JP2002324666A - 表示装置及びその作製方法 - Google Patents
表示装置及びその作製方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8721—Metallic sealing arrangements
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-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機発光素子を用いた表示装置の側面からの
水分の浸入を抑え、基板間隔を均一にできる構造を提案
する。 【解決手段】 有機発光素子が設けられた第１の基板
において、第１の基板の周縁部、画素部及び駆動回路部
に積層される膜厚を等しくし、第１の基板の周縁部に限
りなく薄く接着剤を設け第２の基板を接着することで、
第１の基板と第２の基板との間隔を第１の基板の周縁
部、画素部及び駆動回路部に渡って均一にすることがで
きる。なお、有機発光素子上の保護膜が第２の絶縁膜等
の側面にも設けられるため表示装置の側面からの水分の
浸入を防止できる。
水分の浸入を抑え、基板間隔を均一にできる構造を提案
する。 【解決手段】 有機発光素子が設けられた第１の基板
において、第１の基板の周縁部、画素部及び駆動回路部
に積層される膜厚を等しくし、第１の基板の周縁部に限
りなく薄く接着剤を設け第２の基板を接着することで、
第１の基板と第２の基板との間隔を第１の基板の周縁
部、画素部及び駆動回路部に渡って均一にすることがで
きる。なお、有機発光素子上の保護膜が第２の絶縁膜等
の側面にも設けられるため表示装置の側面からの水分の
浸入を防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光素子を用
いた表示装置及びその作製方法に関し、さらに詳細には
基板上に積層された有機発光素子を保護するための封止
構造に関し、素子基板と封止基板とを近接して設けた構
成の表示装置及びその作製方法に関する。
いた表示装置及びその作製方法に関し、さらに詳細には
基板上に積層された有機発光素子を保護するための封止
構造に関し、素子基板と封止基板とを近接して設けた構
成の表示装置及びその作製方法に関する。
【０００２】なお、本明細書において有機発光素子とは
二つの電極の間に有機化合物膜を挟んで発光させる素子
を示す。有機発光素子には、有機発光ダイオード（Orga
nicLight Emitting Diode : OLED）を用いた発光素子が
挙げられる。有機発光ダイオードとは、二つの電極の間
に有機化合物膜が挟まれ、一方の電極から正孔が注入さ
れるとともに、他方の電極から電子が注入されることに
より、有機化合物膜内で電子と正孔とが結合して発光を
する発光体である。
二つの電極の間に有機化合物膜を挟んで発光させる素子
を示す。有機発光素子には、有機発光ダイオード（Orga
nicLight Emitting Diode : OLED）を用いた発光素子が
挙げられる。有機発光ダイオードとは、二つの電極の間
に有機化合物膜が挟まれ、一方の電極から正孔が注入さ
れるとともに、他方の電極から電子が注入されることに
より、有機化合物膜内で電子と正孔とが結合して発光を
する発光体である。
【０００３】
【従来の技術】近年、有機発光素子を用いた表示装置が
盛んに研究されている。有機発光素子を用いた表示装置
は、従来のＣＲＴと比べ軽量化や薄型化が可能であり、
様々な用途への応用が進められている。携帯電話や個人
向け携帯型情報端末（PersonalDigital Assistant : PD
A）などは、インターネットに接続することが可能とな
り、映像表示で示される情報量が飛躍的に増え、表示装
置にはカラー化や高精細化の要求が高まっている。
盛んに研究されている。有機発光素子を用いた表示装置
は、従来のＣＲＴと比べ軽量化や薄型化が可能であり、
様々な用途への応用が進められている。携帯電話や個人
向け携帯型情報端末（PersonalDigital Assistant : PD
A）などは、インターネットに接続することが可能とな
り、映像表示で示される情報量が飛躍的に増え、表示装
置にはカラー化や高精細化の要求が高まっている。
【０００４】一方、こうした携帯型情報端末に搭載する
表示装置は軽量化が重視される。例えば、携帯電話では
７０ｇを切る製品が市場に出されている。軽量化の為に
は個々の電子部品、筐体、バッテリーなど使用する殆ど
の部品の見直しが図られている。しかし、さらなる軽量
化を実現するためには、表示装置の軽量化も推進する必
要がある。
表示装置は軽量化が重視される。例えば、携帯電話では
７０ｇを切る製品が市場に出されている。軽量化の為に
は個々の電子部品、筐体、バッテリーなど使用する殆ど
の部品の見直しが図られている。しかし、さらなる軽量
化を実現するためには、表示装置の軽量化も推進する必
要がある。
【０００５】有機発光素子で画素部を形成した表示装置
は自発光型であり、液晶表示装置のようにバックライト
などの光源を必要としないので、軽量化や薄型化を実現
する手段として有望視されている。
は自発光型であり、液晶表示装置のようにバックライト
などの光源を必要としないので、軽量化や薄型化を実現
する手段として有望視されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】有機発光素子は青色発
色が可能であり、フルカラー表示の自発光型表示装置を
実現させることが可能である。しかし、有機発光素子に
は種々の劣化現象が確認されており、実用化を妨げる課
題として解決が急がれている。
色が可能であり、フルカラー表示の自発光型表示装置を
実現させることが可能である。しかし、有機発光素子に
は種々の劣化現象が確認されており、実用化を妨げる課
題として解決が急がれている。
【０００７】例えば、ダークスポットは、画素部に現れ
る非発光の点欠陥であり、表示品位を著しく低下させる
ものとして問題視されている。ダークスポットは進行型
の欠陥であり、水分が存在すれば、有機発光素子を動作
させなくても増加すると言われている。ダークスポット
の原因は、アルカリ金属、アルカリ土類金属を含有する
陰極が水分や酸素に対して高い反応性を示すためと考え
られている。
る非発光の点欠陥であり、表示品位を著しく低下させる
ものとして問題視されている。ダークスポットは進行型
の欠陥であり、水分が存在すれば、有機発光素子を動作
させなくても増加すると言われている。ダークスポット
の原因は、アルカリ金属、アルカリ土類金属を含有する
陰極が水分や酸素に対して高い反応性を示すためと考え
られている。
【０００８】これゆえ、有機発光素子を用いた表示装置
は有機発光素子に水分、酸素が浸入しないように、素子
基板と封止基板とシール材とに囲まれた封止領域に乾燥
剤を配置している。図１５の断面図に従来の有機発光素
子を用いた表示装置を示す。有機発光素子３０７が設け
られたガラスからなる素子基板３０１と、素子基板に対
向して設けられた封止基板３０３とが、シール材３０２
により貼り合わされており、有機発光素子が外気に曝さ
れないようにしている。有機発光素子３０７上に厚さ１
００ｎｍ〜５００ｎｍの緻密な保護膜３０８を設け、有
機発光素子へと水分が浸入するのを防いでも良い。封止
領域は乾燥空気により満たされている。素子基板と封止
基板との間隔はシール材にフィラー、スペーサ等を混入
して調節する。
は有機発光素子に水分、酸素が浸入しないように、素子
基板と封止基板とシール材とに囲まれた封止領域に乾燥
剤を配置している。図１５の断面図に従来の有機発光素
子を用いた表示装置を示す。有機発光素子３０７が設け
られたガラスからなる素子基板３０１と、素子基板に対
向して設けられた封止基板３０３とが、シール材３０２
により貼り合わされており、有機発光素子が外気に曝さ
れないようにしている。有機発光素子３０７上に厚さ１
００ｎｍ〜５００ｎｍの緻密な保護膜３０８を設け、有
機発光素子へと水分が浸入するのを防いでも良い。封止
領域は乾燥空気により満たされている。素子基板と封止
基板との間隔はシール材にフィラー、スペーサ等を混入
して調節する。
【０００９】封止基板はステンレスやアルミニウム等の
金属からなり皿状に加工された中空領域を有し、中空領
域に乾燥剤、フィルムシートが設けられている。乾燥剤
３０４は吸湿性を有し、封止領域内に浸入した水分を吸
湿して有機発光素子の劣化を防止する。有機発光素子が
設けられた表示領域に乾燥剤が入り込むと表示性能を損
なうため、ガス、水蒸気透過性を有するフィルムシート
３０５が封止基板に接着され、乾燥剤を封止基板の窪み
に閉じ込めている。フィルムシート３０５は厚さが１０
０〜３００μｍであり、フィルムシートが乾燥剤の重み
によりたわむことを考慮するとフィルムシートと有機発
光素子とが接触しないように接着された部分のフィルム
シートと有機発光素子との間は５０μｍ〜２００μｍの
間隙が必要となる。このため、封止基板の中空領域にフ
ィルムシートを設けると中空領域は１５０μｍ〜５００
μｍの深さが少なくとも必要になる。フィルムシート等
を設けることで、素子基板と封止基板との間隔が広が
り、表示装置の薄型化が困難になる。そこで、素子基板
と封止基板との間隔が広がり、表示装置の薄型化が困難
になる。そこで、素子基板と封止基板とを近接して設け
ることを可能とし、表示装置の薄型化を図った表示装置
及びその作製方法を提供することが本発明の第１の目的
である。
金属からなり皿状に加工された中空領域を有し、中空領
域に乾燥剤、フィルムシートが設けられている。乾燥剤
３０４は吸湿性を有し、封止領域内に浸入した水分を吸
湿して有機発光素子の劣化を防止する。有機発光素子が
設けられた表示領域に乾燥剤が入り込むと表示性能を損
なうため、ガス、水蒸気透過性を有するフィルムシート
３０５が封止基板に接着され、乾燥剤を封止基板の窪み
に閉じ込めている。フィルムシート３０５は厚さが１０
０〜３００μｍであり、フィルムシートが乾燥剤の重み
によりたわむことを考慮するとフィルムシートと有機発
光素子とが接触しないように接着された部分のフィルム
シートと有機発光素子との間は５０μｍ〜２００μｍの
間隙が必要となる。このため、封止基板の中空領域にフ
ィルムシートを設けると中空領域は１５０μｍ〜５００
μｍの深さが少なくとも必要になる。フィルムシート等
を設けることで、素子基板と封止基板との間隔が広が
り、表示装置の薄型化が困難になる。そこで、素子基板
と封止基板との間隔が広がり、表示装置の薄型化が困難
になる。そこで、素子基板と封止基板とを近接して設け
ることを可能とし、表示装置の薄型化を図った表示装置
及びその作製方法を提供することが本発明の第１の目的
である。
【００１０】従来、封止基板に中空領域を設けて乾燥剤
を配置するために加工が容易な金属材料からなる封止基
板を用いる必要があった。しかし、金属性の基板を封止
基板として設けた表示装置では、有機発光素子の発光が
出射する基板はガラスからなる素子基板３０１に限られ
る。このため、素子基板にＴＦＴ（Thin Film Transi
stor；薄膜トランジスタ）素子を設けると、ＴＦＴ素子
を通して素子基板の側から有機発光素子の発光が外部に
取り出されるため、発光の輝度が低下してしまう。ま
た、ガラスからなる素子基板を薄くするにつれ、耐衝撃
性が低下して割れやすくなる。特に、金属からなる封止
基板と、ガラスからなる素子基板とを貼り合わせたとき
は、熱膨張係数の違いから、急激な温度変化によって歪
が生じ、素子基板に亀裂が生じてしまう。
を配置するために加工が容易な金属材料からなる封止基
板を用いる必要があった。しかし、金属性の基板を封止
基板として設けた表示装置では、有機発光素子の発光が
出射する基板はガラスからなる素子基板３０１に限られ
る。このため、素子基板にＴＦＴ（Thin Film Transi
stor；薄膜トランジスタ）素子を設けると、ＴＦＴ素子
を通して素子基板の側から有機発光素子の発光が外部に
取り出されるため、発光の輝度が低下してしまう。ま
た、ガラスからなる素子基板を薄くするにつれ、耐衝撃
性が低下して割れやすくなる。特に、金属からなる封止
基板と、ガラスからなる素子基板とを貼り合わせたとき
は、熱膨張係数の違いから、急激な温度変化によって歪
が生じ、素子基板に亀裂が生じてしまう。
【００１１】そこで、有機発光素子の発光輝度を高め、
明るく視認性の良い表示装置及びその作製方法を提供す
ることが本発明の第２の目的である。さらに、急激な温
度変化による破損を抑えた構成の表示装置及びその作製
方法を提供することが本発明の第３の目的である。
明るく視認性の良い表示装置及びその作製方法を提供す
ることが本発明の第２の目的である。さらに、急激な温
度変化による破損を抑えた構成の表示装置及びその作製
方法を提供することが本発明の第３の目的である。
【００１２】また、表示装置の側面に配置されたシール
材は有機樹脂材料からなり、無機系のガラス材料や金属
材料に比べ透湿度が高い。例えば、６０℃で９０％の湿
度で透湿度は１５ｇ／ｍ2・２４ｈｒ〜３０ｇ／ｍ2・２
４ｈｒとなる。表示装置の前面からガラスからなる素子
基板を通過して封止領域内に浸入する水分の量や、表示
装置の背面から金属材料からなる封止基板を通過して封
止領域内に浸入する水分の量は無視できるくらいに小さ
いが、表示装置の側面から透湿度の高いシール材を通過
して封止領域内に浸入する水分は有機発光素子の劣化の
原因となり対策が必要とされている。
材は有機樹脂材料からなり、無機系のガラス材料や金属
材料に比べ透湿度が高い。例えば、６０℃で９０％の湿
度で透湿度は１５ｇ／ｍ2・２４ｈｒ〜３０ｇ／ｍ2・２
４ｈｒとなる。表示装置の前面からガラスからなる素子
基板を通過して封止領域内に浸入する水分の量や、表示
装置の背面から金属材料からなる封止基板を通過して封
止領域内に浸入する水分の量は無視できるくらいに小さ
いが、表示装置の側面から透湿度の高いシール材を通過
して封止領域内に浸入する水分は有機発光素子の劣化の
原因となり対策が必要とされている。
【００１３】シール材を通過する水蒸気の量は外気に曝
されるシール材の面積とシール材の透湿度との積で決ま
るため、外気に曝されるシール材の面積は小さい方が望
ましい、つまりシール材は薄い方が望ましい。しかし、
シール材は封止基板と素子基板とを貼り合わせる機能だ
けでなく、封止基板と素子基板との間隔を制御する機能
を併せ持つ。このため、素子基板と封止基板とが接触し
て素子基板に設けられた有機発光素子や有機発光素子に
電流を流すトランジスタを破壊しないように、素子基板
と封止基板との距離を考慮してシール材の厚さを決定す
る必要がある。
されるシール材の面積とシール材の透湿度との積で決ま
るため、外気に曝されるシール材の面積は小さい方が望
ましい、つまりシール材は薄い方が望ましい。しかし、
シール材は封止基板と素子基板とを貼り合わせる機能だ
けでなく、封止基板と素子基板との間隔を制御する機能
を併せ持つ。このため、素子基板と封止基板とが接触し
て素子基板に設けられた有機発光素子や有機発光素子に
電流を流すトランジスタを破壊しないように、素子基板
と封止基板との距離を考慮してシール材の厚さを決定す
る必要がある。
【００１４】そこで、素子基板と封止基板とを接近して
設けることを可能とし、素子装置の側面からシール材と
いった有機樹脂材料を通過して封止領域内に浸入する水
分の量を低減し、有機発光素子の長寿命化を図り、信頼
性を高めた表示装置及びその作製方法を提供することが
本発明の第４の目的である。
設けることを可能とし、素子装置の側面からシール材と
いった有機樹脂材料を通過して封止領域内に浸入する水
分の量を低減し、有機発光素子の長寿命化を図り、信頼
性を高めた表示装置及びその作製方法を提供することが
本発明の第４の目的である。
【００１５】また、シール材と外気との間にシール材に
接するように緻密なガス、水蒸気透過性の低い保護膜を
設けて表示装置の側面から浸入する水分の量を低減する
ことが考えられる。しかし、素子基板と封止基板とをシ
ール材を介して貼り合わせた後に、シール材の側面に真
空装置を用いて保護膜を設けることは工程コストの増加
を招き、低コストで製造が容易な有機発光素子の利点が
薄れる。また、シール材は基板上にディスペンサ方式に
て塗布された材料を圧力を加えながら硬化するため、硬
化後のシール材の形状はシール材側面の基板間の厚み方
向にも、シール材の側面の厚み方向と直交する幅方向に
も、なだらかに蛇行したうねりを持つ。このようなシー
ル材の側面に保護膜を成膜するのは困難であり、保護膜
が成膜されない部分が生じてしまう。
接するように緻密なガス、水蒸気透過性の低い保護膜を
設けて表示装置の側面から浸入する水分の量を低減する
ことが考えられる。しかし、素子基板と封止基板とをシ
ール材を介して貼り合わせた後に、シール材の側面に真
空装置を用いて保護膜を設けることは工程コストの増加
を招き、低コストで製造が容易な有機発光素子の利点が
薄れる。また、シール材は基板上にディスペンサ方式に
て塗布された材料を圧力を加えながら硬化するため、硬
化後のシール材の形状はシール材側面の基板間の厚み方
向にも、シール材の側面の厚み方向と直交する幅方向に
も、なだらかに蛇行したうねりを持つ。このようなシー
ル材の側面に保護膜を成膜するのは困難であり、保護膜
が成膜されない部分が生じてしまう。
【００１６】このように、表示装置の側面に設けられた
シール材から浸入する水分を低減することは困難であ
る。そこで、有機発光素子を用いた表示装置において、
表示装置の側面から侵入する水分の量を低減する必要性
が大きく、本発明の第４の目的が重要になる。
シール材から浸入する水分を低減することは困難であ
る。そこで、有機発光素子を用いた表示装置において、
表示装置の側面から侵入する水分の量を低減する必要性
が大きく、本発明の第４の目的が重要になる。
【００１７】本発明は、第１の目的〜第４の目的を適宜
実現することにより、外気からの水分の浸入経路を低減
し、かつ、素子基板（第１の基板）と封止基板（第２の
基板）との間隔を均一に制御することを可能とするもの
である。
実現することにより、外気からの水分の浸入経路を低減
し、かつ、素子基板（第１の基板）と封止基板（第２の
基板）との間隔を均一に制御することを可能とするもの
である。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の構成の一例とし
て、素子基板にバンクを形成するさいに、バンクと同一
工程にて、素子基板の周縁部に閉曲線状に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜上に接着材を形成し、接着材を用いて素
子基板と封止基板とを貼り合せる。接着剤の厚さは０．
０５μｍ以上０．５μｍ以下と薄く形成する。本発明の
構成によれば、素子基板と封止基板とを近接して設ける
ことが可能となり、表示装置の薄型化という第一の目的
が達成される。
て、素子基板にバンクを形成するさいに、バンクと同一
工程にて、素子基板の周縁部に閉曲線状に絶縁膜を形成
し、この絶縁膜上に接着材を形成し、接着材を用いて素
子基板と封止基板とを貼り合せる。接着剤の厚さは０．
０５μｍ以上０．５μｍ以下と薄く形成する。本発明の
構成によれば、素子基板と封止基板とを近接して設ける
ことが可能となり、表示装置の薄型化という第一の目的
が達成される。
【００１９】さらに、素子基板と封止基板とを透光性を
有するガラスからなる基板で構成すれば、封止基板の側
から有機発光素子の発光を取り出すこともできる。この
場合、画素に占めるＴＦＴ素子の割合によらず、各画素
の開口率が決まり、輝度の高い表示が可能となり、第２
の目的が達成される。加えて、素子基板と封止基板との
熱膨張係数が等しいため、急激な温度変化による破損が
抑えられて本発明の第３の目的が達成される。
有するガラスからなる基板で構成すれば、封止基板の側
から有機発光素子の発光を取り出すこともできる。この
場合、画素に占めるＴＦＴ素子の割合によらず、各画素
の開口率が決まり、輝度の高い表示が可能となり、第２
の目的が達成される。加えて、素子基板と封止基板との
熱膨張係数が等しいため、急激な温度変化による破損が
抑えられて本発明の第３の目的が達成される。
【００２０】さらに、素子基板と封止基板とを接近して
設けることができれば、素子基板と封止基板とを貼り合
せる有機樹脂材料（接着剤）を通過する水分の量が低減
し、有機発光素子の長寿命化が図られ、本発明の第４の
目的が達成される。
設けることができれば、素子基板と封止基板とを貼り合
せる有機樹脂材料（接着剤）を通過する水分の量が低減
し、有機発光素子の長寿命化が図られ、本発明の第４の
目的が達成される。
【００２１】また、素子基板と封止基板と近接して設け
た場合に、素子基板に設けられた有機発光素子の保護
や、トランジスタの保護が重要になる。また、所望とす
る耐用年数によっては、乾燥剤をどのように設けるかが
重要になる。これについては、適宜に説明していく。
た場合に、素子基板に設けられた有機発光素子の保護
や、トランジスタの保護が重要になる。また、所望とす
る耐用年数によっては、乾燥剤をどのように設けるかが
重要になる。これについては、適宜に説明していく。
【００２２】素子基板と封止基板との均一性を高める方
法についても、適宜に説明していく。
法についても、適宜に説明していく。
【００２３】本発明の一例を図１の断面図を用いて説明
をする。図１は本発明の有機発光素子を用いた表示装置
を示すものである。第１の基板１００はガラスからなる
透光性の基板である。また、第１の基板上に画素部１２
１のＴＦＴと、画素部の周辺に設ける駆動回路部１２０
のＴＦＴとが形成されている。第１の基板上に無機材料
からなる下地膜１１８〜１１９が設けられている。第１
の基板上に設けられた画素部及び駆動回路部のＴＦＴ
は、半導体膜１１０、半導体膜を覆うゲート絶縁膜１１
１、ゲート絶縁膜を挟んで半導体膜のチャネル領域の上
方に設けられたゲート電極１１２〜１１３、ゲート電
極、ゲート絶縁膜を覆う無機材料からなる第１の層間絶
縁膜１１４、第１の層間膜上に設けられた有機材料から
なる第２の層間絶縁膜１１５、同一の導電体層をパター
ニングして設けられたドレイン電極１１６、ソース電極
１１７及び配線１２２からなる。配線１２２は一端が駆
動回路部の半導体膜と接続しており他端が封止領域の外
部に設けられた外部入力端子である。ＩＴＯ膜からなる
第１の電極１０３を挟んでＦＰＣ（Flexible Print Cir
cuit；フレキシブルプリント配線板）が外部入力端子に
接続される。
をする。図１は本発明の有機発光素子を用いた表示装置
を示すものである。第１の基板１００はガラスからなる
透光性の基板である。また、第１の基板上に画素部１２
１のＴＦＴと、画素部の周辺に設ける駆動回路部１２０
のＴＦＴとが形成されている。第１の基板上に無機材料
からなる下地膜１１８〜１１９が設けられている。第１
の基板上に設けられた画素部及び駆動回路部のＴＦＴ
は、半導体膜１１０、半導体膜を覆うゲート絶縁膜１１
１、ゲート絶縁膜を挟んで半導体膜のチャネル領域の上
方に設けられたゲート電極１１２〜１１３、ゲート電
極、ゲート絶縁膜を覆う無機材料からなる第１の層間絶
縁膜１１４、第１の層間膜上に設けられた有機材料から
なる第２の層間絶縁膜１１５、同一の導電体層をパター
ニングして設けられたドレイン電極１１６、ソース電極
１１７及び配線１２２からなる。配線１２２は一端が駆
動回路部の半導体膜と接続しており他端が封止領域の外
部に設けられた外部入力端子である。ＩＴＯ膜からなる
第１の電極１０３を挟んでＦＰＣ（Flexible Print Cir
cuit；フレキシブルプリント配線板）が外部入力端子に
接続される。
【００２４】第２の層間絶縁膜上に第１の電極１０３、
有機化合物膜１０４及び第２の電極１０５の積層よりな
る有機発光素子１０６が設けられている。第１の電極は
陽極であり透光性を有する透明導電膜、例えばＩＴＯ
（Indium Tin Oxide；酸化インジウム錫）膜を用いるこ
とができる。第２の電極は陰極でありＭｇＡｇ、ＡｌＬ
ｉ等のアルカリ金属、アルカリ土類金属を含む金属薄膜
を用いることができる。第１の電極の厚みにより第１の
電極の端部で有機化合物膜が断線し、その断線箇所にお
いて第１の電極と第２の電極とが短絡することを防止す
るために、第１の電極の端部を覆ってバンクを設ける。
バンクのなだらかに傾斜した側面に沿って有機化合物膜
１０４を設け、さらに有機化合物膜上に第２の電極１０
５を設けることで、第１の電極と第２の電極との短絡を
防止することができる。本発明は、膜厚が１〜１０μｍ
の絶縁膜をパターニングして、バンクとなる第１の絶縁
膜１０７と第１の基板の周縁部に設けられた第２の絶縁
膜１０８とを形成する。
有機化合物膜１０４及び第２の電極１０５の積層よりな
る有機発光素子１０６が設けられている。第１の電極は
陽極であり透光性を有する透明導電膜、例えばＩＴＯ
（Indium Tin Oxide；酸化インジウム錫）膜を用いるこ
とができる。第２の電極は陰極でありＭｇＡｇ、ＡｌＬ
ｉ等のアルカリ金属、アルカリ土類金属を含む金属薄膜
を用いることができる。第１の電極の厚みにより第１の
電極の端部で有機化合物膜が断線し、その断線箇所にお
いて第１の電極と第２の電極とが短絡することを防止す
るために、第１の電極の端部を覆ってバンクを設ける。
バンクのなだらかに傾斜した側面に沿って有機化合物膜
１０４を設け、さらに有機化合物膜上に第２の電極１０
５を設けることで、第１の電極と第２の電極との短絡を
防止することができる。本発明は、膜厚が１〜１０μｍ
の絶縁膜をパターニングして、バンクとなる第１の絶縁
膜１０７と第１の基板の周縁部に設けられた第２の絶縁
膜１０８とを形成する。
【００２５】表示装置の側面からの水分の浸入や有機発
光素子と水分との反応を抑えるために、保護膜１０９を
第１の基板の最上層に第２の電極、第１の絶縁膜、第２
の絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を覆って形成する。有機
発光素子上と第２の層間絶縁膜１１５の側面及び第２の
絶縁膜１０８の側面にも同時に、保護膜が形成される、
第２の層間絶縁膜１１５及び第２の絶縁膜１０８の側面
が緻密で硬質な保護膜により外気と隔てられるため、表
示装置の側面から水分が浸入し封止領域に入り込むこと
を防止できる。保護膜としては窒化珪素膜、ＤＬＣ（Di
amond like Carbon）膜を用いると良い。ＤＬＣ膜は、
非常に硬く絶縁性に優れており、水蒸気や酸素などのガ
ス透過率を低くできるため保護膜として最適である。こ
うして、有機発光素子が形成された素子基板ができる。
光素子と水分との反応を抑えるために、保護膜１０９を
第１の基板の最上層に第２の電極、第１の絶縁膜、第２
の絶縁膜及び第２の層間絶縁膜を覆って形成する。有機
発光素子上と第２の層間絶縁膜１１５の側面及び第２の
絶縁膜１０８の側面にも同時に、保護膜が形成される、
第２の層間絶縁膜１１５及び第２の絶縁膜１０８の側面
が緻密で硬質な保護膜により外気と隔てられるため、表
示装置の側面から水分が浸入し封止領域に入り込むこと
を防止できる。保護膜としては窒化珪素膜、ＤＬＣ（Di
amond like Carbon）膜を用いると良い。ＤＬＣ膜は、
非常に硬く絶縁性に優れており、水蒸気や酸素などのガ
ス透過率を低くできるため保護膜として最適である。こ
うして、有機発光素子が形成された素子基板ができる。
【００２６】素子基板の周縁部に設けられた第２の絶縁
膜の上方に接着剤１０２を設け素子基板と封止基板とを
貼り合せる。封止基板は透光性の第２の基板１０１から
なる。接着剤の厚さを０．０５μｍ以上０．５μｍ以
下、好ましくは０．０５μｍ以上０．２μｍ以下に薄く
する。接着剤下に積層された積層膜の膜厚と、画素部の
第１の絶縁膜１０７が設けられた領域の積層膜の膜厚を
等しくするように調節すれば、第１の基板と第２の基板
との間隔を画素部や第１の基板の周縁部に渡って均一に
することができる。より望ましくは接着剤の厚さまで考
慮して、第１の基板の周縁部において接着剤の厚さと接
着剤下の積層膜の厚さとの和が画素部の第１の絶縁膜が
設けられた領域の積層膜の膜厚の和や、駆動回路部に積
層された膜厚の和と等しくなるように設計すれば、第１
の基板と第２の基板との間隔を画素部や第１の基板の周
縁部に渡ってより均一にすることができる。このために
は、第２の層間絶縁膜やバンク、バンクと同一工程にて
形成される絶縁膜のような積層膜において支配的な厚さ
を有するものを画素部、駆動回路部、第１の基板の周辺
部に設ける必要がある。
膜の上方に接着剤１０２を設け素子基板と封止基板とを
貼り合せる。封止基板は透光性の第２の基板１０１から
なる。接着剤の厚さを０．０５μｍ以上０．５μｍ以
下、好ましくは０．０５μｍ以上０．２μｍ以下に薄く
する。接着剤下に積層された積層膜の膜厚と、画素部の
第１の絶縁膜１０７が設けられた領域の積層膜の膜厚を
等しくするように調節すれば、第１の基板と第２の基板
との間隔を画素部や第１の基板の周縁部に渡って均一に
することができる。より望ましくは接着剤の厚さまで考
慮して、第１の基板の周縁部において接着剤の厚さと接
着剤下の積層膜の厚さとの和が画素部の第１の絶縁膜が
設けられた領域の積層膜の膜厚の和や、駆動回路部に積
層された膜厚の和と等しくなるように設計すれば、第１
の基板と第２の基板との間隔を画素部や第１の基板の周
縁部に渡ってより均一にすることができる。このために
は、第２の層間絶縁膜やバンク、バンクと同一工程にて
形成される絶縁膜のような積層膜において支配的な厚さ
を有するものを画素部、駆動回路部、第１の基板の周辺
部に設ける必要がある。
【００２７】接着剤の厚さを薄くすることで、外気から
接着剤の側面を通過して封止領域内に入り込む水分の量
を低減することができる。本発明の接着剤は接着性を有
し、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下、好ましくは０．
０５μｍ以上０．２μｍ以下の厚さにできる性質があれ
ば良いので従来のシール材の材料でも厚さが０．０５μ
ｍ以上０．５μｍ以下好ましくは０．０５μｍ以上０．
２μｍ以下にできるのであれば本発明の接着剤として用
いることができる。
接着剤の側面を通過して封止領域内に入り込む水分の量
を低減することができる。本発明の接着剤は接着性を有
し、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下、好ましくは０．
０５μｍ以上０．２μｍ以下の厚さにできる性質があれ
ば良いので従来のシール材の材料でも厚さが０．０５μ
ｍ以上０．５μｍ以下好ましくは０．０５μｍ以上０．
２μｍ以下にできるのであれば本発明の接着剤として用
いることができる。
【００２８】素子基板、封止基板及び接着剤１０２とに
囲まれた封止領域は乾燥気体で満たされる。乾燥気体は
窒素やアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスが用いられ
る。乾燥気体にはわずかに水分が残留して残ってしまう
が、接着剤を０．０５μｍ以上０．５μｍ以下、好まし
くは０．０５μｍ以上０．２μｍ以下に薄くしているた
め、封止領域の体積つまり、封止領域内に充填される乾
燥気体の体積は小さく、封止領域内で乾燥気体に残留す
る水分の量も少ない。
囲まれた封止領域は乾燥気体で満たされる。乾燥気体は
窒素やアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスが用いられ
る。乾燥気体にはわずかに水分が残留して残ってしまう
が、接着剤を０．０５μｍ以上０．５μｍ以下、好まし
くは０．０５μｍ以上０．２μｍ以下に薄くしているた
め、封止領域の体積つまり、封止領域内に充填される乾
燥気体の体積は小さく、封止領域内で乾燥気体に残留す
る水分の量も少ない。
【００２９】また、有機樹脂膜の透湿度は有機樹脂膜の
幅が広いと低下する傾向があるため、表示装置の側面の
保護膜と接して設けられた有機樹脂膜からなる第２の絶
縁膜は接着剤１０２の下方だけでなく駆動回路部１２０
まで覆うように設け、有機樹脂膜の幅を広くすることが
好ましい。ただし、第２の絶縁膜の幅を広くして額縁の
面積が増えると表示性能が悪くなるため、第２の絶縁膜
の幅は１００μｍ〜５０００μｍが好ましい。第２の絶
縁膜の幅はフォトマスクにより決定されるため、設計者
が適宜設計することができる。
幅が広いと低下する傾向があるため、表示装置の側面の
保護膜と接して設けられた有機樹脂膜からなる第２の絶
縁膜は接着剤１０２の下方だけでなく駆動回路部１２０
まで覆うように設け、有機樹脂膜の幅を広くすることが
好ましい。ただし、第２の絶縁膜の幅を広くして額縁の
面積が増えると表示性能が悪くなるため、第２の絶縁膜
の幅は１００μｍ〜５０００μｍが好ましい。第２の絶
縁膜の幅はフォトマスクにより決定されるため、設計者
が適宜設計することができる。
【００３０】本発明によれば、簡便な工程でむらなく表
示装置の側面に保護膜を設けることが可能となるため、
表示装置の側面から浸入する水分の量が低減できる。表
示装置の側面において外気に曝される有機樹脂材料は接
着剤だが、接着剤は材料が許す限り薄くできるため、接
着剤が外気に曝される面積を極力低減できる。
示装置の側面に保護膜を設けることが可能となるため、
表示装置の側面から浸入する水分の量が低減できる。表
示装置の側面において外気に曝される有機樹脂材料は接
着剤だが、接着剤は材料が許す限り薄くできるため、接
着剤が外気に曝される面積を極力低減できる。
【００３１】また、封止基板としてガラスからなる第２
の基板を用いると、素子基板と封止基板との熱膨張係数
を等しくすることができる。これにより、使用環境の温
度が急激に変化しても、素子基板と封止基板との熱膨張
係数が等しいため、温度変化に伴なう基板の亀裂の発生
を防止できる。本発明は基板を薄型化し、基板の強度が
低下したときに特に有効になる。勿論、素子基板と封止
基板とが透光性を有するガラスからなる基板であるた
め、有機発光素子の第１の電極を透光性とし、第２の電
極を光反射性とすれば素子基板の側から有機発光素子の
発光を外部に取り出すことができるし、第１の電極を光
反射性とし、第２の電極を透光性とすれば封止基板の側
から有機発光素子の発光を外部に取り出すことが可能と
なる。素子基板と封止基板とどちらの基板から有機発光
素子の発光を取り出すかは設計者が適宜決定すれば良
い。
の基板を用いると、素子基板と封止基板との熱膨張係数
を等しくすることができる。これにより、使用環境の温
度が急激に変化しても、素子基板と封止基板との熱膨張
係数が等しいため、温度変化に伴なう基板の亀裂の発生
を防止できる。本発明は基板を薄型化し、基板の強度が
低下したときに特に有効になる。勿論、素子基板と封止
基板とが透光性を有するガラスからなる基板であるた
め、有機発光素子の第１の電極を透光性とし、第２の電
極を光反射性とすれば素子基板の側から有機発光素子の
発光を外部に取り出すことができるし、第１の電極を光
反射性とし、第２の電極を透光性とすれば封止基板の側
から有機発光素子の発光を外部に取り出すことが可能と
なる。素子基板と封止基板とどちらの基板から有機発光
素子の発光を取り出すかは設計者が適宜決定すれば良
い。
【００３２】なお、図１の構造は、表示装置の側面と有
機発光素子上に緻密な保護膜を設けることで発光素子の
長寿命化を図ったものだが、以下に示す実施形態により
有機発光素子の長期信頼性を種々の方法で確保すること
が可能となる。さらに、上記構成において乾燥剤を設け
る方法も以下に説明する。また、以下に示す実施形態に
より有機発光素子の第１の基板と第２の基板との間隔の
均一性を種々の方法で向上させることが可能となる。以
下に示す実施形態を組み合わせても良い。以下、本発明
を実施形態により詳細に説明する。
機発光素子上に緻密な保護膜を設けることで発光素子の
長寿命化を図ったものだが、以下に示す実施形態により
有機発光素子の長期信頼性を種々の方法で確保すること
が可能となる。さらに、上記構成において乾燥剤を設け
る方法も以下に説明する。また、以下に示す実施形態に
より有機発光素子の第１の基板と第２の基板との間隔の
均一性を種々の方法で向上させることが可能となる。以
下に示す実施形態を組み合わせても良い。以下、本発明
を実施形態により詳細に説明する。
【００３３】
【発明の実施の形態】[実施形態１]本発明の実施の形態
について図１を用いて説明する。図１で示すのは有機発
光素子を用いたアクティブマトリクス方式の表示装置の
断面図である。図１の表示装置の構成要素を積層される
順序にしたがって説明をする。
について図１を用いて説明する。図１で示すのは有機発
光素子を用いたアクティブマトリクス方式の表示装置の
断面図である。図１の表示装置の構成要素を積層される
順序にしたがって説明をする。
【００３４】第１の基板１００上には、ＴＦＴを用いて
駆動回路部１２０と画素部１２１とが形成される。第１
の基板はバリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ
酸ガラス、石英ガラスなどのガラスからなる基板を用い
る。
駆動回路部１２０と画素部１２１とが形成される。第１
の基板はバリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ
酸ガラス、石英ガラスなどのガラスからなる基板を用い
る。
【００３５】絶縁性を有する下地膜１１８〜１１９上に
駆動回路部のＴＦＴ及び画素部のＴＦＴが設けられる。
下地膜１１８は酸化窒化珪素膜とし１０ｎｍ〜１００ｎ
ｍの厚さで形成する。下地膜１１９は酸化窒化珪素膜と
し２０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで形成する。本実施形態
では、膜質が異なる酸化窒化珪素膜を積層し下地膜とす
る。
駆動回路部のＴＦＴ及び画素部のＴＦＴが設けられる。
下地膜１１８は酸化窒化珪素膜とし１０ｎｍ〜１００ｎ
ｍの厚さで形成する。下地膜１１９は酸化窒化珪素膜と
し２０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで形成する。本実施形態
では、膜質が異なる酸化窒化珪素膜を積層し下地膜とす
る。
【００３６】ＴＦＴは半導体膜１１０、ゲート絶縁膜１
１１、ゲート電極１１２〜１１３、第１の層間絶縁膜１
１４、第２の層間絶縁膜１１５、ドレイン電極１１６及
びソース電極１１７からなる。半導体層は膜厚が１０〜
１５０ｎｍの珪素膜を形成し、ゲート絶縁膜は膜厚が２
０〜３００ｎｍの窒化膜を形成する。ゲート電極は膜厚
が３０〜６０ｎｍの窒化タンタル膜と膜厚が３７０〜４
００ｎｍのタングステン膜の積層膜を形成する。第１の
層間絶縁膜は膜厚が５０ｎｍ〜１５０ｎｍの酸化珪素膜
を形成し、第２の層間絶縁膜は膜厚が１〜３μｍのアク
リル樹脂膜を形成する。ドレイン電極及びソース電極は
膜厚が５０ｎｍ〜８００ｎｍのチタン膜と、膜厚が３５
０〜４００ｎｍのアルミを主成分とし珪素が不純物元素
として添加されたアルミ合金膜と、膜厚が１００ｎｍ〜
１６００ｎｍのチタン膜とを積層形成する。ドレイン電
極及びソース電極と同一の層で導電体膜１２３、配線１
２２及び配線１２４が形成される。
１１、ゲート電極１１２〜１１３、第１の層間絶縁膜１
１４、第２の層間絶縁膜１１５、ドレイン電極１１６及
びソース電極１１７からなる。半導体層は膜厚が１０〜
１５０ｎｍの珪素膜を形成し、ゲート絶縁膜は膜厚が２
０〜３００ｎｍの窒化膜を形成する。ゲート電極は膜厚
が３０〜６０ｎｍの窒化タンタル膜と膜厚が３７０〜４
００ｎｍのタングステン膜の積層膜を形成する。第１の
層間絶縁膜は膜厚が５０ｎｍ〜１５０ｎｍの酸化珪素膜
を形成し、第２の層間絶縁膜は膜厚が１〜３μｍのアク
リル樹脂膜を形成する。ドレイン電極及びソース電極は
膜厚が５０ｎｍ〜８００ｎｍのチタン膜と、膜厚が３５
０〜４００ｎｍのアルミを主成分とし珪素が不純物元素
として添加されたアルミ合金膜と、膜厚が１００ｎｍ〜
１６００ｎｍのチタン膜とを積層形成する。ドレイン電
極及びソース電極と同一の層で導電体膜１２３、配線１
２２及び配線１２４が形成される。
【００３７】陽極は、透光性を有する導電膜であるＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide:酸化インジウム錫）膜からなる
第１の電極１０３を形成する。第１の電極の厚さは１０
０ｎｍ〜２００ｎｍとすれば良い。
Ｏ（Indium Tin Oxide:酸化インジウム錫）膜からなる
第１の電極１０３を形成する。第１の電極の厚さは１０
０ｎｍ〜２００ｎｍとすれば良い。
【００３８】第１の電極の端部に一部が重なるようにア
クリルやポリイミドなどの感光性の有機樹脂膜からなる
バンクを形成する。バンクの膜厚は１〜１０μｍとす
る。感光性のアクリル樹脂膜をパターニングして、バン
クとしてソース配線に沿ってストライプ状に第１の絶縁
膜１０７を形成し、第１の基板の周縁部と駆動回路部と
を覆って第２の絶縁膜１０８を形成する。
クリルやポリイミドなどの感光性の有機樹脂膜からなる
バンクを形成する。バンクの膜厚は１〜１０μｍとす
る。感光性のアクリル樹脂膜をパターニングして、バン
クとしてソース配線に沿ってストライプ状に第１の絶縁
膜１０７を形成し、第１の基板の周縁部と駆動回路部と
を覆って第２の絶縁膜１０８を形成する。
【００３９】バンクのなだらかな傾斜面に沿ってストラ
イプ状に有機化合物膜を形成することで、第１の電極の
端部における有機化合物膜の断線を防止し、ひいては有
機化合物膜の断線箇所に起因する第１の電極と第２の電
極との短絡を防止する。有機化合物膜１０４は、電子輸
送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層の順に積層され
るが、電子輸送層／発光層／正孔輸送層、または電子注
入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層の
ような構造としても良い。本発明では公知のいずれの構
造を用いても良い。
イプ状に有機化合物膜を形成することで、第１の電極の
端部における有機化合物膜の断線を防止し、ひいては有
機化合物膜の断線箇所に起因する第１の電極と第２の電
極との短絡を防止する。有機化合物膜１０４は、電子輸
送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層の順に積層され
るが、電子輸送層／発光層／正孔輸送層、または電子注
入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層の
ような構造としても良い。本発明では公知のいずれの構
造を用いても良い。
【００４０】具体的な発光層としては、赤色に発光する
発光層にはシアノポリフェニレン、緑色に発光する発光
層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光する発光層
にはポリフェニレンビニレンまたはポリアルキルフェニ
レンを用いれば良い。発光層の厚さは３０〜１５０ｎｍ
とすれば良い。
発光層にはシアノポリフェニレン、緑色に発光する発光
層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光する発光層
にはポリフェニレンビニレンまたはポリアルキルフェニ
レンを用いれば良い。発光層の厚さは３０〜１５０ｎｍ
とすれば良い。
【００４１】上記の例は発光層として用いることのでき
る材料の一例であり、これに限定されるものではない。
発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注
入層を形成するための材料は、その可能な組合せにおい
て自由に選択することができる。
る材料の一例であり、これに限定されるものではない。
発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注
入層を形成するための材料は、その可能な組合せにおい
て自由に選択することができる。
【００４２】第２の電極１０５は、仕事関数の小さいマ
グネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）若しくはカルシ
ウム（Ｃａ）を含む材料を陰極として用いる。好ましく
はＭｇＡｇ（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１で混合
した材料）でなる電極を用いれば良い。他にもＭｇＡｇ
Ａｌ電極、ＬｉＡｌ電極、また、ＬｉＦＡｌ電極が挙げ
られる。第２の電極はＭｇＡｇやＬｉＦなどの材料を用
いて形成される。第２の電極の厚さは１００ｎｍ〜２０
０ｎｍとすれば良い。第２の電極はバンクとバンクとの
間にストライプ状に設けられ、表示領域外で短絡した共
通電極となる。
グネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）若しくはカルシ
ウム（Ｃａ）を含む材料を陰極として用いる。好ましく
はＭｇＡｇ（ＭｇとＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１で混合
した材料）でなる電極を用いれば良い。他にもＭｇＡｇ
Ａｌ電極、ＬｉＡｌ電極、また、ＬｉＦＡｌ電極が挙げ
られる。第２の電極はＭｇＡｇやＬｉＦなどの材料を用
いて形成される。第２の電極の厚さは１００ｎｍ〜２０
０ｎｍとすれば良い。第２の電極はバンクとバンクとの
間にストライプ状に設けられ、表示領域外で短絡した共
通電極となる。
【００４３】有機発光素子１０６は、第１の電極１０
３、有機化合物膜１０４、第２の電極１０５の順に積層
する。第１の電極は光反射性を有する陰極とし、第２の
電極は透光性を有する陽極とし、有機発光素子から放射
される発光を第１の基板１００の側へと出射させる構造
とする。
３、有機化合物膜１０４、第２の電極１０５の順に積層
する。第１の電極は光反射性を有する陰極とし、第２の
電極は透光性を有する陽極とし、有機発光素子から放射
される発光を第１の基板１００の側へと出射させる構造
とする。
【００４４】保護膜１０９は、１００ｎｍ〜５００ｎｍ
の厚さのＤＬＣ膜を用いる。ＤＬＣ膜はプラズマＣＶＤ
法、マイクロ波ＣＶＤ法、電子サイクロトロン共鳴（Ｅ
ＣＲ）ＣＶＤ法、スパッタ法などで形成することができ
る。いずれの成膜方法を用いても、有機化合物膜を加熱
しなくても、密着性良くＤＬＣ膜を形成することができ
る。ＤＬＣは基板をカソードに設置して成膜する。また
は、負のバイアスを印加して、イオン衝撃をある程度利
用して緻密で硬質な膜を形成できる。成膜に用いる反応
ガスは、炭化水素系のガス、例えばＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ6
Ｈ6などを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自
己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させ
て成膜する。こうすることにより、緻密で平滑なＤＬＣ
膜を得ることができる。基板を殆ど加熱することなしに
成膜できるので、第１の基板の最終工程でＤＬＣ膜を形
成することができる。ＤＬＣ膜は第２の電極、第１の絶
縁膜及び第２の絶縁膜を覆って設けられる。
の厚さのＤＬＣ膜を用いる。ＤＬＣ膜はプラズマＣＶＤ
法、マイクロ波ＣＶＤ法、電子サイクロトロン共鳴（Ｅ
ＣＲ）ＣＶＤ法、スパッタ法などで形成することができ
る。いずれの成膜方法を用いても、有機化合物膜を加熱
しなくても、密着性良くＤＬＣ膜を形成することができ
る。ＤＬＣは基板をカソードに設置して成膜する。また
は、負のバイアスを印加して、イオン衝撃をある程度利
用して緻密で硬質な膜を形成できる。成膜に用いる反応
ガスは、炭化水素系のガス、例えばＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ6
Ｈ6などを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自
己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させ
て成膜する。こうすることにより、緻密で平滑なＤＬＣ
膜を得ることができる。基板を殆ど加熱することなしに
成膜できるので、第１の基板の最終工程でＤＬＣ膜を形
成することができる。ＤＬＣ膜は第２の電極、第１の絶
縁膜及び第２の絶縁膜を覆って設けられる。
【００４５】接着剤１０２には、エポキシ系接着剤が用
いられる。接着剤は紫外線硬化型樹脂を用いることも可
能であるし、熱硬化型樹脂を用いることも可能である。
有機発光素子の耐熱温度を考慮して材料を選択すること
が好ましい。接着剤は可能な限り薄くできることが望ま
しい。接着剤はチッソ社が販売しているＬＩＸＳＯＮＢ
ＯＮＤ ＬＸ‐０００１を用いることもできる。ＬＸ‐
０００１は二液性のエポキシ樹脂である。第１の基板に
ＬＸ‐０００１を塗布後、第１の基板と第２の基板の周
囲に圧力をかけながら１００℃で２時間硬化する。硬化
後の接着剤は圧力や塗布量を調節し、０．２μｍ〜０．
５μｍの厚さとすることができる。本実施形態では、第
１の基板と第２の基板との間隔を下地膜１１８〜１１
９、ゲート絶縁膜１１１、第１の層間絶縁膜１１４、第
２の層間絶縁膜１１５、配線１２２若しくは導電体膜１
２３、第２の絶縁膜１０８及び接着剤１０２の厚さで制
御している。この積層構造において接着剤はギャップを
制御する機能は必要とされず、基板を貼り合せる接着機
能だけがあれば良いので可能な限り薄くして、表示装置
の側面において有機樹脂材料からなる接着剤が外気に曝
される面積を低減することが好ましい。
いられる。接着剤は紫外線硬化型樹脂を用いることも可
能であるし、熱硬化型樹脂を用いることも可能である。
有機発光素子の耐熱温度を考慮して材料を選択すること
が好ましい。接着剤は可能な限り薄くできることが望ま
しい。接着剤はチッソ社が販売しているＬＩＸＳＯＮＢ
ＯＮＤ ＬＸ‐０００１を用いることもできる。ＬＸ‐
０００１は二液性のエポキシ樹脂である。第１の基板に
ＬＸ‐０００１を塗布後、第１の基板と第２の基板の周
囲に圧力をかけながら１００℃で２時間硬化する。硬化
後の接着剤は圧力や塗布量を調節し、０．２μｍ〜０．
５μｍの厚さとすることができる。本実施形態では、第
１の基板と第２の基板との間隔を下地膜１１８〜１１
９、ゲート絶縁膜１１１、第１の層間絶縁膜１１４、第
２の層間絶縁膜１１５、配線１２２若しくは導電体膜１
２３、第２の絶縁膜１０８及び接着剤１０２の厚さで制
御している。この積層構造において接着剤はギャップを
制御する機能は必要とされず、基板を貼り合せる接着機
能だけがあれば良いので可能な限り薄くして、表示装置
の側面において有機樹脂材料からなる接着剤が外気に曝
される面積を低減することが好ましい。
【００４６】封止基板としてバリウムホウケイ酸ガラ
ス、アルミノホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどのガラ
スからなる第２の基板１０１を用いる。
ス、アルミノホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどのガラ
スからなる第２の基板１０１を用いる。
【００４７】図示してはいないが、表示領域外でストラ
イプ状の第２の電極が短絡され共通電極となっている。
そして、一点鎖線Ｂ−Ｂ’で示した部分において、配線
１２４の一端と第２の電極１０５とが接する。配線１２
４の他端は外部入力端子となる。
イプ状の第２の電極が短絡され共通電極となっている。
そして、一点鎖線Ｂ−Ｂ’で示した部分において、配線
１２４の一端と第２の電極１０５とが接する。配線１２
４の他端は外部入力端子となる。
【００４８】なお、接着剤の下方の導電体膜１２３は接
着剤１０２下方の積層膜の膜厚を等しくし、接着剤によ
り囲まれた領域において、第１の基板と第２の基板との
間隔を均一にするために設けられる。導電体膜１２３は
外部入力端子が設けられる部分を除き、有機樹脂膜から
なる第２の層間絶縁膜の上面及び側面を覆うように設
け、第２の層間絶縁膜の側面から水分が浸入することを
防ぐ。
着剤１０２下方の積層膜の膜厚を等しくし、接着剤によ
り囲まれた領域において、第１の基板と第２の基板との
間隔を均一にするために設けられる。導電体膜１２３は
外部入力端子が設けられる部分を除き、有機樹脂膜から
なる第２の層間絶縁膜の上面及び側面を覆うように設
け、第２の層間絶縁膜の側面から水分が浸入することを
防ぐ。
【００４９】図示してはいないが、封止基板の表面をサ
ンドブラスト法で削り、この削られた部分に接着剤で固
めた乾燥剤を設けてもよい。
ンドブラスト法で削り、この削られた部分に接着剤で固
めた乾燥剤を設けてもよい。
【００５０】外部から第２の基板に圧力を加えても、有
機発光素子１０６の有機化合物膜及び第２の電極は第１
の絶縁膜１０７の側面に沿って設けられているため、有
機発光素子を構成する積層膜が断線することはない。
又、弾力性のある有機樹脂膜からなる第１の絶縁膜や第
２の絶縁膜が画素部のＴＦＴ又は駆動回路部のＴＦＴ上
に設けられているため、外部から第２の基板に圧力を加
えても駆動回路部のＴＦＴ及び画素部のＴＦＴが損傷す
ることはない。
機発光素子１０６の有機化合物膜及び第２の電極は第１
の絶縁膜１０７の側面に沿って設けられているため、有
機発光素子を構成する積層膜が断線することはない。
又、弾力性のある有機樹脂膜からなる第１の絶縁膜や第
２の絶縁膜が画素部のＴＦＴ又は駆動回路部のＴＦＴ上
に設けられているため、外部から第２の基板に圧力を加
えても駆動回路部のＴＦＴ及び画素部のＴＦＴが損傷す
ることはない。
【００５１】鎖線Ａ−Ａ’は、画素部や第１の基板の周
縁部の断面を示す。鎖線Ｂ−Ｂ’は、第２の電極１０５
と外部入力端子と接続する配線１２４との接続構造を示
す。鎖線Ｃ−Ｃ’は駆動回路部のＴＦＴと外部入力端子
との接続構造を示す。
縁部の断面を示す。鎖線Ｂ−Ｂ’は、第２の電極１０５
と外部入力端子と接続する配線１２４との接続構造を示
す。鎖線Ｃ−Ｃ’は駆動回路部のＴＦＴと外部入力端子
との接続構造を示す。
【００５２】本実施形態の上面図を図６に示す。図６は
本発明の有機発光素子を用いた表示装置の外観を示す。
図６を鎖線Ａ−Ａ’、鎖線Ｂ−Ｂ’、鎖線Ｃ−Ｃ’で切
断した断面が、図１の鎖線Ａ−Ａ’、鎖線Ｂ−Ｂ’、鎖
線Ｃ−Ｃ’に対応する。図１と共通の要素は共通の符号
で示している。
本発明の有機発光素子を用いた表示装置の外観を示す。
図６を鎖線Ａ−Ａ’、鎖線Ｂ−Ｂ’、鎖線Ｃ−Ｃ’で切
断した断面が、図１の鎖線Ａ−Ａ’、鎖線Ｂ−Ｂ’、鎖
線Ｃ−Ｃ’に対応する。図１と共通の要素は共通の符号
で示している。
【００５３】図６で示す上面図は、画素部１２１、駆動
回路部、ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板：Flexib
le Printed Circuit）２００、ＦＰＣ２００を貼り付け
る外部入力端子となる配線１２２及び配線１２４などが
形成された第１の基板１００と、透光性の第２の基板１
０１とが接着剤１０２を用いて貼り合わされている。
回路部、ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板：Flexib
le Printed Circuit）２００、ＦＰＣ２００を貼り付け
る外部入力端子となる配線１２２及び配線１２４などが
形成された第１の基板１００と、透光性の第２の基板１
０１とが接着剤１０２を用いて貼り合わされている。
【００５４】駆動回路部としては、画素部のゲート配線
と接続して第１のゲート配線側駆動回路部１２０ａと第
２のゲート配線側駆動回路部１２０ｂとが画素部のゲー
ト配線の両端にそれぞれ設けられる。また、画素部のソ
ース配線と接続してソース配線側駆動回路部１２０ｃが
設けられる。
と接続して第１のゲート配線側駆動回路部１２０ａと第
２のゲート配線側駆動回路部１２０ｂとが画素部のゲー
ト配線の両端にそれぞれ設けられる。また、画素部のソ
ース配線と接続してソース配線側駆動回路部１２０ｃが
設けられる。
【００５５】また、外部入力端子１２２にはＦＰＣが異
方性導電性樹脂で貼り合わされている。バンクとなる第
１の絶縁膜１０７はストライプ状に列方向に設けられて
いる。第２の絶縁膜１０８は第１の基板の周縁部に閉曲
線状に設けられ第１のゲート配線側駆動回路部１２０
ａ、第２のゲート配線側駆動回路部１２０ｂ及びソース
配線側駆動回路部１２０ｃを覆う。第２の電極１０５は
共通電極であり、第１の絶縁膜に沿ってストライプ状に
設けられ画素部の外部で短絡している。
方性導電性樹脂で貼り合わされている。バンクとなる第
１の絶縁膜１０７はストライプ状に列方向に設けられて
いる。第２の絶縁膜１０８は第１の基板の周縁部に閉曲
線状に設けられ第１のゲート配線側駆動回路部１２０
ａ、第２のゲート配線側駆動回路部１２０ｂ及びソース
配線側駆動回路部１２０ｃを覆う。第２の電極１０５は
共通電極であり、第１の絶縁膜に沿ってストライプ状に
設けられ画素部の外部で短絡している。
【００５６】以上のようにして作製される有機発光素子
を用いた表示装置は各種電子機器の表示部として用いる
ことができる。
を用いた表示装置は各種電子機器の表示部として用いる
ことができる。
【００５７】[実施形態２]本実施形態を図２の断面図を
用いて説明をする。図２の断面図は本実施形態のアクテ
ィブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。本
実施形態は、実施形態１で示した表示装置において、有
機発光素子への水分の浸入を抑えるために、接着剤と断
面がコの字状の金属板１２７とにより表示装置の周囲を
覆った例を示す。
用いて説明をする。図２の断面図は本実施形態のアクテ
ィブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。本
実施形態は、実施形態１で示した表示装置において、有
機発光素子への水分の浸入を抑えるために、接着剤と断
面がコの字状の金属板１２７とにより表示装置の周囲を
覆った例を示す。
【００５８】接着剤と金属板１２７とは図６の上面図を
用いて説明すると、画素部１２１に金属板及び接着剤が
かからないように配置する。外部入力端子１２２が形成
され、ＦＰＣ２００が接着される部分は、第１の基板１
００の側面と第２の基板１０１の側面とが５〜２０ｍｍ
離れているため、この部分を除き第１の基板の端部と第
２の基板の端部とが重なる領域の基板の周囲に接着剤と
金属板とを設ける。
用いて説明すると、画素部１２１に金属板及び接着剤が
かからないように配置する。外部入力端子１２２が形成
され、ＦＰＣ２００が接着される部分は、第１の基板１
００の側面と第２の基板１０１の側面とが５〜２０ｍｍ
離れているため、この部分を除き第１の基板の端部と第
２の基板の端部とが重なる領域の基板の周囲に接着剤と
金属板とを設ける。
【００５９】本実施形態では金属板をコの字状にしてお
り、表示装置の外形前面において支配的な面積を占める
画素部及び画素部の背面において、あえて金属板を設け
ていない。これは、表示装置の薄型化を図ったときにガ
ラスからなる第１の基板１００及び第２の基板１０１の
強度が低下し、金属板と第１の基板及び第２の基板との
熱膨張係数の違いから使用環境の急激な温度変化によっ
て、第１の基板及び第２の基板にクラックが入ることを
抑えるため、第１の基板及び第２の基板と金属板とが重
なる面積を制限しているのである。
り、表示装置の外形前面において支配的な面積を占める
画素部及び画素部の背面において、あえて金属板を設け
ていない。これは、表示装置の薄型化を図ったときにガ
ラスからなる第１の基板１００及び第２の基板１０１の
強度が低下し、金属板と第１の基板及び第２の基板との
熱膨張係数の違いから使用環境の急激な温度変化によっ
て、第１の基板及び第２の基板にクラックが入ることを
抑えるため、第１の基板及び第２の基板と金属板とが重
なる面積を制限しているのである。
【００６０】本実施形態によれば第１の基板１００と第
２の基板１０１とを貼り合せる第１の接着剤１２５と、
コの字状の金属板と表示装置の側面との間に設けられた
第２の接着剤１２６とを接して設けることにより外気の
水蒸気が表示装置の側面から封止領域に浸入することを
抑えられ、安価で簡便な方法で、画素部１２１に配置さ
れた有機発光素子への水分の浸入を防止することができ
る。
２の基板１０１とを貼り合せる第１の接着剤１２５と、
コの字状の金属板と表示装置の側面との間に設けられた
第２の接着剤１２６とを接して設けることにより外気の
水蒸気が表示装置の側面から封止領域に浸入することを
抑えられ、安価で簡便な方法で、画素部１２１に配置さ
れた有機発光素子への水分の浸入を防止することができ
る。
【００６１】本実施例において、金属板１２７と表示装
置の側面との間に設けられた第２の接着剤に乾燥剤を充
填することも可能である。
置の側面との間に設けられた第２の接着剤に乾燥剤を充
填することも可能である。
【００６２】[実施形態３]本実施形態を図３の断面図を
用いて説明をする。図３の断面図は本実施形態のアクテ
ィブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。実
施形態１と異なる点を説明する。
用いて説明をする。図３の断面図は本実施形態のアクテ
ィブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。実
施形態１と異なる点を説明する。
【００６３】下地膜、半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート
電極、第１の層間絶縁膜の膜厚や材料は実施形態１と同
じである。
電極、第１の層間絶縁膜の膜厚や材料は実施形態１と同
じである。
【００６４】本実施形態は有機樹脂膜からなる第２の層
間絶縁膜１１５を２００〜３００℃で熱硬化し、レジス
トを第２の層間絶縁膜の上面に形成して、反応性ガスを
用いてエッチングし、半導体膜１１０に達するコンタク
トホールを形成した後にレジストを除去し、アルゴン又
は窒素を反応性ガスとして第２の層間絶縁膜の表面をプ
ラズマで処理をする。プラズマ放電分解によって反応性
ガスが分子解離し励起分子、ラジカル、イオンが生じて
第２の層間絶縁膜と反応する。これにより第２の層間絶
縁膜の表面が改質され、第２の層間絶縁膜の表面が緻密
化する。第２の層間絶縁膜はアクリル樹脂膜、ポリイミ
ド樹脂膜、ポリアミド樹脂膜のうちいずれか一つを用い
れば良い。本実施形態ではアクリル樹脂膜を用いる。
間絶縁膜１１５を２００〜３００℃で熱硬化し、レジス
トを第２の層間絶縁膜の上面に形成して、反応性ガスを
用いてエッチングし、半導体膜１１０に達するコンタク
トホールを形成した後にレジストを除去し、アルゴン又
は窒素を反応性ガスとして第２の層間絶縁膜の表面をプ
ラズマで処理をする。プラズマ放電分解によって反応性
ガスが分子解離し励起分子、ラジカル、イオンが生じて
第２の層間絶縁膜と反応する。これにより第２の層間絶
縁膜の表面が改質され、第２の層間絶縁膜の表面が緻密
化する。第２の層間絶縁膜はアクリル樹脂膜、ポリイミ
ド樹脂膜、ポリアミド樹脂膜のうちいずれか一つを用い
れば良い。本実施形態ではアクリル樹脂膜を用いる。
【００６５】第２の層間絶縁膜１１５上に有機発光素子
の陰極として第１の電極１０３を設ける。陰極はＭｇＡ
ｇ又はＡｌＬｉ等の公知の材料を１００ｎｍ〜２００ｎ
ｍの厚さで設けると良い。第２の層間絶縁膜の表面が緻
密化しているため、第２の層間絶縁膜に含まれる不純物
が有機発光素子の陰極である第１の電極１０３に拡散す
ることが防止される。
の陰極として第１の電極１０３を設ける。陰極はＭｇＡ
ｇ又はＡｌＬｉ等の公知の材料を１００ｎｍ〜２００ｎ
ｍの厚さで設けると良い。第２の層間絶縁膜の表面が緻
密化しているため、第２の層間絶縁膜に含まれる不純物
が有機発光素子の陰極である第１の電極１０３に拡散す
ることが防止される。
【００６６】次いで、第１の電極の端部と重なるように
４００ｎｍの厚さでドレイン電極１１６が設けられる。
ドレイン電極と同一の層からソース電極１１７、導電体
膜１２３、配線１２２及び配線１２４が設けられる。
４００ｎｍの厚さでドレイン電極１１６が設けられる。
ドレイン電極と同一の層からソース電極１１７、導電体
膜１２３、配線１２２及び配線１２４が設けられる。
【００６７】次いで、１〜１０μｍの膜厚で有機材料か
らなる絶縁膜を成膜、パターニングして第１の絶縁膜と
第２の絶縁膜とを設ける。本実施形態では絶縁膜は膜厚
が３μｍの感光性アクリル樹脂膜を用いる。バンクとし
て第１の電極の端部を覆ってストライプ状に有機樹脂か
らなる第１の絶縁膜１０７が設けられる。第１の基板の
周縁部に第２の絶縁膜１０８が設けられる。第１の絶縁
膜１０７及び第２の絶縁膜１０８はアルゴン又は窒素を
反応性ガスとしてプラズマで処理をされ、表面に緻密な
硬質の膜が形成される。
らなる絶縁膜を成膜、パターニングして第１の絶縁膜と
第２の絶縁膜とを設ける。本実施形態では絶縁膜は膜厚
が３μｍの感光性アクリル樹脂膜を用いる。バンクとし
て第１の電極の端部を覆ってストライプ状に有機樹脂か
らなる第１の絶縁膜１０７が設けられる。第１の基板の
周縁部に第２の絶縁膜１０８が設けられる。第１の絶縁
膜１０７及び第２の絶縁膜１０８はアルゴン又は窒素を
反応性ガスとしてプラズマで処理をされ、表面に緻密な
硬質の膜が形成される。
【００６８】次いで、第１の電極上に有機化合物膜１０
４が設けられる。有機化合物膜は公知の材料を用いれば
良い。次いで、有機化合物膜上に陽極として透明導電膜
からなる第２の電極１０５が設けられる。陽極はＩＴＯ
膜を用いると良い。第１の電極、有機化合物膜及び第２
の電極の積層により有機発光素子１０６が作製される。
４が設けられる。有機化合物膜は公知の材料を用いれば
良い。次いで、有機化合物膜上に陽極として透明導電膜
からなる第２の電極１０５が設けられる。陽極はＩＴＯ
膜を用いると良い。第１の電極、有機化合物膜及び第２
の電極の積層により有機発光素子１０６が作製される。
【００６９】次いで、膜厚が１００ｎｍのＤＬＣ膜が保
護膜１０９として有機発光素子の第２の電極、第１の絶
縁膜、第２の絶縁膜を覆って設けられる。
護膜１０９として有機発光素子の第２の電極、第１の絶
縁膜、第２の絶縁膜を覆って設けられる。
【００７０】さらに、第１の基板と第２の基板との間隙
を第１の接着剤１２９で満たすことにより外気の水分、
酸素が表示装置の側面から有機発光素子へと浸入するこ
とを防ぐことができる。本実施形態で用いる第１の接着
剤は有機発光素子の上方にも設けられるため、真空下で
脱泡や脱水を充分にする必要がある。第１の基板上方に
第１の接着剤を設け、第２の基板を第１の基板と対向し
て設け真空下で第１の基板及び第２の基板を挟むように
圧力を加えて第１の接着剤を硬化する。下地膜から保護
膜までの積層工程において、駆動回路部、画素部、第１
の基板の周縁部に積層された膜の膜厚が場所によって微
妙に異なっていたとしても、接着剤を積層膜上に設ける
ことでこれらの膜厚の変化は接着剤により吸収される。
を第１の接着剤１２９で満たすことにより外気の水分、
酸素が表示装置の側面から有機発光素子へと浸入するこ
とを防ぐことができる。本実施形態で用いる第１の接着
剤は有機発光素子の上方にも設けられるため、真空下で
脱泡や脱水を充分にする必要がある。第１の基板上方に
第１の接着剤を設け、第２の基板を第１の基板と対向し
て設け真空下で第１の基板及び第２の基板を挟むように
圧力を加えて第１の接着剤を硬化する。下地膜から保護
膜までの積層工程において、駆動回路部、画素部、第１
の基板の周縁部に積層された膜の膜厚が場所によって微
妙に異なっていたとしても、接着剤を積層膜上に設ける
ことでこれらの膜厚の変化は接着剤により吸収される。
【００７１】第１の接着剤には粒状の乾燥剤１２８を分
散させる。第１の基板と第２の基板とのギャップむらの
原因とならないように乾燥剤の粒径は直径が１．０μｍ
以下好ましくは０．２μｍ以下より好ましくは０．１μ
ｍ以下と細かく粉砕されたものを用いる。乾燥剤は酸化
カルシウム、酸化バリウムなどを用いることができる。
乾燥剤を有機発光素子に近接して設けるため、有機発光
素子の近傍の水分濃度を下げ、表示装置の寿命を長くす
ることができる。
散させる。第１の基板と第２の基板とのギャップむらの
原因とならないように乾燥剤の粒径は直径が１．０μｍ
以下好ましくは０．２μｍ以下より好ましくは０．１μ
ｍ以下と細かく粉砕されたものを用いる。乾燥剤は酸化
カルシウム、酸化バリウムなどを用いることができる。
乾燥剤を有機発光素子に近接して設けるため、有機発光
素子の近傍の水分濃度を下げ、表示装置の寿命を長くす
ることができる。
【００７２】なお、封止基板（第２の基板）の側から有
機発光素子の発光を取り出す場合は、酸化カルシウムに
比べて、透明度の高い酸化バリウムを用いることが好ま
しい。
機発光素子の発光を取り出す場合は、酸化カルシウムに
比べて、透明度の高い酸化バリウムを用いることが好ま
しい。
【００７３】次いで、実施形態２と同様にコの字状の金
属板１２７と表示装置の側面との間に第２の接着剤１３
０を設け、表示装置の側面からの水分の浸入を抑える。
実施形態２と異なる点は第２の接着剤１３０にも乾燥剤
１２８が分散されていることである。外気に含まれる水
分が素子基板と封止基板との間の封止領域内に浸入する
前に、第２の接着剤１３０の内部に分散された吸湿性の
乾燥剤により捕獲されるため、表示装置の長寿命化を図
ることができる。例えば、有機発光素子の陰極が水分と
反応してできるダークスポットの発生を抑えることがで
きる。
属板１２７と表示装置の側面との間に第２の接着剤１３
０を設け、表示装置の側面からの水分の浸入を抑える。
実施形態２と異なる点は第２の接着剤１３０にも乾燥剤
１２８が分散されていることである。外気に含まれる水
分が素子基板と封止基板との間の封止領域内に浸入する
前に、第２の接着剤１３０の内部に分散された吸湿性の
乾燥剤により捕獲されるため、表示装置の長寿命化を図
ることができる。例えば、有機発光素子の陰極が水分と
反応してできるダークスポットの発生を抑えることがで
きる。
【００７４】本実施形態では第２の絶縁膜の表面に緻密
な膜があるため、保護膜１０９を通過した水分が第２の
絶縁膜１０８の側面を通過し、有機発光素子へと浸入す
ることを抑えられる。
な膜があるため、保護膜１０９を通過した水分が第２の
絶縁膜１０８の側面を通過し、有機発光素子へと浸入す
ることを抑えられる。
【００７５】本実施形態は、透明導電膜からなる陽極が
第２の基板の側にあり、光反射性を有する陰極が第１の
基板の側にあるため、有機発光素子の発光をガラスから
なる第２の基板１０１の側から出射させることができ
る。有機発光素子の発光が接着剤を通過して第２の基板
から外部に取り出されるため、画素部における第１の基
板と第２の基板との間隔を均一にしないと干渉縞となっ
て見えてしまう。画素部と第１の基板の周縁部で基板間
隔が異なると、周縁部から画素部にかけて徐々に基板の
間隔が変わり、画素部において干渉縞が発生するため、
画素部の基板間隔を均一にするためには第１の基板の周
縁部の基板間隔と画素部の基板間隔とを等しくする必要
がある。本発明によれば、第１の基板に積層された膜厚
が画素部、駆動回路部、第１の基板の周縁部で微妙に異
なっても、この積層膜の膜厚の変化は第１の接着剤によ
り吸収され、第１の基板と第２の基板との間隔を第１の
基板の周縁部、駆動回路部及び画素部に渡って均一にす
ることができる。
第２の基板の側にあり、光反射性を有する陰極が第１の
基板の側にあるため、有機発光素子の発光をガラスから
なる第２の基板１０１の側から出射させることができ
る。有機発光素子の発光が接着剤を通過して第２の基板
から外部に取り出されるため、画素部における第１の基
板と第２の基板との間隔を均一にしないと干渉縞となっ
て見えてしまう。画素部と第１の基板の周縁部で基板間
隔が異なると、周縁部から画素部にかけて徐々に基板の
間隔が変わり、画素部において干渉縞が発生するため、
画素部の基板間隔を均一にするためには第１の基板の周
縁部の基板間隔と画素部の基板間隔とを等しくする必要
がある。本発明によれば、第１の基板に積層された膜厚
が画素部、駆動回路部、第１の基板の周縁部で微妙に異
なっても、この積層膜の膜厚の変化は第１の接着剤によ
り吸収され、第１の基板と第２の基板との間隔を第１の
基板の周縁部、駆動回路部及び画素部に渡って均一にす
ることができる。
【００７６】[実施形態４]本実施形態を図４の断面図を
用いて説明をする。図４の断面図は本実施形態のアクテ
ィブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。
用いて説明をする。図４の断面図は本実施形態のアクテ
ィブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。
【００７７】下地膜、半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート
電極、第１の層間絶縁膜、第２の層間絶縁膜の膜厚や材
料は実施形態１と同じである。
電極、第１の層間絶縁膜、第２の層間絶縁膜の膜厚や材
料は実施形態１と同じである。
【００７８】第１の電極１０３の端部に重ねてドレイン
電極１１６を設ける。次いで、２．０μｍの膜厚の感光
性のポリイミド樹脂膜を成膜、パターニングして第１の
絶縁膜と第２の絶縁膜とを設ける。バンクとして第１の
電極の端部を覆ってストライプ状に有機樹脂からなる第
１の絶縁膜１０７が設けられる。また、第１の基板の周
縁部に第２の絶縁膜１０８が設けられる。
電極１１６を設ける。次いで、２．０μｍの膜厚の感光
性のポリイミド樹脂膜を成膜、パターニングして第１の
絶縁膜と第２の絶縁膜とを設ける。バンクとして第１の
電極の端部を覆ってストライプ状に有機樹脂からなる第
１の絶縁膜１０７が設けられる。また、第１の基板の周
縁部に第２の絶縁膜１０８が設けられる。
【００７９】さらに、０．１〜１０μｍの厚さで感光性
の有機樹脂膜を成膜、パターニングして、２００℃〜３
００℃の温度で硬化してバンク（第１の絶縁膜）の上面
にスペーサとして凸状の第３の絶縁膜１３４を形成す
る。感光性の有機樹脂膜はポリイミド樹脂膜、アクリル
樹脂膜を用いることができるが、本実施形態ではアクリ
ル樹脂膜を用いる。なお、本実施形態では第２の絶縁膜
１０８の上面、例えば、駆動回路部１２０や第１の基板
１００の周縁部にもスペーサを形成する。第１の基板の
周縁部に設けるスペーサは閉曲線状にする。
の有機樹脂膜を成膜、パターニングして、２００℃〜３
００℃の温度で硬化してバンク（第１の絶縁膜）の上面
にスペーサとして凸状の第３の絶縁膜１３４を形成す
る。感光性の有機樹脂膜はポリイミド樹脂膜、アクリル
樹脂膜を用いることができるが、本実施形態ではアクリ
ル樹脂膜を用いる。なお、本実施形態では第２の絶縁膜
１０８の上面、例えば、駆動回路部１２０や第１の基板
１００の周縁部にもスペーサを形成する。第１の基板の
周縁部に設けるスペーサは閉曲線状にする。
【００８０】次いで、第１の電極上に有機化合物膜１０
４が設けられる。有機化合物膜は公知の材料を用いれば
良い。次いで、有機化合物膜上に陽極として透明導電膜
からなる第２の電極１０５が設けられる。陽極はＩＴＯ
膜を用いると良い。
４が設けられる。有機化合物膜は公知の材料を用いれば
良い。次いで、有機化合物膜上に陽極として透明導電膜
からなる第２の電極１０５が設けられる。陽極はＩＴＯ
膜を用いると良い。
【００８１】次いで、膜厚が８０ｎｍのＤＬＣ膜からな
る保護膜１０９が有機発光素子の陽極、バンク、第２の
絶縁膜及びスペーサを覆って設けられる。水分の浸入を
防ぐ保護膜１０９がスペーサの側面に設けられているた
め、第１の基板の周縁部に閉曲線状のスペーサを複数設
けると、表示装置の側面から浸入する水分が複数回に渡
ってスペーサの側面に設けられた保護膜によりブロッキ
ングされるため、表示装置の側面から浸入する水分の量
を低減することができる。
る保護膜１０９が有機発光素子の陽極、バンク、第２の
絶縁膜及びスペーサを覆って設けられる。水分の浸入を
防ぐ保護膜１０９がスペーサの側面に設けられているた
め、第１の基板の周縁部に閉曲線状のスペーサを複数設
けると、表示装置の側面から浸入する水分が複数回に渡
ってスペーサの側面に設けられた保護膜によりブロッキ
ングされるため、表示装置の側面から浸入する水分の量
を低減することができる。
【００８２】次いで、接着剤１０２が第１の基板の周縁
部に設けられる。第１の基板の周縁部に設けられた閉曲
線状のスペーサと、この閉曲線状のスペーサの内側の閉
曲線状のスペーサとの間隙が接着剤により満たされる。
ガラスからなる第２の基板１０１が封止基板として使わ
れ、接着剤により素子基板と貼り合わされる。
部に設けられる。第１の基板の周縁部に設けられた閉曲
線状のスペーサと、この閉曲線状のスペーサの内側の閉
曲線状のスペーサとの間隙が接着剤により満たされる。
ガラスからなる第２の基板１０１が封止基板として使わ
れ、接着剤により素子基板と貼り合わされる。
【００８３】本実施形態は、透明導電膜からなる陽極が
第２の基板の側にあり、光反射性を有する陰極が第１の
基板の側にあるため、有機発光素子の発光をガラスから
なる第２の基板１０１の側から出射させることができ
る。有機発光素子の発光を第２の基板の側から出射させ
るときは、第１の基板と第２の基板との間隔にむらがあ
ると、干渉縞が生じ表示品質が損なわれる。しかし、本
実施形態のようにスペーサを画素部、駆動回路部及び周
辺部に配置することで第１の基板と第２の基板との間隔
の均一性が高まり、表示品質のよい表示装置を作製する
ことができる。
第２の基板の側にあり、光反射性を有する陰極が第１の
基板の側にあるため、有機発光素子の発光をガラスから
なる第２の基板１０１の側から出射させることができ
る。有機発光素子の発光を第２の基板の側から出射させ
るときは、第１の基板と第２の基板との間隔にむらがあ
ると、干渉縞が生じ表示品質が損なわれる。しかし、本
実施形態のようにスペーサを画素部、駆動回路部及び周
辺部に配置することで第１の基板と第２の基板との間隔
の均一性が高まり、表示品質のよい表示装置を作製する
ことができる。
【００８４】本実施形態の上面図を図７に示す。図７は
本実施形態においてスペーサとなる凸状の第３の絶縁膜
１３１の配置を示したものである。画素部１２１の第１
の絶縁膜１０７上に断面が円状であるスペーサが画素部
の水平方向及び垂直方向において均等な間隔で配置され
る。第１のゲート配線側駆動回路部１２０ａ、第２のゲ
ート配線側駆動回路部１２０ｂ及びソース配線側駆動回
路部１２０ｃの上方にある第２の絶縁膜１０８上に断面
が円状であるスペーサが均等な間隔で配置される。第１
の基板の周縁部において、第２の絶縁膜１０８上に閉曲
線状にスペーサ１３１が配置される。図７では閉曲線状
のスペーサが二重に形成されているが、三重、四重にす
ることも可能であり、設計者が適宜設計すれば良い。
本実施形態においてスペーサとなる凸状の第３の絶縁膜
１３１の配置を示したものである。画素部１２１の第１
の絶縁膜１０７上に断面が円状であるスペーサが画素部
の水平方向及び垂直方向において均等な間隔で配置され
る。第１のゲート配線側駆動回路部１２０ａ、第２のゲ
ート配線側駆動回路部１２０ｂ及びソース配線側駆動回
路部１２０ｃの上方にある第２の絶縁膜１０８上に断面
が円状であるスペーサが均等な間隔で配置される。第１
の基板の周縁部において、第２の絶縁膜１０８上に閉曲
線状にスペーサ１３１が配置される。図７では閉曲線状
のスペーサが二重に形成されているが、三重、四重にす
ることも可能であり、設計者が適宜設計すれば良い。
【００８５】図示はしてはいないが、封止基板又は素子
基板の表面をサンドブラスト法を用いて削り、この削ら
れた窪みの部分に乾燥剤を設けてもよい。乾燥剤を設て
もよい。乾燥剤を固着させるために、窪みの部分に接着
剤を入れることも可能である。乾燥剤が接着剤で固着さ
れ、乾燥剤の移動を防ぐことができる。
基板の表面をサンドブラスト法を用いて削り、この削ら
れた窪みの部分に乾燥剤を設けてもよい。乾燥剤を設て
もよい。乾燥剤を固着させるために、窪みの部分に接着
剤を入れることも可能である。乾燥剤が接着剤で固着さ
れ、乾燥剤の移動を防ぐことができる。
【００８６】[実施形態５]本実施形態を図５の断面図を
用いて説明をする。図５の断面図は本実施形態のアクテ
ィブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。
用いて説明をする。図５の断面図は本実施形態のアクテ
ィブマトリクス方式の有機発光素子の断面図を示す。
【００８７】本実施形態ではゲート絶縁膜１１１、第１
の層間絶縁膜１１４、第２の層間絶縁膜１１５、絶縁膜
をエッチングして開口部を形成する。開口部の深さは３
〜１５μｍとすることが好ましい。保護膜１０９を第１
の基板１００の最上層に設けた後、保護膜に覆われた開
口部に乾燥剤１２８を分散させた第２の接着剤１３２を
設ける。乾燥剤は酸化カルシウム、酸化バリウムを用い
ることができる。本実施形態では酸化バリウムを用い
る。公知のディスペンサ方式にてシリンジに０．３〜
１．０μｍの直径の粒状の乾燥剤が分散された第２の接
着剤を充填する。シリンジの上端から所定値のガス圧力
を加え、シリンジの下端の細いノズルから、接着剤と乾
燥剤とを開口部に吐出する。なお、第２の接着剤は充分
に脱泡及び脱水をして用いる。
の層間絶縁膜１１４、第２の層間絶縁膜１１５、絶縁膜
をエッチングして開口部を形成する。開口部の深さは３
〜１５μｍとすることが好ましい。保護膜１０９を第１
の基板１００の最上層に設けた後、保護膜に覆われた開
口部に乾燥剤１２８を分散させた第２の接着剤１３２を
設ける。乾燥剤は酸化カルシウム、酸化バリウムを用い
ることができる。本実施形態では酸化バリウムを用い
る。公知のディスペンサ方式にてシリンジに０．３〜
１．０μｍの直径の粒状の乾燥剤が分散された第２の接
着剤を充填する。シリンジの上端から所定値のガス圧力
を加え、シリンジの下端の細いノズルから、接着剤と乾
燥剤とを開口部に吐出する。なお、第２の接着剤は充分
に脱泡及び脱水をして用いる。
【００８８】次いで、第１の基板の周縁部に第１の接着
剤１３１を公知のディスペンス方式にて塗布し、第１の
基板と第２の基板１０１とを乾燥空気の下で貼り合わせ
る。乾燥空気としては窒素又は不活性ガスのアルゴンを
用いる。
剤１３１を公知のディスペンス方式にて塗布し、第１の
基板と第２の基板１０１とを乾燥空気の下で貼り合わせ
る。乾燥空気としては窒素又は不活性ガスのアルゴンを
用いる。
【００８９】本実施形態では、絶縁膜である第２の層間
絶縁膜や、第２の絶縁膜をパターニングすることで、乾
燥剤を配置する領域を設けている。表示領域の側面から
接着剤を通過した水分が有機発光素子に達する前に、吸
湿性の乾燥剤１２８により捕獲されるため、水分と有機
発光素子の陰極との反応に起因するダークスポットの発
生や、陰極と有機化合物膜との剥がれを防止することが
できる。
絶縁膜や、第２の絶縁膜をパターニングすることで、乾
燥剤を配置する領域を設けている。表示領域の側面から
接着剤を通過した水分が有機発光素子に達する前に、吸
湿性の乾燥剤１２８により捕獲されるため、水分と有機
発光素子の陰極との反応に起因するダークスポットの発
生や、陰極と有機化合物膜との剥がれを防止することが
できる。
【００９０】なお、本実施形態では感光性の有機樹脂膜
からなる絶縁膜をパターニングし、第１の絶縁膜（バン
ク）１０７、第１の基板の周縁部に設けられた第２の絶
縁膜１０８及び第２の絶縁膜から分岐した第３の絶縁膜
１３３とを同時に形成している。
からなる絶縁膜をパターニングし、第１の絶縁膜（バン
ク）１０７、第１の基板の周縁部に設けられた第２の絶
縁膜１０８及び第２の絶縁膜から分岐した第３の絶縁膜
１３３とを同時に形成している。
【００９１】本実施形態の上面図を図８に示す。感光性
の有機樹脂膜からなる絶縁膜がパターニングされ、第１
の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜が形成され
る。第１の第１の基板１００上の画素部１２１にストラ
イプ状に第１の絶縁膜１０７が形成され、第１の基板の
周縁部に閉曲線状に第２の絶縁膜１０８が形成される。
かつ、第２の絶縁膜は第１のゲート配線駆動回路部１２
０ａ、第２のゲート配線駆動回路部１２０ｂ及びソース
配線駆動回路部１２０ｃを覆うように設ける。第３の絶
縁膜１３３は第２の絶縁膜から分岐しており、第３の絶
縁膜と第２の絶縁膜との間の空隙に乾燥剤１２８が設け
られる。接着剤にて乾燥剤が固着されるために、乾燥剤
が移動することを防止できる。なお、図８の上面図を一
点鎖線Ｄ−Ｄ'、一点鎖線Ｅ−Ｅ'、一点鎖線Ｆ−Ｆ'で
切断した断面が図５に示される。図５と共通の要素は図
８においても同じ符号で示す。
の有機樹脂膜からなる絶縁膜がパターニングされ、第１
の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜が形成され
る。第１の第１の基板１００上の画素部１２１にストラ
イプ状に第１の絶縁膜１０７が形成され、第１の基板の
周縁部に閉曲線状に第２の絶縁膜１０８が形成される。
かつ、第２の絶縁膜は第１のゲート配線駆動回路部１２
０ａ、第２のゲート配線駆動回路部１２０ｂ及びソース
配線駆動回路部１２０ｃを覆うように設ける。第３の絶
縁膜１３３は第２の絶縁膜から分岐しており、第３の絶
縁膜と第２の絶縁膜との間の空隙に乾燥剤１２８が設け
られる。接着剤にて乾燥剤が固着されるために、乾燥剤
が移動することを防止できる。なお、図８の上面図を一
点鎖線Ｄ−Ｄ'、一点鎖線Ｅ−Ｅ'、一点鎖線Ｆ−Ｆ'で
切断した断面が図５に示される。図５と共通の要素は図
８においても同じ符号で示す。
【００９２】
【実施例】[実施例１]本発明は有機発光素子を用いたあ
らゆる表示装置に適用することができる。図１０はその
一例であり、ＴＦＴを用いて作製されるアクティブマト
リクス型の表示装置の例を示す。実施例のＴＦＴはチャ
ネル形成領域を形成する半導体膜の材質により、アモル
ファスシリコンＴＦＴやポリシリコンＴＦＴと区別され
ることがあるが、チャネル形成領域の移動度が十分に高
ければ、本発明はそのどちらにも適用することができ
る。
らゆる表示装置に適用することができる。図１０はその
一例であり、ＴＦＴを用いて作製されるアクティブマト
リクス型の表示装置の例を示す。実施例のＴＦＴはチャ
ネル形成領域を形成する半導体膜の材質により、アモル
ファスシリコンＴＦＴやポリシリコンＴＦＴと区別され
ることがあるが、チャネル形成領域の移動度が十分に高
ければ、本発明はそのどちらにも適用することができ
る。
【００９３】駆動回路部４３７にｎチャネル型ＴＦＴ４
３１とｐチャネル型ＴＦＴ４３２が形成され、画素部４
３８にスイッチング用ＴＦＴ４３３、リセット用ＴＦＴ
４３４、電流制御用ＴＦＴ４３６及び保持容量４３５が
形成されている。
３１とｐチャネル型ＴＦＴ４３２が形成され、画素部４
３８にスイッチング用ＴＦＴ４３３、リセット用ＴＦＴ
４３４、電流制御用ＴＦＴ４３６及び保持容量４３５が
形成されている。
【００９４】基板４０１は、石英やコーニング社の＃７
０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリ
ウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラ
スなどのガラスから成る基板を用いる。
０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリ
ウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラ
スなどのガラスから成る基板を用いる。
【００９５】次いで、酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸
化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地膜４０２が設け
られる。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、
Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化珪素膜４０２ａを１０〜
２００nm（好ましくは５０〜１００nm）形成し、同様に
ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化珪素膜４０２ｂ
を５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０nm）の
厚さに積層形成する。本実施例では下地膜４０２を２層
構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以
上積層させた構造として形成しても良い。
化窒化珪素膜などの絶縁膜から成る下地膜４０２が設け
られる。例えば、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、ＮＨ3、
Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化珪素膜４０２ａを１０〜
２００nm（好ましくは５０〜１００nm）形成し、同様に
ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製される酸化窒化珪素膜４０２ｂ
を５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０nm）の
厚さに積層形成する。本実施例では下地膜４０２を２層
構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以
上積層させた構造として形成しても良い。
【００９６】次いで、島状半導体層４０３〜４０７、ゲ
ート絶縁膜４０８、ゲート電極４０９〜４１２を形成す
る。島状半導体膜４０３〜４０７は厚さを１０〜１５０
ｎｍ、ゲート絶縁膜は厚さを５０〜２００ｎｍ、ゲート
電極は厚さを５０〜８００ｎｍとする。
ート絶縁膜４０８、ゲート電極４０９〜４１２を形成す
る。島状半導体膜４０３〜４０７は厚さを１０〜１５０
ｎｍ、ゲート絶縁膜は厚さを５０〜２００ｎｍ、ゲート
電極は厚さを５０〜８００ｎｍとする。
【００９７】次いで、窒化珪素、酸化窒化珪素などで形
成される無機材料からなる絶縁膜と、アクリルまたはポ
リイミドなどで形成される有機材料からなる絶縁膜とか
ら成る層間絶縁膜４１３を形成する。層間絶縁膜の厚さ
は１〜３μｍとすると良い。有機材料からなる絶縁膜は
島状半導体膜４０３〜４０７、ゲート電極４０９〜４１
２に起因する凹凸を平坦化するに充分な厚さとすること
が望ましい。
成される無機材料からなる絶縁膜と、アクリルまたはポ
リイミドなどで形成される有機材料からなる絶縁膜とか
ら成る層間絶縁膜４１３を形成する。層間絶縁膜の厚さ
は１〜３μｍとすると良い。有機材料からなる絶縁膜は
島状半導体膜４０３〜４０７、ゲート電極４０９〜４１
２に起因する凹凸を平坦化するに充分な厚さとすること
が望ましい。
【００９８】次いで、有機発光素子の陰極４２３を形成
する。陰極はＭｇＡｇやＬｉＦなどの材料を用いると良
い。陰極の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍとすると良
い。
する。陰極はＭｇＡｇやＬｉＦなどの材料を用いると良
い。陰極の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍとすると良
い。
【００９９】次いで、１〜５μｍの厚さでアルミニウム
を主成分とする導電性を有する膜を形成し、エッチング
を行う。これにより、画素部においては、データ配線４
１８、ドレイン側の配線４１９、電源供給配線４２０、
ドレイン側の電極４２１を形成する。データ配線４１８
はスイッチング用ＴＦＴ４３３のソース側に接続し、ス
イッチング用のＴＦＴ４３３のドレイン側に接続したド
レイン側の配線４１９は図示はしていないが、電流制御
用ＴＦＴ４３６のゲート電極４１１と接続し、電流制御
用ＴＦＴ４３６のソース側と電源供給配線４２０が接続
し、電流制御用ＴＦＴ４３６のドレイン側と陰極とを接
続するためにドレイン側の電極４２１が設けられてい
る。駆動回路部４３７は、配線４１４及び配線４１６が
ｎチャネル型ＴＦＴ４３１の島状半導体膜４０３と接続
され、配線４１５及び配線４１７がｐチャネル型ＴＦＴ
４３２の島状半導体膜４０４と接続されている。
を主成分とする導電性を有する膜を形成し、エッチング
を行う。これにより、画素部においては、データ配線４
１８、ドレイン側の配線４１９、電源供給配線４２０、
ドレイン側の電極４２１を形成する。データ配線４１８
はスイッチング用ＴＦＴ４３３のソース側に接続し、ス
イッチング用のＴＦＴ４３３のドレイン側に接続したド
レイン側の配線４１９は図示はしていないが、電流制御
用ＴＦＴ４３６のゲート電極４１１と接続し、電流制御
用ＴＦＴ４３６のソース側と電源供給配線４２０が接続
し、電流制御用ＴＦＴ４３６のドレイン側と陰極とを接
続するためにドレイン側の電極４２１が設けられてい
る。駆動回路部４３７は、配線４１４及び配線４１６が
ｎチャネル型ＴＦＴ４３１の島状半導体膜４０３と接続
され、配線４１５及び配線４１７がｐチャネル型ＴＦＴ
４３２の島状半導体膜４０４と接続されている。
【０１００】次いで、１〜１０μｍの厚さで感光性アク
リル樹脂膜を形成し、エッチングを行う。これにより画
素部においてはこれら配線を覆うように第１の絶縁膜か
らなるバンクが形成される。バンクは、陰極４２３の端
部を覆うように形成され、この部分で陰極と陽極とがシ
ョートすることを防ぐ。駆動回路部と基板の周縁部に第
２の絶縁膜４２９が形成される。
リル樹脂膜を形成し、エッチングを行う。これにより画
素部においてはこれら配線を覆うように第１の絶縁膜か
らなるバンクが形成される。バンクは、陰極４２３の端
部を覆うように形成され、この部分で陰極と陽極とがシ
ョートすることを防ぐ。駆動回路部と基板の周縁部に第
２の絶縁膜４２９が形成される。
【０１０１】次いで、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜を
パターニングすることによって基板間隔を保持するため
の柱状のスペーサ４３０を所望の位置に形成する。本実
施例では１μｍの高さの柱状のスペーサを画素部に設け
る。
パターニングすることによって基板間隔を保持するため
の柱状のスペーサ４３０を所望の位置に形成する。本実
施例では１μｍの高さの柱状のスペーサを画素部に設け
る。
【０１０２】次いで、有機発光素子の有機化合物膜４２
４を形成する。有機化合物膜は、単層又は積層構造で用
いられるが、積層構造で用いた方が発光効率は良い。一
般的には陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電
子輸送層の順に形成されるが、正孔輸送層／発光層／電
子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電
子輸送層／電子注入層のような構造でも良い。本発明で
は公知のいずれの構造を用いても良い。
４を形成する。有機化合物膜は、単層又は積層構造で用
いられるが、積層構造で用いた方が発光効率は良い。一
般的には陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電
子輸送層の順に形成されるが、正孔輸送層／発光層／電
子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電
子輸送層／電子注入層のような構造でも良い。本発明で
は公知のいずれの構造を用いても良い。
【０１０３】なお、本実施例ではＲＧＢに対応した三種
類の発光層を蒸着する方式でカラー表示を行う。具体的
な発光層としては、赤色に発光する発光層にはシアノポ
リフェニレン、緑色に発光する発光層にはポリフェニレ
ンビニレン、青色に発光する発光層にはポリフェニレン
ビニレンまたはポリアルキルフェニレンを用いれば良
い。発光層の厚さは３０〜１５０ｎｍとすれば良い。上
記の例は発光層として用いることのできる有機化合物の
一例であり、これに限定されるものではない。
類の発光層を蒸着する方式でカラー表示を行う。具体的
な発光層としては、赤色に発光する発光層にはシアノポ
リフェニレン、緑色に発光する発光層にはポリフェニレ
ンビニレン、青色に発光する発光層にはポリフェニレン
ビニレンまたはポリアルキルフェニレンを用いれば良
い。発光層の厚さは３０〜１５０ｎｍとすれば良い。上
記の例は発光層として用いることのできる有機化合物の
一例であり、これに限定されるものではない。
【０１０４】なお、本実施例で示す有機化合物膜は、発
光層とＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）またはＰＡｎｉ
（ポリアニリン）から成る正孔注入層を積層した構造と
する。
光層とＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）またはＰＡｎｉ
（ポリアニリン）から成る正孔注入層を積層した構造と
する。
【０１０５】次いで、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）
で形成される陽極４２５を形成する。以上により、Ｍｇ
ＡｇやＬｉＦなどの材料を用いて形成される陰極、発光
層と正孔輸送層とを積層した有機化合物膜、ＩＴＯ（酸
化インジウム・スズ）で形成される陽極とからなる有機
発光素子が設けられる。なお、陽極に透明電極を用いる
ことで、図１０において矢印で示す方向に光を放射させ
ることができる。
で形成される陽極４２５を形成する。以上により、Ｍｇ
ＡｇやＬｉＦなどの材料を用いて形成される陰極、発光
層と正孔輸送層とを積層した有機化合物膜、ＩＴＯ（酸
化インジウム・スズ）で形成される陽極とからなる有機
発光素子が設けられる。なお、陽極に透明電極を用いる
ことで、図１０において矢印で示す方向に光を放射させ
ることができる。
【０１０６】第１の基板の全域にＤＬＣ膜４３９が形成
されシール部分から水蒸気や酸素などが浸入し、有機発
光素子が劣化することを防いでいる。外部入力端子を省
く全面にＤＬＣ膜を形成する。ＤＬＣ膜を成膜すると
き、外部入力端子はマスキングテープやシャドーマスク
を用いて、予め被覆しておけば良い。
されシール部分から水蒸気や酸素などが浸入し、有機発
光素子が劣化することを防いでいる。外部入力端子を省
く全面にＤＬＣ膜を形成する。ＤＬＣ膜を成膜すると
き、外部入力端子はマスキングテープやシャドーマスク
を用いて、予め被覆しておけば良い。
【０１０７】第２の絶縁膜４２９上に接着剤を塗布し透
光性の第２の基板を真空下で貼り合せる。接着剤の厚さ
は画素部に設けられた柱状スペーサ４３０により決定さ
れるため、画素部から基板周縁部に渡って、基板と封止
基板との間隔が均一になるように調節される。
光性の第２の基板を真空下で貼り合せる。接着剤の厚さ
は画素部に設けられた柱状スペーサ４３０により決定さ
れるため、画素部から基板周縁部に渡って、基板と封止
基板との間隔が均一になるように調節される。
【０１０８】図９は図１０の断面図に示した画素部の上
面図を示し、図１０と共通する要素は同じ符号を用いて
示している。また、図９において、一点鎖線Ｇ−Ｇ'及
び一点鎖線Ｈ−Ｈ'線に対応する断面が図１０において
示されている。なお、点線で囲まれた領域の外側にバン
クが設けられている。また、点線で囲まれた領域の内側
にＲＧＢの画素に対応した発光色を発光する発光層と、
陽極とが設けられる。
面図を示し、図１０と共通する要素は同じ符号を用いて
示している。また、図９において、一点鎖線Ｇ−Ｇ'及
び一点鎖線Ｈ−Ｈ'線に対応する断面が図１０において
示されている。なお、点線で囲まれた領域の外側にバン
クが設けられている。また、点線で囲まれた領域の内側
にＲＧＢの画素に対応した発光色を発光する発光層と、
陽極とが設けられる。
【０１０９】図１１ではこのような画素部の等価回路を
示し、図１０と共通する要素は同じ符号を用いて示して
いる。スイッチング用ＴＦＴ４３３をマルチゲート構造
とし、電流制御用ＴＦＴ４３６にはゲート電極とオーバ
ーラップするＬＤＤを設けている。ポリシリコンを用い
たＴＦＴは、高い動作速度を示すが故にホットキャリア
注入などの劣化も起こりやすい。そのため、画素内にお
いて機能に応じて構造の異なるＴＦＴ（オフ電流の十分
に低いスイッチング用ＴＦＴと、ホットキャリア注入に
強い電流制御用ＴＦＴ）を形成することは、高い信頼性
を有し、且つ、良好な画像表示が可能な（動作性能の高
い）表示装置を作製する上で非常に有効である。
示し、図１０と共通する要素は同じ符号を用いて示して
いる。スイッチング用ＴＦＴ４３３をマルチゲート構造
とし、電流制御用ＴＦＴ４３６にはゲート電極とオーバ
ーラップするＬＤＤを設けている。ポリシリコンを用い
たＴＦＴは、高い動作速度を示すが故にホットキャリア
注入などの劣化も起こりやすい。そのため、画素内にお
いて機能に応じて構造の異なるＴＦＴ（オフ電流の十分
に低いスイッチング用ＴＦＴと、ホットキャリア注入に
強い電流制御用ＴＦＴ）を形成することは、高い信頼性
を有し、且つ、良好な画像表示が可能な（動作性能の高
い）表示装置を作製する上で非常に有効である。
【０１１０】また、スイッチング用ＴＦＴ４３３が、導
通状態から非導通状態へと変わった後も、電流制御用Ｔ
ＦＴ４３６を導通状態に維持し、有機発光素子の発光を
維持させ、輝度の高い表示を得るために保持容量（コン
デンサー）４３５を設けることが有効である。
通状態から非導通状態へと変わった後も、電流制御用Ｔ
ＦＴ４３６を導通状態に維持し、有機発光素子の発光を
維持させ、輝度の高い表示を得るために保持容量（コン
デンサー）４３５を設けることが有効である。
【０１１１】さらに、有機発光素子４２６の発光の時間
幅を変えて階調表示をする時分割階調方式にあっては、
リセット用ＴＦＴ４３４を導通状態にして、有機発光素
子を発光の状態から非発光の状態へと変え、有機発光素
子の発光の時間幅を制御するとよい。
幅を変えて階調表示をする時分割階調方式にあっては、
リセット用ＴＦＴ４３４を導通状態にして、有機発光素
子を発光の状態から非発光の状態へと変え、有機発光素
子の発光の時間幅を制御するとよい。
【０１１２】なお、本実施例において０．２μｍ〜０．
５μｍの粒状の乾燥剤を接着剤に分散させることも可能
である。これにより表示装置の側面から浸入する水分の
量を低減することができる。
５μｍの粒状の乾燥剤を接着剤に分散させることも可能
である。これにより表示装置の側面から浸入する水分の
量を低減することができる。
【０１１３】[実施例２]本実施例では、単位パネルの面
積を多数合わせた面積に相当する母基板（マザーガラ
ス）を貼り合わせ、一つ一つのパネルに分断するさい
に、分断の手段としてＣＯ2レーザーを用いる例を示
す。
積を多数合わせた面積に相当する母基板（マザーガラ
ス）を貼り合わせ、一つ一つのパネルに分断するさい
に、分断の手段としてＣＯ2レーザーを用いる例を示
す。
【０１１４】ＣＯ2レーザーは、二酸化炭素を反応媒質
とするレーザーであり、二酸化炭素を励起状態にして反
転分布状態にして動作させる。赤外線領域の波長（１
０．６ｎｍ）の光を発振するため、レーザー光が照射さ
れる対象物を加熱することができる。
とするレーザーであり、二酸化炭素を励起状態にして反
転分布状態にして動作させる。赤外線領域の波長（１
０．６ｎｍ）の光を発振するため、レーザー光が照射さ
れる対象物を加熱することができる。
【０１１５】図１４の斜視図を用いてＣＯ2レーザーを
用いたガラス基板の切断方法を説明する。図１４は貼り
合せたガラス基板５０１〜５０２のうち、レーザーが照
射されるガラス基板５０１を分断する方法を示す斜視図
である。矢印の方向に移動するガラス基板５０１に対し
てレーザー照射を行う光学系５０４により長円のレーザ
ービームスポットが照射され、そのビームスポット５０
３後方の部位（冷却部位５０６）に対して、ノズル５０
７によって冷媒が吹き付けられる。このように、レーザ
ー照射により過熱された部位が次に急速に冷却されるこ
とにより、ガラス基板の内部に熱歪みが生じて、ガラス
基板５０１がレーザー照射ライン５０５に沿って分断さ
れる。
用いたガラス基板の切断方法を説明する。図１４は貼り
合せたガラス基板５０１〜５０２のうち、レーザーが照
射されるガラス基板５０１を分断する方法を示す斜視図
である。矢印の方向に移動するガラス基板５０１に対し
てレーザー照射を行う光学系５０４により長円のレーザ
ービームスポットが照射され、そのビームスポット５０
３後方の部位（冷却部位５０６）に対して、ノズル５０
７によって冷媒が吹き付けられる。このように、レーザ
ー照射により過熱された部位が次に急速に冷却されるこ
とにより、ガラス基板の内部に熱歪みが生じて、ガラス
基板５０１がレーザー照射ライン５０５に沿って分断さ
れる。
【０１１６】ＣＯ2レーザーを用いたガラス基板の切断
をする装置としては、三星ダイヤモンド工業社製のレー
ザースクライバーを用いることができる。切断される母
基板は二枚を同時に切断しても良いし、母基板を一枚ず
つ切断しても良い。二枚を同時に切断する方が、工程の
タクトが向上し生産性の増加につながるため好ましい。
をする装置としては、三星ダイヤモンド工業社製のレー
ザースクライバーを用いることができる。切断される母
基板は二枚を同時に切断しても良いし、母基板を一枚ず
つ切断しても良い。二枚を同時に切断する方が、工程の
タクトが向上し生産性の増加につながるため好ましい。
【０１１７】ＣＯ2レーザーをガラス基板面に照射して
切断することで、ガラス基板の切断屑の発生が抑制さ
れ、不良の発生を防止できる。また、ＣＯ2レーザーを
用いた基板の分断方式はレーザー照射と冷却媒質の噴射
を併用しており基板にかかる衝撃が小さい。このため、
薄型の母基板を用いても、高い歩留まりでガラス基板を
切断することが可能となる。
切断することで、ガラス基板の切断屑の発生が抑制さ
れ、不良の発生を防止できる。また、ＣＯ2レーザーを
用いた基板の分断方式はレーザー照射と冷却媒質の噴射
を併用しており基板にかかる衝撃が小さい。このため、
薄型の母基板を用いても、高い歩留まりでガラス基板を
切断することが可能となる。
【０１１８】[実施例３]本発明を実施して形成された発
光装置は様々な電気器具に内蔵され、画素部は映像表示
部として用いられる。本発明の電子装置としては、携帯
電話、ＰＤＡ、電子書籍、ビデオカメラ、ノート型パー
ソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置、
例えばＤＶＤ（Digital Versatile Disc）プレーヤー、
デジタルカメラ、などが挙げられる。それら電子装置の
具体例を図１２、図１３に示す。
光装置は様々な電気器具に内蔵され、画素部は映像表示
部として用いられる。本発明の電子装置としては、携帯
電話、ＰＤＡ、電子書籍、ビデオカメラ、ノート型パー
ソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置、
例えばＤＶＤ（Digital Versatile Disc）プレーヤー、
デジタルカメラ、などが挙げられる。それら電子装置の
具体例を図１２、図１３に示す。
【０１１９】図１２（Ａ）は携帯電話であり、表示用パ
ネル９００１、操作用パネル９００２、接続部９００３
から成り、表示用パネル９００１には表示装置９００
４、音声出力部９００５、アンテナ９００９などが設け
られている。操作パネル９００２には操作キー９００
６、電源スイッチ９００７、音声入力部９００８などが
設けられている。本発明は表示装置９００４に適用する
ことができる。
ネル９００１、操作用パネル９００２、接続部９００３
から成り、表示用パネル９００１には表示装置９００
４、音声出力部９００５、アンテナ９００９などが設け
られている。操作パネル９００２には操作キー９００
６、電源スイッチ９００７、音声入力部９００８などが
設けられている。本発明は表示装置９００４に適用する
ことができる。
【０１２０】図１２（Ｂ）はモバイルコンピュータ或い
は携帯型情報端末であり、本体９２０１、カメラ部９２
０２、受像部９２０３、操作スイッチ９２０４、表示装
置９２０５で構成されている。本発明は表示装置９２０
５に適用することができる。このような電子装置には、
３インチから５インチクラスの表示装置が用いられる
が、本発明の表示装置を用いることにより、携帯型情報
端末の軽量化を図ることができる。
は携帯型情報端末であり、本体９２０１、カメラ部９２
０２、受像部９２０３、操作スイッチ９２０４、表示装
置９２０５で構成されている。本発明は表示装置９２０
５に適用することができる。このような電子装置には、
３インチから５インチクラスの表示装置が用いられる
が、本発明の表示装置を用いることにより、携帯型情報
端末の軽量化を図ることができる。
【０１２１】図１２（Ｃ）は携帯書籍であり、本体９３
０１、表示装置９２０２〜９３０３、記憶媒体９３０
４、操作スイッチ９３０５、アンテナ９３０６から構成
されており、ミニディスク（ＭＤ）やＤＶＤに記憶され
たデータや、アンテナで受信したデータを表示するもの
である。本発明は表示装置９３０２〜９３０３に用いる
ことができる。携帯書籍は、４インチから１２インチク
ラスの表示装置が用いられるが、本発明の表示装置を用
いることにより、携帯書籍の軽量化と薄型化を図ること
ができる。
０１、表示装置９２０２〜９３０３、記憶媒体９３０
４、操作スイッチ９３０５、アンテナ９３０６から構成
されており、ミニディスク（ＭＤ）やＤＶＤに記憶され
たデータや、アンテナで受信したデータを表示するもの
である。本発明は表示装置９３０２〜９３０３に用いる
ことができる。携帯書籍は、４インチから１２インチク
ラスの表示装置が用いられるが、本発明の表示装置を用
いることにより、携帯書籍の軽量化と薄型化を図ること
ができる。
【０１２２】図１２（Ｄ）はビデオカメラであり、本体
９４０１、表示装置９４０２、音声入力部９４０３、操
作スイッチ９４０４、バッテリー９４０５、受像部９４
０６などで構成されている。本発明は表示装置９４０２
に適用することができる。
９４０１、表示装置９４０２、音声入力部９４０３、操
作スイッチ９４０４、バッテリー９４０５、受像部９４
０６などで構成されている。本発明は表示装置９４０２
に適用することができる。
【０１２３】図１３（Ａ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体９６０１、画像入力部９６０２、表示装置９
６０３、キーボード９６０４で構成される。本発明は表
示装置９６０３に適用することができる。
あり、本体９６０１、画像入力部９６０２、表示装置９
６０３、キーボード９６０４で構成される。本発明は表
示装置９６０３に適用することができる。
【０１２４】図１３（Ｂ）はプログラムを記録した記録
媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであ
り、本体９７０１、表示装置９７０２、スピーカ部９７
０３、記録媒体９７０４、操作スイッチ９７０５で構成
される。なお、この装置は記録媒体としてＤＶＤ（Digi
tal Versatile Disc）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画
鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本
発明は表示装置９７０２に適用することができる。
媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであ
り、本体９７０１、表示装置９７０２、スピーカ部９７
０３、記録媒体９７０４、操作スイッチ９７０５で構成
される。なお、この装置は記録媒体としてＤＶＤ（Digi
tal Versatile Disc）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画
鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本
発明は表示装置９７０２に適用することができる。
【０１２５】図１３（Ｃ）はデジタルカメラであり、本
体９８０１、表示装置９８０２、接眼部９８０３、操作
スイッチ９８０４、受像部（図示しない）で構成され
る。本発明は表示装置９８０２に適用することができ
る。
体９８０１、表示装置９８０２、接眼部９８０３、操作
スイッチ９８０４、受像部（図示しない）で構成され
る。本発明は表示装置９８０２に適用することができ
る。
【０１２６】本発明の表示装置は図１２（Ａ）の携帯電
話、図１２（Ｂ）のモバイルコンピュータ或いは携帯型
情報端末、図１２（Ｃ）の携帯書籍、図１３（Ａ）のパ
ーソナルコンピュータに用い、スタンバイモードにおい
て黒色の背景を表示することで機器の消費電力を抑える
ことができる。
話、図１２（Ｂ）のモバイルコンピュータ或いは携帯型
情報端末、図１２（Ｃ）の携帯書籍、図１３（Ａ）のパ
ーソナルコンピュータに用い、スタンバイモードにおい
て黒色の背景を表示することで機器の消費電力を抑える
ことができる。
【０１２７】また、図１２（Ａ）で示す携帯電話操作に
おいて、操作キーを使用している時に輝度を下げ、操作
スイッチの使用が終わったら輝度を上げることで低消費
電力化することができる。また、着信した時に表示装置
の輝度を上げ、通話中は輝度を下げることによっても低
消費電力化することができる。また、継続的に使用して
いる場合に、リセットしない限り時間制御で表示がオフ
になるような機能を持たせることで低消費電力化を図る
こともできる。なお、これらはマニュアル制御であって
も良い。
おいて、操作キーを使用している時に輝度を下げ、操作
スイッチの使用が終わったら輝度を上げることで低消費
電力化することができる。また、着信した時に表示装置
の輝度を上げ、通話中は輝度を下げることによっても低
消費電力化することができる。また、継続的に使用して
いる場合に、リセットしない限り時間制御で表示がオフ
になるような機能を持たせることで低消費電力化を図る
こともできる。なお、これらはマニュアル制御であって
も良い。
【０１２８】ここでは図示しなかったが、本発明はその
他にもナビゲーションシステムをはじめ冷蔵庫、洗濯
機、電子レンジ、固定電話機、ファクシミリなどに組み
込む表示装置としても適用することも可能である。この
ように本発明の適用範囲はきわめて広く、さまざまな製
品に適用することができる。
他にもナビゲーションシステムをはじめ冷蔵庫、洗濯
機、電子レンジ、固定電話機、ファクシミリなどに組み
込む表示装置としても適用することも可能である。この
ように本発明の適用範囲はきわめて広く、さまざまな製
品に適用することができる。
【０１２９】
【発明の効果】素子基板と封止基板とを近接して設ける
ことができるため、表示装置の側面から侵入する水分の
量を低減できる。
ことができるため、表示装置の側面から侵入する水分の
量を低減できる。
【０１３０】また、有機発光素子が設けられた第１の基
板において、第１の基板の周縁部、画素部及び駆動回路
部に積層される膜厚を等しくし、第１の基板の周縁部に
限りなく薄く接着剤を設け第２の基板を接着すること
で、第１の基板と第２の基板との間隔を第１の基板の周
縁部、画素部及び駆動回路部に渡って均一にすることが
できる。より望ましくは第１の基板の周縁部に設けられ
る接着剤の厚さだけ、第１の基板の周縁部に積層される
積層膜の膜厚を薄くすれば、第１の基板の周縁部、画素
部及び駆動回路部に渡って第１の基板と第２の基板との
間隔を均一にすることができる。このためには、少なく
とも、画素部に積層される積層膜のうち、支配的な厚さ
を有する第２の層間絶縁膜やバンクと同一層から形成さ
れる第２の絶縁膜を接着剤の下方に形成することが推奨
される。
板において、第１の基板の周縁部、画素部及び駆動回路
部に積層される膜厚を等しくし、第１の基板の周縁部に
限りなく薄く接着剤を設け第２の基板を接着すること
で、第１の基板と第２の基板との間隔を第１の基板の周
縁部、画素部及び駆動回路部に渡って均一にすることが
できる。より望ましくは第１の基板の周縁部に設けられ
る接着剤の厚さだけ、第１の基板の周縁部に積層される
積層膜の膜厚を薄くすれば、第１の基板の周縁部、画素
部及び駆動回路部に渡って第１の基板と第２の基板との
間隔を均一にすることができる。このためには、少なく
とも、画素部に積層される積層膜のうち、支配的な厚さ
を有する第２の層間絶縁膜やバンクと同一層から形成さ
れる第２の絶縁膜を接着剤の下方に形成することが推奨
される。
【０１３１】また、有機発光素子の保護膜が第１の基板
の周縁部の積層膜の側面にも設けられるため、表示装置
の側面からの水分の浸入を防ぐことが出来る。
の周縁部の積層膜の側面にも設けられるため、表示装置
の側面からの水分の浸入を防ぐことが出来る。
【図１】 実施形態１の有機発光素子を用いた表示装
置の断面図。
置の断面図。
【図２】 実施形態２の有機発光素子を用いた表示装
置の断面図。
置の断面図。
【図３】 実施形態３の有機発光素子を用いた表示装
置の断面図。
置の断面図。
【図４】 実施形態４の有機発光素子を用いた表示装
置の断面図。
置の断面図。
【図５】 実施形態５の有機発光素子を用いた表示装
置の断面図。
置の断面図。
【図６】 実施形態１の有機発光素子を用いた表示装
置の外観を示す上面図。
置の外観を示す上面図。
【図７】 実施形態４の有機発光素子を用いた表示装
置の外観を示す上面図。
置の外観を示す上面図。
【図８】 実施形態５の有機発光素子を用いた表示装
置の外観を示す上面図。
置の外観を示す上面図。
【図９】 実施例１の画素部の上面図。
【図１０】 実施例１のアクティブマトリクス基板の断
面図。
面図。
【図１１】 実施例１の画素部の等価回路。
【図１２】 実施例３の電子装置の一例を説明する斜視
図。
図。
【図１３】 実施例３の電子装置の一例を説明する斜視
図。
図。
【図１４】 実施例２のＣＯ2レーザーを用いたガラス
基板の切断方法を示す斜視図。
基板の切断方法を示す斜視図。
【図１５】 従来の有機発光素子を用いた表示装置の断
面図。
面図。
フロントページの続き (72)発明者 佐竹 瑠茂 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB12 AB13 AB14 AB17 AB18 BB01 BB04 BB05 DB03 FA02
Claims (51)
- 【請求項１】第１の電極と第２の電極とに挟まれた有機
化合物膜からなる有機発光素子を有する表示装置におい
て、 第１の基板上に前記第１の電極と、前記第１の電極の端
部の上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の電極上
にあり前記第１の絶縁膜の側面に接する有機化合物膜
と、前記有機化合物膜上の第２の電極とを有し、前記第
１の基板の周縁部に第２の絶縁膜が設けられており、前
記第２の絶縁膜の上方に接着性を有する層を有し、前記
第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは同一の材料からな
り、前記接着性を有する層と第２の基板とが接すること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項２】第１の基板上に第１の電極と第２の電極と
に挟まれた有機化合物膜からなる有機発光素子を有する
表示装置において、第１の基板上に前記第１の電極と、
前記第１の電極の端部の上に設けられた第１の絶縁膜
と、前記第１の電極上にあり前記第１の絶縁膜の側面に
接する有機化合物膜と、前記有機化合物膜上の第２の電
極とを有し、前記第１の基板の周縁部に第２の絶縁膜が
設けられており、前記第２の絶縁膜及び前記第１の絶縁
膜と重なって第２の基板が設けられており、前記第１の
絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは同一の材料からなり、前
記第１の基板と第２の基板との間に接着性を有する層で
満たされていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２において、 前記第１の基板の一部と前記接着性を有する層の一部と
前記第２の基板の一部に接するように第２の接着性を有
する層と、 前記第２の接着性を有する層の一部に接するように、金
属板が設けられていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれか一項において、 前記第２の絶縁膜は１００μｍ以上５０００μｍ以下の
幅を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれか一項において、 前記第２の電極、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁
膜を覆う保護膜が設けられていることを特徴とする表示
装置。 - 【請求項６】請求項１乃至５において、 前記第１の基板及び前記第２の基板はガラスからなる基
板であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項７】請求項１乃至６において、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に不活性ガス又
は窒素ガスで満たされていることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項８】請求項１乃至７のいずれか一項において、 前記接着層は０．０５μｍ以上０．５μｍ以下の厚さで
あることを特徴とする表示装置。 - 【請求項９】請求項１乃至８のいずれか一項において、 前記第１の絶縁膜は１．０μｍ以上１０μｍ以下の厚さ
であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項１０】請求項１乃至９のいずれか一項におい
て、 前記第２の絶縁膜は１．０μｍ以上１０μｍ以下の厚さ
であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項１１】請求項１乃至１０のいずれか一項におい
て、 前記第１の絶縁膜はポリイミド樹脂膜、アクリル樹脂
膜、ポリアミド樹脂膜のうちいずれか一つからなること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項１２】請求項５乃至１１のいずれか一項におい
て、 前記保護膜は外部入力端子と接していることを特徴とす
る表示装置。 - 【請求項１３】第１の電極と第２の電極とに挟まれた有
機化合物膜からなる有機発光素子を有する表示装置にお
いて、 第１の基板上に前記第１の電極と前記第１の電極の端部
の上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の
上面に凸状に設けられた第２の絶縁膜とを有することを
特徴とする表示装置。 - 【請求項１４】第１の電極と第２の電極とに挟まれた有
機化合物膜からなる有機発光素子を有する表示装置にお
いて、 第１の基板は、前記第１の電極と前記第１の電極の端部
を覆って設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の電極上
にあり前記第１の絶縁膜に接する有機化合物膜と、前記
有機化合物膜上にある前記第２の電極と、前記第１の基
板の周縁部に設けられた第２の絶縁膜と、前記第１の絶
縁膜の上面に凸状に設けられた第３の絶縁膜とを有し、 前記第２の絶縁膜の上方に接着性を有する層が設けられ
前記前記接着性を有する層が第２の基板と接することを
特徴とする表示装置。 - 【請求項１５】請求項１４において、 前記第１の基板の一部と前記接着性を有する層の一部に
接するように第２の接着性を有する層と、 前記第２の接着性を有する層の一部に接するように、金
属板が設けられていることを特徴とする表示装置。 - 【請求項１６】請求項１４乃至１５のいずれか一項にお
いて、 前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜が同一の材料か
らなることを特徴とする表示装置。 - 【請求項１７】請求項１４乃至１６のいずれか一項にお
いて、 前記第２の絶縁膜は１００μｍ以上５０００μｍ以下の
幅を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項１８】請求項１４乃至１７のいずれか一項にお
いて、 前記第２の電極、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁
膜を覆う保護膜が設けられていることを特徴とする表示
装置。 - 【請求項１９】請求項１８において、 前記保護膜は外部入力端子と接していることを特徴とす
る表示装置。 - 【請求項２０】請求項１４乃至１９のいずれか一項にお
いて、 前記第１の基板及び前記第２の基板はガラスからなる基
板であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２１】請求項１４乃至２０のいずれか一項にお
いて、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に不活性ガス又
は窒素ガスで満たされていることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項２２】請求項１４乃至２１のいずれか一項にお
いて、 前記接着性を有する層は０．０５μｍ以上０．５μｍ以
下の厚さであることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２３】請求項１４乃至２２のいずれか一項にお
いて、 前記第１の絶縁膜は１．０μｍ以上１０μｍ以下の厚さ
であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２４】請求項１４乃至２３のいずれか一項にお
いて、 前記第２の絶縁膜は１．０μｍ以上１０μｍ以下の厚さ
であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２５】請求項１２乃至２４のいずれか一項にお
いて、 前記第３の絶縁膜は０．２μｍ以上１０μｍ以下の厚さ
であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２６】請求項１１乃至２５のいずれか一項にお
いて、 前記第２の絶縁膜はポリイミド樹脂膜、アクリル樹脂
膜、ポリアミド樹脂膜のうちいずれか一つからなること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項２７】第１の電極と第２の電極とに挟まれた有
機化合物膜からなる有機発光素子を有する表示装置にお
いて、 第１の基板上に前記第１の電極と、前記第１の電極の端
部を覆って設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の電極
上にあり前記第１の絶縁膜の側面に接する有機化合物膜
と、前記有機化合物膜上の第２の電極とを有し、前記第
１の基板の周縁部に第２の絶縁膜が設けられており、 前記第２の絶縁膜に沿って設けられた第３の絶縁膜を有
し、前記第３の絶縁膜は前記第１の絶縁膜と前記第２の
絶縁膜との間にあり、前記第２の絶縁膜と前記第３の絶
縁膜との間に乾燥剤が設けられていることを特徴とする
表示装置。 - 【請求項２８】請求項２７において、 前記第２の絶縁膜の上方に接着性を有する層を有し、前
記接着性を有する層と前記第２の基板とが接することを
特徴とする表示装置。 - 【請求項２９】請求項２７又は請求項２８において、 前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶
縁膜は同一の材料からなることを特徴とする表示装置。 - 【請求項３０】請求項２７乃至２９のいずれか一項にお
いて、 前記第２の絶縁膜は２００μｍ以上５０００μｍ以下の
幅を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項３１】請求項２７乃至３０のいずれか一項にお
いて、 前記第２の電極、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜
及び前記第３の絶縁膜を覆う保護膜が設けられているこ
とを特徴とする表示装置。 - 【請求項３２】請求項３１において、 前記保護膜は外部入力端子と接していることを特徴とす
る表示装置。 - 【請求項３３】請求項２７乃至３２のいずれか一項にお
いて、 前記第１の基板及び前記第２の基板はガラスからなる基
板であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項３４】請求項２８乃至３３のいずれか一項にお
いて、 前記第１の基板と前記第２の基板との間に不活性ガス又
は窒素ガスで満たされていることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項３５】請求項２８乃至３４のいずれか一項にお
いて、 前記接着層は０．０５μｍ以上０．５μｍ以下の厚さで
あることを特徴とする表示装置。 - 【請求項３６】請求項２７のいずれか一項において、 前記第２の絶縁膜はポリイミド樹脂膜、アクリル樹脂
膜、ポリアミド樹脂膜のうちいずれか一つからなること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項３７】第１の電極と第２の電極とに挟まれた有
機化合物膜からなる有機発光素子を有する表示装置にお
いて、 第１の基板上に前記第１の電極を選択的に形成する第１
の工程と、絶縁膜を成膜する第２の工程と、 前記絶縁膜をパターニングし前記第１の電極の端部を覆
う第１の絶縁膜と、前記第１の基板の周縁部に設けられ
た第２の絶縁膜とを形成する第３の工程と、 前記第１の電極上に有機化合物膜を形成する第４の工程
と、 前記有機化合物膜上に第２の電極を形成する第５の工程
と、 前記第２の絶縁膜上に接着性を有する層を設ける第６の
工程と、 前記第１の基板と第２の基板とを貼り合せる第７の工程
とを有することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項３８】第１の電極と第２の電極とに挟まれた有
機化合物膜からなる有機発光素子を有する表示装置の作
製方法において、 第１の基板上に前記第１の電極を選択的に形成する第１
の工程と、 絶縁膜を成膜する第２の工程と、 前記絶縁膜をパターニングし前記第１の電極の端部を覆
う第１の絶縁膜と、前記第１の基板の周縁部に設けられ
た第２の絶縁膜とを形成する第３の工程と、前記第１の
電極上に有機化合物膜を形成する第４の工程と、 前記有機化合物膜上に第２の電極を形成する第５の工程
と、 前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第２の電
極上に接着性を有する層を設ける第６の工程と、 前記第１の基板と第２の基板とを貼り合せる第７の工程
とを有することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項３９】第１の電極と第２の電極とに挟まれた有
機化合物膜からなる有機発光素子を有する表示装置の作
製方法において、 第１の基板上に前記第１の電極を選択的に形成する第１
の工程と、 絶縁膜を成膜する第２の工程と、 前記絶縁膜をパターニングし前記第１の電極の端部上の
第１の絶縁膜と、前記第１の基板の周縁部に設けられた
第２の絶縁膜とを形成する第３の工程と、 絶縁膜を成膜する第４の工程と、 前記第４の工程で成膜された絶縁膜をパターニングし少
なくとも前記第１の絶縁膜の上面に凸状の第３の絶縁膜
を設ける第５の工程と、 前記第１の電極上に前記第１の絶縁膜の側面に接するよ
うに有機化合物膜を形成する第６の工程と、 前記有機化合物膜上に第２の電極を形成する第７の工程
と、 前記第２の絶縁膜上に接着性を有する層を形成する第８
の工程と、 前記第１の基板と第２の基板とを貼り合せる第９の工程
とを有することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項４０】第１の電極と第２の電極とに挟まれた有
機化合物膜からなる有機発光素子を有する表示装置にお
いて、 第１の基板上に前記第１の電極を選択的に形成する第１
の工程と、 絶縁膜を成膜する第２の工程と、 前記絶縁膜をパターニングし前記第１の電極の端部を覆
う第１の絶縁膜と、前記第１の基板の周縁部に設けられ
た第２の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁
膜との間に設けられた第３の絶縁膜とを形成する第３の
工程と、 前記第１の電極上に有機化合物膜を形成する第４の工程
と、 前記有機化合物膜上に第２の電極を形成する第５の工程
と、 前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜との間に乾燥剤を
充填する第６の工程と、前記第２の絶縁膜上に接着性を
有する層を設ける第７の工程と、 前記第１の基板と第２の基板とを貼り合せる第８の工程
とを有することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項４１】請求項３７又は請求項３８において、第
７の工程後、前記第１の基板の一部と前記接着性を有す
る層の一部と前記第２の基板の一部に接するように第２
の接着性を有する層を形成し、 前記第２の接着性を有する層の一部に接するように、金
属板を形成する工程を有することを特徴とする表示装
置。 - 【請求項４２】請求項３７又は請求項３８において、 前記第５の工程と前記第６の工程との間に、前記第１の
絶縁膜、前記第２の絶縁膜及び前記第２の電極を覆う保
護膜を設ける工程を有することを特徴とする表示装置の
作製方法。 - 【請求項４３】請求項３９において、 前記第７の工程と前記第８の工程との間に、前記第１の
絶縁膜、前記第２の絶縁膜、前記第３の絶縁膜及び前記
第２の電極を覆う保護膜を設ける工程を有することを特
徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項４４】請求項４０において、 前記第５の工程と前記第６の工程との間に、前記第１の
絶縁膜、前記第２の絶縁膜、前記第３の電極及び前記第
２の電極を覆う保護膜を設ける工程を有することを特徴
とする表示装置の作製方法。 - 【請求項４５】請求項３７乃至４４のいずれか一項にお
いて、 前記第２の絶縁膜の幅は１００μｍ以上５０００μｍ以
下であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項４６】請求項３７乃至４５のいずれか一項にお
いて、 前記第２の絶縁膜の厚さは１．０μｍ以上１０μｍ以下
であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項４７】請求項３７乃至４６のいずれか一項にお
いて、 前記第２の絶縁膜はポリイミド樹脂膜、アクリル樹脂
膜、ポリアミド樹脂膜のうちいずれか一つからなること
を特徴とする表示装置。 - 【請求項４８】請求項３７において、 前記第７の工程に次いで、前記第１の基板及び前記第２
の基板をＣＯ2レーザーにより分断することを特徴とす
る表示装置の作製方法。 - 【請求項４９】請求項３７又は請求項３８において、 前記第７の工程において、前記第１の基板と前記第２の
基板とを不活性ガス又は窒素雰囲気下で貼り合せること
を特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項５０】請求項３９において、 前記第９の工程において、前記第１の基板と前記第２の
基板とを不活性ガス又は窒素雰囲気下で貼り合せること
を特徴とする表示装置の作製方法。 - 【請求項５１】請求項４０において、 前記第８の工程において、前記第１の基板と前記第２の
基板とを不活性ガス又は窒素雰囲気下で貼り合せること
を特徴とする表示装置の作製方法。
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