JP2003323978A - エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/872—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＥＬ素子の封止構造において、シール樹脂の幅
のばらつきを抑止し、有機ＥＬ素子の形成部分に水分が
浸入することを防止する。ＥＬ素子が形成されたデバイ
ス基板の破損を防止する。 【解決手段】封止ガラス基板１０は石英プレート３０上
に載置され、デバイスガラス基板１は、吸着プレート２
０に吸着される。デバイスガラス基板１の主表面に形成
された有機ＥＬ表示デバイス２と封止ガラス基板１０の
主表面に形成された乾燥剤層１２が向き合うように配置
される。吸着プレート２０の主表面には、シール樹脂１
３に吸着プレート２０の荷重を加えるための凸部２１が
設けられている。デバイスガラス基板１と封止ガラス基
板１０との間が所定のギャップＧとなるまで吸着プレー
ト２０により荷重がかけられる。
のばらつきを抑止し、有機ＥＬ素子の形成部分に水分が
浸入することを防止する。ＥＬ素子が形成されたデバイ
ス基板の破損を防止する。 【解決手段】封止ガラス基板１０は石英プレート３０上
に載置され、デバイスガラス基板１は、吸着プレート２
０に吸着される。デバイスガラス基板１の主表面に形成
された有機ＥＬ表示デバイス２と封止ガラス基板１０の
主表面に形成された乾燥剤層１２が向き合うように配置
される。吸着プレート２０の主表面には、シール樹脂１
３に吸着プレート２０の荷重を加えるための凸部２１が
設けられている。デバイスガラス基板１と封止ガラス基
板１０との間が所定のギャップＧとなるまで吸着プレー
ト２０により荷重がかけられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス表示装置の製造方法に関し、特に主面にエレク
トロルミネッセンス素子が形成された第１の基板と、前
記第１の基板を封止するための第２の基板と、を具備す
るエレクトロルミネッセンス表示装置を封止する方法に
関する。
ッセンス表示装置の製造方法に関し、特に主面にエレク
トロルミネッセンス素子が形成された第１の基板と、前
記第１の基板を封止するための第２の基板と、を具備す
るエレクトロルミネッセンス表示装置を封止する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されている。
【０００３】有機ＥＬ表示パネルは、デバイスガラス基
板上に有機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子を駆動するためのＴ
ＦＴを含む画素が複数個マトリクス状に配置され、表示
領域を形成している。有機ＥＬ素子は水分に弱いという
特性を有するため、乾燥剤が塗布された金属キャップや
封止ガラス基板で上記ガラス基板に蓋をして水分の浸入
を防止する封止構造が提案されている。
板上に有機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子を駆動するためのＴ
ＦＴを含む画素が複数個マトリクス状に配置され、表示
領域を形成している。有機ＥＬ素子は水分に弱いという
特性を有するため、乾燥剤が塗布された金属キャップや
封止ガラス基板で上記ガラス基板に蓋をして水分の浸入
を防止する封止構造が提案されている。
【０００４】封止ガラス基板を用いる封止構造の場合
は、有機ＥＬ素子が形成されたデバイスガラス基板と封
止ガラス基板とを、フラットなプレートで荷重を加え、
シール樹脂を用いて貼り合わせていた。
は、有機ＥＬ素子が形成されたデバイスガラス基板と封
止ガラス基板とを、フラットなプレートで荷重を加え、
シール樹脂を用いて貼り合わせていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、デバイ
スガラス基板の大型化に伴い、大面積のデバイスガラス
基板に均一な荷重を加えことは困難となり、緩衝材など
を用いて荷重を均一化する必要もなることから、貼り合
わせ工程において種々の問題が生じていた。例えば、シ
ール樹脂の幅にばらつきが生じ、その幅が狭い箇所や、
デバイスガラス基板と封止ガラス基板との間のギャップ
が大きい箇所が生じ、そのような箇所から水分が浸入す
るおそれがあった。
スガラス基板の大型化に伴い、大面積のデバイスガラス
基板に均一な荷重を加えことは困難となり、緩衝材など
を用いて荷重を均一化する必要もなることから、貼り合
わせ工程において種々の問題が生じていた。例えば、シ
ール樹脂の幅にばらつきが生じ、その幅が狭い箇所や、
デバイスガラス基板と封止ガラス基板との間のギャップ
が大きい箇所が生じ、そのような箇所から水分が浸入す
るおそれがあった。
【０００６】また、貼り合わせ工程においては、デバイ
スガラス基板に荷重が加えて封止ガラス基板と所定のギ
ャップとなるように調整しているが、この荷重のために
デバイスガラス基板がたわみ、破壊してしまうおそれが
あった。
スガラス基板に荷重が加えて封止ガラス基板と所定のギ
ャップとなるように調整しているが、この荷重のために
デバイスガラス基板がたわみ、破壊してしまうおそれが
あった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
に鑑みてなされたものであり、主面にエレクトロルミネ
ッセンス素子が形成された第１の基板と、前記第１の基
板を封止するための第２の基板と、を具備するエレクト
ロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記第
１の基板を吸着プレートに吸着させ、前記吸着プレート
で荷重をかけることにより前記第１の基板を前記第２の
基板にシール樹脂を介して貼り合わせる工程を有し、前
記吸着プレートの主面に、前記シール樹脂に吸着プレー
トの荷重を加えるための凸部が設けられていることを特
徴とする。
に鑑みてなされたものであり、主面にエレクトロルミネ
ッセンス素子が形成された第１の基板と、前記第１の基
板を封止するための第２の基板と、を具備するエレクト
ロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記第
１の基板を吸着プレートに吸着させ、前記吸着プレート
で荷重をかけることにより前記第１の基板を前記第２の
基板にシール樹脂を介して貼り合わせる工程を有し、前
記吸着プレートの主面に、前記シール樹脂に吸着プレー
トの荷重を加えるための凸部が設けられていることを特
徴とする。
【０００８】かかる構成によれば、第１の基板と第２の
基板とを貼り合わせる際に、シール樹脂の幅のばらつき
を抑止することができる。
基板とを貼り合わせる際に、シール樹脂の幅のばらつき
を抑止することができる。
【０００９】また、上記構成に加えて、第２の基板には
その底部に乾燥剤が形成されたポケット部を有すること
を特徴とする。かかる構成によれば、ポケット部の底部
に乾燥剤を形成しているので、乾燥剤と有機ＥＬ素子と
の間隔を広く確保することができる。これにより、乾燥
剤が有機ＥＬ素子に接触して、有機ＥＬ素子に損傷を与
えることが防止される。
その底部に乾燥剤が形成されたポケット部を有すること
を特徴とする。かかる構成によれば、ポケット部の底部
に乾燥剤を形成しているので、乾燥剤と有機ＥＬ素子と
の間隔を広く確保することができる。これにより、乾燥
剤が有機ＥＬ素子に接触して、有機ＥＬ素子に損傷を与
えることが防止される。
【００１０】また、上記構成に加えて、前記吸着プレー
トの主面にポケット部に対向して凹部が設けられている
ことを特徴とする。ポケット部を設けたことで、ポケッ
ト部に対向する第１の基板部分が吸着プレートの荷重に
よって、たわみが生じ破損するおそれがある。この構成
によれば、吸着プレートに凹部を設けたことで、当該第
１の基板部分に吸着プレートの荷重がかからなくなるの
で、破損やたわみが生じるおそれがなくなる。
トの主面にポケット部に対向して凹部が設けられている
ことを特徴とする。ポケット部を設けたことで、ポケッ
ト部に対向する第１の基板部分が吸着プレートの荷重に
よって、たわみが生じ破損するおそれがある。この構成
によれば、吸着プレートに凹部を設けたことで、当該第
１の基板部分に吸着プレートの荷重がかからなくなるの
で、破損やたわみが生じるおそれがなくなる。
【００１１】また、荷重が加わる基板面積も小さくなる
ことから、トータルの荷重圧を小さくできるため、基板
の大型化の上で利点がある。
ことから、トータルの荷重圧を小さくできるため、基板
の大型化の上で利点がある。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照しながら詳細に説明する。まず、有機ＥＬ素
子が形成されたデバイスガラス基板と、このデバイスガ
ラス基板を封止するための封止基板について説明する。
図面を参照しながら詳細に説明する。まず、有機ＥＬ素
子が形成されたデバイスガラス基板と、このデバイスガ
ラス基板を封止するための封止基板について説明する。
【００１３】図１に、デバイスガラス基板１の平面図を
示す。デバイスガラス基板１（マザーガラス基板）の主
表面には、複数の有機ＥＬ表示デバイス２が所定の間隔
を隔て、マトリクス状に配置されている。個々の有機Ｅ
Ｌデバイス２は、有機ＥＬ素子や有機ＥＬ素子駆動用の
ＴＦＴ等から成る画素を複数個含み、１つの有機ＥＬパ
ネルとして機能するものである。
示す。デバイスガラス基板１（マザーガラス基板）の主
表面には、複数の有機ＥＬ表示デバイス２が所定の間隔
を隔て、マトリクス状に配置されている。個々の有機Ｅ
Ｌデバイス２は、有機ＥＬ素子や有機ＥＬ素子駆動用の
ＴＦＴ等から成る画素を複数個含み、１つの有機ＥＬパ
ネルとして機能するものである。
【００１４】図２に、封止ガラス基板１０の平面図を示
す。封止ガラス基板１０の主表面には、有機ＥＬ表示デ
バイス２の形成領域に対応するように凹部１１（以下、
ポケット部１１と呼ぶ）が形成されている。ポケット部
１１は有機ＥＬデバイス２より拡張された領域に形成さ
れている。ポケット部１１は例えば、封止ガラス基板１
０の主表面をエッチング処理することで形成される。
す。封止ガラス基板１０の主表面には、有機ＥＬ表示デ
バイス２の形成領域に対応するように凹部１１（以下、
ポケット部１１と呼ぶ）が形成されている。ポケット部
１１は有機ＥＬデバイス２より拡張された領域に形成さ
れている。ポケット部１１は例えば、封止ガラス基板１
０の主表面をエッチング処理することで形成される。
【００１５】そして、ポケット部１１の底部には、水分
等の湿気を吸収するための乾燥剤層１２が形成されてい
る。乾燥剤層１２は、例えば、粉末状の酸化カルシウム
や酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶か
した状態にして、ポケット部１２の底部に塗布し、更に
ＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させる。乾燥剤層
１２は、表面積を増大させるために例えば、渦巻き状に
塗布するのが好ましいが、その形状は任意である。ポケ
ット部１１の底部に乾燥剤層１２を配置するのは、乾燥
剤層１２と有機ＥＬ素子との間隔を広く確保し、乾燥剤
層が有機ＥＬ素子に接触して、有機ＥＬ素子に損傷を与
えるのを防止するためである。
等の湿気を吸収するための乾燥剤層１２が形成されてい
る。乾燥剤層１２は、例えば、粉末状の酸化カルシウム
や酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶か
した状態にして、ポケット部１２の底部に塗布し、更に
ＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させる。乾燥剤層
１２は、表面積を増大させるために例えば、渦巻き状に
塗布するのが好ましいが、その形状は任意である。ポケ
ット部１１の底部に乾燥剤層１２を配置するのは、乾燥
剤層１２と有機ＥＬ素子との間隔を広く確保し、乾燥剤
層が有機ＥＬ素子に接触して、有機ＥＬ素子に損傷を与
えるのを防止するためである。
【００１６】また、ポケット部１１の周囲の封止ガラス
基板１０上には、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂１
３が塗布されている。このシール樹脂１３は、封止ガラ
ス基板１０上に形成しないで、デバイスガラス基板１上
に形成されていてもよい。
基板１０上には、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂１
３が塗布されている。このシール樹脂１３は、封止ガラ
ス基板１０上に形成しないで、デバイスガラス基板１上
に形成されていてもよい。
【００１７】次ぎに、図３及び図４を参照してデバイス
ガラス基板１と封止ガラス基板１０とを貼り合わせる工
程を説明する。図３は、デバイスガラス基板１と封止ガ
ラス基板１を貼り合わせる直前の断面図、図４はデバイ
スガラス基板１と封止ガラス基板１を貼り合わせた状態
の部分断面図であり、１つの有機ＥＬパネルとなる部分
を示している。
ガラス基板１と封止ガラス基板１０とを貼り合わせる工
程を説明する。図３は、デバイスガラス基板１と封止ガ
ラス基板１を貼り合わせる直前の断面図、図４はデバイ
スガラス基板１と封止ガラス基板１を貼り合わせた状態
の部分断面図であり、１つの有機ＥＬパネルとなる部分
を示している。
【００１８】図３に示すように、Ｎ２ガスのような不活
性ガス雰囲気中において、封止ガラス基板１０は石英プ
レート３０上に載置され、一方、デバイスガラス基板１
は、石英プレート３０の上方に対向配置された金属製の
吸着プレート２０に真空吸着される。すなわち、デバイ
スガラス基板１の主表面に形成された有機ＥＬ表示デバ
イス２と封止ガラス基板１０の主表面に形成された乾燥
剤層１２が向き合うように配置される。
性ガス雰囲気中において、封止ガラス基板１０は石英プ
レート３０上に載置され、一方、デバイスガラス基板１
は、石英プレート３０の上方に対向配置された金属製の
吸着プレート２０に真空吸着される。すなわち、デバイ
スガラス基板１の主表面に形成された有機ＥＬ表示デバ
イス２と封止ガラス基板１０の主表面に形成された乾燥
剤層１２が向き合うように配置される。
【００１９】そして、吸着プレート２０の主表面には、
シール樹脂１３に吸着プレート２０の荷重を加えるため
の凸部２１が設けられている。また、吸着プレート２０
の主表面にポケット部１１に対向して凹部２２が設けら
れている。この凹部２２は、ポケット部１１より幅広に
形成されている。
シール樹脂１３に吸着プレート２０の荷重を加えるため
の凸部２１が設けられている。また、吸着プレート２０
の主表面にポケット部１１に対向して凹部２２が設けら
れている。この凹部２２は、ポケット部１１より幅広に
形成されている。
【００２０】そこで、不図示の移動機構により吸着プレ
ート２０を下降させる。そして、図４に示すように、デ
バイスガラス基板１と封止ガラス基板１０との間が所定
のギャップＧとなるまで、吸着プレート２０により荷重
がかけられる。
ート２０を下降させる。そして、図４に示すように、デ
バイスガラス基板１と封止ガラス基板１０との間が所定
のギャップＧとなるまで、吸着プレート２０により荷重
がかけられる。
【００２１】ここで、吸着プレート２０の主表面にポケ
ット部１１に対向して凹部２２が設けられているので、
吸着プレート２０の荷重がシール樹脂１３に均一にかけ
られる。これにより、シール樹脂１３の幅Ｗのばらつき
が抑えられるので、シール樹脂１３の幅Ｗが狭い部分か
ら水分が浸入するおそれがなくなる。
ット部１１に対向して凹部２２が設けられているので、
吸着プレート２０の荷重がシール樹脂１３に均一にかけ
られる。これにより、シール樹脂１３の幅Ｗのばらつき
が抑えられるので、シール樹脂１３の幅Ｗが狭い部分か
ら水分が浸入するおそれがなくなる。
【００２２】また、吸着プレート２０の主表面にポケッ
ト部１１に対向して凹部２２が設けられているので、こ
の凹部２２に対応したデバイスガラス基板１の部分には
吸着プレート２０がかからない。これにより、デバイス
ガラス基板１のこの部分が下方にたわみ、破壊すること
が防止される。もし、この凹部２２が設けられていない
と、デバイスガラス基板１にたわみを生じる。ポケット
部１１が形成されているために、さらにたわみが大きく
なり、デバイスガラス基板１が割れたり、ひびが入る原
因となる。
ト部１１に対向して凹部２２が設けられているので、こ
の凹部２２に対応したデバイスガラス基板１の部分には
吸着プレート２０がかからない。これにより、デバイス
ガラス基板１のこの部分が下方にたわみ、破壊すること
が防止される。もし、この凹部２２が設けられていない
と、デバイスガラス基板１にたわみを生じる。ポケット
部１１が形成されているために、さらにたわみが大きく
なり、デバイスガラス基板１が割れたり、ひびが入る原
因となる。
【００２３】また、凹部２２の幅Ｌ１はポケット部１１
の幅Ｌ２に比して大きいことが好ましい。これは、ポケ
ット部１１上のデバイスガラス基板１に吸着プレート２
０の荷重がかからないようにするためである。
の幅Ｌ２に比して大きいことが好ましい。これは、ポケ
ット部１１上のデバイスガラス基板１に吸着プレート２
０の荷重がかからないようにするためである。
【００２４】その後、石英プレート３０の裏面に配置さ
れたからＵＶ照射装置４０によって、石英プレート３０
及び封止ガラス基板１０を通して、シール樹脂１３にＵ
Ｖ照射が行われ、シール樹脂１３が硬化することで、デ
バイスガラス基板１と封止ガラス基板１０との接着がな
される。
れたからＵＶ照射装置４０によって、石英プレート３０
及び封止ガラス基板１０を通して、シール樹脂１３にＵ
Ｖ照射が行われ、シール樹脂１３が硬化することで、デ
バイスガラス基板１と封止ガラス基板１０との接着がな
される。
【００２５】なお、デバイスガラス基板１、封止ガラス
基板１０の厚さは約０．７ｍｍ、ポケット部１１の深さ
ｄ１は約０．３ｍｍ、ギャップＧは１０μｍ〜２０μ
ｍ、凹部２２の深さｄ２（凸部２２の高さ）は０．５ｍ
ｍ〜１ｍｍが好ましい。
基板１０の厚さは約０．７ｍｍ、ポケット部１１の深さ
ｄ１は約０．３ｍｍ、ギャップＧは１０μｍ〜２０μ
ｍ、凹部２２の深さｄ２（凸部２２の高さ）は０．５ｍ
ｍ〜１ｍｍが好ましい。
【００２６】このようにして、デバイスガラス基板１、
封止ガラス基板１０とが貼り合わされ、デバイスガラス
基板１に形成された有機ＥＬ表示デバイス２は、外部か
らの水分の浸入から保護される。
封止ガラス基板１０とが貼り合わされ、デバイスガラス
基板１に形成された有機ＥＬ表示デバイス２は、外部か
らの水分の浸入から保護される。
【００２７】その後、貼り合わされたデバイスガラス基
板１と封止ガラス基板１０とは、個々の有機ＥＬ表示デ
バイス２毎に切断され、個々の有機ＥＬパネルが作製さ
れる。
板１と封止ガラス基板１０とは、個々の有機ＥＬ表示デ
バイス２毎に切断され、個々の有機ＥＬパネルが作製さ
れる。
【００２８】次に、有機ＥＬ表示デバイス２の画素の構
成例について説明する。
成例について説明する。
【００２９】図５に有機ＥＬ表示デバイス２の画素を示
す平面図を示し、図６（ａ）に図５中のＡ−Ａ線に沿っ
た断面図を示し、図６（ｂ）に図５中のＢ−Ｂ線に沿っ
た断面図を示す。
す平面図を示し、図６（ａ）に図５中のＡ−Ａ線に沿っ
た断面図を示し、図６（ｂ）に図５中のＢ−Ｂ線に沿っ
た断面図を示す。
【００３０】図５及び図６に示すように、ゲート信号線
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１５が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素
１１５が形成されており、マトリクス状に配置されてい
る。
【００３１】この表示画素１１５には、自発光素子であ
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成
っている。
る有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を
供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３
０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ
４０と、保持容量とが配置されている。なお、有機ＥＬ
素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料から
なる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成
っている。
【００３２】即ち、両信号線５１，５２の交点付近には
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えら
れており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電
極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとと
もに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０の
ゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４
３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方の
ドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源
である駆動電源線５３に接続されている。
【００３３】また、ゲート信号線５１と並行に保持容量
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４
はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介して
ＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間
で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６
は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電
圧を保持するために設けられている。
【００３４】図６に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ
素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。ただし、基板１
０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場
合には、これらの基板１０上にＳｉＯ2やＳｉＮなどの
絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ
素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極が
ゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトッ
プゲート構造である。
【００３５】まず、スイッチング用ＴＦＴである第１の
ＴＦＴ３０について説明する。
ＴＦＴ３０について説明する。
【００３６】図６（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質
シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶ
Ｄ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射し
て溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−
Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。
その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体
をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質
シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶ
Ｄ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射し
て溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−
Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。
その上に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体
をゲート絶縁膜３２として形成する。更にその上に、Ｃ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼
ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線
５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線５３が配置されている。
【００３７】そして、ゲート絶縁膜３２及び能動層３３
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
上の全面には、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜の順
に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイ
ン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の
金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面
に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７
が形成されている。
【００３８】次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである
第２のＴＦＴ４０について説明する。図６（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結
晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順
に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３
ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜
１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜
及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成
し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電
源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂
から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えてい
る。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画
素ごとに島状に分離形成されている。
第２のＴＦＴ４０について説明する。図６（ｂ）に示す
ように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁
性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結
晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣ
ｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順
に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３
ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びド
レイン４３ｄが設けられている。そして、ゲート絶縁膜
１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜
及びＳｉＯ2膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成
し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホール
にＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電
源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂
から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えてい
る。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対
応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタク
トホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ
から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦
化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画
素ごとに島状に分離形成されている。
【００３９】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
Oxide）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ
（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl）から
成る第１ホール輸送層、ＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylanine）からなる第２ホー
ル輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Qu
inacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕
キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、
及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６４、マグネシウム
・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアル
ミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成
された構造である。
【００４０】なお、平坦化絶縁膜１７上にはさらに第２
の平坦化絶縁膜６６が形成されている。そして、陽極６
１上については、第２の平坦化絶縁膜６６が除去された
構造としている。
の平坦化絶縁膜６６が形成されている。そして、陽極６
１上については、第２の平坦化絶縁膜６６が除去された
構造としている。
【００４１】有機ＥＬ素子６０は、陽極６１から注入さ
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
れたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層
の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起し
て励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発
光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明
絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、有機ＥＬ素子が形成さ
れたデバイス基板と、このデバイス基板を封止するため
の封止基板を貼り合わせる際に、シール樹脂の幅のばら
つきを抑止し、有機ＥＬ素子の形成部分に水分が浸入す
ることを防止することができる。
れたデバイス基板と、このデバイス基板を封止するため
の封止基板を貼り合わせる際に、シール樹脂の幅のばら
つきを抑止し、有機ＥＬ素子の形成部分に水分が浸入す
ることを防止することができる。
【００４３】また、ポケット部の底部に乾燥剤を形成し
ているので、乾燥剤と有機ＥＬ素子との間隔を広く確保
することができる。これにより、乾燥剤が有機ＥＬ素子
に接触して、有機ＥＬ素子に損傷を与えることが防止さ
れる。
ているので、乾燥剤と有機ＥＬ素子との間隔を広く確保
することができる。これにより、乾燥剤が有機ＥＬ素子
に接触して、有機ＥＬ素子に損傷を与えることが防止さ
れる。
【００４４】さらに、デバイス基板を吸着する吸着プレ
ートの主面にポケット部に対向して凹部が設けられてい
るので、デバイス基板が破損するおそれがなくなる。
ートの主面にポケット部に対向して凹部が設けられてい
るので、デバイス基板が破損するおそれがなくなる。
【図１】本発明の実施形態に係るデバイスガラス基板１
の平面図である。
の平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る封止ガラス基板２０の
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るデバイスガラス基板１
と封止ガラス基板１を貼り合わせる直前の状態を示す断
面図である。
と封止ガラス基板１を貼り合わせる直前の状態を示す断
面図である。
【図４】本発明の実施形態に係るデバイスガラス基板１
と封止ガラス基板１を貼り合わせた状態の部分断面図で
ある。
と封止ガラス基板１を貼り合わせた状態の部分断面図で
ある。
【図５】有機ＥＬ表示デバイス２の画素を示す平面図で
ある。
ある。
【図６】有機ＥＬ表示デバイス２の画素を示す断面図で
ある。
ある。
１ デバイスガラス基板
２ 有機ＥＬ表示デバイス
１０ 封止ガラス基板
１１ ポケット部
１２ 乾燥剤層
１３ シール樹脂
２０ 吸着プレート
２１ 凸部
２２ 凹部
３０ 石英プレート
４０ ＵＶ照射装置
Claims (8)
- 【請求項１】 主面にエレクトロルミネッセンス素子が
形成された第１の基板と、前記第１の基板を封止するた
めの第２の基板と、を具備するエレクトロルミネッセン
ス表示装置の製造方法において、 前記第１の基板を吸着プレートに吸着させ、前記吸着プ
レートで荷重をかけることにより前記第１の基板を前記
第２の基板にシール樹脂を介して貼り合わせる工程を有
し、前記吸着プレートの主面に、前記シール樹脂に吸着
プレートの荷重を加えるための凸部が設けられているこ
とを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製
造方法。 - 【請求項２】 前記第２の基板にはその底部に乾燥剤が
形成されたポケット部を有することを特徴とする請求項
１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法。 - 【請求項３】 前記吸着プレートの主面にポケット部に
対向して凹部が設けられていることを特徴とする請求項
２記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法。 - 【請求項４】 前記吸着プレートの主面に設けられた凹
部は、前記ポケット部より幅広に形成されていることを
特徴とする請求項３記載のエレクトロルミネッセンス表
示装置の製造方法。 - 【請求項５】 主面にエレクトロルミネッセンス素子が
形成された第１の基板と、前記エレクトロルミネッセン
ス素子が形成された領域に対向して、その主面に乾燥剤
層が設けられた第２の基板と、を具備するエレクトロル
ミネッセンス表示装置の製造方法において、 前記第２の基板を基板載置プレート上に載置し、前記第
１の基板を前記基板載置用プレート上に設置された吸着
プレートに吸着させ、更に、前記第１の基板と前記第２
の基板とを対向させた状態で、前記吸着プレートで荷重
をかけることにより前記第１の基板を前記第２の基板に
シール樹脂層を介して貼り合わせる工程を有し、前記吸
着プレートの主面に、前記シール樹脂に前記吸着プレー
トの荷重を加えるための凸部が設けられていることを特
徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法。 - 【請求項６】 前記乾燥剤層は前記第２の基板に設けら
れたポケット部に形成されることを特徴とする請求項５
記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記吸着プレートの主面にはポケット部
に対向して凹部が設けられていることを特徴とする請求
項６記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方
法。 - 【請求項８】 前記吸着プレートの主面に設けられた凹
部は、前記第２の基板に設けられたポケット部より幅広
に形成されていることを特徴とする請求項７記載のエレ
クトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002127420A JP2003323978A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| TW092107694A TWI223970B (en) | 2002-04-26 | 2003-04-04 | Method for manufacturing electroluminescence display device |
| CNB031221335A CN100359714C (zh) | 2002-04-26 | 2003-04-17 | 电致发光显示装置的制造方法 |
| KR10-2003-0026232A KR100500061B1 (ko) | 2002-04-26 | 2003-04-25 | 전계 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US10/423,055 US7025650B2 (en) | 2002-04-26 | 2003-04-25 | Manufacturing method of electroluminescent display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002127420A JP2003323978A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003323978A true JP2003323978A (ja) | 2003-11-14 |
Family
ID=29267651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002127420A Pending JP2003323978A (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7025650B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003323978A (ja) |
| KR (1) | KR100500061B1 (ja) |
| CN (1) | CN100359714C (ja) |
| TW (1) | TWI223970B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006244773A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法 |
| JP2008299324A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Toppoly Optoelectronics Corp | 積層ステージ、積層装置と積層方法 |
| US7651079B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-01-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Substrate support plate transfer apparatus for fabricating organic light emitting display |
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|---|---|---|---|---|
| US6975304B1 (en) * | 2001-06-11 | 2005-12-13 | Handspring, Inc. | Interface for processing of an alternate symbol in a computer device |
| IL161910A (en) * | 2004-05-10 | 2009-08-03 | Itzhak Bar Yona | Retro-reflective aiming means, particularly for hand firearms |
| KR100673765B1 (ko) | 2006-01-20 | 2007-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100688790B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| US20090006198A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | David George Walsh | Product displays for retail stores |
| KR101552729B1 (ko) * | 2009-04-30 | 2015-09-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치의 제조 방법 |
| KR101927942B1 (ko) | 2012-02-09 | 2018-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
| CN105118844A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种柔性显示面板的制备方法及柔性显示面板 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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