JP2005129415A - 表示装置及び表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の表示装置は、第1の電極と、該第1の電極の周辺端部を覆う絶縁層と、前記第1の電極上に形成された有機化合物を含む層と、第2の電極とが表示領域に形成され、前記第1の電極と、前記絶縁層とには、周期律14族、18族(不活性元素)、OまたはNから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素が添加されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明の実施形態について、以下に説明する。
リウェット塗布を行う。シンナーを70ml滴下しながら基板をスピン(回転数100rpm)させてシンナーを遠心力で万遍なく広げた後、高速度でスピン(回転数450rpm)させてシンナーを振り切る。
本実施形態を図3乃至5を用いて詳細に説明する。
本実施形態を図6及び図7を用いて詳細に説明する。
本実施形態を図9及び図10を用いて詳細に説明する。
[実施形態5]
成される絶縁膜を用いる。
Claims (24)
- 第1の電極と、該第1の電極の周辺端部を覆う絶縁層と、
前記第1の電極上に形成された有機化合物を含む層と、第2の電極とが表示領域に形成され、
前記第1の電極と、前記絶縁層とには、周期律14族または18族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素が添加されていることを特徴とする表示装置。 - 第1の電極と、該第1の電極と平坦化膜を介して接続している薄膜トランジスタと 、前記第1の電極の周辺端部を覆う絶縁層と、
前記第1の電極上に形成された有機化合物を含む層と、第2の電極とが表示領域に形成され、
前記第1の電極と、前記絶縁層と、前記平坦化膜の側端部には、周期律14族または18族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素が添加されていることを特徴とする表示装置。 - 第1の電極と、該第1の電極と平坦化膜を介して接続している薄膜トランジスタと 、前記第1の電極の周辺端部を覆う絶縁層と、
前記第1の電極上に形成された有機化合物を含む層と、第2の電極とが表示領域に形成され、
前記薄膜トランジスタのソース電極または前記ドレイン電極は、前記平坦化膜に設けられた開口部を介して半導体層に接続され、
前記第1の電極と、前記絶縁層と、前記平坦化膜の側端部及び前記開口部には、周期律14族または18族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素が添加されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項2または請求項3において、前記平坦化膜の側端部はテーパー形状であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1において、前記第1の電極と前記絶縁層とが含む周期律14族または18族元素のうち少なくとも一種の元素のドーズ量は等しいことを特徴とする表示装置。
- 請求項2乃至4のいずれか一項において、前記平坦化膜、前記第1の電極と前記絶縁層中の含まれる周期律14族または18族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーズ量は等しいことを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一項において、前記平坦化膜、前記第1の電極、または前記絶縁層中に含まれる周期律14族または18族から選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素は、1×1018〜5×1021/cm3、代表的に2×1019〜2×1021/cm3の濃度範囲であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至7のいずれか一項において、周期律14族または18族から選ばれた元素はHe、Ne、Ar、Kr、Xe、C、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素であることを特徴とする表示装置。
- 請求項2乃至8のいずれか一項において、前記平坦化膜の側端部におけるテーパー角は、30度を越え75度未満であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至9のいずれか一項において、前記平坦化膜、または絶縁層は、アルキル基を含む酸化珪素であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1または請求項10において、前記第1の電極は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1または請求項11において、前記絶縁層は着色されていることを特徴とする表示装置。
- 請求項12において、着色されている前記絶縁層をブラックマトリクスとすることを特徴とする表示装置。
- 絶縁表面を有する基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタにより反映する凸凹形状の上に平坦化膜を形成し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域に達するソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ドレイン電極に接して、第1の電極を形成し、
前記第1の電極の周辺端部を覆う絶縁層を形成し、
前記第1の電極及び絶縁層に周期律14族、18族、OまたはNから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加し、
前記第1の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第2の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する第1の基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタにより反映する凸凹形状の上に平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜を選択的に除去して、テーパー形状を有する周辺端部を形成し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域に達するソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ドレイン電極に接して、第1の電極を形成し、
前記第1の電極の周辺端部を覆う絶縁層を形成し、
前記第1の電極及び絶縁層と、前記平坦化膜の周辺端部とに周期律14族、18族、OまたはNから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加し、
前記第1の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第2の電極を形成し、
前記平坦化膜の周辺端部の外周を囲むシール材で第2の基板を前記第1の基板に貼り合わせることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項14において、前記第1の電極と前記絶縁層中の周期律14族、18族、OまたはNから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーズ量が等しくなるように、周期律14族、18族、OまたはNから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項15において、前記平坦化膜の側端部、前記第1の電極、前記絶縁層中の周期律14族、18族、OまたはNから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素のドーズ量が等しくなるように、前記周期律14族、18族、OまたはNから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項14乃至17のいずれか一項において、前記平坦化膜、前記第1の電極と前記絶縁層中の周期律14族、18族、OまたはNから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素の濃度が1×1018〜5×1021/cm3、代表的には2×1019〜2×1021/cm3の濃度範囲になるように、周期律14族、18族、OまたはNから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項14乃至18のいずれか一項において、周期律14族または18族から選ばれた元素としてHe、Ne、Ar、Kr、Xe、C、Si、Ge、Sn、Pbから選ばれた元素のうち少なくとも一種を添加することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項15乃至19のいずれか一項において、前記平坦化膜の周辺端部におけるテーパー角は、30度を越え75度未満となるように形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項14乃至20のいずれか一項において、前記平坦化膜、または絶縁層は、塗布法によってアルキル基を含む酸化珪素膜で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項14乃至21のいずれか一項において、前記第1の電極は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物からなるターゲットを用いたスパッタ法で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項14乃至22において、周期律14族、18族、OまたはNから選ばれた元素のうち少なくとも一種の元素を添加し、前記絶縁層を着色することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項23において、前記絶縁層を着色し、ブラックマトリクスを形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
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