JP2003288026A - エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】有機ＥＬ表示装置において、レーザービーム照
射によるナンバリング工程で、罫書き粉を原因とする素
子の不良を防止する。 【解決手段】レーザービーム３００の照射によるナンバ
リング工程をデバイス基板２１０の封止後に行うように
した。レーザービーム照射により、クロム層から成るナ
ンバリング領域２１３から飛散する罫書き粉３０１は、
シール樹脂２２０及び封止基板２３０によりブロックさ
れるので、デバイス基板２１０上の有機ＥＬデバイス２
１１に付着することがない。
射によるナンバリング工程で、罫書き粉を原因とする素
子の不良を防止する。 【解決手段】レーザービーム３００の照射によるナンバ
リング工程をデバイス基板２１０の封止後に行うように
した。レーザービーム照射により、クロム層から成るナ
ンバリング領域２１３から飛散する罫書き粉３０１は、
シール樹脂２２０及び封止基板２３０によりブロックさ
れるので、デバイス基板２１０上の有機ＥＬデバイス２
１１に付着することがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス表示装置の製造方法に関し、特にデバイス基板
にレーザー照射により文字や記号等を刻設する工程を有
するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関
する。
ッセンス表示装置の製造方法に関し、特にデバイス基板
にレーザー照射により文字や記号等を刻設する工程を有
するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されている。
【０００３】以下、有機ＥＬ表示装置の表示画素の構成
例について説明する。
例について説明する。
【０００４】図６に有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を
示す平面図を示し、図７（ａ）に図６中のＡ−Ａ線に沿
った断面図を示し、図７（ｂ）に図６中のＢ−Ｂ線に沿
った断面図を示す。
示す平面図を示し、図７（ａ）に図６中のＡ−Ａ線に沿
った断面図を示し、図７（ｂ）に図６中のＢ−Ｂ線に沿
った断面図を示す。
【０００５】図６及び図７に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１５が形成されており、これらの表示画素１１５が複
数個、マトリクス状に配置されている。
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１５が形成されており、これらの表示画素１１５が複
数個、マトリクス状に配置されている。
【０００６】この表示画素１１５には、自発光素子であ
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ
（ThinFilm Transistor）３０と、有機ＥＬ素子６０に
電流を供給する駆動用ＴＦＴ４０と、保持容量とが配置
されている。なお、有機ＥＬ素子６０は、第１の電極で
ある陽極６１と発光材料からなる発光素子層と、第２の
電極である陰極６３とから成っている。
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ
（ThinFilm Transistor）３０と、有機ＥＬ素子６０に
電流を供給する駆動用ＴＦＴ４０と、保持容量とが配置
されている。なお、有機ＥＬ素子６０は、第１の電極で
ある陽極６１と発光材料からなる発光素子層と、第２の
電極である陰極６３とから成っている。
【０００７】即ち、両信号線５１，５２の交点付近には
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴ４０のソー
ス４３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他
方のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電
流源である駆動電源線５３に接続されている。
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴ４０のソー
ス４３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他
方のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電
流源である駆動電源線５３に接続されている。
【０００８】また、ゲート信号線５１と並行に保持容量
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
【０００９】図７に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮXなどの
絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ
素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮXなどの
絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ
素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。
【００１０】まず、スイッチング用ＴＦＴである第１の
ＴＦＴ３０について説明する。
ＴＦＴ３０について説明する。
【００１１】図７（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質
シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶ
Ｄ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射し
て溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−
Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。
その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮX膜の単層あるいは積層体
をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質
シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶ
Ｄ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射し
て溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−
Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。
その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮX膜の単層あるいは積層体
をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
【００１２】そして、ゲート絶縁膜３２及び能動層３３
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮX膜及びＳｉＯ2膜の
順に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレ
イン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等
の金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全
面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１
７が形成されている。
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮX膜及びＳｉＯ2膜の
順に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレ
イン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等
の金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全
面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１
７が形成されている。
【００１３】次に有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである第
２のＴＦＴ４０について説明する。図７（ｂ）に示すよ
うに、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性
基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶
化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形
成されており、その能動層４３には、チャネル４３ｃ
と、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレ
イン４３ｄが設けられている。
２のＴＦＴ４０について説明する。図７（ｂ）に示すよ
うに、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性
基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶
化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、
Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形
成されており、その能動層４３には、チャネル４３ｃ
と、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレ
イン４３ｄが設けられている。
【００１４】そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３
上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮX膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄ
に対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充
填して駆動電源に接続された駆動電源線５３が配置され
ている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦
にする平坦化絶縁膜１７を備えている。
上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮX膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄ
に対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充
填して駆動電源に接続された駆動電源線５３が配置され
ている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦
にする平坦化絶縁膜１７を備えている。
【００１５】そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４
３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトし
たＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６
１を平坦化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は
各表示画素ごとに島状に分離形成されている。
３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、この
コンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトし
たＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６
１を平坦化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は
各表示画素ごとに島状に分離形成されている。
【００１６】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
【００１７】有機ＥＬ素子６０は、陽極６１から注入さ
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００１８】上述した構成の有機ＥＬ表示装置は、例え
ば図８に示すようにマザーガラスと呼ばれるガラス基板
２００上に、複数の有機ＥＬデバイス２０１が所定の間
隔を隔ててマトリクス状に形成される。図８の例では、
４×４個の有機ＥＬデバイス２０１が形成されている。
そして、個々の有機ＥＬデバイス２０１に隣接して、そ
の有機ＥＬデバイス２０１の製造番号、ロット番号等の
製造情報を表す文字や記号等を刻設するためのナンバリ
ング領域２０２が形成されている。
ば図８に示すようにマザーガラスと呼ばれるガラス基板
２００上に、複数の有機ＥＬデバイス２０１が所定の間
隔を隔ててマトリクス状に形成される。図８の例では、
４×４個の有機ＥＬデバイス２０１が形成されている。
そして、個々の有機ＥＬデバイス２０１に隣接して、そ
の有機ＥＬデバイス２０１の製造番号、ロット番号等の
製造情報を表す文字や記号等を刻設するためのナンバリ
ング領域２０２が形成されている。
【００１９】図９は、ナンバリング領域２０２に文字や
記号等を刻設する方法を示す図であり、図８のＡ−Ａ線
の断面図に対応している。ガラス基板２００上に、絶縁
膜１２０を介してクロム層から成るナンバリング領域２
０２を形成する。
記号等を刻設する方法を示す図であり、図８のＡ−Ａ線
の断面図に対応している。ガラス基板２００上に、絶縁
膜１２０を介してクロム層から成るナンバリング領域２
０２を形成する。
【００２０】これらの絶縁膜１２０及びナンバリング領
域２０２は、上述した有機ＥＬデバイス２０１の製造工
程の一部を利用して形成される。例えば、絶縁膜１２０
はＴＦＴ３０，４０のゲート絶縁膜１２の形成工程と同
一の工程で形成され、ナンバリング領域２０２はＴＦＴ
３０，４０のゲート３１，４１の形成工程と同一の工程
で形成される。
域２０２は、上述した有機ＥＬデバイス２０１の製造工
程の一部を利用して形成される。例えば、絶縁膜１２０
はＴＦＴ３０，４０のゲート絶縁膜１２の形成工程と同
一の工程で形成され、ナンバリング領域２０２はＴＦＴ
３０，４０のゲート３１，４１の形成工程と同一の工程
で形成される。
【００２１】そして、このナンバリング領域２０２にレ
ーザービーム３００を照射してナンバリング領域２０１
の表面を罫書くことにより、文字や記号等を刻設する。
ーザービーム３００を照射してナンバリング領域２０１
の表面を罫書くことにより、文字や記号等を刻設する。
【００２２】その後の工程を経てガラス基板２００上に
有機ＥＬデバイス２０１が完成される。そして、ガラス
基板２００はシール樹脂を用いて不図示の封止基板と貼
り合わされることにより封止される。更に、貼り合わさ
れたガラス基板２００、封止基板を切断することによ
り、個々の有機ＥＬパネルに分割される。
有機ＥＬデバイス２０１が完成される。そして、ガラス
基板２００はシール樹脂を用いて不図示の封止基板と貼
り合わされることにより封止される。更に、貼り合わさ
れたガラス基板２００、封止基板を切断することによ
り、個々の有機ＥＬパネルに分割される。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ービーム３００を照射してナンバリング領域２０２に文
字や記号等を刻設する工程において、レーザービーム照
射により飛び散った罫書き粉がガラス基板２００上のＴ
ＦＴや有機ＥＬ素子等の素子形成領域に付着するため、
ＴＦＴ等の素子の不良の原因となっていた。
ービーム３００を照射してナンバリング領域２０２に文
字や記号等を刻設する工程において、レーザービーム照
射により飛び散った罫書き粉がガラス基板２００上のＴ
ＦＴや有機ＥＬ素子等の素子形成領域に付着するため、
ＴＦＴ等の素子の不良の原因となっていた。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した従来技
術の課題に鑑みてなされたものであり、デバイス基板上
に有機ＥＬデバイスを形成する工程と、前記デバイス基
板と封止基板とをシール樹脂を用いて外周部で貼り合わ
せる工程と、前記シール樹脂より外側の前記デバイス基
板の表面の所定層領域にレーザービーム照射により文字
や記号等を刻設する工程と、を具備することを特徴とす
る。
術の課題に鑑みてなされたものであり、デバイス基板上
に有機ＥＬデバイスを形成する工程と、前記デバイス基
板と封止基板とをシール樹脂を用いて外周部で貼り合わ
せる工程と、前記シール樹脂より外側の前記デバイス基
板の表面の所定層領域にレーザービーム照射により文字
や記号等を刻設する工程と、を具備することを特徴とす
る。
【００２５】本発明によれば、レーザービーム照射によ
るナンバリング工程をデバイス基板の封止後に行うよう
にしたので、レーザービーム照射により飛散する罫書き
粉がデバイス基板上のＴＦＴや有機ＥＬ素子等の素子形
成領域に付着することがない。これにより、罫書き粉を
原因とする素子の不良を防止することができる。
るナンバリング工程をデバイス基板の封止後に行うよう
にしたので、レーザービーム照射により飛散する罫書き
粉がデバイス基板上のＴＦＴや有機ＥＬ素子等の素子形
成領域に付着することがない。これにより、罫書き粉を
原因とする素子の不良を防止することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態に係るエ
レクトロルミネッセンス表示装置の製造方法について図
面を参照しながら詳細に説明する。図１は、封止された
デバイス基板の状態を示す断面図である。
レクトロルミネッセンス表示装置の製造方法について図
面を参照しながら詳細に説明する。図１は、封止された
デバイス基板の状態を示す断面図である。
【００２７】図において、２１０は複数のデバイス基板
を備えたマザーガラス基板であり、その表面に有機ＥＬ
デバイス２１１を備えた有機ＥＬパネルが所定の間隔を
もって形成されている。マザーガラス基板２１０は、平
面的には図８に示した構成と同様に各表示画素に有機Ｅ
Ｌ素子を備えている。有機ＥＬデバイス２１１の構成
は、図６及び図７に示したものと同様である。
を備えたマザーガラス基板であり、その表面に有機ＥＬ
デバイス２１１を備えた有機ＥＬパネルが所定の間隔を
もって形成されている。マザーガラス基板２１０は、平
面的には図８に示した構成と同様に各表示画素に有機Ｅ
Ｌ素子を備えている。有機ＥＬデバイス２１１の構成
は、図６及び図７に示したものと同様である。
【００２８】このデバイス基板２１０はシール樹脂２２
０を用いて封止基板２３０と貼り合わされている。シー
ル樹脂２２０は、例えばエポキシ樹脂等から成り、有機
ＥＬデバイス２１１を区画するように塗布されている。
０を用いて封止基板２３０と貼り合わされている。シー
ル樹脂２２０は、例えばエポキシ樹脂等から成り、有機
ＥＬデバイス２１１を区画するように塗布されている。
【００２９】次に、上記のように封止されたデバイス基
板２１０を切断して、個々の有機ＥＬパネルに分割され
る。図２は、そのような１つの有機ＥＬパネルを示す平
面図である。また、図３は、図２のＢ−Ｂ線における断
面図である。
板２１０を切断して、個々の有機ＥＬパネルに分割され
る。図２は、そのような１つの有機ＥＬパネルを示す平
面図である。また、図３は、図２のＢ−Ｂ線における断
面図である。
【００３０】デバイス基板２１０と封止基板２３０と
は、シール樹脂２２０を用いて外周部で貼り合わされて
おり、その内側に、有機ＥＬデバイス２１１が形成され
ている。また封止後、封止基板２３０の一端は部分的に
切断され、デバイス基板２１０の周辺部が露出される。
は、シール樹脂２２０を用いて外周部で貼り合わされて
おり、その内側に、有機ＥＬデバイス２１１が形成され
ている。また封止後、封止基板２３０の一端は部分的に
切断され、デバイス基板２１０の周辺部が露出される。
【００３１】そして、露出されたデバイス基板２１０の
周辺部には、有機ＥＬデバイス２１１の製造番号、ロッ
ト番号等の製造情報を表す文字や記号等を刻設するため
のナンバリング領域２１３が形成されている。また、露
出されたデバイス基板２１０の周辺部には、内部の有機
ＥＬデバイス２１１からの配線が取り出され、複数の外
部接続用電極２１２が形成されている。この外部接続用
電極２１２には、不図示のＦＰＣ（Flexible Printed C
ircuit）が接続される。
周辺部には、有機ＥＬデバイス２１１の製造番号、ロッ
ト番号等の製造情報を表す文字や記号等を刻設するため
のナンバリング領域２１３が形成されている。また、露
出されたデバイス基板２１０の周辺部には、内部の有機
ＥＬデバイス２１１からの配線が取り出され、複数の外
部接続用電極２１２が形成されている。この外部接続用
電極２１２には、不図示のＦＰＣ（Flexible Printed C
ircuit）が接続される。
【００３２】次に、ナンバリング工程を図４を参照して
説明する。図４は図３の破線で囲まれた領域の拡大図で
ある。デバイス基板２１０の表面には、ＳｉＮX、Ｓｉ
Ｏ2の積層膜から成る絶縁膜２１４が形成され、この絶
縁膜２１４上にクロム層から成るナンバリング領域２０
２が形成されている。
説明する。図４は図３の破線で囲まれた領域の拡大図で
ある。デバイス基板２１０の表面には、ＳｉＮX、Ｓｉ
Ｏ2の積層膜から成る絶縁膜２１４が形成され、この絶
縁膜２１４上にクロム層から成るナンバリング領域２０
２が形成されている。
【００３３】絶縁膜２１４は、例えば有機ＥＬデバイス
２１１のＴＦＴのゲート絶縁膜の形成工程と同一の工程
で形成され、ナンバリング領域２１３はＴＦＴのゲート
の形成工程と同一の工程で形成される。
２１１のＴＦＴのゲート絶縁膜の形成工程と同一の工程
で形成され、ナンバリング領域２１３はＴＦＴのゲート
の形成工程と同一の工程で形成される。
【００３４】そして、このナンバリング領域２１３にレ
ーザービーム３００を照射してナンバリング領域２１３
の表面を罫書くことにより、文字や記号等を刻設する。
例えば、製造番号を表すＰ１Ｘ０４８−０６等の記号で
ある。この文字や記号等は、任意に選択することができ
る。
ーザービーム３００を照射してナンバリング領域２１３
の表面を罫書くことにより、文字や記号等を刻設する。
例えば、製造番号を表すＰ１Ｘ０４８−０６等の記号で
ある。この文字や記号等は、任意に選択することができ
る。
【００３５】このレーザービーム照射により、罫書き粉
３０１（クロムの粉等）が飛散するが、有機ＥＬデバイ
ス２１１はすでに封止されており、シール樹脂及び有機
ＥＬデバイス２１１に対向する封止基板２３０によって
ブロックされるので、有機ＥＬデバイス２１１の部分に
罫書き粉が付着して素子不良を起こすことが防止され
る。
３０１（クロムの粉等）が飛散するが、有機ＥＬデバイ
ス２１１はすでに封止されており、シール樹脂及び有機
ＥＬデバイス２１１に対向する封止基板２３０によって
ブロックされるので、有機ＥＬデバイス２１１の部分に
罫書き粉が付着して素子不良を起こすことが防止され
る。
【００３６】図５は、他のナンバリング工程を示す図で
ある。上述した例では、封止基板２３０の一端は部分的
に切断され、デバイス基板２１０の周辺部が露出された
状態で、レーザービーム照射を行っているが、これには
限定されず、図５に示すように、封止基板２３０の一端
は部分的に切断しない状態、すなわち、ナンバリング領
域２１３に対向するように封止基板２３０が延在してい
る場合にもレーザービーム照射により、同様に文字や記
号等を刻設することが可能である。
ある。上述した例では、封止基板２３０の一端は部分的
に切断され、デバイス基板２１０の周辺部が露出された
状態で、レーザービーム照射を行っているが、これには
限定されず、図５に示すように、封止基板２３０の一端
は部分的に切断しない状態、すなわち、ナンバリング領
域２１３に対向するように封止基板２３０が延在してい
る場合にもレーザービーム照射により、同様に文字や記
号等を刻設することが可能である。
【００３７】この場合には、レーザービーム３００は、
封止基板２３０を通して、ナンバリング領域２１３に照
射されることになるが、封止基板２３０がガラス材料で
あれば、特に問題はない。また、レーザービーム照射に
よって飛散する罫書き粉は、同様にシール樹脂２２０及
び有機ＥＬデバイス２１１に対向する封止基板２３０に
よってブロックされるので、素子不良が防止される。
封止基板２３０を通して、ナンバリング領域２１３に照
射されることになるが、封止基板２３０がガラス材料で
あれば、特に問題はない。また、レーザービーム照射に
よって飛散する罫書き粉は、同様にシール樹脂２２０及
び有機ＥＬデバイス２１１に対向する封止基板２３０に
よってブロックされるので、素子不良が防止される。
【００３８】なお、上述の各実施形態において、ＴＦＴ
のゲート絶縁膜をナンバリング領域２１３の下層に設け
た場合を示したが、これに限定されることなく、ゲート
絶縁膜をナンバリング領域２１３の下層に設けることは
必ずしも必要ではない。
のゲート絶縁膜をナンバリング領域２１３の下層に設け
た場合を示したが、これに限定されることなく、ゲート
絶縁膜をナンバリング領域２１３の下層に設けることは
必ずしも必要ではない。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、レーザービーム照射に
よるナンバリング工程をデバイス基板の封止後に行うよ
うにしたので、レーザービーム照射により飛散する罫書
き粉は、シール樹脂及び封止基板によりブロックされる
ので、デバイス基板上のＴＦＴや有機ＥＬ素子等の素子
形成領域に付着することがない。これにより、罫書き粉
を原因とする素子の不良を防止することができる。
よるナンバリング工程をデバイス基板の封止後に行うよ
うにしたので、レーザービーム照射により飛散する罫書
き粉は、シール樹脂及び封止基板によりブロックされる
ので、デバイス基板上のＴＦＴや有機ＥＬ素子等の素子
形成領域に付着することがない。これにより、罫書き粉
を原因とする素子の不良を防止することができる。
【図１】本発明の実施形態に係る封止されたデバイス基
板の状態を示す断面図である。
板の状態を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るマザーガラス基板から
分割された１つの有機ＥＬパネルを示す平面図である。
分割された１つの有機ＥＬパネルを示す平面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図３の破線部分の拡大図である。
【図５】他のナンバリング方法を示す断面図である。
【図６】有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す平面図
である。
である。
【図７】有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図８】マザーガラス上に形成された有機ＥＬデバイス
の配置を示す平面図である。
の配置を示す平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ線断面図である。
２１０ デバイス基板 ２１１ 有機ＥＬデバイス
２１２外部接続用電極 ２１３ ナンバリング領域 ２１４ 絶縁膜 ２２
０ シール樹脂 ２３０ 封止基板 ３００ レーザービーム ３０
１ 罫書き粉
２１２外部接続用電極 ２１３ ナンバリング領域 ２１４ 絶縁膜 ２２
０ シール樹脂 ２３０ 封止基板 ３００ レーザービーム ３０
１ 罫書き粉
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ
33/14
Ｆターム(参考） 3K007 AB18 DB03 FA00
5C094 AA42 BA03 BA12 BA27 CA19
DB05 FB12 FB15 GB10 HA08
5F110 AA26 BB01 CC02 DD02 DD03
EE04 EE28 FF02 FF03 FF09
GG02 GG13 GG44 HK03 NN03
NN23 NN24 NN71 PP03 QQ08
5G435 AA11 AA17 BB05 CC09 HH12
KK05 LL06 LL07 LL08
Claims (6)
- 【請求項１】 デバイス基板上に有機ＥＬデバイスを形
成する工程と、 前記デバイス基板と封止基板とをシール樹脂を用いて外
周部で貼り合わせる工程と、前記シール樹脂より外側の
前記デバイス基板の表面の所定層領域にレーザービーム
照射により文字や記号等を刻設する工程と、を具備する
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の
製造方法。 - 【請求項２】 前記所定層領域は、前記有機ＥＬデバイ
スを構成するＴＦＴのゲートを形成する工程と同一工程
で形成されることを特徴とする請求項１記載のエレクト
ロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記所定層領域はクロム層領域またはモ
リブデン層領域から成ることを特徴とする請求項２記載
のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 デバイス基板上に有機ＥＬデバイスを形
成する工程と、前記デバイス基板と封止基板とをシール
樹脂を用いて外周部で貼り合わせる工程と、前記シール
樹脂より外側の封止基板部分を除去して、前記デバイス
基板の周辺部を露出する工程と、前記デバイス基板の周
辺部の所定層領域にレーザービーム照射により文字や記
号等を刻設する工程と、を具備することを特徴とするエ
レクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記所定層領域は、前記有機ＥＬデバイ
スを構成するＴＦＴのゲートを形成する工程と同一工程
で形成されることを特徴とする請求項４記載のエレクト
ロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記所定層領域はクロム層領域またはモ
リブデン層領域から成ることを特徴とする請求項４記載
のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002092057A JP2003288026A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| TW092103620A TWI226717B (en) | 2002-03-28 | 2003-02-21 | Manufacturing method of electroluminescence display device |
| KR10-2003-0019076A KR100496578B1 (ko) | 2002-03-28 | 2003-03-27 | 일렉트로 루미네센스 표시 장치의 제조 방법 |
| US10/401,043 US6982180B2 (en) | 2002-03-28 | 2003-03-28 | Electroluminescent display device manufacturing method |
| CN03121223A CN1450839A (zh) | 2002-03-28 | 2003-03-28 | 电致发光显示装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002092057A JP2003288026A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003288026A true JP2003288026A (ja) | 2003-10-10 |
Family
ID=28786156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002092057A Pending JP2003288026A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6982180B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003288026A (ja) |
| KR (1) | KR100496578B1 (ja) |
| CN (1) | CN1450839A (ja) |
| TW (1) | TWI226717B (ja) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007080713A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Pioneer Electronic Corp | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
| JP2008241857A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Optrex Corp | 製品情報の印字方法および表示パネル |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6975304B1 (en) * | 2001-06-11 | 2005-12-13 | Handspring, Inc. | Interface for processing of an alternate symbol in a computer device |
| US20090020617A1 (en) * | 2003-10-13 | 2009-01-22 | Lg Electronics Inc. | Barcode marking method and apparatus for electro-luminescence display device |
| KR100592382B1 (ko) * | 2003-10-13 | 2006-06-22 | 엘지전자 주식회사 | 일렉트로 루미네센스 표시소자의 바코드 마킹방법 |
| US7622859B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-11-24 | Motorola, Inc. | Electroluminescent display having a pixel array |
| US20090006198A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | David George Walsh | Product displays for retail stores |
| WO2010082329A1 (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-22 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージの製造方法及びウエハ接合体、圧電振動子、発振器、電子機器、並びに電波時計 |
| JP6182909B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2017-08-23 | 株式会社リコー | 有機ｅｌ発光装置の製造方法 |
| CN111403630A (zh) * | 2017-03-08 | 2020-07-10 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el设备的制造方法 |
| CN109524574B (zh) * | 2018-11-22 | 2021-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板测试样品及其制作方法、缺陷分析方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06102534A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
| JP2000243554A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Tohoku Pioneer Corp | 発光ディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP4184526B2 (ja) * | 1999-02-19 | 2008-11-19 | 東北パイオニア株式会社 | 発光ディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| DE19910276A1 (de) * | 1999-03-09 | 2000-09-14 | Schlafhorst & Co W | Spinnrotor für Offenend-Spinnmaschinen und Verfahren zur Herstellung des Spinnrotors |
| TW511298B (en) * | 1999-12-15 | 2002-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
| US6436222B1 (en) | 2000-05-12 | 2002-08-20 | Eastman Kodak Company | Forming preformed images in organic electroluminescent devices |
-
2002
- 2002-03-28 JP JP2002092057A patent/JP2003288026A/ja active Pending
-
2003
- 2003-02-21 TW TW092103620A patent/TWI226717B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-27 KR KR10-2003-0019076A patent/KR100496578B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-03-28 CN CN03121223A patent/CN1450839A/zh active Pending
- 2003-03-28 US US10/401,043 patent/US6982180B2/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JP2007080713A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Pioneer Electronic Corp | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
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| TW200305298A (en) | 2003-10-16 |
| CN1450839A (zh) | 2003-10-22 |
| KR20030078707A (ko) | 2003-10-08 |
| TWI226717B (en) | 2005-01-11 |
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
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