JP5174145B2 - 有機elパネル及びその製造方法 - Google Patents
有機elパネル及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5174145B2 JP5174145B2 JP2010500477A JP2010500477A JP5174145B2 JP 5174145 B2 JP5174145 B2 JP 5174145B2 JP 2010500477 A JP2010500477 A JP 2010500477A JP 2010500477 A JP2010500477 A JP 2010500477A JP 5174145 B2 JP5174145 B2 JP 5174145B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- coating film
- sealing
- layer
- panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 119
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 119
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 72
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 64
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 claims description 24
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 22
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 17
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 161
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- -1 polyacrylic Polymers 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 4
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 4
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical class C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOOYUDELHVBLU-UHFFFAOYSA-N 5-(4-tert-butylphenoxy)-1H-pyrazole Chemical compound C(C)(C)(C)C1=CC=C(C=C1)OC1=NNC=C1 TYOOYUDELHVBLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910000373 gallium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N gallium;sulfuric acid Chemical compound [Ga].OS(O)(=O)=O SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L lithium sulfate Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-]S([O-])(=O)=O INHCSSUBVCNVSK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);titanium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[Ti+4].[O-]S([O-])(=O)=O DCKVFVYPWDKYDN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-aminoazetidine-1-carboxylate;hydrochloride Chemical compound Cl.CC(C)(C)OC(=O)N1CC(N)C1 RBTVSNLYYIMMKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910000348 titanium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機ELパネル及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
有機EL(electroluminescence)パネルは、有機EL素子を発光素子として備えるもので、例えば携帯電話の表示画面,車載用或いは家庭用電子機器のモニタ画面,パーソナルコンピュータやテレビジョン受像装置の情報表示画面,宣伝用点灯パネル等に用いられる各種表示装置として、スキャナやプリンタ等に用いられる各種光源として、一般照明や液晶表示装置のバックライト等に用いられる照明装置として、或いは、光電変換機能を利用した光通信用デバイスとして、各種用途に利用可能な自発光パネルである。
【0003】
有機EL素子は大気に含まれる水分等に触れると発光特性が劣化する性質があるので、有機ELパネルを長時間安定的に作動させるためには、有機EL素子を大気から遮断するための封止構造が必要不可欠になっている。有機ELパネルの封止構造としては、金属製又はガラス製の封止部材と有機EL素子が形成された基板とを貼り合わせて、有機EL素子を囲う封止空間を形成し、その封止空間内に乾燥剤を配備する構造(中空封止構造)が一般に採用されている。また、パネルの更なる薄型化や強度向上等を考慮して、基板上の有機EL素子を空間無く直接封止材料で被覆する固体封止構造の検討も進められている。
【0004】
特許文献1に記載された従来技術は、表面に有機EL素子を備えた第1の基板と、この第1の基板と貼り合わせられた第2の基板と、この第2の基板の表面に形成された乾燥剤層とを具備し、この乾燥剤層の表面が樹脂層からなる応力緩衝層で被覆されている。
【0005】
【特許文献1】
特開2003−317936号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
前述した中空封止構造を採用した有機ELパネルでは、封止空間の存在がパネルの厚さに大きく影響することになるので、パネルの薄型化のためには、必然的に封止空間の間隙を小さくせざるを得ない。その場合には、基板や封止部材の変形によって封止部材の内面や封止部材の内面に配備した乾燥剤層が基板上の有機EL素子に接触することがある。
【0007】
乾燥剤層としては、バインダ樹脂と無機材料の乾燥成分とを含むものが用いられており、無機材料の乾燥成分は粒状又は顆粒状をなすので、乾燥剤層の表面には微細な凹凸が形成されているが、この表面が有機EL素子に接触すると、有機EL素子に機械的なダメージを与えることになり、これによってリーク等の発光不良を招く不具合が生じる。前述した従来技術(特許文献1)では、この不具合を解消するために、乾燥剤層を樹脂層からなる応力緩衝層で被覆しており、乾燥剤層の表面の凹凸が直接有機EL素子に接触しないようにしている。
【0008】
しかしながら、この従来技術では、有機EL素子が表面に形成される基板(第1の基板)は成膜室から封止処理室に搬送されるが、乾燥剤層及びそれを被覆する応力緩衝層が形成される封止部材(第2の基板)は、前述した成膜室とは別の雰囲気中を経由して封止処理室に搬送されることになるので、その搬送過程で応力緩衝層の表面に塵等が付着することがあり、応力緩衝層を設けていたとしてもその表面が有機EL素子の表面に接触すると、付着した塵などで有機EL素子にダメージが与えられる不具合が生じる。
【0009】
また、前述した従来技術では、乾燥剤層を樹脂層からなる応力緩衝層で被覆してしまうので、封止空間内に侵入した水分は樹脂層を介さないと乾燥剤層に吸着されないことになり、封止空間内に侵入する水分を吸着する乾燥剤層本来の機能が低下する問題が生じる。
【0010】
一方、前述した固体封止構造を採用する場合には、有機EL素子の表面に封止接着層が接触することになるが、接着力の強化やパネル全体の強度を高めるために、封止接着剤内にフィラーなどの骨材を混合させることがあり、この場合には、その骨材の存在による表面の凹凸が有機EL素子の表面に当たり、やはり有機EL素子に機械的なダメージを与える不具合が生じる。
[0011]
本発明は、このような事情に対処するために提案されたものであって、パネルの薄型化を達成するに際して、有機EL素子に機械的なダメージが加わらないようにすること、パネル自体の機械的な強度を高めること等が本発明の目的であり、より具体的には、有機EL素子が形成された基板と封止部材とを貼り合わせた有機ELパネルにおいて、パネルの薄型化を達成すると共に、封止部材の内面に配備した乾燥剤と有機EL素子表面との接触を避け、また、乾燥剤による十分な水分吸着機能を維持することで、有機ELパネルの良好な発光特性を維持すること、等が本発明の目的である。
課題を解決するための手段
[0012]
このような目的を達成するために、本発明による有機ELパネル及びその製造方法は、以下の特徴を少なくとも具備するものである。
【0013】
基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルであって、前記有機EL素子は、発光層を含み、前記基板上に直接又は他の層を介して形成された第1電極上に成膜された有機層と、該有機層上に成膜された第2電極とを備え、前記基板上に、少なくとも前記第2電極上に直接成膜することによって形成され、前記発光部を被覆する被覆膜を備え、前記封止構造は、前記発光部を囲む接着剤層を介して、前記基板に封止部材を貼り合わせて形成され、前記封止部材の内面にシート状乾燥剤又は封止接着剤が配備され、前記シート状乾燥剤又は封止接着剤は、バインダ樹脂と無機材料による乾燥成分を含み、該乾燥成分が前記被覆膜と接触し、該無機材料が当該シート状乾燥剤又は封止接着剤の表面に凸状部を形成し、該被覆膜の表面が前記凸状部による凹部を形成し、前記被覆膜は、アモルファス状の有機材料からなり、前記凸状部の長さよりも膜厚を厚く成膜することを特徴とする有機ELパネル。
【0014】
基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルの製造方法であって、前記基板上に直接又は他の層を介して第1電極を形成し、該第1電極上に素子領域を画定する素子領域画定工程と、真空雰囲気内で、素子領域が画定された前記第1電極上に発光層を含む有機層を成膜し、該有機層上に第2電極を成膜する成膜工程と、前記基板上に、アモルファス状の有機材料からなり前記発光部を被覆する被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、前記発光部を封止する封止工程とを有し、前記封止工程は前記基板に前記発光部を囲む接着剤層を介して内面にシート状乾燥剤又は封止接着剤が配備された封止部材を貼り合わせ、前記シート状乾燥剤又は封止接着剤は、バインダ樹脂と無機材料による乾燥成分を含み、該乾燥成分が前記被覆膜と接触し、該無機材料が当該シート状乾燥剤又は封止接着剤の表面に凸状部を形成し、前記乾燥成分が接触する前記被覆膜の表面が前記凸状部による凹部を形成し、前記被覆膜形成工程は、前記成膜工程からの真空一貫で、前記被覆膜を、当該被覆膜の表面に接触する前記シート状乾燥剤の前記凸状部の長さよりも膜厚を厚く成膜することを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
【図面の簡単な説明】
[0015]
[図1]本発明の一実施形態に係る有機ELパネルを説明する説明図であり、(A)は本発明の第1実施形態に係る有機ELパネル10の断面図であり、(B)は本発明の第2実施形態に係る有機ELパネル10Aの断面図である。
[図2](A)は図1(A)に示した有機ELパネル10の要部の拡大断面図であり、(B)は図1(B)に示した有機ELパネル10Aの要部の拡大断面図である。
[図3](A)は本発明の第3実施形態に係る有機ELパネル10Cの断面図であり、(B)は本発明の第4実施形態に係る有機ELパネル10Dの断面図である。
[図4]本発明の一実施形態に係る有機ELパネルの製造方法を説明するフローチャートである。
[図5]有機ELパネルの一実施形態に係る製造装置を説明する説明図である。
[図6]本発明の一実施例に係る有機EL素子を説明する説明図である。
[図7]本発明に係る有機ELパネルの効果を説明するための説明図である。
発明を実施するための最良の形態
[0016]
本発明の一実施形態に係る有機ELパネルは、基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルであって、有機EL素子は、発光層を含み、基板上に直接又は他の層を介して形成された第1電極上に成膜された有機層と、該有機層上に成膜された第2電極とを備え、基板上に、少なくとも第2電極上に直接成膜することによって形成され、発光部を被覆する被覆膜を備え、該被覆膜は、アモルファス状の有機材料からなり、該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さを有することを特徴とする。
[0017]
上記有機ELパネルでは、被覆膜が、少なくとも第2電極上に直接成膜することによって形成され、発光部を被覆しており、この被覆膜がアモルファス状の有機材料からなり、該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さを有するので、被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸による有機EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。
詳細には、アモルファス状の有機材料からなる被覆膜が、接触対象(例えば乾燥剤等)による応力を分散する緩衝層として機能することで、有機EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。
特に、比較的薄型の有機ELパネルにおいて、例えば乾燥剤等の接触対象と有機EL素子との間隔が比較的小さい場合であっても、上記アモルファス状の有機材料からなる被覆膜が有機EL素子上に形成されているので、有機EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。緩衝層は弾性率が高い方が好ましい。
【0018】
また、本発明の一実施形態に係る有機ELパネルは、上記被覆膜が形成されているので、パネル自体が比較的高い強度を有する。
【0019】
また、上記有機EL素子が形成された基板と封止部材とを貼り合わせた有機ELパネルは、上記被覆膜を有するので、パネルの薄型化を達成すると共に、封止部材の内面に配備した乾燥剤と有機EL素子表面との接触を避けることができる。
また、有機ELパネルにおいて、有機EL素子上に被覆膜が形成され、その被覆膜上に封止接着剤を介して封止部材で覆う封止構造を備えることで、更に、パネルの薄型化を達成すると共に、有機EL素子に機械的なダメージが加わらないようにすることができる。
【0020】
また、乾燥剤による十分な水分吸着機能を維持することで、有機ELパネルの良好な発光特性を維持することができる。
【0021】
また、本発明の一実施形態に係る有機ELパネルの製造方法は、基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルの製造方法であって、基板上に直接又は他の層を介して第1電極を形成し、該第1電極上に素子領域を画定する素子領域画定工程と、真空雰囲気内で、素子領域が画定された第1電極上に発光層を含む有機層を成膜し、該有機層上に第2電極を成膜する成膜工程と、基板上に、アモルファス状の有機材料からなり発光部を被覆する被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、発光部を封止する封止工程とを有し、被覆膜形成工程は、成膜工程からの真空一貫で、被覆膜を、当該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する厚さに成膜することを特徴とする。
【0022】
例えば、封止部材側に備えられた乾燥剤層を樹脂層からなる応力緩衝層で被覆して、樹脂層の表面の凹凸が直接有機EL素子に接触しないように形成された従来技術に係る有機ELパネルでは、上述したように封止部材は、製造過程で応力緩衝層の表面に塵等が付着することがあり、応力緩衝層を設けていたとしてもその表面が有機EL素子の表面に接触すると、付着した塵などで有機EL素子にダメージが与えられる不具合が生じる場合がある。
一方、本発明に係る有機ELパネルの製造方法は、基板上に、アモルファス状の有機材料からなり発光部を被覆する被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、発光部を封止する封止工程とを有し、被覆膜形成工程は、成膜工程からの真空一貫で、被覆膜を、当該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する厚さに成膜するので、製造工程中、被覆膜と有機EL素子との間に塵等の付着を低減することができ、有機EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。
【0023】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施形態に係る有機ELパネルを説明する説明図であり、図1(A)は本発明の第1実施形態に係る有機ELパネル10の断面図であり、図1(B)は本発明の第2実施形態に係る有機ELパネル10Aの断面図である。図2(A)は図1(A)に示した有機ELパネル10の要部の拡大断面図であり、図2(B)は図1(B)に示した有機ELパネル10Aの要部の拡大断面図である。
【0024】
本発明の第1実施形態に係る有機ELパネル10は、図1(A),図2(A)に示すように、基板1、第1電極(下部電極)2、絶縁膜3、有機層5、第2電極(上部電極)6、発光部50、被覆膜7、封止部材80、乾燥剤81、および接着剤層90を基本構成として備えるものである。
被覆膜7は本発明に係る被覆膜の一実施形態に相当し、発光部50は本発明に係る発光部の一実施形態に相当する。
【0025】
基板1は、ガラス等で形成することができる。発光部50による光を基板1を介して取り出す場合(ボトムエミッション)には、透明部材であることが必要になるが、基板1と逆側に光を取り出す場合(トップエミッション)には、透明部材である必要はない。
【0026】
第1電極(下部電極)2は、例えば基板1上に並列して(ストライプ状に)形成されるもので、基板1を介して光を取り出す場合には、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明電極が用いられ、基板1と逆側に光を取り出す場合には反射率の高いその他の金属電極が用いられる。
【0027】
絶縁膜3は、第1電極2上の発光部50を形成する一部を露出させて他の部分を覆うことで複数の第1電極2間を電気的に絶縁するものであり、例えばドットマトリクス状に発光部50を形成する場合には、第1電極2上の露出部分が格子状に区画されるように、第1電極2の左右両側部を一部覆って一部は基板1上に一部は第1電極2上に形成される。
【0028】
有機層5は、発光層5Cを含む有機EL媒体の層であって、少なくとも絶縁膜3で覆われていない第1電極上に形成されている。前述した発光層と発光層に電子・正孔を供給するための各種機能層(例えば、電子注入・輸送層、正孔注入・輸送層、正孔・電子ブロック層、正孔・電子バッファ層等)を含むものである。
【0029】
第2電極6は、有機層5上に第1電極2と交差するように並列して形成されており、第1電極2との交差部で有機層5を狭持して有機EL素子からなる発光部50を形成するものである。基板1と逆側に光を取り出す場合にはITO等の透明電極もしくは金属電極を薄く形成したものが用いられ、基板1を介して光を取り出す場合には反射率の高いその他の金属電極が用いられる。
【0030】
封止構造としては、例えば図1(A),2(B)に示すように、封止部材80が、発光部50を囲む接着剤層90を介して、基板1に貼り合わせて形成されている。この封止部材80は、ガラス材料、金属材料等などで形成されており、板形状に形成されている。接着剤層90は、樹脂やガラスフリットなどの無機材料で形成されている。
【0031】
図1(A),図2(A)に示した第1実施形態に係る有機ELパネル10において、本発明の一実施形態に係る接触対象は、封止部材80の内面に配備されるシート状の乾燥剤81である。
乾燥剤81は、例えばシート状に形成されている。この乾燥剤81は、バインダ樹脂と乾燥成分を含む構造を有する。バインダ樹脂は、シート状に成形するために必要な材であって、鎖状の分子構造を有する樹脂材料が用いられる。乾燥成分は、水分を吸着する性質を有する無機材料によって構成することができ、粒子状をなしてバインダ樹脂内に分散されている。
バインダ樹脂としては、乾燥成分の水分吸着作用を妨げないものであることが好ましく、例えば比較的気体透過性の高い材料(気体透過性樹脂)を用いる。バインダ樹脂としては、詳細には、ポリオレフィン系、ポリアクリル系、ポリアクリロニトリル系、ポリアミド系、ポリエステル系、エポキシ系、ポリカーボネート系等の高分子材料を用いることができる。この中でも、バインダ樹脂としては、比較的高期待透過性のポリオレフィン系の気体透過性樹脂が好ましい。具体的には、バインダ樹脂としては、ポリエチレン,ポリプロピレン,ポリブタジエン,ポリイソプレン,これらの共重合体などを挙げることができ、好ましくは、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)を用いることができる。
乾燥成分としては、水分吸着機能を有し、特に、化学的に水分を吸着すると共に吸着した後でも固体状態を維持する化合物が好ましい。例えば、この乾燥成分は、金属酸化物、金属の無機酸塩・有機酸塩等が挙げられるが、本実施形態としては、特にアルカリ土類金属酸化物、および硫酸塩の少なくとも一種を用いることが好ましい。アルカリ土類金属酸化物としては、例えば酸化カルシウム(CaO),酸化バリウム(BaO),酸化マグネシウム(MgO)等を挙げることができる。硫酸塩としては、例えば、硫酸リチウム(Li2 SO4 ),硫酸ナトリウム(Na2 SO4 ),硫酸カリウム(CaSO4 ),硫酸マグネシウム(MgSO4 ),硫酸コバルト(CoSO4 ),硫酸ガリウム(Ga2 (SO4 )3 ),硫酸チタン(Ti(SO4 )2 ),硫酸ニッケル(NiSO4 )等を挙げることができる。その他にも、吸湿性を有する有機材料を用いることもできる。
【0032】
被覆膜7は、基板1上に、少なくとも第2電極6上に直接成膜することによって形成され、発光部50を被覆する。本実施形態に係る被覆膜7は、基板1の一面を含めて、第1電極2、有機層5、および第2電極6を被覆する。この被覆膜7は、接触対象に対する緩衝層として機能する。
被覆膜7は、詳細には、アモルファス状の有機材料からなり、その被覆膜7の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さ(D7)を有する。
アモルファス状の有機物としては、成膜時に有機層5や第2電極6にダメージを与えない蒸着による成膜可能な有機材料である。また、この有機物としては、成膜時にアモルファス状になるようになるものであればよく、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジン(NPB),アルミキノリノール錯体(Alq3 )等を用いることができる。
また、被覆膜7は、アモルファス状の有機材料に吸湿成分を含んでもよい。被覆膜7に吸湿成分を含むことで、外部からのガスによる有機EL素子の発光特性の劣化などの不具合を低減することができる。また、例えば後述するように隔壁が設けられた有機ELパネルの場合には、この隔壁から放出されるアウトガスの影響を、被覆膜7の吸湿成分により低減することができる。
被覆膜7中の吸湿成分(吸着剤)としては、詳細には、アルカリ金属、又はアルカリ土類金属(ナトリウム(Na),カリウム(K),カルシウム(Ca),マグネシウム(Mg)などの塩の無水物,塩化物,硫化物,酸化物等を用いることができ、例えば無水硫酸マグネシウム,無水硫酸ナトリウム,塩化カルシウム,塩化リチウム,酸化カルシウム,酸化バナジウム,酸化ストロンチウム等を用いることができる。
【0033】
封止構造としては、被覆膜7で被覆された有機EL素子を封止空間内Mで封止する中空封止と、被覆膜7で被覆された有機EL素子を封止空間を設けることなく封止する固体封止がある。
図1(A),図2(A)に示した第1実施形態に係る有機ELパネル10は中空封止の例であり、被覆膜7の本発明の一実施形態に係る接触対象としては乾燥剤81である。この被覆膜7の厚み7D(基板1の垂直方向に沿った厚み)としては、例えば乾燥剤81の乾燥成分である乾燥剤の粒径、または乾燥剤81の表面の凹凸長(凸状部811の長さ)より厚く、好ましくは約1.5倍以上厚く形成されている。特に薄型の有機ELパネルの場合には、被覆膜7の厚み7Dが、乾燥剤81の粒径、または乾燥剤81の表面の凹凸長(凸状部811の長さ)の約1.5〜4倍であることが好ましく、最適には約3倍である。
被覆膜7の厚み7D(基板1の垂直方向に沿った厚み)は、例えば被覆膜7の表面から発光部50までの長さ、詳細には、被覆膜7の表面から第2電極6上部までの長さである。
この被覆膜7の厚み7Dは、例えば、被覆膜7を蒸着法により製造する場合には、蒸着時間に応じて厚くなる。このため、予め測定された蒸着時間と厚み7Dとが関連付けられたデータ(蒸着時間・厚み変換テーブル)を用いて、被覆膜7の厚み7Dが、例えば接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さとなるように規定の蒸着時間で蒸着を行い、本発明に係る被覆膜7を形成する。
【0034】
上記構成の有機ELパネル10では、例えば封止部材80が外力などにより凹形状に歪み、シート状乾燥剤81が被覆膜7に接触した場合でも、被覆膜7が乾燥剤81の表面凹凸を吸収する成膜厚さ7Dを有するので、乾燥剤81と有機EL素子表面との接触を避けることができる。また、有機EL素子に機械的なダメージが加わることを抑止することができる。
詳細には、例えば図2(A)に示すように、シート状乾燥剤81は、バインダ樹脂と無機材料による乾燥成分を含み、乾燥成分が被覆膜7と接触し、該無機材料がシート状乾燥剤81の表面に凸状部811を形成し、被覆膜7の表面が凸状部による凹部を形成して、乾燥剤81と有機EL素子表面との接触を避けることができる。
【0035】
図1(B),図2(B)に示した第2実施形態に係る有機ELパネル10Aは固体封止の例であり、被覆膜7の本発明の一実施形態に係る接触対象としては封止接着剤82である。
第2実施形態に係る封止接着剤82は、第1実施形態のシート状乾燥剤に相当し、樹脂等で形成されている。封止接着剤82表面に付着する異物等が凸状部811を形成され、被覆膜7には封止接着剤82の凸状部821に応じた形状になるように、表面に凹部701が形成されていて、凸状部821と凹部701とが嵌合している。また、他の例として封止接着剤82にバインダ樹脂と無機材料による無機フィラーや乾燥成分を含み、その乾燥成分が被覆膜7と接触している。詳細には、封止乾燥剤82の表面に無機フィラーや乾燥成分の無機材料の粒子による凸状部821が形成され、被覆膜7は、封止乾燥剤82の凸状部821に応じた形状となるように、表面に凹部701が形成されており、凸状部821と凹部701とが嵌合している。このような凸状部821と凹部701との嵌合構造は、蒸着製造法により比較的簡単に作製することができる。
【0036】
上述したように、第2実施形態に係る有機ELパネル10Aでは、例えば第1実施形態に係る有機ELパネル10と比べて、封止空間Mがない分だけ薄型に形成することができ、更に、比較的高い強度を有する。
また、封止部材80が外力などにより凹形状に歪んだ場合でも、被覆膜7が乾燥剤81の表面凹凸を吸収する成膜厚さ7Dを有するので、乾燥剤81と有機EL素子表面との接触を避けることができ、内部応力を被覆膜7内に分散することができ、有機EL素子に機械的なダメージが加わることを抑止することができる。
【0037】
図3(A)は本発明の第3実施形態に係る有機ELパネル10Cの断面図である。なお、第1及び第2実施形態と同一の部分には、同一の番号を付して重複した説明は省略する。
【0038】
本発明の第3実施形態に係る有機ELパネル10Cは、絶縁膜3上に隔壁4が形成されている。
この隔壁4は、絶縁膜3上に第1電極2と交差するように、複数並列して(図示の例では紙面に対して直交方向に沿ったストライプ状に)形成され、略逆台形状の断面を有する。略台形状というのは、隔壁4の上面の幅が絶縁膜3上の下面の幅より大きい状態であればよく、T字形状のものも含む。隔壁4の側面は平面であっても、若干湾曲した曲面であっても、T型を形成するために屈折した面であってもよい。
【0039】
被覆膜7は、図3(A)に示すように、隔壁4を覆うような厚みに形成されている。被覆膜7の上部から第2電極6までの厚みが、乾燥剤81の凸状部811の長さよりも厚ければよい。また、好ましくは、被覆膜7の上部から隔壁4の上部までの厚みが、乾燥剤81の凸状部811の長さよりも厚ければよい。
具体的には、例えば、隔壁4の厚みが約3μm程度の厚みで形成されている場合、被覆膜7は緩衝層として機能するように、隔壁4と面一となる略同一厚みの約3μm程度、又はそれ以上の膜厚に形成されていればよい。
【0040】
上記構成の有機ELパネル10Cでは、封止部材80が外力などにより凹形状に歪んだ場合でも、乾燥剤81と有機EL素子表面との接触を避けることができ、内部応力を被覆膜7内に分散することができ、有機EL素子に機械的なダメージが加わることを抑止することができる。
【0041】
図3(B)は本発明の第4実施形態に係る有機ELパネル10Dの断面図である。なお、第1及び第2実施形態と同一の部分には、同一の番号を付して重複した説明は省略する。
第1〜第3実施形態に係る有機ELパネルは、パッシブマトリクス型であったが、図3(B)に示すように、アクティブマトリクス型有機ELパネルに本発明を適用してもよい。
詳細には、第4実施形態に係る有機ELパネル10Dは、基板1上に薄膜トランジスタ9(TFT:Thin Film Transistor)がマトリクス状に画素毎に形成され、TFT9上に平坦化絶縁層301が形成され、その上にTFT9に電気的に接続された第1電極2が形成されている。第1電極2上には有機層5が形成され、その上には第2電極6が形成されている。この第2電極6上には、被覆膜7が規定の厚みに形成されている。その他の構成は第3実施形態に係るパッシブ型有機ELパネルと略同様の構成となっているので、説明を省略する。
【0042】
上記構成の有機ELパネル10Dでは、封止部材80が外力などにより凹形状に歪んだ場合でも、封止接着剤82と有機EL素子表面との接触を避けることができ、内部応力を被覆膜7内に分散することができ、有機EL素子に機械的なダメージが加わることを抑止することができる。
【0043】
図4は本発明の一実施形態に係る有機ELパネルの製造方法を説明するフローチャートである。図5は有機ELパネルの一実施形態に係る製造装置を説明する説明図である。
本実施形態に係る有機ELパネルの製造方法は、素子領域画定工程(S1)と、成膜工程(S5)と、被覆膜形成工程(S8)と、封止工程(S9)とを有する。
【0044】
素子領域画定工程(S1)は、基板1上に直接又は他の層を介して第1電極2を形成し、該第1電極2上に素子領域を画定する。詳細には、基板の研磨,洗浄等を含む基板準備工程S2を行った後、第1電極2を形成する第1電極形成工程(S3)を行う。第1電極形成工程(S3)は、詳細には、基板上に第1電極2の電極材料を蒸着,スパッタリング等の薄膜形成技術によって成膜し、その後、フォトリソグラフィ等のパターン形成技術によってストライプ状にパターン形成する。パターン形成後は、必要に応じて、洗浄、乾燥工程を行う。
絶縁膜等形成工程(S4)では、ポリイミド等の有機絶縁材料、或いはSiO2 ,SiN等の無機絶縁材料を用いて、第1電極2が形成された基板1の一面上に成膜した後、パターン形成を行う。具体的には、ポリイミド等の有機絶縁材料を用いる場合には、第1電極2が形成された基板1上にスピンコート法等により所定厚さの膜を形成し、発光部を形成するための開口パターンを有する露光マスクを用いて露光処理を行い、その後現像処理を施すことによって前述した格子状パターンの絶縁膜3を形成する。無機材料によって絶縁膜を形成する場合には、蒸着,スパッタリング等によって成膜を行い、フォトリソグラフィ等のパターン形成技術によって前述した格子状パターンを得る。
また、隔壁が形成されている場合には、隔壁形成工程により、絶縁膜3上にストライプ状に隔壁4を形成する。隔壁4の形状とパターンは、フォトリソグラフィによって形成することができる。すなわち、感光性樹脂を所定の厚さに塗布した後、第1電極2と交差するストライプ状パターンの開口を有するフォトマスクを介して光を照射し、膜の厚さ方向の露光量の違いから生じる現像速度の差を利用して、断面が略逆台形状の隔壁4を形成する。
【0045】
成膜工程(S5)は、真空雰囲気内で、素子領域が画定された第1電極2上に発光層を含む有機層5を成膜し、該有機層5上に第2電極6を成膜する。詳細には、有機層形成工程(S6)では、基板1上に第1電極2,絶縁膜3等を形成した後、これらが形成された基板1上に有機層の各層を成膜することで、少なくとも第1電極2の露出部分上に有機層5を形成する。カラー化のために発光層及び他の機能層で色毎の塗り分けを行う場合には、同一色の発光部形成箇所に対応した開口を有するマスクを用い、マスクを交換するか或いは位置をずらしながら、色毎に成膜する。有機層5の各層の成膜は真空蒸着によって行うことができる。また、有機層5の各層は塗布により成膜を行っても良い。
次に、第2電極形成工程(S7)では、有機層5を成膜した後に、その上に第2電極6の電極材料を成膜する。この際、隔壁4がシャドーマスクとして機能し、隔壁4の間にストライプ状パターンの第2電極6が形成される。
【0046】
被覆膜形成工程(S8)は、吸湿剤とアモルファス状の有機材料とからなる成膜材料を用い、蒸着等の成膜工程により発光部を被覆する被覆膜7を形成する。この際、被覆膜形成工程(S8)は、図5に示すように、製造装置300内で、成膜工程からの真空一貫で、被覆膜7を、当該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する厚さに成膜する。
詳細には、製造装置300は、例えば図5に示すように、搬入部301と搬出部303の間に真空搬送路302が形成されており、真空搬送路302には前処理室310、成膜室1(311),成膜室2(312),・・・,成膜室N(31N),被覆膜形成室320が連結されて形成されている。
製造装置300の搬入部301から、素子領域画定工程S1により第1電極2および絶縁膜3が形成された基板1が搬入され、真空搬送路302を経由して前処理室310、成膜室1(311),成膜室2(312),・・・,成膜室N(31N),被覆膜形成室320と順に搬送されながら、有機層5、第2電極6、被覆膜7が真空一貫で形成された後、搬出部303から搬出されて、封止工程(S9)が施される。
【0047】
また、被覆膜形成工程(S8)では、上述したように、被覆膜形成室320内で、予め測定された蒸着時間と厚み7Dとが関連付けられたデータ(蒸着時間・厚み変換テーブル)を用いて、被覆膜7の厚み7Dが、例えば接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さとなるように規定の蒸着時間で蒸着を行い、本発明に係る被覆膜7を形成する。
【0048】
発光部を封止する封止工程(S9)としては、上述したように、被覆膜7で被覆された有機EL素子を封止空間内Mで封止する中空封止や、被覆膜7で被覆された有機EL素子を封止空間を設けることなく封止する固体封止などを行う。詳細には、封止工程(S9)は、基板1に発光部を囲む接着剤層を介して内面にシート状乾燥剤が配備された封止部材を貼り合わせてもよい。また、封止工程(S9)は、発光部を覆う封止接着剤を介して基板を封止部材で覆ってもよい。
【0049】
以上説明したように、本発明の一実施形態に係る有機ELパネルの製造方法では、被覆膜形成工程(S8)において、製造装置300内で、成膜工程からの真空一貫で、被覆膜7を、当該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する厚さに成膜するので、製造工程中、被覆膜と有機EL素子との間に塵等の付着を低減することができる。このため製造工程中の塵等の付着による有機EL素子に対する機械的なダメージを防止することができる。
【0050】
図6は本発明の一実施例に係る有機EL素子500Eを説明する説明図である。
本発明の一実施例に係る有機EL素子500Eは、図6に示すような素子構造を備える。ガラス製の基板1上にITOを蒸着,スパッタリング等の成膜方法で薄膜形成し、フォトリソグラフィ等によってパターン形成して第1電極2を形成する。第1電極2上に形成される有機層5としては、正孔注入層5AとしてCuPcを30nm、正孔輸送層5BとしてN,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン(NPB)を30nm、発光層5Cとしてクマリンを0.6重量%ドープしたAlq3 を30nm、電子輸送層5DとしてAlq3 を30nm、電子注入層5EとしてLi2Oを1nm、これらをそれぞれ真空蒸着法によって形成する。第2電極6としてはAlを蒸着によって所定厚さ形成する。
【0051】
前述した構成材料に換えて、基板1はプラスチック基板、第1電極2はIZO,ポリ(3,4)−エチレンジオキシチオフェン(PE-DOT)とポリスチレンスルホネート(PSS)とを含む導電性材料(PE−DOT:PSS),正孔注入層5AはPE−DOT:PSS、正孔輸送層5Bはテトラフェニルジアミノジフェニル(TPD),ジフェニルナフチルジアミン(α−NPD),ポリ(p−フェニレンビニレン)(PPV)、発光層5Cのドープ材はペリレン,テトラフェニルブタジェン(TPB)、電子輸送層5Dは(4−ビフェニル)(4−t−ブチルフェニル)オキシジアゾール(PDB),1,2,4−トリアゾール誘導体(TAZ)、電子注入層5EはLiF、第2電極はMgAg,AlLi、等を用いることができる。
有機EL素子は、上述した実施例に限られるものではなく、これらの材料を適宜変更してもよい。また、本発明は、上述した実施形態に限られるものではない。また、封止構造は、上述した実施形態に限られるものではない。
【0052】
次に、本発明の具体的な実施例に係る有機EL素子(有機ELパネル)を説明する。
【0053】
<実施例1>
厚さ0.4mmのガラス製の基板1上に、図6に示す素子構造の有機EL素子500Eを発光素子として形成した有機ELパネル10を作成した。有機EL素子上にアルミキノリール錯体(Alq3)に酸化カルシウム(CaO)をドープしたものを80:20の比率で共蒸着し、6μmの膜厚で被覆膜7を形成した。形成された被覆膜7は、アモルファス状の有機材料としてAlq3、吸湿成分としてCaOが含まれる構成となっている。このとき有機EL素子と被覆膜7は真空一貫で形成する。厚さ0.2mmのステンレス製の封止部材80をUV硬化型エポキシ樹脂製の接着剤90により基板1と封止接合する。粒径が1.5〜4μmの酸化カルシウム(CaO)を乾燥成分、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)をバインダ樹脂として形成したシート乾燥剤81を封止空間内Mに形成する。シート乾燥剤81に含まれるCaOが表面に突出して凸状部811を形成している。この有機ELパネルを実施例1とした。実施例1は、図1(A)、図2(A)に示した有機ELパネルの一実施例に相当する。
実施例1の被覆層7の膜厚を1μmとしたものを比較例1、被覆層7がないものを比較例2とした。
次に、例えば図7に示すように、実施例1、比較例1,2に係る有機ELパネルに対して面押し強度試験を行った。詳細には、先端に曲面部R(=曲率半径10mm)が形成された押し棒92を、台座91上に配置された有機ELパネルの裏面側中心に押圧して発光状態を観測した。図7においてパネルの下側が表示面下側(BB)に相当する。押し棒92の荷重を25N、50N、100Nの3段階で試験を行った。試験の結果を表1に示す。正常発光の場合は評価:良好(○印表記)、異常発光の場合は評価:良好でない(×印表記)とした。
【0054】
【表1】
【0055】
シート乾燥剤81中のCaOの粒径は1.5〜4μmである。シート乾燥剤81表面に形成する凸状部811の1.5倍以上の被覆膜6を形成する実施例では、荷重100Nを加えても正常に発光する有機ELパネルを得られた。
【0056】
<実施例2>
実施例2では、上記実施例1と同様に真空一貫で被覆層6を形成するまで同様に有機ELパネルを作製した。次に樹脂バインダに粒径が2〜6μmの酸化珪素(SiO2 )を無機フィラーとして含有する封止接着剤82により厚さ0.7mmのガラス製の封止部材80Aと基板1を封止接合する。封止接着剤82に含まれるSiO2 )が凸状部821となって被覆層7の凹部701とが嵌合する形状となる。実施例2では空間封止の実施例1よりも有機ELパネルの機械的強度がアップしているので、面押し試験で正常発光となるが、有機EL素子と樹脂バインダが接触するように形成されているので、リーク等の発光不良が生じやすくなる。実施例2では被覆層6の膜厚を1,3,6μmと設定し、比較例として被覆層6無しの有機ELパネルと比較した。実施例2は、図1(B)、図2(B)に示した有機ELパネルの一実施例に相当する。表2に、封止後にリーク発生の有無を観測した結果を示す。リークが発生していない場合は評価:良好(○印表記)、リークが発生している場合は評価:良好でない(×印表記)とした。
【0057】
【表2】
【0058】
以上、説明したように、本発明に係る有機ELパネルは、基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルであって、有機EL素子は、発光層を含み、基板1上に直接又は他の層を介して形成された第1電極2上に成膜された有機層5と、該有機層5上に成膜された第2電極6とを備え、基板1上に、少なくとも第2電極6上に直接成膜することによって形成され、発光部を被覆する被覆膜7を備え、この被覆膜7は、アモルファス状の有機材料からなり、該被覆膜7の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さ(7D)に形成されているので、被覆膜7により、被覆膜7の表面に接触する接触対象(乾燥剤81,封止接着剤82)の表面凹凸による有機EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。つまり、被覆膜7は応力緩衝層として機能する。また、例えば比較的薄型の有機ELパネルであっても、上記EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。更に、被覆膜7に吸湿成分を含み、対象物として乾燥剤81を選択する場合は、有機EL素子上と封止基板側の対象物の両方に吸湿成分を含むことになり、有機ELパネルの良好な発光特性を維持することができる。
また、固体封止構造といった接着剤と有機EL素子が直接コンタクトするようなパネル構造であっても、乾燥剤による十分な水分吸着機能を維持することができる。固体封止構造の場合も被覆膜7に吸湿成分を含み対象物の封止接着剤82に乾燥成分を含有する場合は、有機EL素子と封止基板側の対象物の両方に吸湿成分を含むことになり、有機ELパネルの良好な発光特性を維持することができる。
【0001】
本発明は、有機ELパネル及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
有機EL(electroluminescence)パネルは、有機EL素子を発光素子として備えるもので、例えば携帯電話の表示画面,車載用或いは家庭用電子機器のモニタ画面,パーソナルコンピュータやテレビジョン受像装置の情報表示画面,宣伝用点灯パネル等に用いられる各種表示装置として、スキャナやプリンタ等に用いられる各種光源として、一般照明や液晶表示装置のバックライト等に用いられる照明装置として、或いは、光電変換機能を利用した光通信用デバイスとして、各種用途に利用可能な自発光パネルである。
【0003】
有機EL素子は大気に含まれる水分等に触れると発光特性が劣化する性質があるので、有機ELパネルを長時間安定的に作動させるためには、有機EL素子を大気から遮断するための封止構造が必要不可欠になっている。有機ELパネルの封止構造としては、金属製又はガラス製の封止部材と有機EL素子が形成された基板とを貼り合わせて、有機EL素子を囲う封止空間を形成し、その封止空間内に乾燥剤を配備する構造(中空封止構造)が一般に採用されている。また、パネルの更なる薄型化や強度向上等を考慮して、基板上の有機EL素子を空間無く直接封止材料で被覆する固体封止構造の検討も進められている。
【0004】
特許文献1に記載された従来技術は、表面に有機EL素子を備えた第1の基板と、この第1の基板と貼り合わせられた第2の基板と、この第2の基板の表面に形成された乾燥剤層とを具備し、この乾燥剤層の表面が樹脂層からなる応力緩衝層で被覆されている。
【0005】
【特許文献1】
特開2003−317936号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
前述した中空封止構造を採用した有機ELパネルでは、封止空間の存在がパネルの厚さに大きく影響することになるので、パネルの薄型化のためには、必然的に封止空間の間隙を小さくせざるを得ない。その場合には、基板や封止部材の変形によって封止部材の内面や封止部材の内面に配備した乾燥剤層が基板上の有機EL素子に接触することがある。
【0007】
乾燥剤層としては、バインダ樹脂と無機材料の乾燥成分とを含むものが用いられており、無機材料の乾燥成分は粒状又は顆粒状をなすので、乾燥剤層の表面には微細な凹凸が形成されているが、この表面が有機EL素子に接触すると、有機EL素子に機械的なダメージを与えることになり、これによってリーク等の発光不良を招く不具合が生じる。前述した従来技術(特許文献1)では、この不具合を解消するために、乾燥剤層を樹脂層からなる応力緩衝層で被覆しており、乾燥剤層の表面の凹凸が直接有機EL素子に接触しないようにしている。
【0008】
しかしながら、この従来技術では、有機EL素子が表面に形成される基板(第1の基板)は成膜室から封止処理室に搬送されるが、乾燥剤層及びそれを被覆する応力緩衝層が形成される封止部材(第2の基板)は、前述した成膜室とは別の雰囲気中を経由して封止処理室に搬送されることになるので、その搬送過程で応力緩衝層の表面に塵等が付着することがあり、応力緩衝層を設けていたとしてもその表面が有機EL素子の表面に接触すると、付着した塵などで有機EL素子にダメージが与えられる不具合が生じる。
【0009】
また、前述した従来技術では、乾燥剤層を樹脂層からなる応力緩衝層で被覆してしまうので、封止空間内に侵入した水分は樹脂層を介さないと乾燥剤層に吸着されないことになり、封止空間内に侵入する水分を吸着する乾燥剤層本来の機能が低下する問題が生じる。
【0010】
一方、前述した固体封止構造を採用する場合には、有機EL素子の表面に封止接着層が接触することになるが、接着力の強化やパネル全体の強度を高めるために、封止接着剤内にフィラーなどの骨材を混合させることがあり、この場合には、その骨材の存在による表面の凹凸が有機EL素子の表面に当たり、やはり有機EL素子に機械的なダメージを与える不具合が生じる。
[0011]
本発明は、このような事情に対処するために提案されたものであって、パネルの薄型化を達成するに際して、有機EL素子に機械的なダメージが加わらないようにすること、パネル自体の機械的な強度を高めること等が本発明の目的であり、より具体的には、有機EL素子が形成された基板と封止部材とを貼り合わせた有機ELパネルにおいて、パネルの薄型化を達成すると共に、封止部材の内面に配備した乾燥剤と有機EL素子表面との接触を避け、また、乾燥剤による十分な水分吸着機能を維持することで、有機ELパネルの良好な発光特性を維持すること、等が本発明の目的である。
課題を解決するための手段
[0012]
このような目的を達成するために、本発明による有機ELパネル及びその製造方法は、以下の特徴を少なくとも具備するものである。
【0013】
基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルであって、前記有機EL素子は、発光層を含み、前記基板上に直接又は他の層を介して形成された第1電極上に成膜された有機層と、該有機層上に成膜された第2電極とを備え、前記基板上に、少なくとも前記第2電極上に直接成膜することによって形成され、前記発光部を被覆する被覆膜を備え、前記封止構造は、前記発光部を囲む接着剤層を介して、前記基板に封止部材を貼り合わせて形成され、前記封止部材の内面にシート状乾燥剤又は封止接着剤が配備され、前記シート状乾燥剤又は封止接着剤は、バインダ樹脂と無機材料による乾燥成分を含み、該乾燥成分が前記被覆膜と接触し、該無機材料が当該シート状乾燥剤又は封止接着剤の表面に凸状部を形成し、該被覆膜の表面が前記凸状部による凹部を形成し、前記被覆膜は、アモルファス状の有機材料からなり、前記凸状部の長さよりも膜厚を厚く成膜することを特徴とする有機ELパネル。
【0014】
基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルの製造方法であって、前記基板上に直接又は他の層を介して第1電極を形成し、該第1電極上に素子領域を画定する素子領域画定工程と、真空雰囲気内で、素子領域が画定された前記第1電極上に発光層を含む有機層を成膜し、該有機層上に第2電極を成膜する成膜工程と、前記基板上に、アモルファス状の有機材料からなり前記発光部を被覆する被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、前記発光部を封止する封止工程とを有し、前記封止工程は前記基板に前記発光部を囲む接着剤層を介して内面にシート状乾燥剤又は封止接着剤が配備された封止部材を貼り合わせ、前記シート状乾燥剤又は封止接着剤は、バインダ樹脂と無機材料による乾燥成分を含み、該乾燥成分が前記被覆膜と接触し、該無機材料が当該シート状乾燥剤又は封止接着剤の表面に凸状部を形成し、前記乾燥成分が接触する前記被覆膜の表面が前記凸状部による凹部を形成し、前記被覆膜形成工程は、前記成膜工程からの真空一貫で、前記被覆膜を、当該被覆膜の表面に接触する前記シート状乾燥剤の前記凸状部の長さよりも膜厚を厚く成膜することを特徴とする有機ELパネルの製造方法。
【図面の簡単な説明】
[0015]
[図1]本発明の一実施形態に係る有機ELパネルを説明する説明図であり、(A)は本発明の第1実施形態に係る有機ELパネル10の断面図であり、(B)は本発明の第2実施形態に係る有機ELパネル10Aの断面図である。
[図2](A)は図1(A)に示した有機ELパネル10の要部の拡大断面図であり、(B)は図1(B)に示した有機ELパネル10Aの要部の拡大断面図である。
[図3](A)は本発明の第3実施形態に係る有機ELパネル10Cの断面図であり、(B)は本発明の第4実施形態に係る有機ELパネル10Dの断面図である。
[図4]本発明の一実施形態に係る有機ELパネルの製造方法を説明するフローチャートである。
[図5]有機ELパネルの一実施形態に係る製造装置を説明する説明図である。
[図6]本発明の一実施例に係る有機EL素子を説明する説明図である。
[図7]本発明に係る有機ELパネルの効果を説明するための説明図である。
発明を実施するための最良の形態
[0016]
本発明の一実施形態に係る有機ELパネルは、基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルであって、有機EL素子は、発光層を含み、基板上に直接又は他の層を介して形成された第1電極上に成膜された有機層と、該有機層上に成膜された第2電極とを備え、基板上に、少なくとも第2電極上に直接成膜することによって形成され、発光部を被覆する被覆膜を備え、該被覆膜は、アモルファス状の有機材料からなり、該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さを有することを特徴とする。
[0017]
上記有機ELパネルでは、被覆膜が、少なくとも第2電極上に直接成膜することによって形成され、発光部を被覆しており、この被覆膜がアモルファス状の有機材料からなり、該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さを有するので、被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸による有機EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。
詳細には、アモルファス状の有機材料からなる被覆膜が、接触対象(例えば乾燥剤等)による応力を分散する緩衝層として機能することで、有機EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。
特に、比較的薄型の有機ELパネルにおいて、例えば乾燥剤等の接触対象と有機EL素子との間隔が比較的小さい場合であっても、上記アモルファス状の有機材料からなる被覆膜が有機EL素子上に形成されているので、有機EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。緩衝層は弾性率が高い方が好ましい。
【0018】
また、本発明の一実施形態に係る有機ELパネルは、上記被覆膜が形成されているので、パネル自体が比較的高い強度を有する。
【0019】
また、上記有機EL素子が形成された基板と封止部材とを貼り合わせた有機ELパネルは、上記被覆膜を有するので、パネルの薄型化を達成すると共に、封止部材の内面に配備した乾燥剤と有機EL素子表面との接触を避けることができる。
また、有機ELパネルにおいて、有機EL素子上に被覆膜が形成され、その被覆膜上に封止接着剤を介して封止部材で覆う封止構造を備えることで、更に、パネルの薄型化を達成すると共に、有機EL素子に機械的なダメージが加わらないようにすることができる。
【0020】
また、乾燥剤による十分な水分吸着機能を維持することで、有機ELパネルの良好な発光特性を維持することができる。
【0021】
また、本発明の一実施形態に係る有機ELパネルの製造方法は、基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルの製造方法であって、基板上に直接又は他の層を介して第1電極を形成し、該第1電極上に素子領域を画定する素子領域画定工程と、真空雰囲気内で、素子領域が画定された第1電極上に発光層を含む有機層を成膜し、該有機層上に第2電極を成膜する成膜工程と、基板上に、アモルファス状の有機材料からなり発光部を被覆する被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、発光部を封止する封止工程とを有し、被覆膜形成工程は、成膜工程からの真空一貫で、被覆膜を、当該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する厚さに成膜することを特徴とする。
【0022】
例えば、封止部材側に備えられた乾燥剤層を樹脂層からなる応力緩衝層で被覆して、樹脂層の表面の凹凸が直接有機EL素子に接触しないように形成された従来技術に係る有機ELパネルでは、上述したように封止部材は、製造過程で応力緩衝層の表面に塵等が付着することがあり、応力緩衝層を設けていたとしてもその表面が有機EL素子の表面に接触すると、付着した塵などで有機EL素子にダメージが与えられる不具合が生じる場合がある。
一方、本発明に係る有機ELパネルの製造方法は、基板上に、アモルファス状の有機材料からなり発光部を被覆する被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、発光部を封止する封止工程とを有し、被覆膜形成工程は、成膜工程からの真空一貫で、被覆膜を、当該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する厚さに成膜するので、製造工程中、被覆膜と有機EL素子との間に塵等の付着を低減することができ、有機EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。
【0023】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施形態に係る有機ELパネルを説明する説明図であり、図1(A)は本発明の第1実施形態に係る有機ELパネル10の断面図であり、図1(B)は本発明の第2実施形態に係る有機ELパネル10Aの断面図である。図2(A)は図1(A)に示した有機ELパネル10の要部の拡大断面図であり、図2(B)は図1(B)に示した有機ELパネル10Aの要部の拡大断面図である。
【0024】
本発明の第1実施形態に係る有機ELパネル10は、図1(A),図2(A)に示すように、基板1、第1電極(下部電極)2、絶縁膜3、有機層5、第2電極(上部電極)6、発光部50、被覆膜7、封止部材80、乾燥剤81、および接着剤層90を基本構成として備えるものである。
被覆膜7は本発明に係る被覆膜の一実施形態に相当し、発光部50は本発明に係る発光部の一実施形態に相当する。
【0025】
基板1は、ガラス等で形成することができる。発光部50による光を基板1を介して取り出す場合(ボトムエミッション)には、透明部材であることが必要になるが、基板1と逆側に光を取り出す場合(トップエミッション)には、透明部材である必要はない。
【0026】
第1電極(下部電極)2は、例えば基板1上に並列して(ストライプ状に)形成されるもので、基板1を介して光を取り出す場合には、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明電極が用いられ、基板1と逆側に光を取り出す場合には反射率の高いその他の金属電極が用いられる。
【0027】
絶縁膜3は、第1電極2上の発光部50を形成する一部を露出させて他の部分を覆うことで複数の第1電極2間を電気的に絶縁するものであり、例えばドットマトリクス状に発光部50を形成する場合には、第1電極2上の露出部分が格子状に区画されるように、第1電極2の左右両側部を一部覆って一部は基板1上に一部は第1電極2上に形成される。
【0028】
有機層5は、発光層5Cを含む有機EL媒体の層であって、少なくとも絶縁膜3で覆われていない第1電極上に形成されている。前述した発光層と発光層に電子・正孔を供給するための各種機能層(例えば、電子注入・輸送層、正孔注入・輸送層、正孔・電子ブロック層、正孔・電子バッファ層等)を含むものである。
【0029】
第2電極6は、有機層5上に第1電極2と交差するように並列して形成されており、第1電極2との交差部で有機層5を狭持して有機EL素子からなる発光部50を形成するものである。基板1と逆側に光を取り出す場合にはITO等の透明電極もしくは金属電極を薄く形成したものが用いられ、基板1を介して光を取り出す場合には反射率の高いその他の金属電極が用いられる。
【0030】
封止構造としては、例えば図1(A),2(B)に示すように、封止部材80が、発光部50を囲む接着剤層90を介して、基板1に貼り合わせて形成されている。この封止部材80は、ガラス材料、金属材料等などで形成されており、板形状に形成されている。接着剤層90は、樹脂やガラスフリットなどの無機材料で形成されている。
【0031】
図1(A),図2(A)に示した第1実施形態に係る有機ELパネル10において、本発明の一実施形態に係る接触対象は、封止部材80の内面に配備されるシート状の乾燥剤81である。
乾燥剤81は、例えばシート状に形成されている。この乾燥剤81は、バインダ樹脂と乾燥成分を含む構造を有する。バインダ樹脂は、シート状に成形するために必要な材であって、鎖状の分子構造を有する樹脂材料が用いられる。乾燥成分は、水分を吸着する性質を有する無機材料によって構成することができ、粒子状をなしてバインダ樹脂内に分散されている。
バインダ樹脂としては、乾燥成分の水分吸着作用を妨げないものであることが好ましく、例えば比較的気体透過性の高い材料(気体透過性樹脂)を用いる。バインダ樹脂としては、詳細には、ポリオレフィン系、ポリアクリル系、ポリアクリロニトリル系、ポリアミド系、ポリエステル系、エポキシ系、ポリカーボネート系等の高分子材料を用いることができる。この中でも、バインダ樹脂としては、比較的高期待透過性のポリオレフィン系の気体透過性樹脂が好ましい。具体的には、バインダ樹脂としては、ポリエチレン,ポリプロピレン,ポリブタジエン,ポリイソプレン,これらの共重合体などを挙げることができ、好ましくは、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)を用いることができる。
乾燥成分としては、水分吸着機能を有し、特に、化学的に水分を吸着すると共に吸着した後でも固体状態を維持する化合物が好ましい。例えば、この乾燥成分は、金属酸化物、金属の無機酸塩・有機酸塩等が挙げられるが、本実施形態としては、特にアルカリ土類金属酸化物、および硫酸塩の少なくとも一種を用いることが好ましい。アルカリ土類金属酸化物としては、例えば酸化カルシウム(CaO),酸化バリウム(BaO),酸化マグネシウム(MgO)等を挙げることができる。硫酸塩としては、例えば、硫酸リチウム(Li2 SO4 ),硫酸ナトリウム(Na2 SO4 ),硫酸カリウム(CaSO4 ),硫酸マグネシウム(MgSO4 ),硫酸コバルト(CoSO4 ),硫酸ガリウム(Ga2 (SO4 )3 ),硫酸チタン(Ti(SO4 )2 ),硫酸ニッケル(NiSO4 )等を挙げることができる。その他にも、吸湿性を有する有機材料を用いることもできる。
【0032】
被覆膜7は、基板1上に、少なくとも第2電極6上に直接成膜することによって形成され、発光部50を被覆する。本実施形態に係る被覆膜7は、基板1の一面を含めて、第1電極2、有機層5、および第2電極6を被覆する。この被覆膜7は、接触対象に対する緩衝層として機能する。
被覆膜7は、詳細には、アモルファス状の有機材料からなり、その被覆膜7の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さ(D7)を有する。
アモルファス状の有機物としては、成膜時に有機層5や第2電極6にダメージを与えない蒸着による成膜可能な有機材料である。また、この有機物としては、成膜時にアモルファス状になるようになるものであればよく、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジン(NPB),アルミキノリノール錯体(Alq3 )等を用いることができる。
また、被覆膜7は、アモルファス状の有機材料に吸湿成分を含んでもよい。被覆膜7に吸湿成分を含むことで、外部からのガスによる有機EL素子の発光特性の劣化などの不具合を低減することができる。また、例えば後述するように隔壁が設けられた有機ELパネルの場合には、この隔壁から放出されるアウトガスの影響を、被覆膜7の吸湿成分により低減することができる。
被覆膜7中の吸湿成分(吸着剤)としては、詳細には、アルカリ金属、又はアルカリ土類金属(ナトリウム(Na),カリウム(K),カルシウム(Ca),マグネシウム(Mg)などの塩の無水物,塩化物,硫化物,酸化物等を用いることができ、例えば無水硫酸マグネシウム,無水硫酸ナトリウム,塩化カルシウム,塩化リチウム,酸化カルシウム,酸化バナジウム,酸化ストロンチウム等を用いることができる。
【0033】
封止構造としては、被覆膜7で被覆された有機EL素子を封止空間内Mで封止する中空封止と、被覆膜7で被覆された有機EL素子を封止空間を設けることなく封止する固体封止がある。
図1(A),図2(A)に示した第1実施形態に係る有機ELパネル10は中空封止の例であり、被覆膜7の本発明の一実施形態に係る接触対象としては乾燥剤81である。この被覆膜7の厚み7D(基板1の垂直方向に沿った厚み)としては、例えば乾燥剤81の乾燥成分である乾燥剤の粒径、または乾燥剤81の表面の凹凸長(凸状部811の長さ)より厚く、好ましくは約1.5倍以上厚く形成されている。特に薄型の有機ELパネルの場合には、被覆膜7の厚み7Dが、乾燥剤81の粒径、または乾燥剤81の表面の凹凸長(凸状部811の長さ)の約1.5〜4倍であることが好ましく、最適には約3倍である。
被覆膜7の厚み7D(基板1の垂直方向に沿った厚み)は、例えば被覆膜7の表面から発光部50までの長さ、詳細には、被覆膜7の表面から第2電極6上部までの長さである。
この被覆膜7の厚み7Dは、例えば、被覆膜7を蒸着法により製造する場合には、蒸着時間に応じて厚くなる。このため、予め測定された蒸着時間と厚み7Dとが関連付けられたデータ(蒸着時間・厚み変換テーブル)を用いて、被覆膜7の厚み7Dが、例えば接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さとなるように規定の蒸着時間で蒸着を行い、本発明に係る被覆膜7を形成する。
【0034】
上記構成の有機ELパネル10では、例えば封止部材80が外力などにより凹形状に歪み、シート状乾燥剤81が被覆膜7に接触した場合でも、被覆膜7が乾燥剤81の表面凹凸を吸収する成膜厚さ7Dを有するので、乾燥剤81と有機EL素子表面との接触を避けることができる。また、有機EL素子に機械的なダメージが加わることを抑止することができる。
詳細には、例えば図2(A)に示すように、シート状乾燥剤81は、バインダ樹脂と無機材料による乾燥成分を含み、乾燥成分が被覆膜7と接触し、該無機材料がシート状乾燥剤81の表面に凸状部811を形成し、被覆膜7の表面が凸状部による凹部を形成して、乾燥剤81と有機EL素子表面との接触を避けることができる。
【0035】
図1(B),図2(B)に示した第2実施形態に係る有機ELパネル10Aは固体封止の例であり、被覆膜7の本発明の一実施形態に係る接触対象としては封止接着剤82である。
第2実施形態に係る封止接着剤82は、第1実施形態のシート状乾燥剤に相当し、樹脂等で形成されている。封止接着剤82表面に付着する異物等が凸状部811を形成され、被覆膜7には封止接着剤82の凸状部821に応じた形状になるように、表面に凹部701が形成されていて、凸状部821と凹部701とが嵌合している。また、他の例として封止接着剤82にバインダ樹脂と無機材料による無機フィラーや乾燥成分を含み、その乾燥成分が被覆膜7と接触している。詳細には、封止乾燥剤82の表面に無機フィラーや乾燥成分の無機材料の粒子による凸状部821が形成され、被覆膜7は、封止乾燥剤82の凸状部821に応じた形状となるように、表面に凹部701が形成されており、凸状部821と凹部701とが嵌合している。このような凸状部821と凹部701との嵌合構造は、蒸着製造法により比較的簡単に作製することができる。
【0036】
上述したように、第2実施形態に係る有機ELパネル10Aでは、例えば第1実施形態に係る有機ELパネル10と比べて、封止空間Mがない分だけ薄型に形成することができ、更に、比較的高い強度を有する。
また、封止部材80が外力などにより凹形状に歪んだ場合でも、被覆膜7が乾燥剤81の表面凹凸を吸収する成膜厚さ7Dを有するので、乾燥剤81と有機EL素子表面との接触を避けることができ、内部応力を被覆膜7内に分散することができ、有機EL素子に機械的なダメージが加わることを抑止することができる。
【0037】
図3(A)は本発明の第3実施形態に係る有機ELパネル10Cの断面図である。なお、第1及び第2実施形態と同一の部分には、同一の番号を付して重複した説明は省略する。
【0038】
本発明の第3実施形態に係る有機ELパネル10Cは、絶縁膜3上に隔壁4が形成されている。
この隔壁4は、絶縁膜3上に第1電極2と交差するように、複数並列して(図示の例では紙面に対して直交方向に沿ったストライプ状に)形成され、略逆台形状の断面を有する。略台形状というのは、隔壁4の上面の幅が絶縁膜3上の下面の幅より大きい状態であればよく、T字形状のものも含む。隔壁4の側面は平面であっても、若干湾曲した曲面であっても、T型を形成するために屈折した面であってもよい。
【0039】
被覆膜7は、図3(A)に示すように、隔壁4を覆うような厚みに形成されている。被覆膜7の上部から第2電極6までの厚みが、乾燥剤81の凸状部811の長さよりも厚ければよい。また、好ましくは、被覆膜7の上部から隔壁4の上部までの厚みが、乾燥剤81の凸状部811の長さよりも厚ければよい。
具体的には、例えば、隔壁4の厚みが約3μm程度の厚みで形成されている場合、被覆膜7は緩衝層として機能するように、隔壁4と面一となる略同一厚みの約3μm程度、又はそれ以上の膜厚に形成されていればよい。
【0040】
上記構成の有機ELパネル10Cでは、封止部材80が外力などにより凹形状に歪んだ場合でも、乾燥剤81と有機EL素子表面との接触を避けることができ、内部応力を被覆膜7内に分散することができ、有機EL素子に機械的なダメージが加わることを抑止することができる。
【0041】
図3(B)は本発明の第4実施形態に係る有機ELパネル10Dの断面図である。なお、第1及び第2実施形態と同一の部分には、同一の番号を付して重複した説明は省略する。
第1〜第3実施形態に係る有機ELパネルは、パッシブマトリクス型であったが、図3(B)に示すように、アクティブマトリクス型有機ELパネルに本発明を適用してもよい。
詳細には、第4実施形態に係る有機ELパネル10Dは、基板1上に薄膜トランジスタ9(TFT:Thin Film Transistor)がマトリクス状に画素毎に形成され、TFT9上に平坦化絶縁層301が形成され、その上にTFT9に電気的に接続された第1電極2が形成されている。第1電極2上には有機層5が形成され、その上には第2電極6が形成されている。この第2電極6上には、被覆膜7が規定の厚みに形成されている。その他の構成は第3実施形態に係るパッシブ型有機ELパネルと略同様の構成となっているので、説明を省略する。
【0042】
上記構成の有機ELパネル10Dでは、封止部材80が外力などにより凹形状に歪んだ場合でも、封止接着剤82と有機EL素子表面との接触を避けることができ、内部応力を被覆膜7内に分散することができ、有機EL素子に機械的なダメージが加わることを抑止することができる。
【0043】
図4は本発明の一実施形態に係る有機ELパネルの製造方法を説明するフローチャートである。図5は有機ELパネルの一実施形態に係る製造装置を説明する説明図である。
本実施形態に係る有機ELパネルの製造方法は、素子領域画定工程(S1)と、成膜工程(S5)と、被覆膜形成工程(S8)と、封止工程(S9)とを有する。
【0044】
素子領域画定工程(S1)は、基板1上に直接又は他の層を介して第1電極2を形成し、該第1電極2上に素子領域を画定する。詳細には、基板の研磨,洗浄等を含む基板準備工程S2を行った後、第1電極2を形成する第1電極形成工程(S3)を行う。第1電極形成工程(S3)は、詳細には、基板上に第1電極2の電極材料を蒸着,スパッタリング等の薄膜形成技術によって成膜し、その後、フォトリソグラフィ等のパターン形成技術によってストライプ状にパターン形成する。パターン形成後は、必要に応じて、洗浄、乾燥工程を行う。
絶縁膜等形成工程(S4)では、ポリイミド等の有機絶縁材料、或いはSiO2 ,SiN等の無機絶縁材料を用いて、第1電極2が形成された基板1の一面上に成膜した後、パターン形成を行う。具体的には、ポリイミド等の有機絶縁材料を用いる場合には、第1電極2が形成された基板1上にスピンコート法等により所定厚さの膜を形成し、発光部を形成するための開口パターンを有する露光マスクを用いて露光処理を行い、その後現像処理を施すことによって前述した格子状パターンの絶縁膜3を形成する。無機材料によって絶縁膜を形成する場合には、蒸着,スパッタリング等によって成膜を行い、フォトリソグラフィ等のパターン形成技術によって前述した格子状パターンを得る。
また、隔壁が形成されている場合には、隔壁形成工程により、絶縁膜3上にストライプ状に隔壁4を形成する。隔壁4の形状とパターンは、フォトリソグラフィによって形成することができる。すなわち、感光性樹脂を所定の厚さに塗布した後、第1電極2と交差するストライプ状パターンの開口を有するフォトマスクを介して光を照射し、膜の厚さ方向の露光量の違いから生じる現像速度の差を利用して、断面が略逆台形状の隔壁4を形成する。
【0045】
成膜工程(S5)は、真空雰囲気内で、素子領域が画定された第1電極2上に発光層を含む有機層5を成膜し、該有機層5上に第2電極6を成膜する。詳細には、有機層形成工程(S6)では、基板1上に第1電極2,絶縁膜3等を形成した後、これらが形成された基板1上に有機層の各層を成膜することで、少なくとも第1電極2の露出部分上に有機層5を形成する。カラー化のために発光層及び他の機能層で色毎の塗り分けを行う場合には、同一色の発光部形成箇所に対応した開口を有するマスクを用い、マスクを交換するか或いは位置をずらしながら、色毎に成膜する。有機層5の各層の成膜は真空蒸着によって行うことができる。また、有機層5の各層は塗布により成膜を行っても良い。
次に、第2電極形成工程(S7)では、有機層5を成膜した後に、その上に第2電極6の電極材料を成膜する。この際、隔壁4がシャドーマスクとして機能し、隔壁4の間にストライプ状パターンの第2電極6が形成される。
【0046】
被覆膜形成工程(S8)は、吸湿剤とアモルファス状の有機材料とからなる成膜材料を用い、蒸着等の成膜工程により発光部を被覆する被覆膜7を形成する。この際、被覆膜形成工程(S8)は、図5に示すように、製造装置300内で、成膜工程からの真空一貫で、被覆膜7を、当該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する厚さに成膜する。
詳細には、製造装置300は、例えば図5に示すように、搬入部301と搬出部303の間に真空搬送路302が形成されており、真空搬送路302には前処理室310、成膜室1(311),成膜室2(312),・・・,成膜室N(31N),被覆膜形成室320が連結されて形成されている。
製造装置300の搬入部301から、素子領域画定工程S1により第1電極2および絶縁膜3が形成された基板1が搬入され、真空搬送路302を経由して前処理室310、成膜室1(311),成膜室2(312),・・・,成膜室N(31N),被覆膜形成室320と順に搬送されながら、有機層5、第2電極6、被覆膜7が真空一貫で形成された後、搬出部303から搬出されて、封止工程(S9)が施される。
【0047】
また、被覆膜形成工程(S8)では、上述したように、被覆膜形成室320内で、予め測定された蒸着時間と厚み7Dとが関連付けられたデータ(蒸着時間・厚み変換テーブル)を用いて、被覆膜7の厚み7Dが、例えば接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さとなるように規定の蒸着時間で蒸着を行い、本発明に係る被覆膜7を形成する。
【0048】
発光部を封止する封止工程(S9)としては、上述したように、被覆膜7で被覆された有機EL素子を封止空間内Mで封止する中空封止や、被覆膜7で被覆された有機EL素子を封止空間を設けることなく封止する固体封止などを行う。詳細には、封止工程(S9)は、基板1に発光部を囲む接着剤層を介して内面にシート状乾燥剤が配備された封止部材を貼り合わせてもよい。また、封止工程(S9)は、発光部を覆う封止接着剤を介して基板を封止部材で覆ってもよい。
【0049】
以上説明したように、本発明の一実施形態に係る有機ELパネルの製造方法では、被覆膜形成工程(S8)において、製造装置300内で、成膜工程からの真空一貫で、被覆膜7を、当該被覆膜の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する厚さに成膜するので、製造工程中、被覆膜と有機EL素子との間に塵等の付着を低減することができる。このため製造工程中の塵等の付着による有機EL素子に対する機械的なダメージを防止することができる。
【0050】
図6は本発明の一実施例に係る有機EL素子500Eを説明する説明図である。
本発明の一実施例に係る有機EL素子500Eは、図6に示すような素子構造を備える。ガラス製の基板1上にITOを蒸着,スパッタリング等の成膜方法で薄膜形成し、フォトリソグラフィ等によってパターン形成して第1電極2を形成する。第1電極2上に形成される有機層5としては、正孔注入層5AとしてCuPcを30nm、正孔輸送層5BとしてN,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン(NPB)を30nm、発光層5Cとしてクマリンを0.6重量%ドープしたAlq3 を30nm、電子輸送層5DとしてAlq3 を30nm、電子注入層5EとしてLi2Oを1nm、これらをそれぞれ真空蒸着法によって形成する。第2電極6としてはAlを蒸着によって所定厚さ形成する。
【0051】
前述した構成材料に換えて、基板1はプラスチック基板、第1電極2はIZO,ポリ(3,4)−エチレンジオキシチオフェン(PE-DOT)とポリスチレンスルホネート(PSS)とを含む導電性材料(PE−DOT:PSS),正孔注入層5AはPE−DOT:PSS、正孔輸送層5Bはテトラフェニルジアミノジフェニル(TPD),ジフェニルナフチルジアミン(α−NPD),ポリ(p−フェニレンビニレン)(PPV)、発光層5Cのドープ材はペリレン,テトラフェニルブタジェン(TPB)、電子輸送層5Dは(4−ビフェニル)(4−t−ブチルフェニル)オキシジアゾール(PDB),1,2,4−トリアゾール誘導体(TAZ)、電子注入層5EはLiF、第2電極はMgAg,AlLi、等を用いることができる。
有機EL素子は、上述した実施例に限られるものではなく、これらの材料を適宜変更してもよい。また、本発明は、上述した実施形態に限られるものではない。また、封止構造は、上述した実施形態に限られるものではない。
【0052】
次に、本発明の具体的な実施例に係る有機EL素子(有機ELパネル)を説明する。
【0053】
<実施例1>
厚さ0.4mmのガラス製の基板1上に、図6に示す素子構造の有機EL素子500Eを発光素子として形成した有機ELパネル10を作成した。有機EL素子上にアルミキノリール錯体(Alq3)に酸化カルシウム(CaO)をドープしたものを80:20の比率で共蒸着し、6μmの膜厚で被覆膜7を形成した。形成された被覆膜7は、アモルファス状の有機材料としてAlq3、吸湿成分としてCaOが含まれる構成となっている。このとき有機EL素子と被覆膜7は真空一貫で形成する。厚さ0.2mmのステンレス製の封止部材80をUV硬化型エポキシ樹脂製の接着剤90により基板1と封止接合する。粒径が1.5〜4μmの酸化カルシウム(CaO)を乾燥成分、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)をバインダ樹脂として形成したシート乾燥剤81を封止空間内Mに形成する。シート乾燥剤81に含まれるCaOが表面に突出して凸状部811を形成している。この有機ELパネルを実施例1とした。実施例1は、図1(A)、図2(A)に示した有機ELパネルの一実施例に相当する。
実施例1の被覆層7の膜厚を1μmとしたものを比較例1、被覆層7がないものを比較例2とした。
次に、例えば図7に示すように、実施例1、比較例1,2に係る有機ELパネルに対して面押し強度試験を行った。詳細には、先端に曲面部R(=曲率半径10mm)が形成された押し棒92を、台座91上に配置された有機ELパネルの裏面側中心に押圧して発光状態を観測した。図7においてパネルの下側が表示面下側(BB)に相当する。押し棒92の荷重を25N、50N、100Nの3段階で試験を行った。試験の結果を表1に示す。正常発光の場合は評価:良好(○印表記)、異常発光の場合は評価:良好でない(×印表記)とした。
【0054】
【表1】
【0055】
シート乾燥剤81中のCaOの粒径は1.5〜4μmである。シート乾燥剤81表面に形成する凸状部811の1.5倍以上の被覆膜6を形成する実施例では、荷重100Nを加えても正常に発光する有機ELパネルを得られた。
【0056】
<実施例2>
実施例2では、上記実施例1と同様に真空一貫で被覆層6を形成するまで同様に有機ELパネルを作製した。次に樹脂バインダに粒径が2〜6μmの酸化珪素(SiO2 )を無機フィラーとして含有する封止接着剤82により厚さ0.7mmのガラス製の封止部材80Aと基板1を封止接合する。封止接着剤82に含まれるSiO2 )が凸状部821となって被覆層7の凹部701とが嵌合する形状となる。実施例2では空間封止の実施例1よりも有機ELパネルの機械的強度がアップしているので、面押し試験で正常発光となるが、有機EL素子と樹脂バインダが接触するように形成されているので、リーク等の発光不良が生じやすくなる。実施例2では被覆層6の膜厚を1,3,6μmと設定し、比較例として被覆層6無しの有機ELパネルと比較した。実施例2は、図1(B)、図2(B)に示した有機ELパネルの一実施例に相当する。表2に、封止後にリーク発生の有無を観測した結果を示す。リークが発生していない場合は評価:良好(○印表記)、リークが発生している場合は評価:良好でない(×印表記)とした。
【0057】
【表2】
【0058】
以上、説明したように、本発明に係る有機ELパネルは、基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルであって、有機EL素子は、発光層を含み、基板1上に直接又は他の層を介して形成された第1電極2上に成膜された有機層5と、該有機層5上に成膜された第2電極6とを備え、基板1上に、少なくとも第2電極6上に直接成膜することによって形成され、発光部を被覆する被覆膜7を備え、この被覆膜7は、アモルファス状の有機材料からなり、該被覆膜7の表面に接触する接触対象の表面凹凸を吸収する成膜厚さ(7D)に形成されているので、被覆膜7により、被覆膜7の表面に接触する接触対象(乾燥剤81,封止接着剤82)の表面凹凸による有機EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。つまり、被覆膜7は応力緩衝層として機能する。また、例えば比較的薄型の有機ELパネルであっても、上記EL素子に対する機械的なダメージを低減することができる。更に、被覆膜7に吸湿成分を含み、対象物として乾燥剤81を選択する場合は、有機EL素子上と封止基板側の対象物の両方に吸湿成分を含むことになり、有機ELパネルの良好な発光特性を維持することができる。
また、固体封止構造といった接着剤と有機EL素子が直接コンタクトするようなパネル構造であっても、乾燥剤による十分な水分吸着機能を維持することができる。固体封止構造の場合も被覆膜7に吸湿成分を含み対象物の封止接着剤82に乾燥成分を含有する場合は、有機EL素子と封止基板側の対象物の両方に吸湿成分を含むことになり、有機ELパネルの良好な発光特性を維持することができる。
Claims (4)
- 基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルであって、
前記有機EL素子は、発光層を含み、前記基板上に直接又は他の層を介して形成された第1電極上に成膜された有機層と、該有機層上に成膜された第2電極とを備え、
前記基板上に、少なくとも前記第2電極上に直接成膜することによって形成され、前記発光部を被覆する被覆膜を備え、
前記封止構造は、前記発光部を囲む接着剤層を介して、前記基板に封止部材を貼り合わせて形成され、
前記封止部材の内面にシート状乾燥剤又は封止接着剤が配備され、
前記シート状乾燥剤又は封止接着剤は、バインダ樹脂と無機材料による乾燥成分を含み、該乾燥成分が前記被覆膜と接触し、該無機材料が当該シート状乾燥剤又は封止接着剤の表面に凸状部を形成し、該被覆膜の表面が前記凸状部による凹部を形成し、
前記被覆膜は、アモルファス状の有機材料からなり、前記凸状部の長さよりも膜厚を厚く成膜することを特徴とする有機ELパネル。 - 前記被覆膜は、前記アモルファス状の有機材料に吸湿成分を含むことを特徴とする特徴とする請求項1に記載の有機ELパネル。
- 基板上に複数又は単数の有機EL素子を有する発光部を備え、該発光部を封止する封止構造を備えた有機ELパネルの製造方法であって、
前記基板上に直接又は他の層を介して第1電極を形成し、該第1電極上に素子領域を画定する素子領域画定工程と、
真空雰囲気内で、素子領域が画定された前記第1電極上に発光層を含む有機層を成膜し、該有機層上に第2電極を成膜する成膜工程と、
前記基板上に、アモルファス状の有機材料からなり前記発光部を被覆する被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、
前記発光部を封止する封止工程とを有し、
前記封止工程は前記基板に前記発光部を囲む接着剤層を介して内面にシート状乾燥剤又は封止接着剤が配備された封止部材を貼り合わせ、前記シート状乾燥剤又は封止接着剤は、バインダ樹脂と無機材料による乾燥成分を含み、該乾燥成分が前記被覆膜と接触し、該無機材料が当該シート状乾燥剤又は封止接着剤の表面に凸状部を形成し、前記乾燥成分が接触する前記被覆膜の表面が前記凸状部による凹部を形成し、
前記被覆膜形成工程は、前記成膜工程からの真空一貫で、前記被覆膜を、当該被覆膜の表面に接触する前記シート状乾燥剤の前記凸状部の長さよりも膜厚を厚く成膜することを特徴とする有機ELパネルの製造方法。 - 前記被覆膜は、前記アモルファス状の有機材料に吸湿成分を含むことを特徴とする請求項3記載の有機ELパネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2008/053293 WO2009107201A1 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 有機elパネル及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012286054A Division JP5798105B2 (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 有機elパネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009107201A1 JPWO2009107201A1 (ja) | 2011-06-30 |
JP5174145B2 true JP5174145B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=41015615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010500477A Active JP5174145B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 有機elパネル及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8362698B2 (ja) |
JP (1) | JP5174145B2 (ja) |
WO (1) | WO2009107201A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201529709A (zh) * | 2009-01-23 | 2015-08-01 | Ajinomoto Kk | 樹脂組成物 |
WO2011108020A1 (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | パナソニック株式会社 | 有機el装置およびその製造方法 |
JP5842088B2 (ja) * | 2011-02-21 | 2016-01-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機elデバイス及び有機elデバイスの製造方法 |
KR102157996B1 (ko) | 2011-08-05 | 2020-09-21 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 유기 일렉트로 루미네선스 발광 장치 및 그 제조 방법 |
WO2013031509A1 (en) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, lighting device, and method for manufacturing the light-emitting device |
JP2013122903A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-06-20 | Nitto Denko Corp | 有機elデバイス、および、有機elデバイスの製造方法 |
US20130248827A1 (en) * | 2012-03-26 | 2013-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence display device |
JP5798105B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2015-10-21 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル |
CN103354276A (zh) * | 2013-06-28 | 2013-10-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装基板、oled显示面板及其制造方法和显示装置 |
KR102167315B1 (ko) * | 2014-04-30 | 2020-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
US10388707B2 (en) * | 2017-09-05 | 2019-08-20 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing process thereof |
CN108832028B (zh) * | 2018-06-11 | 2020-08-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板的制备方法及oled显示面板、显示装置 |
KR20210079898A (ko) * | 2019-12-20 | 2021-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223265A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
JP2002324666A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2004119259A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Stanley Electric Co Ltd | 有機el表示素子 |
JP2004146353A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Toppoly Optoelectronics Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の吸湿性パッシベーション構造 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2049274B (en) * | 1979-03-16 | 1983-04-27 | Sharp Kk | Moisture absorptive arrangement for a glass sealed thinfilm electroluminescent display panel |
JP3392672B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2003-03-31 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP2000294369A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Chisso Corp | 有機el素子 |
JP2001035659A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネセント素子およびその製造方法 |
AU1904200A (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh And Co. Ohg | Improved encapsulation for organic led device |
JP3409764B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2003-05-26 | 日本電気株式会社 | 有機el表示パネルの製造方法 |
JP4526682B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2010-08-18 | 日東電工株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子 |
US6992439B2 (en) * | 2001-02-22 | 2006-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element |
TWI299632B (ja) * | 2001-09-28 | 2008-08-01 | Sanyo Electric Co | |
JP3977669B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2007-09-19 | 双葉電子工業株式会社 | 有機el素子 |
TW584822B (en) * | 2002-03-28 | 2004-04-21 | Sanyo Electric Co | Organic electroluminescence panel |
JP2003317936A (ja) | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2003320215A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-11 | Japan Gore Tex Inc | 吸着材成形体、および吸着材ユニット |
JP2004186048A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置および乾燥剤 |
JP2004296202A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Tohoku Pioneer Corp | 有機elパネル及びその製造方法 |
KR100552973B1 (ko) * | 2003-11-17 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
KR20050068794A (ko) * | 2003-12-30 | 2005-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
JP2005340020A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
JP2006172837A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Tohoku Pioneer Corp | 封止部材、自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法 |
JP2006351299A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光パネル、自発光パネル用の封止部材、および自発光パネルの製造方法 |
JP2007035322A (ja) | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Optrex Corp | 有機ledディスプレイの製造方法および有機ledディスプレイ |
TWI307611B (en) * | 2006-06-05 | 2009-03-11 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescence device and organic electroluminescence panel using the same |
TWI336211B (en) * | 2006-07-12 | 2011-01-11 | Au Optronics Corp | Double-sided display appratus |
KR100826011B1 (ko) * | 2006-10-24 | 2008-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 소자 |
KR20080088750A (ko) * | 2007-03-30 | 2008-10-06 | 삼성전자주식회사 | 유기발광장치 및 그 제조방법 |
JP4916973B2 (ja) * | 2007-08-02 | 2012-04-18 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR101351409B1 (ko) * | 2009-06-03 | 2014-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
-
2008
- 2008-02-26 JP JP2010500477A patent/JP5174145B2/ja active Active
- 2008-02-26 US US12/919,599 patent/US8362698B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-26 WO PCT/JP2008/053293 patent/WO2009107201A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-12-18 US US13/718,368 patent/US8736164B2/en active Active
-
2014
- 2014-04-08 US US14/247,269 patent/US8957586B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223265A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
JP2002324666A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2004119259A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Stanley Electric Co Ltd | 有機el表示素子 |
JP2004146353A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Toppoly Optoelectronics Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の吸湿性パッシベーション構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8736164B2 (en) | 2014-05-27 |
US20130105783A1 (en) | 2013-05-02 |
US8362698B2 (en) | 2013-01-29 |
JPWO2009107201A1 (ja) | 2011-06-30 |
WO2009107201A1 (ja) | 2009-09-03 |
US8957586B2 (en) | 2015-02-17 |
US20140252334A1 (en) | 2014-09-11 |
US20100327275A1 (en) | 2010-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5174145B2 (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
US10516139B2 (en) | Organic light emitting display | |
US7777415B2 (en) | Sealed, flexible flat panel display | |
KR20010050684A (ko) | 일렉트로 루미네센스 장치의 봉지 구조 | |
JP2020531885A (ja) | 表示基板及びその製造方法、表示パネル | |
JP2005317476A (ja) | 表示装置 | |
JP2003223992A (ja) | 有機elカラー表示装置 | |
US8624490B2 (en) | Organic light-emitting device and method of manufacturing the same | |
US7355344B2 (en) | Flat panel display and method of manufacturing the same | |
US7847478B2 (en) | Organic light emitting display panel with absorbing members and method of fabricating the same | |
JP4854783B2 (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
US20070126349A1 (en) | Dual emission display | |
JP2009026648A (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
JP5798105B2 (ja) | 有機elパネル | |
JP2007250251A (ja) | 光デバイス、および光デバイスの製造方法 | |
WO2015136580A1 (ja) | 有機el装置、有機el装置の設計方法及び有機el装置の製造方法 | |
CN112072001B (zh) | 显示基板及显示装置 | |
KR100637181B1 (ko) | 평판 표시장치 및 그 제조방법 | |
US9799850B2 (en) | Organic EL device | |
KR20080055717A (ko) | 유기발광장치 및 그 제조방법 | |
JP2006202610A (ja) | 自発光パネル及びその製造方法 | |
JP2019075316A (ja) | 発光装置 | |
JP2004319245A (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
JP2013218872A (ja) | 電界発光表示装置 | |
JP2007213950A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5174145 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |