JP2003323973A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＥＬ発光に伴う表示パネルの温度上昇を抑え、
ＥＬ素子の劣化を防止する。 【解決手段】表面にエレクトロルミネッセンス素子１０
１を備えた第１のガラス基板１００と、第１のガラス基
板１００とシール樹脂１０５を用いて貼り合わされた第
２のガラス基板２００と、第２のガラス基板のポケット
部２０１に形成された乾燥剤層２０２と、を具備してお
り、乾燥剤層２０２の表面が、金属シート等から成る高
熱伝導層２０３で被覆されている。
ＥＬ素子の劣化を防止する。 【解決手段】表面にエレクトロルミネッセンス素子１０
１を備えた第１のガラス基板１００と、第１のガラス基
板１００とシール樹脂１０５を用いて貼り合わされた第
２のガラス基板２００と、第２のガラス基板のポケット
部２０１に形成された乾燥剤層２０２と、を具備してお
り、乾燥剤層２０２の表面が、金属シート等から成る高
熱伝導層２０３で被覆されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス表示装置に関し、特にエレクトロルミネッセン
ス表示装置の封止構造に関する。
ッセンス表示装置に関し、特にエレクトロルミネッセン
ス表示装置の封止構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されている。
【０００３】このＥＬ素子は水分に弱いため、ＥＬ表示
パネルでは、乾燥剤が塗布された金属キャップやガラス
キャップで蓋をする構造が知られている。図８はそのよ
うな従来のＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。
パネルでは、乾燥剤が塗布された金属キャップやガラス
キャップで蓋をする構造が知られている。図８はそのよ
うな従来のＥＬ表示パネルの構造を示す断面図である。
【０００４】第１のガラス基板７０は、その表面に多数
のＥＬ素子７１が形成された表示領域を有している。こ
の第１のガラス基板７０は、エポキシ樹脂等から成るシ
ール樹脂７５を用いてキャップ用の第２のガラス基板８
０と貼り合わされている。第２のガラス基板８０には、
上記表示領域に対応した領域に凹部８１（以下、ポケッ
ト部８１という）がエッチングによって形成されてお
り、このポケット部８１に水分等の湿気を吸収するため
の乾燥剤層８２が塗布されている。
のＥＬ素子７１が形成された表示領域を有している。こ
の第１のガラス基板７０は、エポキシ樹脂等から成るシ
ール樹脂７５を用いてキャップ用の第２のガラス基板８
０と貼り合わされている。第２のガラス基板８０には、
上記表示領域に対応した領域に凹部８１（以下、ポケッ
ト部８１という）がエッチングによって形成されてお
り、このポケット部８１に水分等の湿気を吸収するため
の乾燥剤層８２が塗布されている。
【０００５】ここで、ポケット部８１を設けている理由
は、乾燥剤層８２とＥＬ素子１１との間のスペースを確
保して、乾燥剤層８２がＥＬ素子７１に接触し、ＥＬ素
子７１に損傷を与えるのを防止するためである。
は、乾燥剤層８２とＥＬ素子１１との間のスペースを確
保して、乾燥剤層８２がＥＬ素子７１に接触し、ＥＬ素
子７１に損傷を与えるのを防止するためである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＥＬ素子７１は発光す
るときに発熱するため、ＥＬ素子７１が形成された第１
のガラス基板７０の温度が上昇する。ところが、従来の
構造では放熱性が悪いために、この温度上昇が急激に起
こり、ＥＬ素子の寿命が低下する原因となっていた。
るときに発熱するため、ＥＬ素子７１が形成された第１
のガラス基板７０の温度が上昇する。ところが、従来の
構造では放熱性が悪いために、この温度上昇が急激に起
こり、ＥＬ素子の寿命が低下する原因となっていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、第１の
ガラス基板に形成されたＥＬ素子が発生した熱を素速
く、対向する第２のガラス基板側に逃がすことによっ
て、第１のガラス基板の温度上昇を抑え、その劣化を防
止する構造を提供するものである。
ガラス基板に形成されたＥＬ素子が発生した熱を素速
く、対向する第２のガラス基板側に逃がすことによっ
て、第１のガラス基板の温度上昇を抑え、その劣化を防
止する構造を提供するものである。
【０００８】本発明の主な特徴構成は、以下の通りであ
る。
る。
【０００９】第１に、表面にエレクトロルミネッセンス
素子を備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わ
された第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成され
た乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表
示装置において、前記乾燥剤層の表面が高熱伝導層で被
覆されていることである。
素子を備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わ
された第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成され
た乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表
示装置において、前記乾燥剤層の表面が高熱伝導層で被
覆されていることである。
【００１０】第２に、表面にエレクトロルミネッセンス
素子を備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わ
された第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成され
た乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表
示装置において、前記乾燥剤層は高熱伝導性材料が混合
されて成るものである。
素子を備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わ
された第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成され
た乾燥剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表
示装置において、前記乾燥剤層は高熱伝導性材料が混合
されて成るものである。
【００１１】第３に、表面にエレクトロルミネッセンス
素子を備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わ
された第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成され
た高熱伝導層と、前記高熱伝導層上に形成された乾燥剤
層と、を具備することである。
素子を備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わ
された第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成され
た高熱伝導層と、前記高熱伝導層上に形成された乾燥剤
層と、を具備することである。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照しながら詳細に説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
るエレクトロルミネッセンス表示装置を示す平面図であ
る。図２は、図１におけるＡ−Ａ’線における断面図で
ある。
図面を参照しながら詳細に説明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態に係
るエレクトロルミネッセンス表示装置を示す平面図であ
る。図２は、図１におけるＡ−Ａ’線における断面図で
ある。
【００１３】第１のガラス基板１００（表示パネル）
は、その表面に多数のＥＬ素子１０１が形成された表示
領域を有している。その厚みは、０．７ｍｍ程度であ
る。この表示領域は、複数の画素がマトリクス状に配置
され、各画素毎にＥＬ素子１０１が配置されている。そ
のような画素の詳細な構造については後述する。
は、その表面に多数のＥＬ素子１０１が形成された表示
領域を有している。その厚みは、０．７ｍｍ程度であ
る。この表示領域は、複数の画素がマトリクス状に配置
され、各画素毎にＥＬ素子１０１が配置されている。そ
のような画素の詳細な構造については後述する。
【００１４】第２のガラス基板２００は、上記第１のガ
ラス基板１００に蓋をするためのガラス基板であり、そ
の厚みは０．７ｍｍ程度である。この第２のガラス基板
２００には、あらかじめ上記表示領域に対応した領域に
凹部２０１（以下、ポケット部２０１という）がエッチ
ングによって形成されている。ポケット部２０１の深さ
は０．３ｍｍ程度である。そして、このポケット部２０
１に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層２０２が塗
布されている。乾燥剤層２０２は、例えば、粉末状の酸
化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂
を溶剤に溶かした状態にして、ポケット部２０１の底部
に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化さ
せる。
ラス基板１００に蓋をするためのガラス基板であり、そ
の厚みは０．７ｍｍ程度である。この第２のガラス基板
２００には、あらかじめ上記表示領域に対応した領域に
凹部２０１（以下、ポケット部２０１という）がエッチ
ングによって形成されている。ポケット部２０１の深さ
は０．３ｍｍ程度である。そして、このポケット部２０
１に水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層２０２が塗
布されている。乾燥剤層２０２は、例えば、粉末状の酸
化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂
を溶剤に溶かした状態にして、ポケット部２０１の底部
に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化さ
せる。
【００１５】そして、乾燥剤層２０２は、高熱伝導層２
０３によって被覆されている。高熱伝導層２０３は、例
えばその厚さが１０μｍ〜１００μｍ程度の金属シート
で構成することができる。金属シートの材質としては金
属であれば何でも良いが例えばアルミニウム等が挙げら
れる。そして、高熱伝導層２０３には図３に示すよう
に、多数の通気孔２０４が形成されていることが好まし
い。これは、乾燥剤層２０３の通気性を良くして乾燥剤
としての機能を損なわないようにするためである。
０３によって被覆されている。高熱伝導層２０３は、例
えばその厚さが１０μｍ〜１００μｍ程度の金属シート
で構成することができる。金属シートの材質としては金
属であれば何でも良いが例えばアルミニウム等が挙げら
れる。そして、高熱伝導層２０３には図３に示すよう
に、多数の通気孔２０４が形成されていることが好まし
い。これは、乾燥剤層２０３の通気性を良くして乾燥剤
としての機能を損なわないようにするためである。
【００１６】そして、第１のガラス基板１００と第２の
ガラス基板２００とは、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内
で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂１０５を用いて
貼り合わされる。これにより、高熱伝導層２０３と第１
のガラス基板１００との間にはＮ２ガスが充填され、Ｎ
２ガス層１０２が形成される。
ガラス基板２００とは、Ｎ２ガス雰囲気のチャンバー内
で、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂１０５を用いて
貼り合わされる。これにより、高熱伝導層２０３と第１
のガラス基板１００との間にはＮ２ガスが充填され、Ｎ
２ガス層１０２が形成される。
【００１７】そして、乾燥剤層２０２とＥＬ素子１０１
との間には、高熱伝導層２０３が挟まれた構造となるの
で、ＥＬ素子１０１の発光時に発せられた熱は、高熱伝
導層２０３を通して、第２のガラス基板２０３側に素速
く放熱される。これにより、第１のガラス基板１００の
温度上昇が抑えられるので、ＥＬ素子１０１の劣化を防
止することができる。
との間には、高熱伝導層２０３が挟まれた構造となるの
で、ＥＬ素子１０１の発光時に発せられた熱は、高熱伝
導層２０３を通して、第２のガラス基板２０３側に素速
く放熱される。これにより、第１のガラス基板１００の
温度上昇が抑えられるので、ＥＬ素子１０１の劣化を防
止することができる。
【００１８】ここで、乾燥剤層２０２の厚さは、ＥＬ素
子１０１を損傷するおそれがない範囲内で、できるかぎ
り厚くすることが望ましい。その厚さは、具体的にはポ
ケット部２０１の深さの１／２程度で、０．１ｍｍ〜
０．２ｍｍである。これは熱伝導率が低いＮ２ガス層１
０２を薄くするためである。
子１０１を損傷するおそれがない範囲内で、できるかぎ
り厚くすることが望ましい。その厚さは、具体的にはポ
ケット部２０１の深さの１／２程度で、０．１ｍｍ〜
０．２ｍｍである。これは熱伝導率が低いＮ２ガス層１
０２を薄くするためである。
【００１９】（第２の実施形態）図４は本発明の第２の
実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置を示
す断面図である。この図４は図１のＡ−Ａ’線における
断面図に対応している。
実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置を示
す断面図である。この図４は図１のＡ−Ａ’線における
断面図に対応している。
【００２０】なお、図において、図２と同一の構成部分
については同一の符号を付している。
については同一の符号を付している。
【００２１】本実施形態では、ポケット部２０１に形成
された乾燥剤層２０５は高熱伝導性材料が混合されてい
る。この乾燥剤層２０５は、例えば、粉末状の酸化カル
シウムまたは酸化バリウム及び樹脂に加えて、高熱伝導
性材料を混合して溶剤に溶かしたものである。高熱伝導
材料としては、本発明者の検討によれば導電性微粒子、
例えば導電性ファイバーやカーボンナノチューブが適し
ている。
された乾燥剤層２０５は高熱伝導性材料が混合されてい
る。この乾燥剤層２０５は、例えば、粉末状の酸化カル
シウムまたは酸化バリウム及び樹脂に加えて、高熱伝導
性材料を混合して溶剤に溶かしたものである。高熱伝導
材料としては、本発明者の検討によれば導電性微粒子、
例えば導電性ファイバーやカーボンナノチューブが適し
ている。
【００２２】高熱伝導材料の混合比率を高くすることで
乾燥剤層２０５の熱伝導率は高まる。しかし、混合比率
が高すぎると乾燥剤の効果が小さくなり、混合比率が小
さすぎれば熱伝導が悪くなってしまう。そこで、実用的
な混合比としては、１０重量％〜６０重量％であると考
えられる。
乾燥剤層２０５の熱伝導率は高まる。しかし、混合比率
が高すぎると乾燥剤の効果が小さくなり、混合比率が小
さすぎれば熱伝導が悪くなってしまう。そこで、実用的
な混合比としては、１０重量％〜６０重量％であると考
えられる。
【００２３】かかる構造によれば、ＥＬ素子１０１の発
光時に発せられた熱は、高熱伝導率の乾燥剤層２０５を
通して、第２のガラス基板２０３側に素速く放熱され
る。これにより、第１のガラス基板１００の温度上昇が
抑えられるので、ＥＬ素子１０１の劣化を防止すること
ができる。
光時に発せられた熱は、高熱伝導率の乾燥剤層２０５を
通して、第２のガラス基板２０３側に素速く放熱され
る。これにより、第１のガラス基板１００の温度上昇が
抑えられるので、ＥＬ素子１０１の劣化を防止すること
ができる。
【００２４】なお、本実施形態においても、第１の実施
形態と同様に、乾燥剤層２０５の厚さは、ＥＬ素子１０
１を損傷するおそれがない範囲内で、できるかぎり厚く
することが望ましい。その厚さは、具体的にはポケット
部２０１の深さの１／２程度で、０．１ｍｍ〜０．２ｍ
ｍである。熱伝導率が低いＮ２ガス層１０２を薄くする
ためである。
形態と同様に、乾燥剤層２０５の厚さは、ＥＬ素子１０
１を損傷するおそれがない範囲内で、できるかぎり厚く
することが望ましい。その厚さは、具体的にはポケット
部２０１の深さの１／２程度で、０．１ｍｍ〜０．２ｍ
ｍである。熱伝導率が低いＮ２ガス層１０２を薄くする
ためである。
【００２５】（第３の実施形態）図５は本発明の第３の
実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置を示
す断面図である。この図５は図１のＡ−Ａ’線における
断面図に対応している。なお、図において、図２と同一
の構成部分については同一の符号を付している。
実施形態に係るエレクトロルミネッセンス表示装置を示
す断面図である。この図５は図１のＡ−Ａ’線における
断面図に対応している。なお、図において、図２と同一
の構成部分については同一の符号を付している。
【００２６】本実施形態では、第２のガラス基板２００
のポケット部２０１に高熱伝導層２０６が被着形成され
ており、この高熱伝導層２０６上に乾燥剤層２０２が塗
布形成されている構造である。高熱伝導層２０６は、例
えばアルミニウムやクロム等の金属をスパッタ法、溶射
法、あるいは蒸着法を用いて形成することができる。そ
の厚さは、２０μｍ〜３０μｍ程度が適当である。
のポケット部２０１に高熱伝導層２０６が被着形成され
ており、この高熱伝導層２０６上に乾燥剤層２０２が塗
布形成されている構造である。高熱伝導層２０６は、例
えばアルミニウムやクロム等の金属をスパッタ法、溶射
法、あるいは蒸着法を用いて形成することができる。そ
の厚さは、２０μｍ〜３０μｍ程度が適当である。
【００２７】かかる構造によれば、ＥＬ素子１０１の発
光時に発せられた熱は、高熱伝導層２０６を通して、第
２のガラス基板２０３側に素速く放熱される。これによ
り、第１のガラス基板１００の温度上昇が抑えられるの
で、ＥＬ素子１０１の劣化を防止することができる。
光時に発せられた熱は、高熱伝導層２０６を通して、第
２のガラス基板２０３側に素速く放熱される。これによ
り、第１のガラス基板１００の温度上昇が抑えられるの
で、ＥＬ素子１０１の劣化を防止することができる。
【００２８】なお、本実施形態においても、第１の実施
形態と同様に、乾燥剤層２０２の厚さは、ＥＬ素子１０
１を損傷するおそれがない範囲内で、できるかぎり厚く
することが望ましい。その厚さは、具体的にはポケット
部２０１の深さの１／２程度で、０．１ｍｍ〜０．２ｍ
ｍである。熱伝導率が低いＮ２ガス層１０２を薄くする
ためである。
形態と同様に、乾燥剤層２０２の厚さは、ＥＬ素子１０
１を損傷するおそれがない範囲内で、できるかぎり厚く
することが望ましい。その厚さは、具体的にはポケット
部２０１の深さの１／２程度で、０．１ｍｍ〜０．２ｍ
ｍである。熱伝導率が低いＮ２ガス層１０２を薄くする
ためである。
【００２９】次に、上記第１乃至第３の実施形態に共通
に適用されるＥＬ表示装置の表示画素の構成例について
説明する。
に適用されるＥＬ表示装置の表示画素の構成例について
説明する。
【００３０】図６に有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を
示す平面図を示し、図７（ａ）に図６中のＡ−Ａ線に沿
った断面図を示し、図７（ｂ）に図６中のＢ−Ｂ線に沿
った断面図を示す。
示す平面図を示し、図７（ａ）に図６中のＡ−Ａ線に沿
った断面図を示し、図７（ｂ）に図６中のＢ−Ｂ線に沿
った断面図を示す。
【００３１】図６及び図７に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１５が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１５が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
【００３２】この表示画素１１５には、自発光素子であ
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成
っている。
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成
っている。
【００３３】即ち、両信号線５１，５２の交点付近には
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
【００３４】また、ゲート信号線５１と並行に保持容量
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
【００３５】図７に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ
素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ
素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。
【００３６】まず、スイッチング用ＴＦＴである第１の
ＴＦＴ３０について説明する。
ＴＦＴ３０について説明する。
【００３７】図７（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質
シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶ
Ｄ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射し
て溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−
Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。
その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体
をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質
シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶ
Ｄ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射し
て溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−
Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。
その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体
をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
【００３８】そして、ゲート絶縁膜３２及び能動層３３
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
【００３９】次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである
第２のＴＦＴ４０について説明する。図７（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結
晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順
に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３
ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜
１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜
及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成
し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電
源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂
から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えてい
る。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画
素ごとに島状に分離形成されている。
第２のＴＦＴ４０について説明する。図７（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結
晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順
に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３
ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜
１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜
及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成
し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電
源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂
から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えてい
る。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画
素ごとに島状に分離形成されている。
【００４０】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4 ,4,4-tris(3-methyl
phenylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4 ,4,4-tris(3-methyl
phenylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
【００４１】なお、平坦化絶縁膜１７上にはさらに第２
の平坦化絶縁膜６６が形成されている。そして、陽極６
１上については、第２の平坦化絶縁膜６６が除去された
構造としている。
の平坦化絶縁膜６６が形成されている。そして、陽極６
１上については、第２の平坦化絶縁膜６６が除去された
構造としている。
【００４２】有機ＥＬ素子６０は、陽極６１から注入さ
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、ＥＬ素子が形成された
第１のガラス基板（表示パネル）と、ＥＬ素子に蓋をす
る第２のガラス基板とを貼り合わせたエレクトロルミネ
ッセンス表示装置の封止構造において、ＥＬ素子と乾燥
剤層との間に高熱伝導層を挟むようにしたので、ＥＬ素
子が発光した際の発熱を第２のガラス基板側に素速く逃
がすことによって、第１のガラス基板の温度上昇を抑
え、ＥＬ素子の劣化を防止することができる。
第１のガラス基板（表示パネル）と、ＥＬ素子に蓋をす
る第２のガラス基板とを貼り合わせたエレクトロルミネ
ッセンス表示装置の封止構造において、ＥＬ素子と乾燥
剤層との間に高熱伝導層を挟むようにしたので、ＥＬ素
子が発光した際の発熱を第２のガラス基板側に素速く逃
がすことによって、第１のガラス基板の温度上昇を抑
え、ＥＬ素子の劣化を防止することができる。
【００４４】また、乾燥剤層に金属微粒子等の高熱伝導
材料を混合することにより、同様の効果を得ることがで
きる。
材料を混合することにより、同様の効果を得ることがで
きる。
【００４５】さらにまた、乾燥剤層の下層に、金属層等
から成る高熱伝導層を敷くことにより、同様の効果を得
ることができる。
から成る高熱伝導層を敷くことにより、同様の効果を得
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の平面図である。
ネッセンス表示装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る高熱伝導層の斜
視図である。
視図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の断面図である。
ネッセンス表示装置の断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係るエレクトロルミ
ネッセンス表示装置の断面図である。
ネッセンス表示装置の断面図である。
【図６】有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す平面図
である。
である。
【図７】有機ＥＬ表示装置の表示画素の断面図である。
【図８】従来例に係るエレクトロルミネッセンス表示装
置の断面図である。
置の断面図である。
１００ 第１のガラス基板 １０１ ＥＬ素子 １
０２ Ｎ２ガス層 １５０ シール樹脂 ２００ 第２のガラス基板
２０１ ポケット部 ２０２ 乾燥剤層 ２０３ 高熱伝導層 ２０４
通気孔 ２０５ 乾燥剤層 ２０６ 高熱伝導層
０２ Ｎ２ガス層 １５０ シール樹脂 ２００ 第２のガラス基板
２０１ ポケット部 ２０２ 乾燥剤層 ２０３ 高熱伝導層 ２０４
通気孔 ２０５ 乾燥剤層 ２０６ 高熱伝導層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 松岡 英樹
大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三
洋電機株式会社内
Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB13 AB14 BB01 BB04
BB05 DB03 FA02
Claims (14)
- 【請求項１】 表面にエレクトロルミネッセンス素子を
備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わされた
第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成された乾燥
剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表示装置
において、前記乾燥剤層の表面が高熱伝導層で被覆され
ていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示
装置。 - 【請求項２】 前記高熱伝導層は金属シートから成るこ
とを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセン
ス表示装置。 - 【請求項３】 前記高熱伝導層の表面に多数の通気孔が
形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の
エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項４】 前記乾燥剤層は前記第２の基板の表面に
形成された凹部に形成されていることを特徴とする請求
項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項５】 前記高熱伝導層と前記第１の基板の間の
空間に不活性ガスが充填されていることを特徴とする請
求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項６】 表面にエレクトロルミネッセンス素子を
備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わされた
第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成された乾燥
剤層と、を具備するエレクトロルミネッセンス表示装置
において、前記乾燥剤層は高熱伝導性材料が混合されて
成ることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装
置。 - 【請求項７】 前記高熱伝導性材料は導電性微粒子であ
ることを特徴とする請求項６記載のエレクトロルミネッ
センス表示装置。 - 【請求項８】 前記導電性微粒子は、導電性ファイバー
であることを特徴とする請求項７記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置。 - 【請求項９】 前記導電性微粒子は、カーボンナノチュ
ーブであることを特徴とする請求項７記載のエレクトロ
ルミネッセンス表示装置。 - 【請求項１０】 前記乾燥剤層と前記第１の基板の間の
空間に不活性ガスが充填されていることを特徴とする請
求項６記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項１１】 表面にエレクトロルミネッセンス素子
を備えた第１の基板と、前記第１の基板と貼り合わされ
た第２の基板と、前記第２の基板の表面に形成された高
熱伝導層と、前記高熱伝導層上に形成された乾燥剤層
と、を具備することを特徴とするエレクトロルミネッセ
ンス表示装置。 - 【請求項１２】 前記高熱伝導層は前記第２の基板の表
面に形成された凹部に形成されていることを特徴とする
請求項１１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項１３】 前記高熱伝導層は金属シートであるこ
とを特徴とする請求項１１又は１２記載のエレクトロル
ミネッセンス表示装置。 - 【請求項１４】 前記乾燥剤層と前記第１の基板の間の
空間に不活性ガスが充填されていることを特徴とする請
求項１１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2002127422A JP2003323973A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
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| KR10-2003-0026325A KR100527028B1 (ko) | 2002-04-26 | 2003-04-25 | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 |
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
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|---|---|
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ID=29541538
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|---|---|---|---|
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| KR (1) | KR100527028B1 (ja) |
| CN (1) | CN1461178A (ja) |
| TW (1) | TW586093B (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4118099B2 (ja) * | 2002-07-22 | 2008-07-16 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US7205718B2 (en) * | 2004-06-24 | 2007-04-17 | Eastman Kodak Company | OLED display having thermally conductive adhesive |
| US7205717B2 (en) * | 2004-06-24 | 2007-04-17 | Eastman Kodak Company | OLED display having thermally conductive material |
| US20050285518A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Eastman Kodak Company | OLED display having thick cathode |
| JP2006156035A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
| US20070079911A1 (en) * | 2005-10-12 | 2007-04-12 | Browne Alan L | Method for erasing stored data and restoring data |
| CN100399151C (zh) * | 2006-01-23 | 2008-07-02 | 友达光电股份有限公司 | 具遮蔽结构的显示面板构造 |
| DE102007063656A1 (de) * | 2007-08-14 | 2009-07-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Organische elektronische Bauelemente |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4405487A (en) * | 1982-04-29 | 1983-09-20 | Harrah Larry A | Combination moisture and hydrogen getter |
| JP2742057B2 (ja) * | 1988-07-14 | 1998-04-22 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
| US5811177A (en) * | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
| US5821692A (en) * | 1996-11-26 | 1998-10-13 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package |
| KR100266532B1 (ko) * | 1997-02-03 | 2000-09-15 | 가네꼬 히사시 | 유기 el 소자 |
| JP2000003783A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2000294369A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Chisso Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2001035659A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネセント素子およびその製造方法 |
| TW421862B (en) * | 1999-08-31 | 2001-02-11 | Ind Tech Res Inst | Packaging method of an organic electroluminescent display |
| JP3558578B2 (ja) * | 2000-03-23 | 2004-08-25 | 日東電工株式会社 | 固定部材およびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子ならびにその背面基板 |
| US6819042B2 (en) * | 2000-05-17 | 2004-11-16 | Dynic Corporation | Organic EL device and method for its manufacture |
| JP2002063985A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7495390B2 (en) * | 2000-12-23 | 2009-02-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electro-luminescence device with improved thermal conductivity |
| US6740145B2 (en) * | 2001-08-08 | 2004-05-25 | Eastman Kodak Company | Desiccants and desiccant packages for highly moisture-sensitive electronic devices |
-
2002
- 2002-04-26 JP JP2002127422A patent/JP2003323973A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-04 TW TW092107701A patent/TW586093B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-25 US US10/423,059 patent/US20040032207A1/en not_active Abandoned
- 2003-04-25 KR KR10-2003-0026325A patent/KR100527028B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-04-25 CN CN03123295A patent/CN1461178A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009134897A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Rohm Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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