JP2003317936A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＥＬ素子が形成された第１のガラス基板と、キ
ャップ用の第２のガラス基板とを貼り合わせた封止構造
において、第１のガラス基板または第２のガラス基板に
外力が加わった場合のＥＬ素子の破壊を防止する。 【解決手段】表面にＥＬ素子１０１を備えた第１のガラ
ス基板１００と、第１のガラス基板２００とシール樹脂
１５０を用いて貼り合わされた第２のガラス基板２００
と、第２のガラス基板２００の表面に形成された乾燥剤
層２１０と、乾燥剤層２１０の表面を被覆する応力緩衝
層２１１と、を有する。
ャップ用の第２のガラス基板とを貼り合わせた封止構造
において、第１のガラス基板または第２のガラス基板に
外力が加わった場合のＥＬ素子の破壊を防止する。 【解決手段】表面にＥＬ素子１０１を備えた第１のガラ
ス基板１００と、第１のガラス基板２００とシール樹脂
１５０を用いて貼り合わされた第２のガラス基板２００
と、第２のガラス基板２００の表面に形成された乾燥剤
層２１０と、乾燥剤層２１０の表面を被覆する応力緩衝
層２１１と、を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス表示装置に関し、特にエレクトロルミネッセン
ス表示装置の封止構造に関する。
ッセンス表示装置に関し、特にエレクトロルミネッセン
ス表示装置の封止構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されている。
【０００３】このＥＬ素子は水分に弱いため、ＥＬ表示
パネルでは、乾燥剤が塗布された金属キャップやガラス
キャップで蓋をする構造が知られている。図９はそのよ
うな従来のＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。
パネルでは、乾燥剤が塗布された金属キャップやガラス
キャップで蓋をする構造が知られている。図９はそのよ
うな従来のＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。
【０００４】第１のガラス基板７０は、その表面に多数
のＥＬ素子７１が形成された表示領域を有している。こ
の第１のガラス基板７０は、エポキシ樹脂等から成るシ
ール樹脂７５を用いてキャップ用の第２のガラス基板８
０と貼り合わされている。第２のガラス基板８０には、
上記表示領域に対応した領域に凹部８１（以下、ポケッ
ト部８１という）がエッチングによって形成されてお
り、このポケット部８１に水分等の湿気を吸収するため
の乾燥剤層８２が塗布されている。
のＥＬ素子７１が形成された表示領域を有している。こ
の第１のガラス基板７０は、エポキシ樹脂等から成るシ
ール樹脂７５を用いてキャップ用の第２のガラス基板８
０と貼り合わされている。第２のガラス基板８０には、
上記表示領域に対応した領域に凹部８１（以下、ポケッ
ト部８１という）がエッチングによって形成されてお
り、このポケット部８１に水分等の湿気を吸収するため
の乾燥剤層８２が塗布されている。
【０００５】ここで、ポケット部８１を設けている理由
は、乾燥剤層８２とＥＬ素子７１との間のスペースを確
保して、乾燥剤層８２がＥＬ素子７１に接触し、ＥＬ素
子７１に損傷を与えるのを防止するためである。
は、乾燥剤層８２とＥＬ素子７１との間のスペースを確
保して、乾燥剤層８２がＥＬ素子７１に接触し、ＥＬ素
子７１に損傷を与えるのを防止するためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
に示すように、第１のガラス基板７０の表面に外力が加
わることがある。これは、ＥＬ表示装置の製造過程（例
えば、ガラス基板の搬送工程）でも起こることであり、
また、ＥＬ表示装置のパネル面にユーザーの手が触れる
際にも起こることである。そうすると、第１のガラス基
板７０にたわみが生じ、乾燥剤層８２とＥＬ素子７１と
が接触し、さらに外力がかかると、乾燥剤層８２からの
応力によって、ＥＬ素子７１が破壊されてしまうという
問題があった。また、第２のガラス基板８０の表面に外
力が加わる場合にも同様の問題を生じていた。
に示すように、第１のガラス基板７０の表面に外力が加
わることがある。これは、ＥＬ表示装置の製造過程（例
えば、ガラス基板の搬送工程）でも起こることであり、
また、ＥＬ表示装置のパネル面にユーザーの手が触れる
際にも起こることである。そうすると、第１のガラス基
板７０にたわみが生じ、乾燥剤層８２とＥＬ素子７１と
が接触し、さらに外力がかかると、乾燥剤層８２からの
応力によって、ＥＬ素子７１が破壊されてしまうという
問題があった。また、第２のガラス基板８０の表面に外
力が加わる場合にも同様の問題を生じていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は乾燥剤
層からの応力を分散、吸収させることによりＥＬ素子の
破壊を防止したＥＬ表示装置の封止構造を提供するもの
である。
層からの応力を分散、吸収させることによりＥＬ素子の
破壊を防止したＥＬ表示装置の封止構造を提供するもの
である。
【０００８】本発明の主な特徴構成は、以下の通りであ
る。
る。
【０００９】第１に、表面にエレクトロルミネッセンス
素子を備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わ
された第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成され
た乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表
示装置であって、前記乾燥剤層の表面が応力緩衝層で被
覆されていることを特徴とするものである。
素子を備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わ
された第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成され
た乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表
示装置であって、前記乾燥剤層の表面が応力緩衝層で被
覆されていることを特徴とするものである。
【００１０】第２に、表面にエレクトロルミネッセンス
素子を備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わ
された第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成され
た乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表
示装置であって、前記乾燥剤層が弾力性を有することを
特徴とするものである。
素子を備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わ
された第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成され
た乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表
示装置であって、前記乾燥剤層が弾力性を有することを
特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照しながら詳細に説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
るエレクトロルミネッセンス装置を示す平面図である。
図２は、図１におけるＡ−Ａ’線における断面図であ
る。
図面を参照しながら詳細に説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
るエレクトロルミネッセンス装置を示す平面図である。
図２は、図１におけるＡ−Ａ’線における断面図であ
る。
【００１２】第１のガラス基板１００（表示パネル）
は、その表面に多数のＥＬ素子１０１が形成された表示
領域を有している。その厚みは、０．７ｍｍ程度であ
る。この表示領域は、複数の画素がマトリクス状に配置
され、各画素毎にＥＬ素子１０１が配置されている。そ
のような画素の詳細な構造については後述する。
は、その表面に多数のＥＬ素子１０１が形成された表示
領域を有している。その厚みは、０．７ｍｍ程度であ
る。この表示領域は、複数の画素がマトリクス状に配置
され、各画素毎にＥＬ素子１０１が配置されている。そ
のような画素の詳細な構造については後述する。
【００１３】第２のガラス基板２００は、上記第１のガ
ラス基板１００に蓋をするためのガラス基板であり、そ
の厚みは０．７ｍｍ程度である。この第２のガラス基板
２００には、あらかじめ上記表示領域に対応した領域に
凹部２０１（以下、ポケット部２０１という）がエッチ
ングによって形成されている。ポケット部２０１の深さ
は０．３ｍｍ程度である。
ラス基板１００に蓋をするためのガラス基板であり、そ
の厚みは０．７ｍｍ程度である。この第２のガラス基板
２００には、あらかじめ上記表示領域に対応した領域に
凹部２０１（以下、ポケット部２０１という）がエッチ
ングによって形成されている。ポケット部２０１の深さ
は０．３ｍｍ程度である。
【００１４】そして、このポケット部２０１に水分等の
湿気を吸収するための乾燥剤層２１０が塗布されてい
る。乾燥剤層２１０は、例えば、粉末状の酸化カルシウ
ムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶
かした状態にして、ポケット部２０１の底部に塗布し、
更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させる。
湿気を吸収するための乾燥剤層２１０が塗布されてい
る。乾燥剤層２１０は、例えば、粉末状の酸化カルシウ
ムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶
かした状態にして、ポケット部２０１の底部に塗布し、
更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させる。
【００１５】そして、乾燥剤層２１０は、応力緩衝層２
１１によって被覆されている。応力緩衝層２１１は、例
えばエポキシ樹脂を塗布するか、ポリエチレンタレフタ
レート（ＰＥＴ）やフッ素樹脂のような弾性を有するシ
ートで被覆することで形成することができる。
１１によって被覆されている。応力緩衝層２１１は、例
えばエポキシ樹脂を塗布するか、ポリエチレンタレフタ
レート（ＰＥＴ）やフッ素樹脂のような弾性を有するシ
ートで被覆することで形成することができる。
【００１６】また、応力緩衝層２１１には図３に示すよ
うに、多数の通気孔２１２が形成されていることが好ま
しい。これは、乾燥剤層２１０の通気性を良くして乾燥
剤としての機能を損なわないようにするためである。
うに、多数の通気孔２１２が形成されていることが好ま
しい。これは、乾燥剤層２１０の通気性を良くして乾燥
剤としての機能を損なわないようにするためである。
【００１７】そして、第１のガラス基板１００と第２の
ガラス基板２００とは、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内
で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂１５０を用いて
貼り合わされる。これにより、応力緩衝層２１１と第１
のガラス基板１００との間にはＮ２ガスが充填され、Ｎ
２ガス層１０２が形成される。
ガラス基板２００とは、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内
で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂１５０を用いて
貼り合わされる。これにより、応力緩衝層２１１と第１
のガラス基板１００との間にはＮ２ガスが充填され、Ｎ
２ガス層１０２が形成される。
【００１８】本実施形態によれば、乾燥剤層２１０とＥ
Ｌ素子１０１との間には、応力緩衝層２１１が挟まれた
構造となるので、図４に示すように、第１のガラス基板
１００に外力が加わり、第１のガラス基板１００がたわ
み、ＥＬ素子１０１と応力緩衝層２１１とが接触した場
合に、応力緩衝層２１１に弾性変形が生じるために、Ｅ
Ｌ素子１０１に加わる応力が、この応力緩衝層２１１に
よって分散、吸収される結果、ＥＬ素子１０１の破壊が
防止される。 （第２の実施形態）図５は本発明の第２の実施形態に係
るエレクトロルミネッセンス装置を示す断面図である。
この図５は図１のＡ−Ａ’線における断面図に対応して
いる。なお、図において、図２と同一の構成部分につい
ては同一の符号を付している。
Ｌ素子１０１との間には、応力緩衝層２１１が挟まれた
構造となるので、図４に示すように、第１のガラス基板
１００に外力が加わり、第１のガラス基板１００がたわ
み、ＥＬ素子１０１と応力緩衝層２１１とが接触した場
合に、応力緩衝層２１１に弾性変形が生じるために、Ｅ
Ｌ素子１０１に加わる応力が、この応力緩衝層２１１に
よって分散、吸収される結果、ＥＬ素子１０１の破壊が
防止される。 （第２の実施形態）図５は本発明の第２の実施形態に係
るエレクトロルミネッセンス装置を示す断面図である。
この図５は図１のＡ−Ａ’線における断面図に対応して
いる。なお、図において、図２と同一の構成部分につい
ては同一の符号を付している。
【００１９】上記第１の実施形態では、乾燥剤層２１０
を応力緩衝層２１１で被覆するものであるが、本実施形
態では、乾燥剤層２１３そのものに弾力性を付与するこ
とにより、ＥＬ素子１０１に加わる応力を緩和したもの
である。
を応力緩衝層２１１で被覆するものであるが、本実施形
態では、乾燥剤層２１３そのものに弾力性を付与するこ
とにより、ＥＬ素子１０１に加わる応力を緩和したもの
である。
【００２０】乾燥剤層２１３は、粉末状の酸化カルシウ
ムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶
かした状態にして、ポケット部２０１の底部に塗布し、
更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させるている
が、弾力性を付与するために、樹脂の混合比率を２０重
量％以上に増加させる。樹脂の種類としては、エポキシ
樹脂やＵＶ樹脂が適当である。
ムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶
かした状態にして、ポケット部２０１の底部に塗布し、
更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させるている
が、弾力性を付与するために、樹脂の混合比率を２０重
量％以上に増加させる。樹脂の種類としては、エポキシ
樹脂やＵＶ樹脂が適当である。
【００２１】これにより、図６に示すように、第１のガ
ラス基板１００に外力が加わり、第１のガラス基板１０
０がたわみ、ＥＬ素子１０１と乾燥剤層２１３とが接触
した場合に、乾燥剤層２１３そのものに弾性変形が生じ
るために、ＥＬ素子１０１に加わる応力が、分散、吸収
される結果、ＥＬ素子１０１の破壊が防止される。
ラス基板１００に外力が加わり、第１のガラス基板１０
０がたわみ、ＥＬ素子１０１と乾燥剤層２１３とが接触
した場合に、乾燥剤層２１３そのものに弾性変形が生じ
るために、ＥＬ素子１０１に加わる応力が、分散、吸収
される結果、ＥＬ素子１０１の破壊が防止される。
【００２２】次に、上記第１及び第２の実施形態に共通
に適用されるＥＬ表示装置の表示画素の構成例について
説明する。
に適用されるＥＬ表示装置の表示画素の構成例について
説明する。
【００２３】図７に有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を
示す平面図を示し、図８（ａ）に図７中のＡ−Ａ線に沿
った断面図を示し、図８（ｂ）に図７中のＢ−Ｂ線に沿
った断面図を示す。
示す平面図を示し、図８（ａ）に図７中のＡ−Ａ線に沿
った断面図を示し、図８（ｂ）に図７中のＢ−Ｂ線に沿
った断面図を示す。
【００２４】図７及び図８に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１５が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１５が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
【００２５】この表示画素１１５には、自発光素子であ
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６３とから成
っている。
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６３とから成
っている。
【００２６】即ち、両信号線５１，５２の交点付近には
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
【００２７】また、ゲート信号線５１と並行に保持容量
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
【００２８】図８に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ
素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ
素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。
【００２９】まず、スイッチング用ＴＦＴである第１の
ＴＦＴ３０について説明する。
ＴＦＴ３０について説明する。
【００３０】図８（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質
シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶ
Ｄ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射し
て溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−
Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。
その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体
をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質
シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶ
Ｄ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射し
て溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−
Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。
その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体
をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
【００３１】そして、ゲート絶縁膜３２及び能動層３３
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
【００３２】次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである
第２のＴＦＴ４０について説明する。図８（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結
晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順
に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３
ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜
１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜
及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成
し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電
源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂
から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えてい
る。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画
素ごとに島状に分離形成されている。
第２のＴＦＴ４０について説明する。図８（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結
晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順
に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３
ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜
１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜
及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成
し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電
源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂
から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えてい
る。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画
素ごとに島状に分離形成されている。
【００３３】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
【００３４】なお、平坦化絶縁膜１７上にはさらに第２
の平坦化絶縁膜６６が形成されている。そして、陽極６
１上については、第２の平坦化絶縁膜６６が除去された
構造としている。
の平坦化絶縁膜６６が形成されている。そして、陽極６
１上については、第２の平坦化絶縁膜６６が除去された
構造としている。
【００３５】有機ＥＬ素子６０は、陽極６１から注入さ
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、ＥＬ素子が形成された
第１のガラス基板（表示パネル）と、ＥＬ素子に蓋をす
る第２のガラス基板とを貼り合わせたエレクトロルミネ
ッセンス装置の封止構造において、乾燥剤層とＥＬ素子
との間には、応力緩衝層が挟まれた構造としているの
で、第１のガラス基板または第２のガラス基板に外力が
加わった場合のＥＬ素子１０１の破壊が防止される。
第１のガラス基板（表示パネル）と、ＥＬ素子に蓋をす
る第２のガラス基板とを貼り合わせたエレクトロルミネ
ッセンス装置の封止構造において、乾燥剤層とＥＬ素子
との間には、応力緩衝層が挟まれた構造としているの
で、第１のガラス基板または第２のガラス基板に外力が
加わった場合のＥＬ素子１０１の破壊が防止される。
【００３７】また、乾燥剤層に混合される樹脂の量を増
加させるなどして弾力性を高めることにより同様の効果
を得ることができる。
加させるなどして弾力性を高めることにより同様の効果
を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の平面図である。
ネッセンス表示装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る応力緩衝層の斜
視図である。
視図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の断面図である。
ネッセンス表示装置の断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の平面図である。
ネッセンス表示装置の平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の平面図である。
ネッセンス表示装置の平面図である。
【図７】有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す平面図
である。
である。
【図８】有機ＥＬ表示装置の表示画素の断面図である。
【図９】従来例に係るエレクトロルミネッセンス装置の
断面図である。
断面図である。
【図１０】従来例に係るエレクトロルミネッセンス装置
の断面図である。
の断面図である。
【符号の説明】
１００ 第１のガラス基板 １０１ ＥＬ素子 １
０２ Ｎ２ガス層 １５０ シール樹脂 ２００ 第２のガラス基板
２０１ ポケット部 ２１０ 乾燥剤層 ２１１ 応力緩衝層 ２１２
通気孔 ２１３ 乾燥剤層
０２ Ｎ２ガス層 １５０ シール樹脂 ２００ 第２のガラス基板
２０１ ポケット部 ２１０ 乾燥剤層 ２１１ 応力緩衝層 ２１２
通気孔 ２１３ 乾燥剤層
Claims (7)
- 【請求項１】 表面にエレクトロルミネッセンス素子を
備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わされた
第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成された乾燥
剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表示装置
であって、前記乾燥剤層の表面が応力緩衝層で被覆され
ていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示
装置。 - 【請求項２】 前記応力緩衝層は樹脂層から成ることを
特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表
示装置。 - 【請求項３】 前記応力緩衝層の表面に多数の通気孔が
形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の
エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項４】 前記乾燥剤層は前記第２の基板の表面に
形成された凹部に形成されていることを特徴とする請求
項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項５】 表面にエレクトロルミネッセンス素子を
備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わされた
第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成された乾燥
剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表示装置
であって、前記乾燥剤層が弾力性を有することを特徴と
するエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項６】 前記乾燥剤層に樹脂が２０重量％以上、
混合されていることを特徴とする請求項５記載のエレク
トロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項７】 前記樹脂は、エポキシ樹脂又はＵＶ樹脂
であることを特徴とする請求項６記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002122114A JP2003317936A (ja) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| TW092107703A TW200307480A (en) | 2002-04-24 | 2003-04-04 | Electroluminescence display device |
| US10/419,982 US6930449B2 (en) | 2002-04-24 | 2003-04-22 | Electroluminescent display device with desiccant layer |
| KR1020030025358A KR100545956B1 (ko) | 2002-04-24 | 2003-04-22 | 전기 발광 표시 장치 |
| CN03124044A CN1454032A (zh) | 2002-04-24 | 2003-04-24 | 电致发光显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002122114A JP2003317936A (ja) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003317936A true JP2003317936A (ja) | 2003-11-07 |
Family
ID=29267430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002122114A Withdrawn JP2003317936A (ja) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6930449B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003317936A (ja) |
| KR (1) | KR100545956B1 (ja) |
| CN (1) | CN1454032A (ja) |
| TW (1) | TW200307480A (ja) |
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| JP2008108682A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Lg Electron Inc | 表示素子 |
| JP2009100223A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Kenwood Corp | 有機エレクトロルミネッセンスパネルスピーカ |
| US8362698B2 (en) | 2008-02-26 | 2013-01-29 | Tohoku Pioneer Corporation | Organic EL panel and its manufacturing method |
| JP2020021559A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 双葉電子工業株式会社 | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
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| KR101044489B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2011-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 대형 폭의 채널을 구비하는 폴리실리콘 액정표시소자 및그 제조방법 |
| KR100999011B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2010-12-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 유닛과 이를 이용한 액정표시장치 |
| DE102004024676A1 (de) * | 2004-05-18 | 2005-12-15 | Süd-Chemie AG | Filmförmige sorbenshaltige Zusammensetzungen |
| US7371335B2 (en) | 2004-10-21 | 2008-05-13 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Curable thick film compositions for use in moisture control |
| TWI324493B (en) | 2006-05-19 | 2010-05-01 | Au Optronics Corp | Lectro-luminescence panel, el panel |
| TWI336211B (en) | 2006-07-12 | 2011-01-11 | Au Optronics Corp | Double-sided display appratus |
| KR100889682B1 (ko) * | 2008-01-30 | 2009-03-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR20110007654A (ko) * | 2009-07-17 | 2011-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
| CN102947969B (zh) * | 2010-06-22 | 2017-02-22 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有分隔箔的有机电致发光设备 |
| WO2015129989A1 (ko) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 에스케이플래닛 주식회사 | 콘텐츠 및 음원 추천 장치 및 방법 |
| CN105826357A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-08-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及oled显示装置 |
| CN109036132B (zh) * | 2018-07-24 | 2021-03-26 | 广州国显科技有限公司 | 显示面板及显示母板 |
| CN110635065B (zh) * | 2019-09-26 | 2022-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器件及其制备方法和显示装置 |
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| JP3558578B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2004-08-25 | 日東電工株式会社 | 固定部材およびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子ならびにその背面基板 |
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-
2002
- 2002-04-24 JP JP2002122114A patent/JP2003317936A/ja not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-04-04 TW TW092107703A patent/TW200307480A/zh unknown
- 2003-04-22 US US10/419,982 patent/US6930449B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-22 KR KR1020030025358A patent/KR100545956B1/ko active IP Right Grant
- 2003-04-24 CN CN03124044A patent/CN1454032A/zh active Pending
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| US6930449B2 (en) | 2005-08-16 |
| KR100545956B1 (ko) | 2006-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050419 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20061116 |