device |
JP6151888B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2017-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
-
2010
- 2010-03-01 WO PCT/JP2010/001361 patent/WO2011108020A1/ja active Application Filing
- 2010-03-01 CN CN201080001932.8A patent/CN102326448B/zh active Active
- 2010-03-01 JP JP2010543246A patent/JP5576296B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-01 KR KR1020107024417A patent/KR101663840B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-03-09 US US13/043,872 patent/US8604490B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005216752A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Seiko Epson Corp | 吸湿ブロック、電気光学装置、電子機器、画像形成装置及び電気光学装置の製造方法 |
JP2007265764A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Canon Inc | 有機el素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011108020A1 (ja) | 2011-09-09 |
JPWO2011108020A1 (ja) | 2013-06-20 |
KR20120136433A (ko) | 2012-12-20 |
CN102326448A (zh) | 2012-01-18 |
US8604490B2 (en) | 2013-12-10 |
CN102326448B (zh) | 2015-03-25 |
JP5576296B2 (ja) | 2014-08-20 |
US20110210348A1 (en) | 2011-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101663840B1 (ko) | 유기 el 장치 및 그 제조 방법 | |
JP4655942B2 (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 | |
US8956965B2 (en) | Display panel manufacturing method, display panel, and display apparatus | |
US20100200846A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
KR102465503B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US8717260B2 (en) | EL display panel, EL display device provided with EL display panel, organic EL display device, and method for manufacturing EL display panel | |
US10181582B2 (en) | Organic EL element comprising first and second interlayers of specified materials and thicknesses, and method for manufacturing thereof | |
KR20080095765A (ko) | 유기 el 장치 | |
US20140353600A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
JP2012094513A (ja) | 有機発光表示装置 | |
WO2013047622A1 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
US8350471B2 (en) | EL display panel, EL display device provided with EL display panel, organic EL display device, and method for manufacturing EL display panel | |
JP2013051158A (ja) | 表示装置 | |
US9825250B2 (en) | Light-emitting element, display device, and method for manufacturing light-emitting element | |
WO2013051070A1 (ja) | 発光素子及び発光素子の製造方法 | |
KR101717333B1 (ko) | 발광소자 및 발광소자의 제조 방법 | |
WO2018173177A1 (ja) | 有機el表示装置及びその製造方法 | |
JP5553518B2 (ja) | 画像表示装置 | |
JP2014022221A (ja) | 表示パネルの製造方法 | |
JP2011150828A (ja) | 有機el装置およびその製造方法 | |
JP2013134847A (ja) | 表示パネルの製造方法および表示パネル | |
JP5974245B2 (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
JP2021150117A (ja) | 表示パネルおよびその製造方法 | |
JP2010049986A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2010257694A (ja) | 画像表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |