JP2002334790A - 発光装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来より劣化しにくい構造の発光素子により
上記した課題を解決した寿命の長い発光素子を作製し、
高品質な発光装置を作製する方法を提供することを課題
とする。 【解決手段】 バンクを形成した後、露出した陽極表面
をＰＶＡ（ポリビニルアルコール）系の多孔質体などを
用いて拭い、平坦化およびゴミの除去を行う。また、Ｔ
ＦＴ上の層間絶縁膜と陽極との間に、絶縁膜を形成す
る。もしくは、ＴＦＴ上の層間絶縁膜表面をプラズマ処
理することにより、表面を改質する。
上記した課題を解決した寿命の長い発光素子を作製し、
高品質な発光装置を作製する方法を提供することを課題
とする。 【解決手段】 バンクを形成した後、露出した陽極表面
をＰＶＡ（ポリビニルアルコール）系の多孔質体などを
用いて拭い、平坦化およびゴミの除去を行う。また、Ｔ
ＦＴ上の層間絶縁膜と陽極との間に、絶縁膜を形成す
る。もしくは、ＴＦＴ上の層間絶縁膜表面をプラズマ処
理することにより、表面を改質する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界を加えること
で発光が得られる有機化合物を含む膜（以下、「有機化
合物層」と記す）と、陽極と、陰極と、を有する発光素
子を用いた発光装置とその作製方法に関する。本発明で
は特に、従来よりも駆動電圧が低く、なおかつ素子の寿
命が長い発光素子を用いた発光装置に関する。なお、本
明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた画像
表示デバイスもしくは発光デバイスを指す。また、発光
素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム((FPC: F
lexible Printed Circuit)もしくはTAB（Tape Automate
d Bonding）テープもしくはTCP（Tape Carrier Packag
e）が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先
にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光
素子にCOG（Chip On Glass）方式によりIC（集積回路）
が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むもの
とする。
で発光が得られる有機化合物を含む膜（以下、「有機化
合物層」と記す）と、陽極と、陰極と、を有する発光素
子を用いた発光装置とその作製方法に関する。本発明で
は特に、従来よりも駆動電圧が低く、なおかつ素子の寿
命が長い発光素子を用いた発光装置に関する。なお、本
明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた画像
表示デバイスもしくは発光デバイスを指す。また、発光
素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム((FPC: F
lexible Printed Circuit)もしくはTAB（Tape Automate
d Bonding）テープもしくはTCP（Tape Carrier Packag
e）が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先
にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光
素子にCOG（Chip On Glass）方式によりIC（集積回路）
が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むもの
とする。
【０００２】
【従来の技術】薄型軽量・高速応答性・直流低電圧駆動
などの特性から、発光素子は次世代のフラットパネルデ
ィスプレイ素子として注目されている。また、自発光型
であり視野角が広いことから、視認性も比較的良好であ
り、電気器具の表示画面に用いる素子として有効と考え
られており、盛んに開発されてきている。
などの特性から、発光素子は次世代のフラットパネルデ
ィスプレイ素子として注目されている。また、自発光型
であり視野角が広いことから、視認性も比較的良好であ
り、電気器具の表示画面に用いる素子として有効と考え
られており、盛んに開発されてきている。
【０００３】電界を加えることにより発光する発光素子
の発光機構は、電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印
加することにより、陰極から注入された電子および陽極
から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結
合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態
に戻る際にエネルギーを放出して発光すると言われてい
る。なお、有機化合物が形成する分子励起子の種類とし
ては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能である
が、本明細書中ではどちらの励起状態が発光に寄与する
場合も含むこととする。
の発光機構は、電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印
加することにより、陰極から注入された電子および陽極
から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結
合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態
に戻る際にエネルギーを放出して発光すると言われてい
る。なお、有機化合物が形成する分子励起子の種類とし
ては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能である
が、本明細書中ではどちらの励起状態が発光に寄与する
場合も含むこととする。
【０００４】このような発光素子は、駆動方法の違いに
よりパッシブマトリクス型（単純マトリクス型）とアク
ティブマトリクス型とに分類される。しかし、ＱＶＧＡ
以上の画素数を有する高精細な表示が可能であることか
ら、特にアクティブマトリクス型のものが注目されてい
る。
よりパッシブマトリクス型（単純マトリクス型）とアク
ティブマトリクス型とに分類される。しかし、ＱＶＧＡ
以上の画素数を有する高精細な表示が可能であることか
ら、特にアクティブマトリクス型のものが注目されてい
る。
【０００５】発光素子を有するアクティブマトリクス型
の発光装置は、図２に示すような素子構造を有してお
り、基板２０１上にＴＦＴ２０２が形成され、ＴＦＴ２
０２上には、層間絶縁膜２０３が形成される。
の発光装置は、図２に示すような素子構造を有してお
り、基板２０１上にＴＦＴ２０２が形成され、ＴＦＴ２
０２上には、層間絶縁膜２０３が形成される。
【０００６】そして、層間絶縁膜２０３上には、配線２
０４によりＴＦＴ２０２と電気的に接続された陽極（画
素電極）２０５が形成される。陽極２０５を形成する材
料としては、仕事関数の大きい透明性導電材料が適して
おり、ＩＴＯ（indium tin oxides）、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ2）、酸化インジウムと酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる
合金、金の半透過膜、ポリアニリンなどが提案されてい
る。このうちでＩＴＯは、バンドギャップが約３．７５
ｅＶであり、可視光の領域で高い透明性を持つことから
最も多く用いられている。
０４によりＴＦＴ２０２と電気的に接続された陽極（画
素電極）２０５が形成される。陽極２０５を形成する材
料としては、仕事関数の大きい透明性導電材料が適して
おり、ＩＴＯ（indium tin oxides）、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ2）、酸化インジウムと酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる
合金、金の半透過膜、ポリアニリンなどが提案されてい
る。このうちでＩＴＯは、バンドギャップが約３．７５
ｅＶであり、可視光の領域で高い透明性を持つことから
最も多く用いられている。
【０００７】陽極２０５上には、有機化合物層２０６が
形成される。なお、本明細書では、陽極と陰極の間に設
けられた全ての層を有機化合物層と定義する。有機化合
物層２０６には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注
入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に
発光素子は、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造
を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／
発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送
層／陰極等の順に積層した構造を有していることもあ
る。
形成される。なお、本明細書では、陽極と陰極の間に設
けられた全ての層を有機化合物層と定義する。有機化合
物層２０６には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注
入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に
発光素子は、陽極／発光層／陰極が順に積層された構造
を有しており、この構造に加えて、陽極／正孔注入層／
発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送
層／陰極等の順に積層した構造を有していることもあ
る。
【０００８】有機化合物層２０６を形成した後で、陰極
２０７を形成することにより、発光素子２０９が形成さ
れる。陰極としては仕事関数の小さい金属（代表的には
周期表の１族もしくは２族に属する金属）を用いること
が多い。なお、本明細書においては、このような金属
（アルカリ金属とアルカリ土類金属を含めて）を「アル
カリ金属」と呼ぶ。
２０７を形成することにより、発光素子２０９が形成さ
れる。陰極としては仕事関数の小さい金属（代表的には
周期表の１族もしくは２族に属する金属）を用いること
が多い。なお、本明細書においては、このような金属
（アルカリ金属とアルカリ土類金属を含めて）を「アル
カリ金属」と呼ぶ。
【０００９】また、陽極の端部を覆うように形成され、
この部分で陰極と陽極とがショートすることを防ぐため
に有機樹脂材料からなるバンク２０８が形成されてい
る。
この部分で陰極と陽極とがショートすることを防ぐため
に有機樹脂材料からなるバンク２０８が形成されてい
る。
【００１０】なお、図２では、一画素に形成される発光
素子しか示していないが、実際には、これらが画素部に
複数形成されることによりアクティブマトリクス型の発
光装置が形成される。
素子しか示していないが、実際には、これらが画素部に
複数形成されることによりアクティブマトリクス型の発
光装置が形成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の発光装
置の構造において、層間絶縁膜上に形成された陽極（透
明導電膜）とは熱膨張率が異なる。このように熱膨張率
の異なる材料が接した構造で加熱処理を行うと、熱膨張
が小さい材料（この場合、陽極）の界面において、亀裂
が生じてしまう。陽極は、有機化合物層に発光に関与す
る正孔を注入する電極であり、その陽極にクラックが発
生すると正孔の発生に悪影響を及ぼしたり、注入される
正孔が減少したり、さらにこのクラックが発光素子自身
の劣化の原因となると考えられる。また、陽極表面の凹
凸が、正孔の発生や注入に悪影響を及ぼしたり、注入さ
れる正孔が減少したり、さらにこのクラックが発光素子
自身の劣化の原因とも考えられる。
置の構造において、層間絶縁膜上に形成された陽極（透
明導電膜）とは熱膨張率が異なる。このように熱膨張率
の異なる材料が接した構造で加熱処理を行うと、熱膨張
が小さい材料（この場合、陽極）の界面において、亀裂
が生じてしまう。陽極は、有機化合物層に発光に関与す
る正孔を注入する電極であり、その陽極にクラックが発
生すると正孔の発生に悪影響を及ぼしたり、注入される
正孔が減少したり、さらにこのクラックが発光素子自身
の劣化の原因となると考えられる。また、陽極表面の凹
凸が、正孔の発生や注入に悪影響を及ぼしたり、注入さ
れる正孔が減少したり、さらにこのクラックが発光素子
自身の劣化の原因とも考えられる。
【００１２】さらに、有機化合物層は酸素や水分により
劣化しやすいという性質を有しているが、層間絶縁膜と
して用いられる材料はポリイミド、ポリアミド、アクリ
ルと言った有機樹脂材料が多く、これらの材料を用いて
形成された層間絶縁膜から発生した酸素等の気体により
発光素子が劣化してしまうという問題があった。
劣化しやすいという性質を有しているが、層間絶縁膜と
して用いられる材料はポリイミド、ポリアミド、アクリ
ルと言った有機樹脂材料が多く、これらの材料を用いて
形成された層間絶縁膜から発生した酸素等の気体により
発光素子が劣化してしまうという問題があった。
【００１３】さらに、発光素子の陰極材料には、ＴＦＴ
の特性に致命的な打撃を与えかねないＡｌ、Ｍｇといっ
たアルカリ金属材料が用いられている。ＴＦＴの活性層
にアルカリ金属が混入すると、ＴＦＴの電気的な特性が
変動してしまい、経時的な信頼性の確保ができなくなっ
てしまう。
の特性に致命的な打撃を与えかねないＡｌ、Ｍｇといっ
たアルカリ金属材料が用いられている。ＴＦＴの活性層
にアルカリ金属が混入すると、ＴＦＴの電気的な特性が
変動してしまい、経時的な信頼性の確保ができなくなっ
てしまう。
【００１４】ＴＦＴの特性を損なわないようにするため
には、ＴＦＴの作製工程処理室（クリーンルーム）と発
光素子の作製工程処理室（クリーンルーム）とを離すこ
とで、ＴＦＴの活性層がアルカリ金属によって汚染され
ないようにすることが好ましい。しかし、アルカリ金属
による汚染を防ぐために、処理室（クリーンルーム）の
移動等が工程に含まれると、今度は、ＴＦＴ基板を空中
のゴミ等で汚染してしまったり、帯電によりＴＦＴ素子
を破壊してしまったりという問題が生じてしまう。
には、ＴＦＴの作製工程処理室（クリーンルーム）と発
光素子の作製工程処理室（クリーンルーム）とを離すこ
とで、ＴＦＴの活性層がアルカリ金属によって汚染され
ないようにすることが好ましい。しかし、アルカリ金属
による汚染を防ぐために、処理室（クリーンルーム）の
移動等が工程に含まれると、今度は、ＴＦＴ基板を空中
のゴミ等で汚染してしまったり、帯電によりＴＦＴ素子
を破壊してしまったりという問題が生じてしまう。
【００１５】そこで、従来より劣化しにくい構造の発光
素子により上記した課題を解決した寿命の長い発光素子
を作製し、高品質な発光装置とその作製方法を提供する
ことを課題とする。
素子により上記した課題を解決した寿命の長い発光素子
を作製し、高品質な発光装置とその作製方法を提供する
ことを課題とする。
【００１６】
【課題を解決する手段】本発明は、絶縁体上に形成され
たＴＦＴ上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜上に
絶縁膜を形成し、配線を介して前記ＴＦＴに電気的に接
続された陽極を形成し、前記陽極および前記配線を覆う
樹脂絶縁膜を形成し、エッチングしてバンクを形成し、
加熱処理した後、前記陽極を拭浄し、前記陽極および前
記バンクを覆って絶縁膜を形成することを特徴としてい
る。
たＴＦＴ上に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜上に
絶縁膜を形成し、配線を介して前記ＴＦＴに電気的に接
続された陽極を形成し、前記陽極および前記配線を覆う
樹脂絶縁膜を形成し、エッチングしてバンクを形成し、
加熱処理した後、前記陽極を拭浄し、前記陽極および前
記バンクを覆って絶縁膜を形成することを特徴としてい
る。
【００１７】このように層間絶縁膜と陽極との間に、絶
縁膜を形成することによって、熱膨張率のことなる材料
が接した状態で加熱処理する場合に生じるクラックの発
生を低減することができ、発光素子の長寿命化につなが
る。また、層間絶縁膜から発生するガスや水分が発光素
子に到達するのを防ぐことができる。この絶縁膜は、無
機絶縁膜の他に、プラズマ処理によって表面改質を行い
形成された硬化膜、もしくはＤＬＣ膜でもよい。
縁膜を形成することによって、熱膨張率のことなる材料
が接した状態で加熱処理する場合に生じるクラックの発
生を低減することができ、発光素子の長寿命化につなが
る。また、層間絶縁膜から発生するガスや水分が発光素
子に到達するのを防ぐことができる。この絶縁膜は、無
機絶縁膜の他に、プラズマ処理によって表面改質を行い
形成された硬化膜、もしくはＤＬＣ膜でもよい。
【００１８】さらに、陽極を拭浄することにより、陽極
表面の凹凸を平坦化したり、陽極表面のゴミを除去した
りすることができる。
表面の凹凸を平坦化したり、陽極表面のゴミを除去した
りすることができる。
【００１９】また、陽極および前記バンクを覆って絶縁
膜を形成することにより、有機化合物層に注入される正
孔と電子の量のバランスを整える効果も期待できる。
膜を形成することにより、有機化合物層に注入される正
孔と電子の量のバランスを整える効果も期待できる。
【００２０】また、他の発明の構成は、バンクを形成す
るための樹脂絶縁膜を形成した後、アルカリ金属等の汚
染を回避できる処理室に移動させた後に、前記樹脂絶縁
膜をエッチングすることで、バンクを形成することを特
徴としている。
るための樹脂絶縁膜を形成した後、アルカリ金属等の汚
染を回避できる処理室に移動させた後に、前記樹脂絶縁
膜をエッチングすることで、バンクを形成することを特
徴としている。
【００２１】このようにＴＦＴの半導体膜を保護する絶
縁膜を形成した後、さらに帯電防止処理を行って、ＴＦ
Ｔ基板を形成する第１の処理室（第１のクリーンルー
ム）と発光素子を形成する第２の処理室（第２のクリー
ンルーム）とをわけることにより、発光素子の陰極材料
に用いられるＡｌ、Ｍｇといったアルカリ金属材料から
ＴＦＴの活性層にアルカリ金属が混入してしまう危険性
を低減することができ、ＴＦＴの電気的な特性、経時的
な信頼性を向上させることができる。
縁膜を形成した後、さらに帯電防止処理を行って、ＴＦ
Ｔ基板を形成する第１の処理室（第１のクリーンルー
ム）と発光素子を形成する第２の処理室（第２のクリー
ンルーム）とをわけることにより、発光素子の陰極材料
に用いられるＡｌ、Ｍｇといったアルカリ金属材料から
ＴＦＴの活性層にアルカリ金属が混入してしまう危険性
を低減することができ、ＴＦＴの電気的な特性、経時的
な信頼性を向上させることができる。
【００２２】帯電防止膜には、バンクを形成するための
樹脂絶縁膜、陽極や配線に影響を及ぼさず簡単に除去で
きる材料を用いる。そのような材料としては、帯電防止
に必要な程度の導電性(１０−８[Ｓ／ｍ])を持つ材料が
適している。一般的には有機導体が用いられており、導
電性高分子をスピン塗布法、導電性低分子を蒸着法等に
より形成する。具体的には、ポリエチレンジオキシチオ
フェン（略称；ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（略称；Ｐ
Ａｎｉ）、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチ
レンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニルエーテル、N,N-ビス(2-ヒドロキシエチル)アルキ
ルアミン[アルキルジエタノールアミン]、N-2-ヒドロキ
シエチル-N-2ヒドロキシアルキルアミン[ヒドロキシア
ルキルモノエタノールアミン]、ポリオキシエチレンア
ルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミン脂肪
酸エステル、アルキルジエタノールアマイド、アルキル
スルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキ
ルホスフェート、テトラアルキルアンモニウム塩、トリ
アルキルベンジルアンモニウム塩、アルキルベタイン、
アルキルイミダゾリウムベタイン等が挙げられる。これ
らの材料は水や有機溶剤で簡単に除去することができ
る。さらに、絶縁性の材料、例えばポリイミド、アクリ
ル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ(ベンゾシ
クロブテン)などの有機絶縁体も帯電防止膜として用い
ることができる。これら帯電防止膜は全ての実施例に応
用可能である。
樹脂絶縁膜、陽極や配線に影響を及ぼさず簡単に除去で
きる材料を用いる。そのような材料としては、帯電防止
に必要な程度の導電性(１０−８[Ｓ／ｍ])を持つ材料が
適している。一般的には有機導体が用いられており、導
電性高分子をスピン塗布法、導電性低分子を蒸着法等に
より形成する。具体的には、ポリエチレンジオキシチオ
フェン（略称；ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（略称；Ｐ
Ａｎｉ）、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチ
レンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニルエーテル、N,N-ビス(2-ヒドロキシエチル)アルキ
ルアミン[アルキルジエタノールアミン]、N-2-ヒドロキ
シエチル-N-2ヒドロキシアルキルアミン[ヒドロキシア
ルキルモノエタノールアミン]、ポリオキシエチレンア
ルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミン脂肪
酸エステル、アルキルジエタノールアマイド、アルキル
スルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキ
ルホスフェート、テトラアルキルアンモニウム塩、トリ
アルキルベンジルアンモニウム塩、アルキルベタイン、
アルキルイミダゾリウムベタイン等が挙げられる。これ
らの材料は水や有機溶剤で簡単に除去することができ
る。さらに、絶縁性の材料、例えばポリイミド、アクリ
ル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ(ベンゾシ
クロブテン)などの有機絶縁体も帯電防止膜として用い
ることができる。これら帯電防止膜は全ての実施例に応
用可能である。
【００２３】また、他の発明の構成は、バンクを形成
し、陽極の加熱処理を行って結晶化した後、前記バンク
表面をプラズマ処理する工程を含むことを特徴としてい
る。
し、陽極の加熱処理を行って結晶化した後、前記バンク
表面をプラズマ処理する工程を含むことを特徴としてい
る。
【００２４】このようにバンク表面をプラズマ処理して
表面改質を行い硬化膜を形成することにより、バンクか
ら水分が放出され発光素子を劣化させるのを防ぐことが
できる。
表面改質を行い硬化膜を形成することにより、バンクか
ら水分が放出され発光素子を劣化させるのを防ぐことが
できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】基板１００上にＴＦＴ１０１を形
成する。ここで示したＴＦＴは、発光素子に流れる電流
を制御するためのＴＦＴであり、本明細書中においては
電流制御用ＴＦＴ１０１と称する（図１（Ａ））。
成する。ここで示したＴＦＴは、発光素子に流れる電流
を制御するためのＴＦＴであり、本明細書中においては
電流制御用ＴＦＴ１０１と称する（図１（Ａ））。
【００２６】次いで、電流制御用ＴＦＴ１０１上に、層
間絶縁膜１０２を形成し平坦化を行う。層間絶縁膜１０
２としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリ
イミドアミド、エポキシ系樹脂膜、ＢＣＢ（ベンゾシク
ロブテン）といった有機樹脂材料を用いることができ、
平均膜厚を１．０〜２．０μｍ程度で形成する。層間絶
縁膜１０２を形成することにより、良好に平坦化を行う
ことができる。また、有機樹脂材料は、一般に誘電率が
低いため、寄生容量を低減できる。
間絶縁膜１０２を形成し平坦化を行う。層間絶縁膜１０
２としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリ
イミドアミド、エポキシ系樹脂膜、ＢＣＢ（ベンゾシク
ロブテン）といった有機樹脂材料を用いることができ、
平均膜厚を１．０〜２．０μｍ程度で形成する。層間絶
縁膜１０２を形成することにより、良好に平坦化を行う
ことができる。また、有機樹脂材料は、一般に誘電率が
低いため、寄生容量を低減できる。
【００２７】次いで、層間絶縁膜１０２からの脱ガスが
発光素子に悪影響を及ぼさないように層間絶縁膜１０２
上に第１の絶縁膜１０３を形成する。第１の絶縁膜１０
３は、無機絶縁膜、代表的には、酸化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み
合わせた積層膜で形成すればよく、プラズマＣＶＤ法で
反応圧力２０〜２００Ｐａ、基板温度３００〜４００℃
とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）で電力密度０．１〜
１．０Ｗ/cm2で放電させて形成する。もしくは、層間絶
縁膜表面にプラズマ処理をして、水素、窒素、ハロゲン
化炭素、弗化水素または希ガスから選ばれた一種または
複数種の気体元素を含む硬化膜を形成してもよい。
発光素子に悪影響を及ぼさないように層間絶縁膜１０２
上に第１の絶縁膜１０３を形成する。第１の絶縁膜１０
３は、無機絶縁膜、代表的には、酸化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み
合わせた積層膜で形成すればよく、プラズマＣＶＤ法で
反応圧力２０〜２００Ｐａ、基板温度３００〜４００℃
とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）で電力密度０．１〜
１．０Ｗ/cm2で放電させて形成する。もしくは、層間絶
縁膜表面にプラズマ処理をして、水素、窒素、ハロゲン
化炭素、弗化水素または希ガスから選ばれた一種または
複数種の気体元素を含む硬化膜を形成してもよい。
【００２８】その後、所望のパターンのレジストマスク
を形成し、電流制御用ＴＦＴ１０１のドレイン領域に達
するコンタクトホールを形成して、配線１０４を形成す
る。配線材料としては、導電性の金属膜としてＡｌやＴ
ｉの他、これらの合金材料を用い、スパッタ法や真空蒸
着法で成膜した後、所望の形状にパターニングすればよ
い。
を形成し、電流制御用ＴＦＴ１０１のドレイン領域に達
するコンタクトホールを形成して、配線１０４を形成す
る。配線材料としては、導電性の金属膜としてＡｌやＴ
ｉの他、これらの合金材料を用い、スパッタ法や真空蒸
着法で成膜した後、所望の形状にパターニングすればよ
い。
【００２９】次いで、発光素子の陽極となる透明導電膜
１０５を形成する。透明導電膜１０５としては、代表的
には酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）または酸化インジ
ウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明
導電膜を用いて形成する。
１０５を形成する。透明導電膜１０５としては、代表的
には酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）または酸化インジ
ウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明
導電膜を用いて形成する。
【００３０】続いて、透明導電膜１０５をエッチングし
て陽極を形成する。その後にバンク１０７を形成し、２
３０〜３５０℃で加熱処理を行う。なお、本明細書中で
は、陽極上に開口部を有し、かつ陽極端部を覆って設け
られた絶縁膜のことをバンクと称する（図１（Ｂ）、
（Ｃ））。
て陽極を形成する。その後にバンク１０７を形成し、２
３０〜３５０℃で加熱処理を行う。なお、本明細書中で
は、陽極上に開口部を有し、かつ陽極端部を覆って設け
られた絶縁膜のことをバンクと称する（図１（Ｂ）、
（Ｃ））。
【００３１】次いで、陽極１０６の表面を洗浄液ととも
にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）系の多孔質体を用い
て拭い、陽極１０６表面の平坦化およびゴミ等の除去を
行う。なお、本明細書において、陽極表面をＰＶＡ（ポ
リビニルアルコール）系の多孔質体などを用いて拭い、
平坦化およびゴミの除去を行う処理のことを拭浄と称す
ることとする。
にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）系の多孔質体を用い
て拭い、陽極１０６表面の平坦化およびゴミ等の除去を
行う。なお、本明細書において、陽極表面をＰＶＡ（ポ
リビニルアルコール）系の多孔質体などを用いて拭い、
平坦化およびゴミの除去を行う処理のことを拭浄と称す
ることとする。
【００３２】陽極の表面を拭浄処理した後、第２の絶縁
膜１１０を形成し、第２の絶縁膜１１０上に有機化合物
層１１１、陰極１１２を形成する。第２の絶縁膜１１０
は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル等の有機樹脂絶
縁膜をスピンコート法を用いて、１〜５ｎｍの膜厚で形
成する。
膜１１０を形成し、第２の絶縁膜１１０上に有機化合物
層１１１、陰極１１２を形成する。第２の絶縁膜１１０
は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル等の有機樹脂絶
縁膜をスピンコート法を用いて、１〜５ｎｍの膜厚で形
成する。
【００３３】有機化合物層１１１は、発光層の他に正孔
注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注
入層およびバッファー層といった複数の層を組み合わせ
て積層し形成される。有機化合物層１１１としての膜厚
は、１０〜４００ｎｍ程度が好ましい。
注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注
入層およびバッファー層といった複数の層を組み合わせ
て積層し形成される。有機化合物層１１１としての膜厚
は、１０〜４００ｎｍ程度が好ましい。
【００３４】陰極１１２は、有機化合物層１１１成膜後
に、蒸着法により形成する。陰極１１２となる材料とし
ては、ＭｇＡｇやＡｌ−Ｌｉ合金（アルミニウムとリチ
ウムの合金）の他に、周期表の１族もしくは２族に属す
る元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜を
用いても良い。なお、陰極１１２の膜厚は、８０〜２０
０ｎｍ程度が好ましい。
に、蒸着法により形成する。陰極１１２となる材料とし
ては、ＭｇＡｇやＡｌ−Ｌｉ合金（アルミニウムとリチ
ウムの合金）の他に、周期表の１族もしくは２族に属す
る元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜を
用いても良い。なお、陰極１１２の膜厚は、８０〜２０
０ｎｍ程度が好ましい。
【００３５】ここで、拭浄処理を行うことによる透明性
導電膜の表面の状態について、原子間力顕微鏡(ＡＦＭ:
Atomic Force Microscope)を用いて表面観察を行った結
果を図１４〜１６に示す。
導電膜の表面の状態について、原子間力顕微鏡(ＡＦＭ:
Atomic Force Microscope)を用いて表面観察を行った結
果を図１４〜１６に示す。
【００３６】なお、本実施例における表面観察には、ガ
ラス基板上に１１０ｎｍの膜厚で成膜されたＩＴＯ膜を
２５０℃で熱処理することにより結晶化したものを測定
表面として用いる。
ラス基板上に１１０ｎｍの膜厚で成膜されたＩＴＯ膜を
２５０℃で熱処理することにより結晶化したものを測定
表面として用いる。
【００３７】図１４、１５においてＡＦＭにより観察さ
れた基板表面の凹凸形状を示す。なお、図１４には、拭
浄処理前の測定表面を観察した結果を示し、図１５に
は、拭浄処理後の測定表面を観察した結果を示す。
れた基板表面の凹凸形状を示す。なお、図１４には、拭
浄処理前の測定表面を観察した結果を示し、図１５に
は、拭浄処理後の測定表面を観察した結果を示す。
【００３８】図１６には、拭浄用のＰＶＡ系の多孔質材
料としてベルクリン（小津産業製）を用いた拭浄処理の
前後における平均面粗さ（Ｒａ）を示している。なお、
ここでいう平均面粗さとは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で定義
されている中心線平均粗さを面に対して適用できるよう
三次元に拡張したものである。この結果から、拭浄処理
後は、測定表面における平均面粗さは小さくなり、平坦
性が増していることが分かる。
料としてベルクリン（小津産業製）を用いた拭浄処理の
前後における平均面粗さ（Ｒａ）を示している。なお、
ここでいう平均面粗さとは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で定義
されている中心線平均粗さを面に対して適用できるよう
三次元に拡張したものである。この結果から、拭浄処理
後は、測定表面における平均面粗さは小さくなり、平坦
性が増していることが分かる。
【００３９】
【実施例】（実施例１）本実施例においては、本発明を
用いて作製される発光素子について説明する。なお、こ
こでは、同一基板上に本発明の発光素子を有する画素部
と、画素部の周辺に設ける駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネ
ル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）を同時に作製する
方法の一例について図３〜図６を用いて説明する。
用いて作製される発光素子について説明する。なお、こ
こでは、同一基板上に本発明の発光素子を有する画素部
と、画素部の周辺に設ける駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネ
ル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）を同時に作製する
方法の一例について図３〜図６を用いて説明する。
【００４０】まず、本実施例ではコーニング社の＃７０
５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウ
ムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラス
などのガラスからなる基板９００を用いる。なお、基板
９００としては、透光性を有する基板であれば限定され
ず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温
度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いて
もよい。
５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウ
ムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラス
などのガラスからなる基板９００を用いる。なお、基板
９００としては、透光性を有する基板であれば限定され
ず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温
度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いて
もよい。
【００４１】次いで、図３（Ａ）に示すように、基板９
００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜
などの絶縁膜から成る下地絶縁膜９０１を形成する。本
実施例では下地絶縁膜９０１として２層構造を用いる
が、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造
を用いても良い。下地絶縁膜９０１の一層目としては、
プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏ
を反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜９０１ａを
１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成
する。本実施例では、膜厚５０ｎｍの酸化窒化珪素膜９
０１ａ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４
％、Ｈ＝１７％）を形成した。次いで、下地絶縁膜９０
１の２層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ
4、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素
膜９０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１
５０ｎｍ）の厚さに積層形成する。本実施例では、膜厚
１００ｎｍの酸化窒化珪素膜９０１ｂ（組成比Ｓｉ＝３
２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成した。
００上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜
などの絶縁膜から成る下地絶縁膜９０１を形成する。本
実施例では下地絶縁膜９０１として２層構造を用いる
が、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造
を用いても良い。下地絶縁膜９０１の一層目としては、
プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ4、ＮＨ3、及びＮ2Ｏ
を反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜９０１ａを
１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成
する。本実施例では、膜厚５０ｎｍの酸化窒化珪素膜９
０１ａ（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４
％、Ｈ＝１７％）を形成した。次いで、下地絶縁膜９０
１の２層目としては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ
4、及びＮ2Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素
膜９０１ｂを５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１
５０ｎｍ）の厚さに積層形成する。本実施例では、膜厚
１００ｎｍの酸化窒化珪素膜９０１ｂ（組成比Ｓｉ＝３
２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成した。
【００４２】次いで、下地絶縁膜９０１上に半導体層９
０２〜９０５を形成する。半導体層９０２〜９０５は、
非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ
法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により
成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱
結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化
法等）を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状に
パターニングして形成する。この半導体層９０２〜９０
５の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎ
ｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定は
ないが、好ましくは珪素（シリコン）またはシリコンゲ
ルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０
２））合金などで形成すると良い。本実施例では、プラ
ズマＣＶＤ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜を成膜し
た後、ニッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に保持させ
た。この非晶質珪素膜に脱水素化（５００℃、１時間）
を行った後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行い、さ
らに結晶化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を行
って結晶質珪素膜を形成した。そして、この結晶質珪素
膜をフォトリソグラフィー法を用いたパターニング処理
によって、半導体層９０２〜９０５を形成した。
０２〜９０５を形成する。半導体層９０２〜９０５は、
非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ
法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により
成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱
結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化
法等）を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状に
パターニングして形成する。この半導体層９０２〜９０
５の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎ
ｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定は
ないが、好ましくは珪素（シリコン）またはシリコンゲ
ルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０
２））合金などで形成すると良い。本実施例では、プラ
ズマＣＶＤ法を用い、５５ｎｍの非晶質珪素膜を成膜し
た後、ニッケルを含む溶液を非晶質珪素膜上に保持させ
た。この非晶質珪素膜に脱水素化（５００℃、１時間）
を行った後、熱結晶化（５５０℃、４時間）を行い、さ
らに結晶化を改善するためのレーザーアニ―ル処理を行
って結晶質珪素膜を形成した。そして、この結晶質珪素
膜をフォトリソグラフィー法を用いたパターニング処理
によって、半導体層９０２〜９０５を形成した。
【００４３】また、半導体層９０２〜９０５を形成した
後、ＴＦＴのしきい値を制御するために、半導体層９０
２〜９０５に微量な不純物元素（ボロンまたはリン）を
ドーピングしてもよい。
後、ＴＦＴのしきい値を制御するために、半導体層９０
２〜９０５に微量な不純物元素（ボロンまたはリン）を
ドーピングしてもよい。
【００４４】また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜
を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型の
エキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザー
を用いることができる。これらのレーザーを用いる場合
には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学
系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良
い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものである
が、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数
３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４
００ｍＪ／ｃｍ2(代表的には２００〜３００ｍＪ／ｃｍ
2)とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその
第２高調波を用いパルス発振周波数３０〜３００ｋＨｚ
とし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００ｍＪ／
ｃｍ2(代表的には３５０〜５００ｍＪ／ｃｍ2)とすると
良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μ
ｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射
し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバー
ラップ率）を５０〜９０％として行えばよい。
を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型の
エキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ4レーザー
を用いることができる。これらのレーザーを用いる場合
には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学
系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良
い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものである
が、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数
３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４
００ｍＪ／ｃｍ2(代表的には２００〜３００ｍＪ／ｃｍ
2)とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその
第２高調波を用いパルス発振周波数３０〜３００ｋＨｚ
とし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００ｍＪ／
ｃｍ2(代表的には３５０〜５００ｍＪ／ｃｍ2)とすると
良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μ
ｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射
し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバー
ラップ率）を５０〜９０％として行えばよい。
【００４５】次いで、半導体層９０２〜９０５を覆うゲ
ート絶縁膜９０６を形成する。ゲート絶縁膜９０６はプ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜
１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施
例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍの厚さで酸
化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝
７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、ゲート絶縁膜は酸
化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む
絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
ート絶縁膜９０６を形成する。ゲート絶縁膜９０６はプ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜
１５０ｎｍとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施
例では、プラズマＣＶＤ法により１１０ｎｍの厚さで酸
化窒化珪素膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝
７％、Ｈ＝２％）で形成した。勿論、ゲート絶縁膜は酸
化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む
絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００４６】また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラ
ズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）
とＯ2とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００
〜４００℃とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密度
０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ2で放電させて形成することが
できる。このようにして作製される酸化珪素膜は、その
後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜と
して良好な特性を得ることができる。
ズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）
とＯ2とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００
〜４００℃とし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密度
０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ2で放電させて形成することが
できる。このようにして作製される酸化珪素膜は、その
後４００〜５００℃の熱アニールによりゲート絶縁膜と
して良好な特性を得ることができる。
【００４７】そして、ゲート絶縁膜９０６上にゲート電
極を形成するための耐熱性導電層９０７を２００〜４０
０ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）の厚さで形成
する。耐熱性導電層９０７は単層で形成しても良いし、
必要に応じて二層あるいは三層といった複数の層から成
る積層構造としても良い。耐熱性導電層にはＴａ、Ｔ
ｉ、Ｗから選ばれた元素、または前記元素を成分とする
合金か、前記元素を組み合わせた合金膜が含まれる。こ
れらの耐熱性導電層はスパッタ法やＣＶＤ法で形成され
るものであり、低抵抗化を図るために含有する不純物濃
度を低減させることが好ましく、特に酸素濃度に関して
は３０ｐｐｍ以下とすると良い。本実施例ではＷ膜を３
００ｎｍの厚さで形成する。Ｗ膜はＷをターゲットとし
てスパッタ法で形成しても良いし、６フッ化タングステ
ン（ＷＦ6）を用いて熱ＣＶＤ法で形成することもでき
る。いずれにしてもゲート電極として使用するためには
低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃ
ｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくす
ることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素
などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵
抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度
９９．９〜９９．９９９９％のＷターゲットを用い、さ
らに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十
分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０
μΩｃｍを実現することができる。
極を形成するための耐熱性導電層９０７を２００〜４０
０ｎｍ（好ましくは２５０〜３５０ｎｍ）の厚さで形成
する。耐熱性導電層９０７は単層で形成しても良いし、
必要に応じて二層あるいは三層といった複数の層から成
る積層構造としても良い。耐熱性導電層にはＴａ、Ｔ
ｉ、Ｗから選ばれた元素、または前記元素を成分とする
合金か、前記元素を組み合わせた合金膜が含まれる。こ
れらの耐熱性導電層はスパッタ法やＣＶＤ法で形成され
るものであり、低抵抗化を図るために含有する不純物濃
度を低減させることが好ましく、特に酸素濃度に関して
は３０ｐｐｍ以下とすると良い。本実施例ではＷ膜を３
００ｎｍの厚さで形成する。Ｗ膜はＷをターゲットとし
てスパッタ法で形成しても良いし、６フッ化タングステ
ン（ＷＦ6）を用いて熱ＣＶＤ法で形成することもでき
る。いずれにしてもゲート電極として使用するためには
低抵抗化を図る必要があり、Ｗ膜の抵抗率は２０μΩｃ
ｍ以下にすることが望ましい。Ｗ膜は結晶粒を大きくす
ることで低抵抗率化を図ることができるが、Ｗ中に酸素
などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵
抗化する。このことより、スパッタ法による場合、純度
９９．９〜９９．９９９９％のＷターゲットを用い、さ
らに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十
分配慮してＷ膜を形成することにより、抵抗率９〜２０
μΩｃｍを実現することができる。
【００４８】一方、耐熱性導電層９０７にＴａ膜を用い
る場合には、同様にスパッタ法で形成することが可能で
ある。Ｔａ膜はスパッタガスにＡｒを用いる。また、ス
パッタ時のガス中に適量のＸｅやＫｒを加えておくと、
形成する膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止するこ
とができる。α相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ程度
でありゲート電極に使用することができるが、β相のＴ
ａ膜の抵抗率は１８０μΩｃｍ程度でありゲート電極と
するには不向きであった。ＴａＮ膜はα相に近い結晶構
造を持つので、Ｔａ膜の下地にＴａＮ膜を形成すればα
相のＴａ膜が容易に得られる。また、図示しないが、耐
熱性導電層９０７の下に２〜２０ｎｍ程度の厚さでリン
（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成しておくことは有
効である。これにより、その上に形成される導電膜の密
着性向上と酸化防止を図ると同時に、耐熱性導電層９０
７、９０８中に微量に存在しているアルカリ金属元素が
第１の形状のゲート絶縁膜９０６に拡散するのを防ぐこ
とができる。いずれにしても、耐熱性導電層９０７は抵
抗率を１０〜５０μΩｃｍの範囲ですることが好まし
い。
る場合には、同様にスパッタ法で形成することが可能で
ある。Ｔａ膜はスパッタガスにＡｒを用いる。また、ス
パッタ時のガス中に適量のＸｅやＫｒを加えておくと、
形成する膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止するこ
とができる。α相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩｃｍ程度
でありゲート電極に使用することができるが、β相のＴ
ａ膜の抵抗率は１８０μΩｃｍ程度でありゲート電極と
するには不向きであった。ＴａＮ膜はα相に近い結晶構
造を持つので、Ｔａ膜の下地にＴａＮ膜を形成すればα
相のＴａ膜が容易に得られる。また、図示しないが、耐
熱性導電層９０７の下に２〜２０ｎｍ程度の厚さでリン
（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成しておくことは有
効である。これにより、その上に形成される導電膜の密
着性向上と酸化防止を図ると同時に、耐熱性導電層９０
７、９０８中に微量に存在しているアルカリ金属元素が
第１の形状のゲート絶縁膜９０６に拡散するのを防ぐこ
とができる。いずれにしても、耐熱性導電層９０７は抵
抗率を１０〜５０μΩｃｍの範囲ですることが好まし
い。
【００４９】本実施例においては、第１層目の導電層
（第１導電膜９０７）にＴａＮ膜、第２層目の導電層
（第２導電膜９０８）にＷ膜を形成した（図３
（Ａ））。
（第１導電膜９０７）にＴａＮ膜、第２層目の導電層
（第２導電膜９０８）にＷ膜を形成した（図３
（Ａ））。
【００５０】次に、フォトリソグラフィーの技術を使用
してレジストによるマスク９０９を形成する。そして、
第１のエッチング処理を行う。第１のエッチング処理
は、第１のエッチング条件および第２のエッチング条件
で行われる。
してレジストによるマスク９０９を形成する。そして、
第１のエッチング処理を行う。第１のエッチング処理
は、第１のエッチング条件および第２のエッチング条件
で行われる。
【００５１】本実施例ではＩＣＰエッチング装置を用
い、エッチング用ガスにＣｌ2とＣＦ4Ｏ2を用い、それ
ぞれのガス流量比を２５／２５／１０とし、１Ｐａの圧
力で３．２Ｗ／ｃｍ2のＲＦ（１３.５６ＭＨｚ）電力を
投入してプラズマを形成して行う。基板側（試料ステー
ジ）にも２２４ｍＷ／ｃｍ2のＲＦ（１３.５６ＭＨｚ）
電力を投入し、これにより実質的に負の自己バイアス電
圧が印加される。第１のエッチング条件によりＷ膜をエ
ッチングする。続いて、レジストからなるマスクを除去
せずに第２のエッチング条件に変えてエッチング用ガス
にＣＦ4およびＣｌ2を用いて、それぞれのガス流量比を
３０／３０ｓｃｃｍとし、１Ｐａの圧力でＲＦ（１３.
５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを形成して行う。
基板側（試料ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３.５６
ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧
を印加する。
い、エッチング用ガスにＣｌ2とＣＦ4Ｏ2を用い、それ
ぞれのガス流量比を２５／２５／１０とし、１Ｐａの圧
力で３．２Ｗ／ｃｍ2のＲＦ（１３.５６ＭＨｚ）電力を
投入してプラズマを形成して行う。基板側（試料ステー
ジ）にも２２４ｍＷ／ｃｍ2のＲＦ（１３.５６ＭＨｚ）
電力を投入し、これにより実質的に負の自己バイアス電
圧が印加される。第１のエッチング条件によりＷ膜をエ
ッチングする。続いて、レジストからなるマスクを除去
せずに第２のエッチング条件に変えてエッチング用ガス
にＣＦ4およびＣｌ2を用いて、それぞれのガス流量比を
３０／３０ｓｃｃｍとし、１Ｐａの圧力でＲＦ（１３.
５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを形成して行う。
基板側（試料ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３.５６
ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧
を印加する。
【００５２】第１のエッチング処理により第１のテーパ
形状を有する導電層９１０〜９１３が形成される。導電
層９１０〜９１３のテーパー部の角度は１５〜３０°と
なるように形成される。残渣を残すことなくエッチング
するためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時
間を増加させるオーバーエッチングを施すものとする。
Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜（ゲート絶縁膜９０
６）の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オ
ーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露
出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる（図３
（Ｂ））。
形状を有する導電層９１０〜９１３が形成される。導電
層９１０〜９１３のテーパー部の角度は１５〜３０°と
なるように形成される。残渣を残すことなくエッチング
するためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時
間を増加させるオーバーエッチングを施すものとする。
Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜（ゲート絶縁膜９０
６）の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オ
ーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露
出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる（図３
（Ｂ））。
【００５３】そして、第１のドーピング処理を行い一導
電型の不純物元素を半導体層に添加する。ここでは、レ
ジストからなるマスク９０９を除去せずにｎ型を付与す
る不純物元素添加の工程を行う。半導体層９０２〜９０
５の一部に第１のテーパ形状を有する導電膜９１０〜９
１３をマスクとして自己整合的に不純物を添加し、第１
のｎ型不純物領域９１４〜９１７を形成する。ｎ型を付
与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的に
はリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここでは
リン（Ｐ）を用い、イオンドープ法により第１のｎ型不
純物領域９１４〜９１７には１×１０20〜１×１０21at
oｍs／ｃｍ3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素が
添加される（図３（Ｂ））。
電型の不純物元素を半導体層に添加する。ここでは、レ
ジストからなるマスク９０９を除去せずにｎ型を付与す
る不純物元素添加の工程を行う。半導体層９０２〜９０
５の一部に第１のテーパ形状を有する導電膜９１０〜９
１３をマスクとして自己整合的に不純物を添加し、第１
のｎ型不純物領域９１４〜９１７を形成する。ｎ型を付
与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的に
はリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いるが、ここでは
リン（Ｐ）を用い、イオンドープ法により第１のｎ型不
純物領域９１４〜９１７には１×１０20〜１×１０21at
oｍs／ｃｍ3の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素が
添加される（図３（Ｂ））。
【００５４】次にレジストからなるマスクを除去せずに
第２のエッチング処理を行う。第２のエッチング処理
は、第３のエッチング条件および第４のエッチング条件
で行う。第２のエッチング処理も第１のエッチング処理
と同様にＩＣＰエッチング装置により行い、エッチング
ガスにＣＦ4およびＣｌ2を用い、それぞれのガス流量比
を３０／３０ｓｃｃｍとし、１Ｐａの圧力でＲＦ（１
３.５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを形成して行
う。基板側（試料ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３.
５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス
電圧を印加する。この第３のエッチング条件により、Ｗ
膜およびＴａＮ膜とも同程度にエッチングされた導電膜
９１８〜９２１が形成される（図３（Ｃ））。
第２のエッチング処理を行う。第２のエッチング処理
は、第３のエッチング条件および第４のエッチング条件
で行う。第２のエッチング処理も第１のエッチング処理
と同様にＩＣＰエッチング装置により行い、エッチング
ガスにＣＦ4およびＣｌ2を用い、それぞれのガス流量比
を３０／３０ｓｃｃｍとし、１Ｐａの圧力でＲＦ（１
３.５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを形成して行
う。基板側（試料ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３.
５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス
電圧を印加する。この第３のエッチング条件により、Ｗ
膜およびＴａＮ膜とも同程度にエッチングされた導電膜
９１８〜９２１が形成される（図３（Ｃ））。
【００５５】この後、レジストからなるマスクをそのま
まに第４のエッチング条件に変えて、エッチング用ガス
にＣＦ4とＣｌ2およびＯ2の混合ガスを用い、１Ｐａの
圧力でＲＦ電力（１３.５６ＭＨｚ）電力を投入してプ
ラズマを形成して行う。基板側（試料ステージ）にも２
０ＷのＲＦ（１３.５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的
に負の自己バイアス電圧を印加する。この第４のエッチ
ング条件でＷ膜をエッチングして、第２の形状の導電膜
９２２〜９２５を形成する（図３（Ｄ））。
まに第４のエッチング条件に変えて、エッチング用ガス
にＣＦ4とＣｌ2およびＯ2の混合ガスを用い、１Ｐａの
圧力でＲＦ電力（１３.５６ＭＨｚ）電力を投入してプ
ラズマを形成して行う。基板側（試料ステージ）にも２
０ＷのＲＦ（１３.５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的
に負の自己バイアス電圧を印加する。この第４のエッチ
ング条件でＷ膜をエッチングして、第２の形状の導電膜
９２２〜９２５を形成する（図３（Ｄ））。
【００５６】次いで、第２のドーピング工程（第２の形
状の第１の導電膜９２２ａ〜９２５ａを介して半導体層
にｎ型不純物元素の添加）を行い、第１のｎ型不純物領
域９１４〜９１７と接するチャネル形成領域側に第２の
ｎ型不純物領域９２６〜９２９とを形成する。第２のｎ
型不純物領域における不純物濃度は、１×１０16〜１×
１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるようにする。この第２
のドーピング工程においては、１層目の第２の形状の導
電膜９２２ａ〜９２５ａのテーパ部を介しても半導体層
にｎ型不純物元素が添加されるような条件になってお
り、本明細書において、１層目の第２の形状の導電膜９
２２ａ〜９２５ａと重なる第２のｎ型不純物領域をＬov
（ovはoverlappedの意味で付す）領域、１層目の第２の
形状の導電膜９２２ａ〜９２５ａとは重ならない第２の
ｎ型不純物領域をＬoff（offはoffsetの意味で付す）と
いうこととする（図４（Ａ））。
状の第１の導電膜９２２ａ〜９２５ａを介して半導体層
にｎ型不純物元素の添加）を行い、第１のｎ型不純物領
域９１４〜９１７と接するチャネル形成領域側に第２の
ｎ型不純物領域９２６〜９２９とを形成する。第２のｎ
型不純物領域における不純物濃度は、１×１０16〜１×
１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるようにする。この第２
のドーピング工程においては、１層目の第２の形状の導
電膜９２２ａ〜９２５ａのテーパ部を介しても半導体層
にｎ型不純物元素が添加されるような条件になってお
り、本明細書において、１層目の第２の形状の導電膜９
２２ａ〜９２５ａと重なる第２のｎ型不純物領域をＬov
（ovはoverlappedの意味で付す）領域、１層目の第２の
形状の導電膜９２２ａ〜９２５ａとは重ならない第２の
ｎ型不純物領域をＬoff（offはoffsetの意味で付す）と
いうこととする（図４（Ａ））。
【００５７】次いで、図４（Ｂ）に示すように、後のｐ
チャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層９０２、９０
５に一導電型とは逆の導電型の不純物領域９３２（９３
２ａ、９３２ｂ）及び９３３（９３３ａ、９３３ｂ）を
形成する。この場合も第２の形状の導電層９２２、９２
５をマスクとしてｐ型を付与する不純物元素を添加し、
自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、後のｎ
チャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層９０３、９０
４は、レジストからなるマスク９３０、９３１を形成し
全面を被覆しておく。ここで形成されるｐ型不純物領域
９３２、９３３はジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンド
ープ法で形成し、ｐ型不純物領域９３２、９３３のｐ型
を付与する不純物元素の濃度は、２×１０20〜２×１０
21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるようにする。
チャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層９０２、９０
５に一導電型とは逆の導電型の不純物領域９３２（９３
２ａ、９３２ｂ）及び９３３（９３３ａ、９３３ｂ）を
形成する。この場合も第２の形状の導電層９２２、９２
５をマスクとしてｐ型を付与する不純物元素を添加し、
自己整合的に不純物領域を形成する。このとき、後のｎ
チャネル型ＴＦＴの活性層となる半導体層９０３、９０
４は、レジストからなるマスク９３０、９３１を形成し
全面を被覆しておく。ここで形成されるｐ型不純物領域
９３２、９３３はジボラン（Ｂ2Ｈ6）を用いたイオンド
ープ法で形成し、ｐ型不純物領域９３２、９３３のｐ型
を付与する不純物元素の濃度は、２×１０20〜２×１０
21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3となるようにする。
【００５８】ｐ型不純物領域９３２、９３３には詳細に
はｎ型を付与する不純物元素が含有されているが、これ
らの不純物領域９３２、９３３のｐ型を付与する不純物
元素の濃度は、ｎ型を付与する不純物元素の濃度の１．
５から３倍となるように添加されることによりｐ型不純
物領域でｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイ
ン領域として機能するために何ら問題は生じない。
はｎ型を付与する不純物元素が含有されているが、これ
らの不純物領域９３２、９３３のｐ型を付与する不純物
元素の濃度は、ｎ型を付与する不純物元素の濃度の１．
５から３倍となるように添加されることによりｐ型不純
物領域でｐチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイ
ン領域として機能するために何ら問題は生じない。
【００５９】その後、図４（Ｃ）に示すように、第２の
形状を有する導電層９２２〜９２５およびゲート絶縁膜
９０６上に第１の層間絶縁膜９３４を形成する。第１の
層間絶縁膜９３４は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン
膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層
膜で形成すれば良い。いずれにしても第１の層間絶縁膜
９３４は無機絶縁材料から形成する。第１の層間絶縁膜
９３４の膜厚は１００〜２００ｎｍとする。第１の層間
絶縁膜９３４として酸化シリコン膜を用いる場合には、
プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳとＯ2とを混合し、反応圧
力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波
（１３．５６ＭＨｚ）電力密度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ
2で放電させて形成することができる。また、第１の層
間絶縁膜９３４として酸化窒化シリコン膜を用いる場合
には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3から
作製される酸化窒化シリコン膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ
から作製される酸化窒化シリコン膜で形成すれば良い。
この場合の作製条件は反応圧力２０〜２００Ｐａ、基板
温度３００〜４００℃とし、高周波（６０ＭＨｚ）電力
密度０．１〜１．０Ｗ／ｃｍ2で形成することができ
る。また、第１の層間絶縁膜９３４としてＳｉＨ4、Ｎ2
Ｏ、Ｈ2から作製される酸化窒化水素化シリコン膜を適
用しても良い。窒化シリコン膜も同様にプラズマＣＶＤ
法でＳｉＨ4、ＮＨ3から作製することが可能である。
形状を有する導電層９２２〜９２５およびゲート絶縁膜
９０６上に第１の層間絶縁膜９３４を形成する。第１の
層間絶縁膜９３４は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン
膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層
膜で形成すれば良い。いずれにしても第１の層間絶縁膜
９３４は無機絶縁材料から形成する。第１の層間絶縁膜
９３４の膜厚は１００〜２００ｎｍとする。第１の層間
絶縁膜９３４として酸化シリコン膜を用いる場合には、
プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳとＯ2とを混合し、反応圧
力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波
（１３．５６ＭＨｚ）電力密度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ
2で放電させて形成することができる。また、第１の層
間絶縁膜９３４として酸化窒化シリコン膜を用いる場合
には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3から
作製される酸化窒化シリコン膜、またはＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ
から作製される酸化窒化シリコン膜で形成すれば良い。
この場合の作製条件は反応圧力２０〜２００Ｐａ、基板
温度３００〜４００℃とし、高周波（６０ＭＨｚ）電力
密度０．１〜１．０Ｗ／ｃｍ2で形成することができ
る。また、第１の層間絶縁膜９３４としてＳｉＨ4、Ｎ2
Ｏ、Ｈ2から作製される酸化窒化水素化シリコン膜を適
用しても良い。窒化シリコン膜も同様にプラズマＣＶＤ
法でＳｉＨ4、ＮＨ3から作製することが可能である。
【００６０】そして、それぞれの濃度で添加されたｎ型
またはｐ型を付与する不純物元素を活性化する工程を行
う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニー
ル法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラ
ピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用すること
ができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ以下、
好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜
７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであ
り、本実施例では５５０℃で４時間の熱処理を行った。
また、基板９００に耐熱温度が低いプラスチック基板を
用いる場合にはレーザーアニール法を適用することが好
ましい。
またはｐ型を付与する不純物元素を活性化する工程を行
う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニー
ル法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラ
ピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）を適用すること
ができる。熱アニール法では酸素濃度が１ｐｐｍ以下、
好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜
７００℃、代表的には５００〜６００℃で行うものであ
り、本実施例では５５０℃で４時間の熱処理を行った。
また、基板９００に耐熱温度が低いプラスチック基板を
用いる場合にはレーザーアニール法を適用することが好
ましい。
【００６１】この加熱処理工程において、半導体層を結
晶化させる工程で用いた触媒元素（ニッケル）が、ゲッ
タリング作用を有する周期表の１５族に属する元素（本
実施例ではリン）が高濃度に添加された第１のｎ型不純
物領域に移動（ゲッタリング）させ、チャネル形成領域
における触媒元素の濃度を低減することができる。
晶化させる工程で用いた触媒元素（ニッケル）が、ゲッ
タリング作用を有する周期表の１５族に属する元素（本
実施例ではリン）が高濃度に添加された第１のｎ型不純
物領域に移動（ゲッタリング）させ、チャネル形成領域
における触媒元素の濃度を低減することができる。
【００６２】活性化の工程に続いて、雰囲気ガスを変化
させ、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜
４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、半導体層を水
素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素
により半導体層にある１０16〜１０18／ｃｍ3のダング
リングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段
として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水
素を用いる）を行っても良い。いずれにしても、半導体
層９０２〜９０５中の欠陥密度を１０16／ｃｍ 3以下と
することが望ましく、そのために水素を０．０１〜０．
１ａｔｏｍｉｃ％程度付与すれば良い。
させ、３〜１００％の水素を含む雰囲気中で、３００〜
４５０℃で１〜１２時間の熱処理を行い、半導体層を水
素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素
により半導体層にある１０16〜１０18／ｃｍ3のダング
リングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段
として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された水
素を用いる）を行っても良い。いずれにしても、半導体
層９０２〜９０５中の欠陥密度を１０16／ｃｍ 3以下と
することが望ましく、そのために水素を０．０１〜０．
１ａｔｏｍｉｃ％程度付与すれば良い。
【００６３】そして、有機絶縁物材料からなる第２の層
間絶縁膜９３５を１．０〜２．０μｍの平均膜厚で形成
する。有機樹脂材料としては、ポリイミド、アクリル、
ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロ
ブテン）等を使用することができる。例えば、基板に塗
布後、熱重合するタイプのポリイミドを用いる場合に
は、クリーンオーブンで３００℃で焼成して形成する。
また、アクリルを用いる場合には、２液性のものを用
い、主材と硬化剤を混合した後、スピナーを用いて基板
全面に塗布した後、ホットプレートで８０℃で６０秒の
予備加熱を行い、さらにクリーンオーブンで２５０℃で
６０分焼成して形成することができる。
間絶縁膜９３５を１．０〜２．０μｍの平均膜厚で形成
する。有機樹脂材料としては、ポリイミド、アクリル、
ポリアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロ
ブテン）等を使用することができる。例えば、基板に塗
布後、熱重合するタイプのポリイミドを用いる場合に
は、クリーンオーブンで３００℃で焼成して形成する。
また、アクリルを用いる場合には、２液性のものを用
い、主材と硬化剤を混合した後、スピナーを用いて基板
全面に塗布した後、ホットプレートで８０℃で６０秒の
予備加熱を行い、さらにクリーンオーブンで２５０℃で
６０分焼成して形成することができる。
【００６４】このように、第２の層間絶縁膜９３５を有
機絶縁物材料で形成することにより、表面を良好に平坦
化させることができる。また、有機樹脂材料は一般に誘
電率が低いので、寄生容量を低減できる。しかし、吸湿
性があり保護膜としては適さないので、本実施例のよう
に、第１の層間絶縁膜９３４として形成した酸化シリコ
ン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜などと組み
合わせて用いると良い。
機絶縁物材料で形成することにより、表面を良好に平坦
化させることができる。また、有機樹脂材料は一般に誘
電率が低いので、寄生容量を低減できる。しかし、吸湿
性があり保護膜としては適さないので、本実施例のよう
に、第１の層間絶縁膜９３４として形成した酸化シリコ
ン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜などと組み
合わせて用いると良い。
【００６５】ところで、有機絶縁材料を用いて形成され
る第２の層間絶縁膜９３５は、水分やガスを発生してし
まう可能性がある。発光素子は水分やガス（酸素）で劣
化しやすいことが知られている。実際に層間絶縁膜に有
機樹脂絶縁膜を用いて形成された発光装置が使用する際
に発生する熱で、有機樹脂絶縁膜から水分やガスが発生
し、発光素子の劣化が起こりやすくなってしまうことが
考えられる。そこで、有機絶縁材料で形成された第２の
層間絶縁膜９３５上に第１の絶縁膜９３６を形成する。
なお、第１の絶縁膜９３６は、酸化シリコン膜、酸化窒
化シリコン膜、窒化シリコン膜などを用いて形成され
る。なおここで形成される第１の絶縁膜９３６はスパッ
タ法またはプラズマＣＶＤ法を用いて形成すればよい。
また、第１の絶縁膜９３６は、コンタクトホールを形成
した後から形成してもよい。
る第２の層間絶縁膜９３５は、水分やガスを発生してし
まう可能性がある。発光素子は水分やガス（酸素）で劣
化しやすいことが知られている。実際に層間絶縁膜に有
機樹脂絶縁膜を用いて形成された発光装置が使用する際
に発生する熱で、有機樹脂絶縁膜から水分やガスが発生
し、発光素子の劣化が起こりやすくなってしまうことが
考えられる。そこで、有機絶縁材料で形成された第２の
層間絶縁膜９３５上に第１の絶縁膜９３６を形成する。
なお、第１の絶縁膜９３６は、酸化シリコン膜、酸化窒
化シリコン膜、窒化シリコン膜などを用いて形成され
る。なおここで形成される第１の絶縁膜９３６はスパッ
タ法またはプラズマＣＶＤ法を用いて形成すればよい。
また、第１の絶縁膜９３６は、コンタクトホールを形成
した後から形成してもよい。
【００６６】その後、所定のパターンのレジストマスク
を形成し、それぞれの半導体層に形成されソース領域ま
たはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクト
ホールを形成する。コンタクトホールはドライエッチン
グ法で形成する。この場合、エッチングガスにＣＦ4、
Ｏ2の混合ガスを用い第１の絶縁膜９３６をまずエッチ
ングし、次にＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹
脂材料から成る第２の層間絶縁膜９３５をエッチング
し、その後、再びエッチングガスをＣＦ4、Ｏ2として第
１の層間絶縁膜９３４をエッチングする。さらに、半導
体層との選択比を高めるために、エッチングガスをＣＨ
Ｆ3に切り替えてゲート絶縁膜９０６をエッチングする
ことによりコンタクトホールを形成することができる。
を形成し、それぞれの半導体層に形成されソース領域ま
たはドレイン領域とする不純物領域に達するコンタクト
ホールを形成する。コンタクトホールはドライエッチン
グ法で形成する。この場合、エッチングガスにＣＦ4、
Ｏ2の混合ガスを用い第１の絶縁膜９３６をまずエッチ
ングし、次にＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹
脂材料から成る第２の層間絶縁膜９３５をエッチング
し、その後、再びエッチングガスをＣＦ4、Ｏ2として第
１の層間絶縁膜９３４をエッチングする。さらに、半導
体層との選択比を高めるために、エッチングガスをＣＨ
Ｆ3に切り替えてゲート絶縁膜９０６をエッチングする
ことによりコンタクトホールを形成することができる。
【００６７】そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真
空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エ
ッチングすることで、配線９３７〜９４３を形成する。
図示していないが、本実施例ではこの配線を、そして、
膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（Ａ
ｌとＴｉとの合金膜）との積層膜で形成した。
空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エ
ッチングすることで、配線９３７〜９４３を形成する。
図示していないが、本実施例ではこの配線を、そして、
膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金膜（Ａ
ｌとＴｉとの合金膜）との積層膜で形成した。
【００６８】次いで、その上に透明性導電膜を８０〜１
２０ｎｍの厚さで形成し、エッチングすることによって
陽極９４４を形成する（図５（Ａ））。なお、本実施例
では、透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）
膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）を混合した透明導電膜を用いる。
２０ｎｍの厚さで形成し、エッチングすることによって
陽極９４４を形成する（図５（Ａ））。なお、本実施例
では、透明電極として酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）
膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）を混合した透明導電膜を用いる。
【００６９】また、陽極９４４は、ドレイン配線９４３
と接して重ねて形成することによって電流制御用ＴＦＴ
のドレイン領域と電気的な接続が形成される（図５
（Ａ））。ここで、陽極９４４に対して１８０〜３５０
℃で加熱処理を行ってもよい。
と接して重ねて形成することによって電流制御用ＴＦＴ
のドレイン領域と電気的な接続が形成される（図５
（Ａ））。ここで、陽極９４４に対して１８０〜３５０
℃で加熱処理を行ってもよい。
【００７０】次に、図５（Ｂ）に示すように、陽極９４
４上に第３の層間絶縁膜９４５を形成する。ここで、発
光素子を形成するために処理室（クリーンルーム）を移
動することがある。ＴＦＴ基板が空気中のゴミに汚染さ
れたり、破壊したりしないように第３層間絶縁膜９４５
上に、帯電防止作用を有する極薄い膜（以下、帯電防止
膜という）９４６を形成する。帯電防止膜９４６は、水
洗で除去可能な材料から形成する（図５（Ｃ））。ま
た、帯電防止膜を形成する以外にも、帯電防止可能な移
動用のケースに保管してもよい。さらに、処理室の移動
をする前に、ここまでの工程で形成されたＴＦＴ基板の
動作検査を行ってもよい。
４上に第３の層間絶縁膜９４５を形成する。ここで、発
光素子を形成するために処理室（クリーンルーム）を移
動することがある。ＴＦＴ基板が空気中のゴミに汚染さ
れたり、破壊したりしないように第３層間絶縁膜９４５
上に、帯電防止作用を有する極薄い膜（以下、帯電防止
膜という）９４６を形成する。帯電防止膜９４６は、水
洗で除去可能な材料から形成する（図５（Ｃ））。ま
た、帯電防止膜を形成する以外にも、帯電防止可能な移
動用のケースに保管してもよい。さらに、処理室の移動
をする前に、ここまでの工程で形成されたＴＦＴ基板の
動作検査を行ってもよい。
【００７１】ＴＦＴ基板を発光素子を形成する処理室
（クリーンルーム）に運びこんだら、帯電防止膜９４６
を水洗により除去し、第３の層間絶縁膜９４５をエッチ
ングして、画素（発光素子）に対応する位置に開口部を
有するバンク９４７を形成する。本実施例ではレジスト
を用いてバンク９４７を形成する。本実施例では、バン
ク９４７の厚さを１μｍ程度とし、配線と陽極とが接す
る部分を覆う領域がテーパ状になるように形成する（図
６（Ａ））。なお、発光素子を形成する処理室に運び込
まれたら、再度、移動されたＴＦＴ基板の動作確認の検
査を行ってもよい。
（クリーンルーム）に運びこんだら、帯電防止膜９４６
を水洗により除去し、第３の層間絶縁膜９４５をエッチ
ングして、画素（発光素子）に対応する位置に開口部を
有するバンク９４７を形成する。本実施例ではレジスト
を用いてバンク９４７を形成する。本実施例では、バン
ク９４７の厚さを１μｍ程度とし、配線と陽極とが接す
る部分を覆う領域がテーパ状になるように形成する（図
６（Ａ））。なお、発光素子を形成する処理室に運び込
まれたら、再度、移動されたＴＦＴ基板の動作確認の検
査を行ってもよい。
【００７２】なお、本実施例においては、バンク９４７
としてレジストでなる膜を用いているが、場合によって
は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベン
ゾシクロブテン）、酸化珪素膜等を用いることもでき
る。バンク９４７は絶縁性を有する物質であれば、有機
物と無機物のどちらでも良いが、感光性アクリルを用い
てバンク９４７を形成する場合は、感光性アクリル膜を
エッチングしてから１８０〜３５０℃で加熱処理を行う
のが好ましい。また、非感光性アクリル膜を用いて形成
する場合には、１８０〜３５０℃で加熱処理を行った
後、エッチングしてバンクを形成するのが好ましい。
としてレジストでなる膜を用いているが、場合によって
は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ＢＣＢ（ベン
ゾシクロブテン）、酸化珪素膜等を用いることもでき
る。バンク９４７は絶縁性を有する物質であれば、有機
物と無機物のどちらでも良いが、感光性アクリルを用い
てバンク９４７を形成する場合は、感光性アクリル膜を
エッチングしてから１８０〜３５０℃で加熱処理を行う
のが好ましい。また、非感光性アクリル膜を用いて形成
する場合には、１８０〜３５０℃で加熱処理を行った
後、エッチングしてバンクを形成するのが好ましい。
【００７３】次に、陽極表面に拭浄処理を行う。なお、
本実施例においては、ベルクリン（小津産業製）を用い
て陽極９４４表面を拭うことにより、陽極９４４表面の
平坦化および表面に付着したゴミの除去を行う。拭浄の
際の洗浄液としては、純水を用い、ベルクリンを巻き付
けている軸の回転数は１００〜３００ｒｐｍとし、押し
込み値は０．１〜１．０ｍｍとする（図６（Ａ））。
本実施例においては、ベルクリン（小津産業製）を用い
て陽極９４４表面を拭うことにより、陽極９４４表面の
平坦化および表面に付着したゴミの除去を行う。拭浄の
際の洗浄液としては、純水を用い、ベルクリンを巻き付
けている軸の回転数は１００〜３００ｒｐｍとし、押し
込み値は０．１〜１．０ｍｍとする（図６（Ａ））。
【００７４】次にＴＦＴ基板を真空ベークする。バンク
を形成するための樹脂絶縁膜から水分やガスを放出させ
るために、一定の真空度で(例えば０．０１Ｔｏｒｒ以
下)真空排気する。なお、真空ベークは、帯電防止膜を
水洗した後、陽極を拭浄した後、あるいは発光素子を形
成する前に行えばよい。
を形成するための樹脂絶縁膜から水分やガスを放出させ
るために、一定の真空度で(例えば０．０１Ｔｏｒｒ以
下)真空排気する。なお、真空ベークは、帯電防止膜を
水洗した後、陽極を拭浄した後、あるいは発光素子を形
成する前に行えばよい。
【００７５】次いで、バンク９４７および陽極９４４を
覆って第２の絶縁膜９４８を形成する。第２の絶縁膜９
４８は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミドな
どの有機樹脂膜をスピンコート法、蒸着法またはスパッ
タ法などを用いて膜厚１〜５ｎｍで形成する。この絶縁
膜を形成することで、陽極９４４表面のクラック等を掩
蔽することができ、発光素子の劣化を防ぐことができ
る。
覆って第２の絶縁膜９４８を形成する。第２の絶縁膜９
４８は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミドな
どの有機樹脂膜をスピンコート法、蒸着法またはスパッ
タ法などを用いて膜厚１〜５ｎｍで形成する。この絶縁
膜を形成することで、陽極９４４表面のクラック等を掩
蔽することができ、発光素子の劣化を防ぐことができ
る。
【００７６】次に、第２の絶縁膜９４８上に有機化合物
層９４９、陰極９５０を蒸着法により形成する。なお、
本実施例では発光素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用い
るが、公知の他の材料であっても良い。なお、有機化合
物層９４９は、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、
電子輸送層、電子注入層及びバッファー層といった複数
の層を組み合わせて積層することにより形成されてい
る。本実施例において用いた有機化合物層の構造につい
て以下に詳細に説明する。
層９４９、陰極９５０を蒸着法により形成する。なお、
本実施例では発光素子の陰極としてＭｇＡｇ電極を用い
るが、公知の他の材料であっても良い。なお、有機化合
物層９４９は、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、
電子輸送層、電子注入層及びバッファー層といった複数
の層を組み合わせて積層することにより形成されてい
る。本実施例において用いた有機化合物層の構造につい
て以下に詳細に説明する。
【００７７】本実施例では、正孔注入層として、銅フタ
ロシアニンを用い、正孔輸送層としては、α−ＮＰＤを
用いてそれぞれ蒸着法により形成する。
ロシアニンを用い、正孔輸送層としては、α−ＮＰＤを
用いてそれぞれ蒸着法により形成する。
【００７８】次に、発光層が形成されるが、本実施例で
は発光層に異なる材料を用いることで異なる発光を示す
有機化合物層の形成を行う。なお、本実施例では、赤、
緑、青色の発光を示す有機化合物層を形成する。また、
成膜法としては、いずれも蒸着法を用いているので、成
膜時にメタルマスクを用いることにより画素毎に異なる
材料を用いて発光層を形成することは可能である。
は発光層に異なる材料を用いることで異なる発光を示す
有機化合物層の形成を行う。なお、本実施例では、赤、
緑、青色の発光を示す有機化合物層を形成する。また、
成膜法としては、いずれも蒸着法を用いているので、成
膜時にメタルマスクを用いることにより画素毎に異なる
材料を用いて発光層を形成することは可能である。
【００７９】赤色に発色する発光層は、Ａｌｑ3にＤＣ
Ｍをドーピングしたものを用いて形成する。その他にも
Ｎ,Ｎ'−ジサリチリデン−１,６−ヘキサンジアミナ
ト）ジンク（II）（Ｚｎ（ｓａｌｈｎ））にＥｕ錯体で
ある(１,１０−フェナントロリン)トリス(１,３−ジフ
ェニル−プロパン−１,３−ジオナト)ユーロピウム（II
I）（Ｅｕ（ＤＢＭ）3（Ｐｈｅｎ）をドーピングしたも
の等を用いることができるが、その他公知の材料を用い
ることもできる。
Ｍをドーピングしたものを用いて形成する。その他にも
Ｎ,Ｎ'−ジサリチリデン−１,６−ヘキサンジアミナ
ト）ジンク（II）（Ｚｎ（ｓａｌｈｎ））にＥｕ錯体で
ある(１,１０−フェナントロリン)トリス(１,３−ジフ
ェニル−プロパン−１,３−ジオナト)ユーロピウム（II
I）（Ｅｕ（ＤＢＭ）3（Ｐｈｅｎ）をドーピングしたも
の等を用いることができるが、その他公知の材料を用い
ることもできる。
【００８０】また、緑色に発色する発光層は、ＣＢＰと
Ｉｒ（ｐｐｙ）3を共蒸着法により形成させることがで
きる。なお、この時には、ＢＣＰを用いて正孔阻止層を
積層しておくことが好ましい。また、この他にもアルミ
キノリラト錯体（Ａｌｑ3）、ベンゾキノリノラトベリ
リウム錯体（ＢｅＢｑ）を用いることができる。さらに
は、キノリラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）にクマリ
ン６やキナクリドンといった材料をドーパントとして用
いたものも可能であるが、その他公知の材料を用いるこ
ともできる。
Ｉｒ（ｐｐｙ）3を共蒸着法により形成させることがで
きる。なお、この時には、ＢＣＰを用いて正孔阻止層を
積層しておくことが好ましい。また、この他にもアルミ
キノリラト錯体（Ａｌｑ3）、ベンゾキノリノラトベリ
リウム錯体（ＢｅＢｑ）を用いることができる。さらに
は、キノリラトアルミニウム錯体（Ａｌｑ3）にクマリ
ン６やキナクリドンといった材料をドーパントとして用
いたものも可能であるが、その他公知の材料を用いるこ
ともできる。
【００８１】さらに、青色に発色する発光層は、ジスチ
リル誘導体であるＤＰＶＢｉや、アゾメチン化合物を配
位子に持つ亜鉛錯体であるＮ,Ｎ'−ジサリチリデン−
１,６−ヘキサンジアミナト）ジンク（II）（Ｚｎ（ｓ
ａｌｈｎ））及び４,４'−ビス(２,２−ジフェニル−ビ
ニル)−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）にペリレンをドーピ
ングしたものを用いることもできるが、その他の公知の
材料を用いても良い。
リル誘導体であるＤＰＶＢｉや、アゾメチン化合物を配
位子に持つ亜鉛錯体であるＮ,Ｎ'−ジサリチリデン−
１,６−ヘキサンジアミナト）ジンク（II）（Ｚｎ（ｓ
ａｌｈｎ））及び４,４'−ビス(２,２−ジフェニル−ビ
ニル)−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）にペリレンをドーピ
ングしたものを用いることもできるが、その他の公知の
材料を用いても良い。
【００８２】次に電子輸送層を形成する。なお、電子輸
送層としては、１,３,４−オキサジアゾール誘導体や
１,２,４−トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）といった材料
を用いることができるが、本実施例では、１,２,４−ト
リアゾール誘導体（ＴＡＺ）を用いて蒸着法により３０
〜６０ｎｍの膜厚で形成する。
送層としては、１,３,４−オキサジアゾール誘導体や
１,２,４−トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）といった材料
を用いることができるが、本実施例では、１,２,４−ト
リアゾール誘導体（ＴＡＺ）を用いて蒸着法により３０
〜６０ｎｍの膜厚で形成する。
【００８３】以上により、積層構造からなる有機化合物
層が形成される。なお、本実施例における有機化合物層
９４９の膜厚は１０〜４００ｎｍ（典型的には６０〜１
５０ｎｍ）、陰極９５０の厚さは８０〜２００ｎｍ（典
型的には１００〜１５０ｎｍ）とすれば良い。
層が形成される。なお、本実施例における有機化合物層
９４９の膜厚は１０〜４００ｎｍ（典型的には６０〜１
５０ｎｍ）、陰極９５０の厚さは８０〜２００ｎｍ（典
型的には１００〜１５０ｎｍ）とすれば良い。
【００８４】有機化合物層を形成した後で、蒸着法によ
り発光素子の陰極９５０が形成される。本実施例では発
光素子の陰極となる導電膜としてＭｇＡｇを用いている
が、Ａｌ−Ｌｉ合金膜（アルミニウムとリチウムとの合
金膜）や、周期表の１族もしくは２族に属する元素とア
ルミニウムとを共蒸着法により形成された膜を用いるこ
とも可能である。
り発光素子の陰極９５０が形成される。本実施例では発
光素子の陰極となる導電膜としてＭｇＡｇを用いている
が、Ａｌ−Ｌｉ合金膜（アルミニウムとリチウムとの合
金膜）や、周期表の１族もしくは２族に属する元素とア
ルミニウムとを共蒸着法により形成された膜を用いるこ
とも可能である。
【００８５】こうして図６（Ｂ）に示すような構造の発
光装置が完成する。なお、陽極９４４、有機化合物層９
４９、陰極９５０と積層された部分９５１を発光素子と
称する。
光装置が完成する。なお、陽極９４４、有機化合物層９
４９、陰極９５０と積層された部分９５１を発光素子と
称する。
【００８６】ｐチャネル型ＴＦＴ１０００及びｎチャネ
ル型ＴＦＴ１００１は駆動回路のＴＦＴであり、ＣＭＯ
Ｓを形成している。スイッチング用ＴＦＴ１００２及び
電流制御用ＴＦＴ１００３は画素部のＴＦＴであり、駆
動回路のＴＦＴと画素部のＴＦＴとは同一基板上に形成
することができる。
ル型ＴＦＴ１００１は駆動回路のＴＦＴであり、ＣＭＯ
Ｓを形成している。スイッチング用ＴＦＴ１００２及び
電流制御用ＴＦＴ１００３は画素部のＴＦＴであり、駆
動回路のＴＦＴと画素部のＴＦＴとは同一基板上に形成
することができる。
【００８７】なお、発光素子を用いた発光装置の場合、
駆動回路の電源の電圧が５〜６Ｖ程度、最大でも１０Ｖ
程度で十分なので、ＴＦＴにおいてホットエレクトロン
による劣化があまり問題にならない。
駆動回路の電源の電圧が５〜６Ｖ程度、最大でも１０Ｖ
程度で十分なので、ＴＦＴにおいてホットエレクトロン
による劣化があまり問題にならない。
【００８８】（実施例２）発光装置を作製する工程につ
いて、実施例１とは異なる他の例を図１９〜２２を用い
て説明する。
いて、実施例１とは異なる他の例を図１９〜２２を用い
て説明する。
【００８９】実施例１に従い、図３（Ａ）に示すように
ゲート絶縁膜９０６上に２層の導電膜９０７、９０８を
形成する工程まで行う。
ゲート絶縁膜９０６上に２層の導電膜９０７、９０８を
形成する工程まで行う。
【００９０】続いて、マスク９０９ａ〜ｄを用いて導電
膜９０７、９０８をエッチングして、第１のテーパ形状
を有する導電層３９０１〜３９０４を形成する工程につ
いて、図２０（Ａ）を用いて説明する。エッチングには
ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラ
ズマ）エッチング法を用いる。エッチング用ガスに限定
はないがＷ膜や窒化タンタル膜のエッチングにはＣＦ4
とＣｌ2とＯ2とを用いる。それぞれのガス流量を２５／
２５／１０とし、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５０
０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してエッチ
ングを行う。この場合、基板側（試料ステージ）にも１
５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質
的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第１のエッ
チング条件により主にＷ膜を所定の形状にエッチングす
る。
膜９０７、９０８をエッチングして、第１のテーパ形状
を有する導電層３９０１〜３９０４を形成する工程につ
いて、図２０（Ａ）を用いて説明する。エッチングには
ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラ
ズマ）エッチング法を用いる。エッチング用ガスに限定
はないがＷ膜や窒化タンタル膜のエッチングにはＣＦ4
とＣｌ2とＯ2とを用いる。それぞれのガス流量を２５／
２５／１０とし、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５０
０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してエッチ
ングを行う。この場合、基板側（試料ステージ）にも１
５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質
的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第１のエッ
チング条件により主にＷ膜を所定の形状にエッチングす
る。
【００９１】この後、エッチング用ガスをＣＦ4とＣｌ2
に変更し、それぞれのガス流量比を３０／３０とし、１
Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．
５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して約３０
秒程度のエッチングを行う。基板側（試料ステージ）に
も２０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実
質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2
との混合ガスは窒化タンタル膜とＷ膜とを同程度の速度
でエッチングする。こうして、第１のテーパ形状を有す
る導電層３９０１〜３９０４を形成する。テーパーは４
５〜７５°で形成する。尚、第２の絶縁膜上に残渣を残
すことなくエッチングするためには１０〜２０％程度の
割合でエッチング時間を増加させると良い。なお、ゲー
ト絶縁膜９０６の第１のテーパ形状の導電層３９０１〜
３９０４で覆われない領域表面は２０〜５０ｎｍ程度エ
ッチングされ薄くなった領域が形成される（図２０
（Ａ））。
に変更し、それぞれのガス流量比を３０／３０とし、１
Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．
５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して約３０
秒程度のエッチングを行う。基板側（試料ステージ）に
も２０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実
質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2
との混合ガスは窒化タンタル膜とＷ膜とを同程度の速度
でエッチングする。こうして、第１のテーパ形状を有す
る導電層３９０１〜３９０４を形成する。テーパーは４
５〜７５°で形成する。尚、第２の絶縁膜上に残渣を残
すことなくエッチングするためには１０〜２０％程度の
割合でエッチング時間を増加させると良い。なお、ゲー
ト絶縁膜９０６の第１のテーパ形状の導電層３９０１〜
３９０４で覆われない領域表面は２０〜５０ｎｍ程度エ
ッチングされ薄くなった領域が形成される（図２０
（Ａ））。
【００９２】続いて、マスク９０９ａ〜ｄを除去せずに
図２０（Ｂ）に示すように第２のエッチング処理を行
う。エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、
それぞれのガス流量比を２０／２０／２０とし、１Ｐａ
の圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６
ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成してエッチング
を行う。基板側（試料ステージ）には２０ＷのＲＦ（１
３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、第１のエッチング処理
に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。このエッチン
グ条件により第２の導電膜として用いたＷ膜をエッチン
グする。こうして第２のテーパ形状の導電層３９０５〜
３９０８が形成される。ゲート絶縁膜９０６の第２のテ
ーパ形状の導電層３９０５〜３９０８で覆われない領域
表面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされ薄くなる。
図２０（Ｂ）に示すように第２のエッチング処理を行
う。エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2とを用い、
それぞれのガス流量比を２０／２０／２０とし、１Ｐａ
の圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６
ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成してエッチング
を行う。基板側（試料ステージ）には２０ＷのＲＦ（１
３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、第１のエッチング処理
に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。このエッチン
グ条件により第２の導電膜として用いたＷ膜をエッチン
グする。こうして第２のテーパ形状の導電層３９０５〜
３９０８が形成される。ゲート絶縁膜９０６の第２のテ
ーパ形状の導電層３９０５〜３９０８で覆われない領域
表面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされ薄くなる。
【００９３】レジストマスクを除去した後、半導体層に
ｎ型を付与する不純物元素（ｎ型不純物元素）を添加す
る第１のドーピング処理を行う。第１のドーピング処理
は、質量分離をしないでイオンを注入するイオンドープ
法により行う。ドーピングは第２のテーパ形状の導電膜
３９０５〜３９０８をマスクとして用い、水素希釈のフ
ォスフィン（ＰＨ3）ガスまたは希ガスで希釈したフォ
スフィンガスを用い、半導体層９０２〜９０５に第１の
濃度のｎ型不純物元素を含むｎ型不純物領域３９０９〜
３９１２を形成する。このドーピングにより形成する第
１の濃度のｎ型不純物元素を含むｎ型不純物領域３９０
９〜３９１２のリン濃度は１×１０16〜１×１０17／ｃ
ｍ3となるようにする（図２０（Ｃ））。
ｎ型を付与する不純物元素（ｎ型不純物元素）を添加す
る第１のドーピング処理を行う。第１のドーピング処理
は、質量分離をしないでイオンを注入するイオンドープ
法により行う。ドーピングは第２のテーパ形状の導電膜
３９０５〜３９０８をマスクとして用い、水素希釈のフ
ォスフィン（ＰＨ3）ガスまたは希ガスで希釈したフォ
スフィンガスを用い、半導体層９０２〜９０５に第１の
濃度のｎ型不純物元素を含むｎ型不純物領域３９０９〜
３９１２を形成する。このドーピングにより形成する第
１の濃度のｎ型不純物元素を含むｎ型不純物領域３９０
９〜３９１２のリン濃度は１×１０16〜１×１０17／ｃ
ｍ3となるようにする（図２０（Ｃ））。
【００９４】その後、半導体層９０２、９０５の全体を
覆う第１のマスク３９１３、３９１５と半導体層９０４
上の第２のテーパ形状の導電層３９０７と半導体層９０
４の一部の領域を覆う第２のマスク３９１４を形成し、
第２のドーピング処理を行う。第２のドーピング処理で
は、第２のテーパ形状の導電層３９０６ａを通して半導
体層９０３に第２の濃度のｎ型不純物元素を含むｎ型不
純物領域３９１７、第３の濃度のｎ型不純物元素を含む
ｎ型不純物領域３９１６、３９１８を形成する。このド
ーピングにより形成する第２の濃度のｎ型不純物元素を
含むｎ型不純物領域３９１７のリン濃度は１×１０17〜
１×１０19／ｃｍ3、第３の濃度のｎ型不純物元素を含
むｎ型不純物領域３９１６、３９１８のリン濃度は１×
１０20〜１×１０21／ｃｍ3となるようにする（図２０
（Ｄ））。
覆う第１のマスク３９１３、３９１５と半導体層９０４
上の第２のテーパ形状の導電層３９０７と半導体層９０
４の一部の領域を覆う第２のマスク３９１４を形成し、
第２のドーピング処理を行う。第２のドーピング処理で
は、第２のテーパ形状の導電層３９０６ａを通して半導
体層９０３に第２の濃度のｎ型不純物元素を含むｎ型不
純物領域３９１７、第３の濃度のｎ型不純物元素を含む
ｎ型不純物領域３９１６、３９１８を形成する。このド
ーピングにより形成する第２の濃度のｎ型不純物元素を
含むｎ型不純物領域３９１７のリン濃度は１×１０17〜
１×１０19／ｃｍ3、第３の濃度のｎ型不純物元素を含
むｎ型不純物領域３９１６、３９１８のリン濃度は１×
１０20〜１×１０21／ｃｍ3となるようにする（図２０
（Ｄ））。
【００９５】なお、本実施例では、以上のように１回の
ドーピング工程で、第２の濃度のｎ型不純物元素を含む
ｎ型不純物領域および第３の濃度のｎ型不純物元素を含
むｎ型不純物領域を形成しているが、ドーピング工程を
２回にわけて不純物元素を添加してもよい。
ドーピング工程で、第２の濃度のｎ型不純物元素を含む
ｎ型不純物領域および第３の濃度のｎ型不純物元素を含
むｎ型不純物領域を形成しているが、ドーピング工程を
２回にわけて不純物元素を添加してもよい。
【００９６】次いで、図２１（Ａ）で示すように半導体
層９０３、９０４を覆うマスク３９１９、３９２０を形
成し第３のドーピング処理を行う。ドーピングは水素希
釈のジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスまたは希ガスで希釈したジ
ボランガスを用い、半導体層９０２、９０５に第１の濃
度のｐ型不純物元素を含むｐ型不純物領域３９２１、３
９２３及び第２の濃度のｐ型不純物元素を含むｐ型不純
物領域３９２２、３９２４を形成する。第１の濃度のｐ
型不純物元素を含むｐ型不純物領域３９２１、３９２３
は２×１０20〜３×１０21／ｃｍ3の濃度範囲でボロン
が含まれ、第２の濃度のｐ型不純物元素を含むｐ型不純
物領域３９２２、３９２４は、第２のテーパ形状の導電
層３９０５ａ、３９０８ａと重なる領域に形成されるも
のであり、１×１０18〜１×１０20／ｃｍ3の濃度範囲
でボロンを含む。
層９０３、９０４を覆うマスク３９１９、３９２０を形
成し第３のドーピング処理を行う。ドーピングは水素希
釈のジボラン（Ｂ2Ｈ6）ガスまたは希ガスで希釈したジ
ボランガスを用い、半導体層９０２、９０５に第１の濃
度のｐ型不純物元素を含むｐ型不純物領域３９２１、３
９２３及び第２の濃度のｐ型不純物元素を含むｐ型不純
物領域３９２２、３９２４を形成する。第１の濃度のｐ
型不純物元素を含むｐ型不純物領域３９２１、３９２３
は２×１０20〜３×１０21／ｃｍ3の濃度範囲でボロン
が含まれ、第２の濃度のｐ型不純物元素を含むｐ型不純
物領域３９２２、３９２４は、第２のテーパ形状の導電
層３９０５ａ、３９０８ａと重なる領域に形成されるも
のであり、１×１０18〜１×１０20／ｃｍ3の濃度範囲
でボロンを含む。
【００９７】次いで、図２１（Ｂ）に示すように、プラ
ズマＣＶＤ法で窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン
膜から成る第１の層間絶縁膜３９２５を５０ｎｍの厚さ
に形成し、それぞれの半導体層に添加された不純物元素
を活性化処理するために、炉を用いて４１０℃で加熱処
理を行う。この加熱処理で、窒化シリコン膜または窒化
酸化シリコン膜から放出される水素で半導体膜の水素化
も行う。
ズマＣＶＤ法で窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン
膜から成る第１の層間絶縁膜３９２５を５０ｎｍの厚さ
に形成し、それぞれの半導体層に添加された不純物元素
を活性化処理するために、炉を用いて４１０℃で加熱処
理を行う。この加熱処理で、窒化シリコン膜または窒化
酸化シリコン膜から放出される水素で半導体膜の水素化
も行う。
【００９８】なお、加熱処理は、炉を用いる方法以外
に、ＲＴＡによる加熱処理方法（ガスまたは光を熱源と
して用いるＲＴＡ法も含む）でもよい。炉を用いた加熱
処理を行う場合には、ゲート電極を形成する導電膜の酸
化を防ぐために加熱処理前にゲート電極およびゲート絶
縁膜を覆う絶縁膜を形成したり、加熱処理の際の雰囲気
を減圧窒素雰囲気にしたりすればよい。また、ＹＡＧレ
ーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）の光を半導体層に照
射してもよい。以上のように、半導体層に添加された不
純物元素の活性化する方法はいくつかあるため、その方
法は実施者が適宜決定すればよい。
に、ＲＴＡによる加熱処理方法（ガスまたは光を熱源と
して用いるＲＴＡ法も含む）でもよい。炉を用いた加熱
処理を行う場合には、ゲート電極を形成する導電膜の酸
化を防ぐために加熱処理前にゲート電極およびゲート絶
縁膜を覆う絶縁膜を形成したり、加熱処理の際の雰囲気
を減圧窒素雰囲気にしたりすればよい。また、ＹＡＧレ
ーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）の光を半導体層に照
射してもよい。以上のように、半導体層に添加された不
純物元素の活性化する方法はいくつかあるため、その方
法は実施者が適宜決定すればよい。
【００９９】次いで、第１の層間絶縁膜３９２５上に第
２の層間絶縁膜３９２６をアクリルで形成する。そし
て、第２の層間絶縁膜３９２６上に、スパッタ法を用い
て、窒化シリコン膜を形成し、ＴＦＴを不純物から保護
するための第１の絶縁膜（以下、バリア絶縁膜ともい
う）３９２７とする（図２１（Ｃ））。
２の層間絶縁膜３９２６をアクリルで形成する。そし
て、第２の層間絶縁膜３９２６上に、スパッタ法を用い
て、窒化シリコン膜を形成し、ＴＦＴを不純物から保護
するための第１の絶縁膜（以下、バリア絶縁膜ともい
う）３９２７とする（図２１（Ｃ））。
【０１００】続いて、バリア絶縁膜３９２７上に透明性
導電膜を８０〜１２０ｎｍの厚さで形成し、エッチング
することによって陽極３９２８を形成する（図２２
（Ａ））。なお、本実施形態では、透明電極として酸化
インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜や酸化インジウムに２〜
２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を
用いる。
導電膜を８０〜１２０ｎｍの厚さで形成し、エッチング
することによって陽極３９２８を形成する（図２２
（Ａ））。なお、本実施形態では、透明電極として酸化
インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜や酸化インジウムに２〜
２０[％]の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を
用いる。
【０１０１】その後、所定のパターンのレジストマスク
を形成し、それぞれの半導体層に形成されたソース領域
またはドレイン領域となる不純物領域３９１６、３９１
８、３９２１、３９２３に達するコンタクトホールを形
成する。コンタクトホールはドライエッチング法で形成
すればよい。
を形成し、それぞれの半導体層に形成されたソース領域
またはドレイン領域となる不純物領域３９１６、３９１
８、３９２１、３９２３に達するコンタクトホールを形
成する。コンタクトホールはドライエッチング法で形成
すればよい。
【０１０２】そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真
空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エ
ッチングすることで、配線３９２９〜３９３５を形成す
る。図示していないが、本実施形態ではこの配線を、そ
して、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金
膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜で形成した。
空蒸着法で形成し、マスクでパターニングし、その後エ
ッチングすることで、配線３９２９〜３９３５を形成す
る。図示していないが、本実施形態ではこの配線を、そ
して、膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と、膜厚５００ｎｍの合金
膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜で形成した。
【０１０３】次いで、陽極３９２８および配線３９２９
〜３９３５を覆う第３の層間絶縁膜３９３６を形成す
る。ここで、発光素子の陰極材料に用いられるＡｌ、Ｍ
ｇといったアルカリ金属材料からＴＦＴの活性層にアル
カリ金属が混入してしまう危険性を低減するために、Ｔ
ＦＴ基板を形成するための処理室（以下、第１のクリー
ンルームとする）から発光素子を形成するための処理室
（以下、第２のクリーンルームとする）へ基板を移動さ
せて作製工程を進める場合を想定する。
〜３９３５を覆う第３の層間絶縁膜３９３６を形成す
る。ここで、発光素子の陰極材料に用いられるＡｌ、Ｍ
ｇといったアルカリ金属材料からＴＦＴの活性層にアル
カリ金属が混入してしまう危険性を低減するために、Ｔ
ＦＴ基板を形成するための処理室（以下、第１のクリー
ンルームとする）から発光素子を形成するための処理室
（以下、第２のクリーンルームとする）へ基板を移動さ
せて作製工程を進める場合を想定する。
【０１０４】ＴＦＴ基板が移動中に空気中のゴミに汚染
されたり、静電気によって静電破壊が発生したりしない
ように第３層間絶縁膜３９３６上に、帯電防止作用を有
する極薄い膜（以下、帯電防止膜という）３９３７を形
成する。なお、帯電防止膜３９３７は、水洗など簡単に
除去できる材料から形成すればよい（図２２（Ａ））。
または、帯電による破壊を防止できるようなケースに保
管して移動させる。なお、処理室の移動の前に、ここま
での工程で形成されたＴＦＴ基板の動作の検査を行って
もよい。以上の工程は、図１９のフローチャートで示す
第１の処理室（クリーンルーム）での処理である。
されたり、静電気によって静電破壊が発生したりしない
ように第３層間絶縁膜３９３６上に、帯電防止作用を有
する極薄い膜（以下、帯電防止膜という）３９３７を形
成する。なお、帯電防止膜３９３７は、水洗など簡単に
除去できる材料から形成すればよい（図２２（Ａ））。
または、帯電による破壊を防止できるようなケースに保
管して移動させる。なお、処理室の移動の前に、ここま
での工程で形成されたＴＦＴ基板の動作の検査を行って
もよい。以上の工程は、図１９のフローチャートで示す
第１の処理室（クリーンルーム）での処理である。
【０１０５】第１の処理室から第２の処理室への移動
は、例えば、同じ敷地内に設けられた建造物内での移動
や、同一法人の点在する工場（処理室、例えばクリーン
ルーム）間での移動、または異なる法人間における工場
（処理室、例えばクリーンルーム）の移動が考えられ
る。いずれも、ＴＦＴ基板に損傷等が発生しないように
して移動される。
は、例えば、同じ敷地内に設けられた建造物内での移動
や、同一法人の点在する工場（処理室、例えばクリーン
ルーム）間での移動、または異なる法人間における工場
（処理室、例えばクリーンルーム）の移動が考えられ
る。いずれも、ＴＦＴ基板に損傷等が発生しないように
して移動される。
【０１０６】続いて、図１９のフローチャートで示す第
２の処理室（クリーンルーム）での処理を行う。ＴＦＴ
基板を第２の処理室（クリーンルーム）に運びこんだ
ら、帯電防止膜３９３７を水洗により除去し、第３の層
間絶縁膜３９３６をエッチングして、画素（発光素子）
に対応する位置に開口部を有し、配線３９３４と陽極３
９２８とが接する部分や陽極３９２８の端部をテーパ状
に覆うバンク３９３８を形成する。本実施形態では厚さ
を１μｍ程度とし、レジストを用いてバンク３９３８を
形成する。ここで、再度、第２の処理室に移動されたＴ
ＦＴ基板の動作確認の検査を行ってもよい。
２の処理室（クリーンルーム）での処理を行う。ＴＦＴ
基板を第２の処理室（クリーンルーム）に運びこんだ
ら、帯電防止膜３９３７を水洗により除去し、第３の層
間絶縁膜３９３６をエッチングして、画素（発光素子）
に対応する位置に開口部を有し、配線３９３４と陽極３
９２８とが接する部分や陽極３９２８の端部をテーパ状
に覆うバンク３９３８を形成する。本実施形態では厚さ
を１μｍ程度とし、レジストを用いてバンク３９３８を
形成する。ここで、再度、第２の処理室に移動されたＴ
ＦＴ基板の動作確認の検査を行ってもよい。
【０１０７】次にＴＦＴ基板を真空ベークする。バンク
を形成するための樹脂絶縁膜から水分やガスを放出させ
るために、一定の真空度で(例えば０．０１Ｔｏｒｒ以
下)真空排気する。なお、真空ベークは、帯電防止膜を
水洗した後、陽極を拭浄した後、あるいはEL素子を形成
する前に行えばよい。
を形成するための樹脂絶縁膜から水分やガスを放出させ
るために、一定の真空度で(例えば０．０１Ｔｏｒｒ以
下)真空排気する。なお、真空ベークは、帯電防止膜を
水洗した後、陽極を拭浄した後、あるいはEL素子を形成
する前に行えばよい。
【０１０８】続いて、バンク３９３８からの水分やガス
の発生による発光素子の劣化を抑制するため、バンク３
９３８の表面を第２の絶縁膜３９３９を例えば窒化シリ
コン膜等で覆う。この第２の絶縁膜３９３９は、発光素
子の劣化の要因となる水分やガスから保護するための絶
縁膜であるため、第２のバリア絶縁膜３９３９ともい
う。
の発生による発光素子の劣化を抑制するため、バンク３
９３８の表面を第２の絶縁膜３９３９を例えば窒化シリ
コン膜等で覆う。この第２の絶縁膜３９３９は、発光素
子の劣化の要因となる水分やガスから保護するための絶
縁膜であるため、第２のバリア絶縁膜３９３９ともい
う。
【０１０９】続いて、第２の絶縁膜３９３９上で、陽極
３９２８と接するように有機化合物層３９４０、有機化
合物層３９４０上に陰極３９４１を蒸着法により形成す
る。なお、本実施例では発光素子の陰極としてＭｇＡｇ
電極を用いるが、公知の他の材料であっても良い。な
お、有機化合物層３９４０は、発光層の他に正孔注入
層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及びバッファ
ー層といった複数の層を組み合わせて積層すればよく、
本実施例では実施例１に従って形成すればよい。
３９２８と接するように有機化合物層３９４０、有機化
合物層３９４０上に陰極３９４１を蒸着法により形成す
る。なお、本実施例では発光素子の陰極としてＭｇＡｇ
電極を用いるが、公知の他の材料であっても良い。な
お、有機化合物層３９４０は、発光層の他に正孔注入
層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及びバッファ
ー層といった複数の層を組み合わせて積層すればよく、
本実施例では実施例１に従って形成すればよい。
【０１１０】こうして図２２（Ｂ）に示すような構造の
発光装置が完成する。なお、陽極３９２８、有機化合物
層３９４０、陰極３９４１と積層された部分３９４２を
発光素子と称する。
発光装置が完成する。なお、陽極３９２８、有機化合物
層３９４０、陰極３９４１と積層された部分３９４２を
発光素子と称する。
【０１１１】以上のように、ＴＦＴ基板を形成する第１
の処理室（例えば、第１のクリーンルーム）と、発光素
子を形成する第２の処理室（例えば、第２のクリーンル
ーム）とを異ならせることにより、発光素子の陰極材料
に用いられるＡｌ、Ｍｇといったアルカリ金属材料から
ＴＦＴの活性層を保護することができ、良好な発光装置
を提供することが可能である。
の処理室（例えば、第１のクリーンルーム）と、発光素
子を形成する第２の処理室（例えば、第２のクリーンル
ーム）とを異ならせることにより、発光素子の陰極材料
に用いられるＡｌ、Ｍｇといったアルカリ金属材料から
ＴＦＴの活性層を保護することができ、良好な発光装置
を提供することが可能である。
【０１１２】（実施例３）実施例１または実施例２に従
い、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成す
る。次いで、実施例１における第１の絶縁膜９３６を形
成するかわりに、第２の層間絶縁膜にプラズマ処理を行
って第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）表面を改質
させる方法について図７で説明する。
い、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成す
る。次いで、実施例１における第１の絶縁膜９３６を形
成するかわりに、第２の層間絶縁膜にプラズマ処理を行
って第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）表面を改質
させる方法について図７で説明する。
【０１１３】例えば、第２の層間絶縁膜（９３５、３９
２６）を水素、窒素、炭化水素、ハロゲン化炭素、弗化
水素または希ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等）から選ばれた
一種または複数種の気体中でプラズマ処理することによ
り第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）の表面に新た
な被膜を形成したり、表面に存在する官能基の種類を変
更させたりして、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２
６）の表面改質を行うことができる。第２の層間絶縁膜
（９３５、３９２６）表面には、図７に示すように緻密
化された膜９３５Ｂが形成される。本明細書において、
この膜を硬化膜９３５Ｂと称する。これにより、有機樹
脂膜からガスや水分が放出されるのを防ぐことができ
る。
２６）を水素、窒素、炭化水素、ハロゲン化炭素、弗化
水素または希ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等）から選ばれた
一種または複数種の気体中でプラズマ処理することによ
り第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）の表面に新た
な被膜を形成したり、表面に存在する官能基の種類を変
更させたりして、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２
６）の表面改質を行うことができる。第２の層間絶縁膜
（９３５、３９２６）表面には、図７に示すように緻密
化された膜９３５Ｂが形成される。本明細書において、
この膜を硬化膜９３５Ｂと称する。これにより、有機樹
脂膜からガスや水分が放出されるのを防ぐことができ
る。
【０１１４】さらに、本実施例のように表面改質を行っ
た後、陽極（ＩＴＯ）を形成するため、熱膨張率の異な
る材料が直接接した状態で加熱処理されることがなくな
る。したがって、ＩＴＯのクラック（亀裂）等の発生を
防ぐことができ、発光素子の劣化を防止することもでき
る。なお、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）のプ
ラズマ処理化は、コンタクトホールを形成する前、後ど
ちらでもよい。
た後、陽極（ＩＴＯ）を形成するため、熱膨張率の異な
る材料が直接接した状態で加熱処理されることがなくな
る。したがって、ＩＴＯのクラック（亀裂）等の発生を
防ぐことができ、発光素子の劣化を防止することもでき
る。なお、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）のプ
ラズマ処理化は、コンタクトホールを形成する前、後ど
ちらでもよい。
【０１１５】なお、硬化膜９３５Ｂは、有機絶縁材料か
らなる第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）の表面を
水素、窒素、炭化水素、ハロゲン化炭素、弗化水素また
は希ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等）から選ばれた一種また
は複数種の気体中でプラズマ処理することにより形成さ
れる。従って、硬化膜９３５Ｂ中には、水素、窒素、炭
化水素、ハロゲン化炭素、弗化水素または希ガス（Ａ
ｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等）の気体元素が含まれていると考えら
れる。
らなる第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）の表面を
水素、窒素、炭化水素、ハロゲン化炭素、弗化水素また
は希ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等）から選ばれた一種また
は複数種の気体中でプラズマ処理することにより形成さ
れる。従って、硬化膜９３５Ｂ中には、水素、窒素、炭
化水素、ハロゲン化炭素、弗化水素または希ガス（Ａ
ｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等）の気体元素が含まれていると考えら
れる。
【０１１６】（実施例４）実施例１または実施例２に従
い、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成す
る。次いで、図１２に示すように、第２の層間絶縁膜
（９３５、３９２６）上に、第１の絶縁膜９３６とし
て、ＤＬＣ膜９３６Ｂを形成してもよい。
い、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成す
る。次いで、図１２に示すように、第２の層間絶縁膜
（９３５、３９２６）上に、第１の絶縁膜９３６とし
て、ＤＬＣ膜９３６Ｂを形成してもよい。
【０１１７】ＤＬＣ膜の特徴としては、１５５０ｃｍ-1
あたりに非対称のピークを有し、１３００ｃｍ -1あた
りに肩をもつラマンスペクトル分布を有する。また、微
小硬度計で測定した時に１５〜２５ＧＰａの硬度を示す
ほか、耐薬品性に優れるという特徴をもつ。さらに、Ｄ
ＬＣ膜はＣＶＤ法もしくはスパッタ法にて成膜可能であ
り、室温から１００℃以下の温度範囲で成膜できる。成
膜方法はスパッタリング法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、
高周波プラズマＣＶＤ法またはイオンビーム蒸着法とい
った方法を用いれば良く、膜厚５〜５０ｎｍ程度に形成
すればよい。
あたりに非対称のピークを有し、１３００ｃｍ -1あた
りに肩をもつラマンスペクトル分布を有する。また、微
小硬度計で測定した時に１５〜２５ＧＰａの硬度を示す
ほか、耐薬品性に優れるという特徴をもつ。さらに、Ｄ
ＬＣ膜はＣＶＤ法もしくはスパッタ法にて成膜可能であ
り、室温から１００℃以下の温度範囲で成膜できる。成
膜方法はスパッタリング法、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、
高周波プラズマＣＶＤ法またはイオンビーム蒸着法とい
った方法を用いれば良く、膜厚５〜５０ｎｍ程度に形成
すればよい。
【０１１８】（実施例５）本実施例では、第２の層間絶
縁膜（９３５、３９２６）上に絶縁膜９３６としてＤＬ
Ｃ膜以外の絶縁膜を適用する例について説明する。
縁膜（９３５、３９２６）上に絶縁膜９３６としてＤＬ
Ｃ膜以外の絶縁膜を適用する例について説明する。
【０１１９】実施例１または実施例２に従って、第２の
層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成する。続い
て、第１の絶縁膜９３６として、シリコンをターゲット
として用い、スパッタリング法により窒化シリコン膜９
３６を形成する。成膜条件は適宜選択すれば良いが、特
に好ましくはスパッタガスには窒素（Ｎ2）又は窒素と
アルゴンの混合ガスを用い、高周波電力を印加してスパ
ッタリングを行う。基板温度は室温の状態とし、加熱手
段を用いなくても良い。ただし、層間絶縁膜に有機絶縁
膜を用いている場合、基板を加熱せずに成膜することが
望ましい。また、吸着又は吸蔵している水分を十分除去
するために、真空中で数分〜数時間、５０〜１００℃程
度で加熱して脱水処理することは好ましい。なお、成膜
条件の一例としては、硼素が添加された１〜２Ωsq.の
シリコンターゲットを用い窒素ガスのみを供給して０．
４Pa、８００Ｗの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）で、
ターゲットのサイズは直径１５２．４ｍｍの条件の時に
２〜４ｎｍ／ｍｉｎの成膜速度が得られる。
層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成する。続い
て、第１の絶縁膜９３６として、シリコンをターゲット
として用い、スパッタリング法により窒化シリコン膜９
３６を形成する。成膜条件は適宜選択すれば良いが、特
に好ましくはスパッタガスには窒素（Ｎ2）又は窒素と
アルゴンの混合ガスを用い、高周波電力を印加してスパ
ッタリングを行う。基板温度は室温の状態とし、加熱手
段を用いなくても良い。ただし、層間絶縁膜に有機絶縁
膜を用いている場合、基板を加熱せずに成膜することが
望ましい。また、吸着又は吸蔵している水分を十分除去
するために、真空中で数分〜数時間、５０〜１００℃程
度で加熱して脱水処理することは好ましい。なお、成膜
条件の一例としては、硼素が添加された１〜２Ωsq.の
シリコンターゲットを用い窒素ガスのみを供給して０．
４Pa、８００Ｗの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）で、
ターゲットのサイズは直径１５２．４ｍｍの条件の時に
２〜４ｎｍ／ｍｉｎの成膜速度が得られる。
【０１２０】このようにして得られた窒化シリコン膜
は、膜中の不純物元素として挙げられる酸素および水素
の濃度が１原子％以下であり、また、可視光域において
８０％以上の透過率を有する。特に、波長４００ｎｍに
おいても８０％以上の透過率を有しており、この膜の透
明性が示されている。さらに、表面に著しいダメージを
与えることなく、緻密な膜を形成することができる。
は、膜中の不純物元素として挙げられる酸素および水素
の濃度が１原子％以下であり、また、可視光域において
８０％以上の透過率を有する。特に、波長４００ｎｍに
おいても８０％以上の透過率を有しており、この膜の透
明性が示されている。さらに、表面に著しいダメージを
与えることなく、緻密な膜を形成することができる。
【０１２１】以上のように、絶縁膜９３６に窒化シリコ
ン膜を適用することができる。後の工程は、再び、実施
例１または実施例２に従って行えばよい。
ン膜を適用することができる。後の工程は、再び、実施
例１または実施例２に従って行えばよい。
【０１２２】（実施例６）本実施例では、第２の層間絶
縁膜（９３５、３９２６）上に第１の絶縁膜９３６とし
てＤＬＣ膜以外の絶縁膜を適用する例について説明す
る。
縁膜（９３５、３９２６）上に第１の絶縁膜９３６とし
てＤＬＣ膜以外の絶縁膜を適用する例について説明す
る。
【０１２３】実施例１または実施例２に従って、第２の
層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成する。続い
て、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ターゲットを用い、ア
ルゴンガスと窒素ガスを混合した雰囲気下にて、ＡｌX
ＮY膜を成膜する。ＡｌXＮY膜に含まれる不純物、特に
酸素は０〜１０atm％未満であればよく、スパッタ条件
（基板温度、原料ガスおよびその流量、成膜圧力など）
を適宜調節することによって酸素濃度を調節することが
できる。また、アルミニウム（Ａｌ）ターゲットを用
い、窒素ガスを含む雰囲気下にて成膜してもよい。な
お、スパッタ法に限定されず、蒸着法やその他の公知技
術を用いてもよい。
層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成する。続い
て、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ターゲットを用い、ア
ルゴンガスと窒素ガスを混合した雰囲気下にて、ＡｌX
ＮY膜を成膜する。ＡｌXＮY膜に含まれる不純物、特に
酸素は０〜１０atm％未満であればよく、スパッタ条件
（基板温度、原料ガスおよびその流量、成膜圧力など）
を適宜調節することによって酸素濃度を調節することが
できる。また、アルミニウム（Ａｌ）ターゲットを用
い、窒素ガスを含む雰囲気下にて成膜してもよい。な
お、スパッタ法に限定されず、蒸着法やその他の公知技
術を用いてもよい。
【０１２４】また、ＡｌXＮY膜以外にも、窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）ターゲットを用い、アルゴンガスと窒素
ガスと酸素ガスを混合した雰囲気下にて成膜されるＡｌ
ＮXＯY膜を用いてもよい。ＡｌＮXＯY膜は、窒素を数at
om％以上、好ましくは２．５atom％〜４７．５atom％含
む範囲であればよく、スパッタ条件（基板温度、原料ガ
スおよびその流量、成膜圧力など）を適宜調節すること
によって窒素濃度を調節することができる。また、アル
ミニウム（Ａｌ）ターゲットを用い、窒素ガス及び酸素
ガスを含む雰囲気下にて成膜してもよい。なお、スパッ
タ法に限定されず、蒸着法やその他の公知技術を用いて
もよい。
ウム（ＡｌＮ）ターゲットを用い、アルゴンガスと窒素
ガスと酸素ガスを混合した雰囲気下にて成膜されるＡｌ
ＮXＯY膜を用いてもよい。ＡｌＮXＯY膜は、窒素を数at
om％以上、好ましくは２．５atom％〜４７．５atom％含
む範囲であればよく、スパッタ条件（基板温度、原料ガ
スおよびその流量、成膜圧力など）を適宜調節すること
によって窒素濃度を調節することができる。また、アル
ミニウム（Ａｌ）ターゲットを用い、窒素ガス及び酸素
ガスを含む雰囲気下にて成膜してもよい。なお、スパッ
タ法に限定されず、蒸着法やその他の公知技術を用いて
もよい。
【０１２５】上記したＡｌXＮY膜またはＡｌＮXＯY膜は
透光性が高く（可視光領域で透過率８０％〜９１．３
％）、発光素子からの発光の妨げにならない。
透光性が高く（可視光領域で透過率８０％〜９１．３
％）、発光素子からの発光の妨げにならない。
【０１２６】以上のように、絶縁膜９３６にＡｌXＮY膜
またはＡｌＮXＯY膜を適用することができる。後の工程
は、再び、実施例１に従って行えばよい。
またはＡｌＮXＯY膜を適用することができる。後の工程
は、再び、実施例１に従って行えばよい。
【０１２７】（実施例７）実施例１または実施例２に従
い、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成す
る。次いで、図１３に示すように、第２の層間絶縁膜
（９３５、３９２６）表面にプラズマ処理を行い表面改
質をして硬化膜９３５Ｂを形成した後、硬化膜９３５Ｂ
上にＤＬＣ膜９３６Ｂを形成してもよい。なお、ＤＬＣ
膜９３６Ｂは、成膜方法はスパッタリング法、ＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ法またはイオン
ビーム蒸着法といった方法を用いて、５〜５０ｎｍ程度
の膜厚で形成すればよい。
い、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成す
る。次いで、図１３に示すように、第２の層間絶縁膜
（９３５、３９２６）表面にプラズマ処理を行い表面改
質をして硬化膜９３５Ｂを形成した後、硬化膜９３５Ｂ
上にＤＬＣ膜９３６Ｂを形成してもよい。なお、ＤＬＣ
膜９３６Ｂは、成膜方法はスパッタリング法、ＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ法またはイオン
ビーム蒸着法といった方法を用いて、５〜５０ｎｍ程度
の膜厚で形成すればよい。
【０１２８】（実施例８）実施例１または実施例２の工
程に従い、バンク（９４７、３９３８）を形成した後、
バンク（９４７、３９３８）表面をプラズマ処理するこ
とでバンク（９４７、３９３８）の表面改質を行う例に
ついて図８を用いて説明する。
程に従い、バンク（９４７、３９３８）を形成した後、
バンク（９４７、３９３８）表面をプラズマ処理するこ
とでバンク（９４７、３９３８）の表面改質を行う例に
ついて図８を用いて説明する。
【０１２９】バンク（９４７、３９３８）は、有機樹脂
絶縁膜を用いて形成しているが、水分やガスを発生して
しまい、実際に発光装置を使用した際に生じる熱により
水分やガスの発生しやすくなってしまうという問題があ
る。
絶縁膜を用いて形成しているが、水分やガスを発生して
しまい、実際に発光装置を使用した際に生じる熱により
水分やガスの発生しやすくなってしまうという問題があ
る。
【０１３０】そこで、加熱処理を行った後、図８に示す
ようにバンクの表面改質を行うためにプラズマ処理を行
う。水素、窒素、ハロゲン化炭素、弗化水素または希ガ
スから選ばれた一種または複数種の気体中でプラズマ処
理を行う。
ようにバンクの表面改質を行うためにプラズマ処理を行
う。水素、窒素、ハロゲン化炭素、弗化水素または希ガ
スから選ばれた一種または複数種の気体中でプラズマ処
理を行う。
【０１３１】これにより、バンク表面が緻密化し、水
素、窒素、ハロゲン化炭素、弗化水素または希ガスから
選ばれた一種または複数種の気体元素を含む硬化膜が形
成され、内部から水分やガス（酸素）が発生するのを防
ぐことができ、発光素子の劣化を防ぐことができる。
素、窒素、ハロゲン化炭素、弗化水素または希ガスから
選ばれた一種または複数種の気体元素を含む硬化膜が形
成され、内部から水分やガス（酸素）が発生するのを防
ぐことができ、発光素子の劣化を防ぐことができる。
【０１３２】なお、本実施例は、実施例１〜実施例７の
いずれとも組み合わせて用いることができる。
いずれとも組み合わせて用いることができる。
【０１３３】（実施例９）実施例１にしたがい、第２の
層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成する（図１８
（Ａ））。その後、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２
６）上に第１の絶縁膜９３６を形成する。第１の絶縁膜
９３６としては、実施例２または実施例３に示したＤＬ
Ｃ膜、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜または窒化
酸化アルミニウム膜を形成してもよい。続いて、第１の
絶縁膜９３６上に、ＩＴＯ膜を形成し所望の形状にパタ
ーニングして、陽極１９３７を形成する。
層間絶縁膜（９３５、３９２６）まで形成する（図１８
（Ａ））。その後、第２の層間絶縁膜（９３５、３９２
６）上に第１の絶縁膜９３６を形成する。第１の絶縁膜
９３６としては、実施例２または実施例３に示したＤＬ
Ｃ膜、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜または窒化
酸化アルミニウム膜を形成してもよい。続いて、第１の
絶縁膜９３６上に、ＩＴＯ膜を形成し所望の形状にパタ
ーニングして、陽極１９３７を形成する。
【０１３４】続いて、所定のパターンのレジストマスク
を形成し、それぞれの半導体層に形成されたソース領域
またはドレイン領域となる不純物領域に達するコンタク
トホールをドライエッチング法などにより形成する。こ
れは、実施例１にしたがえばよい。
を形成し、それぞれの半導体層に形成されたソース領域
またはドレイン領域となる不純物領域に達するコンタク
トホールをドライエッチング法などにより形成する。こ
れは、実施例１にしたがえばよい。
【０１３５】その後、導電性の金属膜をスパッタ法や真
空蒸着法で形成し、エッチングして、配線１９３８〜１
９４４を形成する。配線１９３８〜１９４４は、実施例
１と同じように膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と膜厚５００ｎｍ
の合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜で形成す
ればよい。
空蒸着法で形成し、エッチングして、配線１９３８〜１
９４４を形成する。配線１９３８〜１９４４は、実施例
１と同じように膜厚５０ｎｍのＴｉ膜と膜厚５００ｎｍ
の合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜で形成す
ればよい。
【０１３６】本実施例（図１８（Ｂ））で示すように、
陽極１９３７を配線１９３８〜１９４ の前に形成する
ことにより、もしカバレッジの悪い材料を用いて陽極を
形成しなければならないとしても、配線断線１９４３が
陽極１９３８上に形成されるため、断線等の問題が発生
することはない。
陽極１９３７を配線１９３８〜１９４ の前に形成する
ことにより、もしカバレッジの悪い材料を用いて陽極を
形成しなければならないとしても、配線断線１９４３が
陽極１９３８上に形成されるため、断線等の問題が発生
することはない。
【０１３７】配線を形成したら、実施例１にしたがっ
て、バンク、有機化合物層、陰極を形成すればよい。
て、バンク、有機化合物層、陰極を形成すればよい。
【０１３８】本実施例は、実施例１〜７を組み合わせて
適用することができる。
適用することができる。
【０１３９】（実施例１０）本実施例では、ＴＦＴの活
性層となる半導体膜を触媒元素を用いて結晶化させ、そ
の後、得られた結晶質半導体膜の触媒元素濃度を低減さ
せる方法について説明する。
性層となる半導体膜を触媒元素を用いて結晶化させ、そ
の後、得られた結晶質半導体膜の触媒元素濃度を低減さ
せる方法について説明する。
【０１４０】図１７（ａ）において、基板１１００は、
好ましくはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケ
イ酸ガラス、或いは石英などを用いることができる。基
板１１００の表面には、下地絶縁膜１１０１として無機
絶縁膜を１０〜２００ｎｍの厚さで形成する。好適な下
地絶縁膜の一例は、プラズマＣＶＤ法で作製される酸化
窒化シリコン膜であり、ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作
製される第１酸化窒化シリコン膜１１０１ａを５０ｎｍ
の厚さに形成し、次いで、ＳｉＨ4とＮ2Ｏから作製され
る第２酸化窒化シリコン膜１１０１ｂを１００ｎｍの厚
さに形成したものを適用する。下地絶縁膜１１０１はガ
ラス基板に含まれるアルカリ金属がこの上層に形成する
半導体膜中に拡散しないために設けるものであり、石英
を基板とする場合には省略することも可能である。
好ましくはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケ
イ酸ガラス、或いは石英などを用いることができる。基
板１１００の表面には、下地絶縁膜１１０１として無機
絶縁膜を１０〜２００ｎｍの厚さで形成する。好適な下
地絶縁膜の一例は、プラズマＣＶＤ法で作製される酸化
窒化シリコン膜であり、ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2Ｏから作
製される第１酸化窒化シリコン膜１１０１ａを５０ｎｍ
の厚さに形成し、次いで、ＳｉＨ4とＮ2Ｏから作製され
る第２酸化窒化シリコン膜１１０１ｂを１００ｎｍの厚
さに形成したものを適用する。下地絶縁膜１１０１はガ
ラス基板に含まれるアルカリ金属がこの上層に形成する
半導体膜中に拡散しないために設けるものであり、石英
を基板とする場合には省略することも可能である。
【０１４１】次いで、下地絶縁膜１１０１上に、窒化珪
素膜１１０２を形成する。この窒化珪素膜１１０２は、
後の半導体膜の結晶化工程において用いる触媒元素（代
表的にはニッケル）が、下地絶縁膜１１０１に染みつく
のを防ぐため、さらに下地絶縁膜１１０１の含まれる酸
素が悪影響を及ぼすのを防ぐのを目的に形成される。な
お、窒化珪素膜１１０２は、プラズマＣＶＤ法で、１〜
５ｎｍの膜厚で形成すればよい。
素膜１１０２を形成する。この窒化珪素膜１１０２は、
後の半導体膜の結晶化工程において用いる触媒元素（代
表的にはニッケル）が、下地絶縁膜１１０１に染みつく
のを防ぐため、さらに下地絶縁膜１１０１の含まれる酸
素が悪影響を及ぼすのを防ぐのを目的に形成される。な
お、窒化珪素膜１１０２は、プラズマＣＶＤ法で、１〜
５ｎｍの膜厚で形成すればよい。
【０１４２】次いで、窒化珪素膜１１０２上に非晶質半
導体膜１１０３を形成する。非晶質半導体膜１１０３
は、シリコンを主成分とする半導体材料を用いる。代表
的には、非晶質シリコン膜又は非晶質シリコンゲルマニ
ウム膜などが適用され、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ
法、或いはスパッタ法で１０〜１００ｎｍの厚さに形成
する。良質な結晶を得るためには、非晶質半導体膜１１
０３に含まれる酸素、窒素などの不純物濃度を５×１０
18／ｃｍ3以下に低減させておくと良い。これらの不純
物は非晶質半導体の結晶化を妨害する要因となり、また
結晶化後においても捕獲中心や再結合中心の密度を増加
させる要因となる。そのために、高純度の材料ガスを用
いることはもとより、反応室内の鏡面処理（電界研磨処
理）やオイルフリーの真空排気系を備えた超高真空対応
のＣＶＤ装置を用いることが望ましい。なお、下地絶縁
膜１１０１から非晶質半導体膜１１０３までは、大気解
放せずに連続成膜することができる。
導体膜１１０３を形成する。非晶質半導体膜１１０３
は、シリコンを主成分とする半導体材料を用いる。代表
的には、非晶質シリコン膜又は非晶質シリコンゲルマニ
ウム膜などが適用され、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ
法、或いはスパッタ法で１０〜１００ｎｍの厚さに形成
する。良質な結晶を得るためには、非晶質半導体膜１１
０３に含まれる酸素、窒素などの不純物濃度を５×１０
18／ｃｍ3以下に低減させておくと良い。これらの不純
物は非晶質半導体の結晶化を妨害する要因となり、また
結晶化後においても捕獲中心や再結合中心の密度を増加
させる要因となる。そのために、高純度の材料ガスを用
いることはもとより、反応室内の鏡面処理（電界研磨処
理）やオイルフリーの真空排気系を備えた超高真空対応
のＣＶＤ装置を用いることが望ましい。なお、下地絶縁
膜１１０１から非晶質半導体膜１１０３までは、大気解
放せずに連続成膜することができる。
【０１４３】その後、非晶質シリコン膜１１０３の表面
に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素を添加す
る（図１７（ｂ））。半導体膜の結晶化を促進する触媒
作用のある金属元素としては鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウ
ム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏ
ｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃ
ｕ）、金（Ａｕ）などであり、これらから選ばれた一種
または複数種を用いることができる。代表的にはニッケ
ルを用い、重量換算で１〜１００ｐｐｍのニッケルを含
む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布して触媒含有層
１１０４を形成する。この場合、当該溶液の馴染みをよ
くするために、非晶質シリコン膜１１０３の表面処理と
して、オゾン含有水溶液で極薄い酸化膜を形成し、その
酸化膜をフッ酸と過酸化水素水の混合液でエッチングし
て清浄な表面を形成した後、再度オゾン含有水溶液で処
理して極薄い酸化膜を形成しておく。シリコンなど半導
体膜の表面は本来疎水性なので、このように酸化膜を形
成しておくことにより酢酸ニッケル塩溶液を均一に塗布
することができる。
に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素を添加す
る（図１７（ｂ））。半導体膜の結晶化を促進する触媒
作用のある金属元素としては鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウ
ム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏ
ｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃ
ｕ）、金（Ａｕ）などであり、これらから選ばれた一種
または複数種を用いることができる。代表的にはニッケ
ルを用い、重量換算で１〜１００ｐｐｍのニッケルを含
む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布して触媒含有層
１１０４を形成する。この場合、当該溶液の馴染みをよ
くするために、非晶質シリコン膜１１０３の表面処理と
して、オゾン含有水溶液で極薄い酸化膜を形成し、その
酸化膜をフッ酸と過酸化水素水の混合液でエッチングし
て清浄な表面を形成した後、再度オゾン含有水溶液で処
理して極薄い酸化膜を形成しておく。シリコンなど半導
体膜の表面は本来疎水性なので、このように酸化膜を形
成しておくことにより酢酸ニッケル塩溶液を均一に塗布
することができる。
【０１４４】勿論、触媒含有層１１０４はこのような方
法に限定されず、スパッタ法、蒸着法、プラズマ処理な
どにより形成しても良い。
法に限定されず、スパッタ法、蒸着法、プラズマ処理な
どにより形成しても良い。
【０１４５】非晶質シリコン膜１１０３と触媒元素含有
層１１０４とを接触した状態を保持したまま結晶化のた
めの加熱処理を行う。加熱処理の方法としては、電熱炉
を用いるファーネスアニール法や、ハロゲンランプ、メ
タルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボン
アークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプ
などを用いた瞬間熱アニール（Rapid Thermal Annealin
g）法（以下、ＲＴＡ法と記す）を採用する。
層１１０４とを接触した状態を保持したまま結晶化のた
めの加熱処理を行う。加熱処理の方法としては、電熱炉
を用いるファーネスアニール法や、ハロゲンランプ、メ
タルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボン
アークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプ
などを用いた瞬間熱アニール（Rapid Thermal Annealin
g）法（以下、ＲＴＡ法と記す）を採用する。
【０１４６】ＲＴＡ法で行う場合には、加熱用のランプ
光源を１〜６０秒、好ましくは３０〜６０秒点灯させ、
それを１〜１０回、好ましくは２〜６回繰り返す。ラン
プ光源の発光強度は任意なものとするが、半導体膜が瞬
間的には６００〜１０００℃、好ましくは６５０〜７５
０℃程度にまで加熱されるようにする。このような高温
になったとしても、半導体膜が瞬間的に加熱されるのみ
であり、基板１１００はそれ自身が歪んで変形すること
はない。こうして、非晶質半導体膜を結晶化させ、図１
７（ｃ）に示す結晶質シリコン膜１１０５を得ることが
できるが、このような処理で結晶化できるのは触媒元素
含有層を設けることによりはじめて達成できるものであ
る。
光源を１〜６０秒、好ましくは３０〜６０秒点灯させ、
それを１〜１０回、好ましくは２〜６回繰り返す。ラン
プ光源の発光強度は任意なものとするが、半導体膜が瞬
間的には６００〜１０００℃、好ましくは６５０〜７５
０℃程度にまで加熱されるようにする。このような高温
になったとしても、半導体膜が瞬間的に加熱されるのみ
であり、基板１１００はそれ自身が歪んで変形すること
はない。こうして、非晶質半導体膜を結晶化させ、図１
７（ｃ）に示す結晶質シリコン膜１１０５を得ることが
できるが、このような処理で結晶化できるのは触媒元素
含有層を設けることによりはじめて達成できるものであ
る。
【０１４７】その他の方法としてファーネスアニール法
を用いる場合には、加熱処理に先立ち、５００℃にて１
時間程度の加熱処理を行い、非晶質シリコン膜１１０３
が含有する水素を放出させておく。そして、電熱炉を用
いて窒素雰囲気中にて５５０〜６００℃、好ましくは５
８０℃で４時間の加熱処理を行い非晶質シリコン膜１１
０３を結晶化させる。こうして、図１７（ｃ）に示す結
晶質シリコン膜１１０５を形成する。
を用いる場合には、加熱処理に先立ち、５００℃にて１
時間程度の加熱処理を行い、非晶質シリコン膜１１０３
が含有する水素を放出させておく。そして、電熱炉を用
いて窒素雰囲気中にて５５０〜６００℃、好ましくは５
８０℃で４時間の加熱処理を行い非晶質シリコン膜１１
０３を結晶化させる。こうして、図１７（ｃ）に示す結
晶質シリコン膜１１０５を形成する。
【０１４８】さらに結晶化率（膜の全体積における結晶
成分の割合）を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修す
るためには、結晶質シリコン膜１１０５に対してレーザ
光を照射することも有効である。
成分の割合）を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修す
るためには、結晶質シリコン膜１１０５に対してレーザ
光を照射することも有効である。
【０１４９】このようにして得られる結晶質シリコン膜
１１０５には、触媒元素（ここではニッケル）が平均的
な濃度とすれば、１×１０19／ｃｍ3を越える濃度で残
存している。触媒元素が残留していると、ＴＦＴの特性
に悪影響を及ぼす可能性があるため、半導体層の触媒元
素濃度を低減させる必要がある。そこで、結晶化工程に
続いて、半導体層の触媒元素濃度を低減させる方法につ
いて説明する。
１１０５には、触媒元素（ここではニッケル）が平均的
な濃度とすれば、１×１０19／ｃｍ3を越える濃度で残
存している。触媒元素が残留していると、ＴＦＴの特性
に悪影響を及ぼす可能性があるため、半導体層の触媒元
素濃度を低減させる必要がある。そこで、結晶化工程に
続いて、半導体層の触媒元素濃度を低減させる方法につ
いて説明する。
【０１５０】まず、図１７（ｄ）に示すように結晶質シ
リコン膜１１０５の表面に薄い層１１０６を形成する。
本明細書において、結晶質シリコン膜１１０５上に設け
た薄い層１１０６は、後にゲッタリングサイトを除去す
る際に、結晶質シリコン膜１１０５がエッチングされな
いように設けた層で、バリア層１１０６ということにす
る。
リコン膜１１０５の表面に薄い層１１０６を形成する。
本明細書において、結晶質シリコン膜１１０５上に設け
た薄い層１１０６は、後にゲッタリングサイトを除去す
る際に、結晶質シリコン膜１１０５がエッチングされな
いように設けた層で、バリア層１１０６ということにす
る。
【０１５１】バリア層１１０６の厚さは１〜１０nm程度
とし、簡便にはオゾン水で処理することにより形成され
るケミカルオキサイドをバリア層としても良い。また、
硫酸、塩酸、硝酸などと過酸化水素水を混合させた水溶
液で処理しても同様にケミカルオキサイドを形成するこ
とができる。他の方法としては、酸化雰囲気中でのプラ
ズマ処理や、酸素含有雰囲気中での紫外線照射によりオ
ゾンを発生させて酸化処理を行っても良い。また、クリ
ーンオーブンを用い、２００〜３５０℃程度に加熱して
薄い酸化膜を形成しバリア層としても良い。或いは、プ
ラズマＣＶＤ法やスパッタ法、蒸着法などで１〜５ｎｍ
程度の酸化膜を堆積してバリア層としても良い。いずれ
にしても、ゲッタリング工程時に、触媒元素がゲッタリ
ングサイト側に移動できて、ゲッタリングサイトの除去
工程時には、エッチング液がしみこまない（結晶性シリ
コン膜１１０５をエッチング液から保護する）膜、例え
ば、オゾン水で処理することにより形成されるケミカル
オキサイド膜、酸化シリコン膜（ＳｉＯx）、または多
孔質膜を用いればよい。
とし、簡便にはオゾン水で処理することにより形成され
るケミカルオキサイドをバリア層としても良い。また、
硫酸、塩酸、硝酸などと過酸化水素水を混合させた水溶
液で処理しても同様にケミカルオキサイドを形成するこ
とができる。他の方法としては、酸化雰囲気中でのプラ
ズマ処理や、酸素含有雰囲気中での紫外線照射によりオ
ゾンを発生させて酸化処理を行っても良い。また、クリ
ーンオーブンを用い、２００〜３５０℃程度に加熱して
薄い酸化膜を形成しバリア層としても良い。或いは、プ
ラズマＣＶＤ法やスパッタ法、蒸着法などで１〜５ｎｍ
程度の酸化膜を堆積してバリア層としても良い。いずれ
にしても、ゲッタリング工程時に、触媒元素がゲッタリ
ングサイト側に移動できて、ゲッタリングサイトの除去
工程時には、エッチング液がしみこまない（結晶性シリ
コン膜１１０５をエッチング液から保護する）膜、例え
ば、オゾン水で処理することにより形成されるケミカル
オキサイド膜、酸化シリコン膜（ＳｉＯx）、または多
孔質膜を用いればよい。
【０１５２】次いで、バリア層１１０６上にスパッタ法
でゲッタリングサイト１１０７として、膜中に希ガス元
素を１×１０20／ｃｍ3以上の濃度で含む第２の半導体
膜（代表的には、非晶質シリコン膜）を２５〜２５０ｎ
ｍの厚さで形成する。後に除去されるゲッタリングサイ
ト１１０７は結晶質シリコン膜１１０５とエッチングの
選択比を大きくするため、密度の低い膜を形成すること
が好ましい。
でゲッタリングサイト１１０７として、膜中に希ガス元
素を１×１０20／ｃｍ3以上の濃度で含む第２の半導体
膜（代表的には、非晶質シリコン膜）を２５〜２５０ｎ
ｍの厚さで形成する。後に除去されるゲッタリングサイ
ト１１０７は結晶質シリコン膜１１０５とエッチングの
選択比を大きくするため、密度の低い膜を形成すること
が好ましい。
【０１５３】なお、希ガス元素は半導体膜中でそれ自体
は不活性であるため、結晶質シリコン膜１１０５に悪影
響を及ぼすことはない。また、希ガス元素としてはヘリ
ウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ク
リプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種
または複数種を用いる。本発明はゲッタリングサイトを
形成するためにこれら希ガス元素をイオンソースとして
用いること、またこれら元素が含まれた半導体膜を形成
し、この膜をゲッタリングサイトとすることに特徴を有
する。
は不活性であるため、結晶質シリコン膜１１０５に悪影
響を及ぼすことはない。また、希ガス元素としてはヘリ
ウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ク
リプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種
または複数種を用いる。本発明はゲッタリングサイトを
形成するためにこれら希ガス元素をイオンソースとして
用いること、またこれら元素が含まれた半導体膜を形成
し、この膜をゲッタリングサイトとすることに特徴を有
する。
【０１５４】ゲッタリングを確実に成し遂げるにはその
後加熱処理をすることが必要となる。加熱処理はファー
ネスアニール法やＲＴＡ法で行う。ファーネスアニール
法で行う場合には、窒素雰囲気中にて４５０〜６００℃
で０．５〜１２時間の加熱処理を行う。また、ＲＴＡ法
を用いる場合には、加熱用のランプ光源を１〜６０秒、
好ましくは３０〜６０秒点灯させ、それを１〜１０回、
好ましくは２〜６回繰り返す。ランプ光源の発光強度は
任意なものとするが、半導体膜が瞬間的には６００〜１
０００℃、好ましくは７００〜７５０℃程度にまで加熱
されるようにする。
後加熱処理をすることが必要となる。加熱処理はファー
ネスアニール法やＲＴＡ法で行う。ファーネスアニール
法で行う場合には、窒素雰囲気中にて４５０〜６００℃
で０．５〜１２時間の加熱処理を行う。また、ＲＴＡ法
を用いる場合には、加熱用のランプ光源を１〜６０秒、
好ましくは３０〜６０秒点灯させ、それを１〜１０回、
好ましくは２〜６回繰り返す。ランプ光源の発光強度は
任意なものとするが、半導体膜が瞬間的には６００〜１
０００℃、好ましくは７００〜７５０℃程度にまで加熱
されるようにする。
【０１５５】ゲッタリングは、被ゲッタリング領域（捕
獲サイト）にある触媒元素が熱エネルギーにより放出さ
れ、拡散によりゲッタリングサイトに移動する。従っ
て、ゲッタリングは処理温度に依存し、より高温である
ほど短時間でゲッタリングが進むことになる。本発明に
おいて、触媒元素がゲッタリングの際に移動する距離
は、半導体膜の厚さ程度の距離であり、比較的短時間で
ゲッタリングを完遂することができる（図１７
（ｅ））。
獲サイト）にある触媒元素が熱エネルギーにより放出さ
れ、拡散によりゲッタリングサイトに移動する。従っ
て、ゲッタリングは処理温度に依存し、より高温である
ほど短時間でゲッタリングが進むことになる。本発明に
おいて、触媒元素がゲッタリングの際に移動する距離
は、半導体膜の厚さ程度の距離であり、比較的短時間で
ゲッタリングを完遂することができる（図１７
（ｅ））。
【０１５６】なお、この加熱処理によっても１×１０19
／ｃｍ3〜１×１０21／ｃｍ3、好ましくは１×１０20／
ｃｍ3〜１×１０21/cm3、より好ましくは５×１０20／
ｃｍ3の濃度で希ガス元素を含む半導体膜１１０７は結
晶化することはない。これは、希ガス元素が上記処理温
度の範囲においても再放出されず膜中に残存して、半導
体膜の結晶化を阻害するためであると考えられる。
／ｃｍ3〜１×１０21／ｃｍ3、好ましくは１×１０20／
ｃｍ3〜１×１０21/cm3、より好ましくは５×１０20／
ｃｍ3の濃度で希ガス元素を含む半導体膜１１０７は結
晶化することはない。これは、希ガス元素が上記処理温
度の範囲においても再放出されず膜中に残存して、半導
体膜の結晶化を阻害するためであると考えられる。
【０１５７】ゲッタリング工程終了後、ゲッタリングサ
イト１１０７を選択的にエッチングして除去する。エッ
チングの方法としては、ＣｌＦ3によるプラズマを用い
ないドライエッチング、或いはヒドラジンや、テトラエ
チルアンモニウムハイドロオキサイド（化学式 （Ｃ
Ｈ3）4ＮＯＨ）を含む水溶液などアルカリ溶液によるウ
エットエッチングで行うことができる。この時バリア層
１１０６はエッチングストッパーとして機能する。ま
た、バリア層１１０６はその後フッ酸により除去すれば
良い。
イト１１０７を選択的にエッチングして除去する。エッ
チングの方法としては、ＣｌＦ3によるプラズマを用い
ないドライエッチング、或いはヒドラジンや、テトラエ
チルアンモニウムハイドロオキサイド（化学式 （Ｃ
Ｈ3）4ＮＯＨ）を含む水溶液などアルカリ溶液によるウ
エットエッチングで行うことができる。この時バリア層
１１０６はエッチングストッパーとして機能する。ま
た、バリア層１１０６はその後フッ酸により除去すれば
良い。
【０１５８】こうして図１７（ｆ）に示すように触媒元
素の濃度が１×１０17／ｃｍ3以下にまで低減された結
晶質シリコン膜１１０８を得ることができる。こうして
形成された結晶質シリコン膜１１０８は、触媒元素の作
用により細い棒状又は細い扁平棒状結晶として形成さ
れ、その各々の結晶は巨視的に見ればある特定の方向性
をもって成長している。
素の濃度が１×１０17／ｃｍ3以下にまで低減された結
晶質シリコン膜１１０８を得ることができる。こうして
形成された結晶質シリコン膜１１０８は、触媒元素の作
用により細い棒状又は細い扁平棒状結晶として形成さ
れ、その各々の結晶は巨視的に見ればある特定の方向性
をもって成長している。
【０１５９】本実施例は、実施例１〜９に組み合わせて
用いることができる。
用いることができる。
【０１６０】（実施例１１）本実施例では、実施例１〜
実施例１０の作製工程を組み合わせて図６（Ｂ）に示し
た状態まで作製した発光パネルを発光装置として完成さ
せる方法について図９を用いて詳細に説明する。
実施例１０の作製工程を組み合わせて図６（Ｂ）に示し
た状態まで作製した発光パネルを発光装置として完成さ
せる方法について図９を用いて詳細に説明する。
【０１６１】図９（Ａ）は、素子基板を封止した発光パ
ネルの上面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）をＡ−Ａ’で切
断した断面図である。点線で示された８０１はソース側
駆動回路、８０２は画素部、８０３はゲート側駆動回路
である。また、８０４は封止基板、８０５はシール剤で
あり、シール剤８０５で囲まれた内側は、空間８０７に
なっている。
ネルの上面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）をＡ−Ａ’で切
断した断面図である。点線で示された８０１はソース側
駆動回路、８０２は画素部、８０３はゲート側駆動回路
である。また、８０４は封止基板、８０５はシール剤で
あり、シール剤８０５で囲まれた内側は、空間８０７に
なっている。
【０１６２】なお、ソース側駆動回路８０１及びゲート
側駆動回路８０３に入力される信号を伝送するための配
線（図示せず）により、外部入力端子となるＦＰＣ（フ
レキシブルプリントサーキット）８０９からビデオ信号
やクロック信号を受け取る。なお、ここでは発光パネル
にＦＰＣが接続された状態を示しているが、ＦＰＣを介
してＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールを本
明細書中では、発光装置とよぶ。
側駆動回路８０３に入力される信号を伝送するための配
線（図示せず）により、外部入力端子となるＦＰＣ（フ
レキシブルプリントサーキット）８０９からビデオ信号
やクロック信号を受け取る。なお、ここでは発光パネル
にＦＰＣが接続された状態を示しているが、ＦＰＣを介
してＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールを本
明細書中では、発光装置とよぶ。
【０１６３】次に、断面構造について図９（Ｂ）を用い
て説明する。基板８１０の上方には画素部８０２、駆動
回路部が形成されており、画素部８０２は電流制御用Ｔ
ＦＴ８１１とそのドレインに電気的に接続された陽極８
１２を含む複数の画素により形成される。また、駆動回
路部はｎチャネル型ＴＦＴ８１３とｐチャネル型ＴＦＴ
８１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成され
る。
て説明する。基板８１０の上方には画素部８０２、駆動
回路部が形成されており、画素部８０２は電流制御用Ｔ
ＦＴ８１１とそのドレインに電気的に接続された陽極８
１２を含む複数の画素により形成される。また、駆動回
路部はｎチャネル型ＴＦＴ８１３とｐチャネル型ＴＦＴ
８１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成され
る。
【０１６４】また、陽極８１２の両端にバンク８１５が
形成された後、陽極８１２上に絶縁膜８２１、有機化合
物層８１６および陰極８１７が形成され、発光素子８１
８が形成される。
形成された後、陽極８１２上に絶縁膜８２１、有機化合
物層８１６および陰極８１７が形成され、発光素子８１
８が形成される。
【０１６５】なお、陰極８１７は全画素に共通の配線と
して機能し、接続配線８０８を経由してＦＰＣ８０９に
電気的に接続されている。
して機能し、接続配線８０８を経由してＦＰＣ８０９に
電気的に接続されている。
【０１６６】なお、シール剤８０５によりガラスからな
る封止基板８０４が貼り合わされている。なお、シール
剤８０５としては紫外線硬化樹脂や熱硬化性樹脂を用い
るのが好ましい。また、必要に応じて封止基板８０４と
発光素子８１８との間隔を確保するために樹脂膜からな
るスペーサを設けても良い。シール剤８０５の内側の空
間８０７には窒素や希ガス等の不活性ガスが充填されて
いる。また、シール剤８０５はできるだけ水分や酸素を
透過しない材料であることが望ましい。
る封止基板８０４が貼り合わされている。なお、シール
剤８０５としては紫外線硬化樹脂や熱硬化性樹脂を用い
るのが好ましい。また、必要に応じて封止基板８０４と
発光素子８１８との間隔を確保するために樹脂膜からな
るスペーサを設けても良い。シール剤８０５の内側の空
間８０７には窒素や希ガス等の不活性ガスが充填されて
いる。また、シール剤８０５はできるだけ水分や酸素を
透過しない材料であることが望ましい。
【０１６７】以上のような構造で発光素子を空間８０７
に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断
することができ、外部から侵入する水分や酸素による発
光素子の劣化を防ぐことができる。従って、信頼性の高
い発光装置を得ることができる。
に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断
することができ、外部から侵入する水分や酸素による発
光素子の劣化を防ぐことができる。従って、信頼性の高
い発光装置を得ることができる。
【０１６８】なお、本実施例における構成は、実施例１
〜実施例１０の構成を組み合わせて実施することが可能
である。
〜実施例１０の構成を組み合わせて実施することが可能
である。
【０１６９】（実施例１２）ここで、本発明を用いて形
成される発光装置の画素部のさらに詳細な上面構造を図
１０（Ａ）に、回路図を図１０（Ｂ）に示す。図１０に
おいて、基板上に設けられたスイッチング用ＴＦＴ７０
４は図６のスイッチング用（ｎチャネル型）ＴＦＴ１０
０２を用いて形成される。従って、構造の説明はスイッ
チング用（ｎチャネル型）ＴＦＴ１００２の説明を参照
すれば良い。また、７０３で示される配線は、スイッチ
ング用ＴＦＴ７０４のゲート電極７０４a、７０４bを電
気的に接続するゲート配線である。
成される発光装置の画素部のさらに詳細な上面構造を図
１０（Ａ）に、回路図を図１０（Ｂ）に示す。図１０に
おいて、基板上に設けられたスイッチング用ＴＦＴ７０
４は図６のスイッチング用（ｎチャネル型）ＴＦＴ１０
０２を用いて形成される。従って、構造の説明はスイッ
チング用（ｎチャネル型）ＴＦＴ１００２の説明を参照
すれば良い。また、７０３で示される配線は、スイッチ
ング用ＴＦＴ７０４のゲート電極７０４a、７０４bを電
気的に接続するゲート配線である。
【０１７０】なお、本実施例ではチャネル形成領域が二
つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル
形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは
三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。
つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル
形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは
三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。
【０１７１】また、スイッチング用ＴＦＴ７０４のソー
スはソース配線７１５に接続され、ドレインはドレイン
配線７０５に接続される。また、ドレイン配線７０５は
電流制御用ＴＦＴ７０６のゲート電極７０７に電気的に
接続される。なお、電流制御用ＴＦＴ７０６は図６の電
流制御用（ｐチャネル型）ＴＦＴ１００３を用いて形成
される。従って、構造の説明は電流制御用（ｐチャネル
型）ＴＦＴ１００３の説明を参照すれば良い。なお、本
実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲ
ート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
スはソース配線７１５に接続され、ドレインはドレイン
配線７０５に接続される。また、ドレイン配線７０５は
電流制御用ＴＦＴ７０６のゲート電極７０７に電気的に
接続される。なお、電流制御用ＴＦＴ７０６は図６の電
流制御用（ｐチャネル型）ＴＦＴ１００３を用いて形成
される。従って、構造の説明は電流制御用（ｐチャネル
型）ＴＦＴ１００３の説明を参照すれば良い。なお、本
実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲ
ート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【０１７２】また、電流制御用ＴＦＴ７０６のソースは
電流供給線７１６に電気的に接続され、ドレインはドレ
イン配線７１７に電気的に接続される。また、ドレイン
配線７１７は点線で示される陽極（画素電極）７１８に
電気的に接続される。
電流供給線７１６に電気的に接続され、ドレインはドレ
イン配線７１７に電気的に接続される。また、ドレイン
配線７１７は点線で示される陽極（画素電極）７１８に
電気的に接続される。
【０１７３】このとき、７１９で示される領域には保持
容量（コンデンサ）が形成される。コンデンサ７１９
は、電流供給線７１６と電気的に接続された半導体層７
２０、ゲート絶縁膜と同一層の絶縁膜（図示せず）及び
ゲート電極７０７との間で形成される。また、ゲート電
極７０７、第１層間絶縁膜と同一の層（図示せず）及び
電流供給線７１６で形成される容量も保持容量として用
いることが可能である。
容量（コンデンサ）が形成される。コンデンサ７１９
は、電流供給線７１６と電気的に接続された半導体層７
２０、ゲート絶縁膜と同一層の絶縁膜（図示せず）及び
ゲート電極７０７との間で形成される。また、ゲート電
極７０７、第１層間絶縁膜と同一の層（図示せず）及び
電流供給線７１６で形成される容量も保持容量として用
いることが可能である。
【０１７４】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例１０の構成を組み合わせて実施することが可能であ
る。
例１０の構成を組み合わせて実施することが可能であ
る。
【０１７５】（実施例１３）発光装置を作製する工程に
ついて、実施例２とは異なる他の一例について図２３
（Ａ）（Ｂ）を用いて説明する。
ついて、実施例２とは異なる他の一例について図２３
（Ａ）（Ｂ）を用いて説明する。
【０１７６】まず、実施例２に従って図２２（Ａ）の状
態まで工程を進める。その後、ＴＦＴ基板を第２の処理
室に搬入して帯電防止膜を水洗により除去する。そし
て、図２３（Ａ）に示すように、バンク３９３８を形成
する。バンク３９３８は、実施例２と同様に表面を窒化
シリコン膜等の絶縁膜で覆っても良いし、実施例８と同
様にプラズマ処理を行って表面改質を行っても良い。
態まで工程を進める。その後、ＴＦＴ基板を第２の処理
室に搬入して帯電防止膜を水洗により除去する。そし
て、図２３（Ａ）に示すように、バンク３９３８を形成
する。バンク３９３８は、実施例２と同様に表面を窒化
シリコン膜等の絶縁膜で覆っても良いし、実施例８と同
様にプラズマ処理を行って表面改質を行っても良い。
【０１７７】陽極３９２８上には、最初スピン塗布法や
スプレー法などを用いて高分子有機化合物で形成される
第１有機化合物層３９５０を形成する。この層は正孔注
入輸送性を有する高分子有機化合物材料又は正孔移動度
の高い高分子有機化合物材料で形成する。高分子有機化
合物材料としては、ポリエチレンジオキシチオフェン
（ＰＥＤＯＴ）を適用することができる。
スプレー法などを用いて高分子有機化合物で形成される
第１有機化合物層３９５０を形成する。この層は正孔注
入輸送性を有する高分子有機化合物材料又は正孔移動度
の高い高分子有機化合物材料で形成する。高分子有機化
合物材料としては、ポリエチレンジオキシチオフェン
（ＰＥＤＯＴ）を適用することができる。
【０１７８】その上に形成する発光層や電子輸送層など
の第２有機化合物層３９５１、及び陰極３９５２は実施
例１と同様にして形成すれば良い。
の第２有機化合物層３９５１、及び陰極３９５２は実施
例１と同様にして形成すれば良い。
【０１７９】図２３（Ｂ）で詳細に示すように、この第
１有機化合物層３９５０の厚さは、粘度を適宜調整する
ことで陽極３９２８上の膜厚（ｔ１）とバンク３９３８
上の膜厚（ｔ２）とで異ならせることが可能である。即
ち、バンク３９３８により陽極３９２８上に形成される
凹部においよって陽極３９２８上の膜厚（ｔ１）を厚く
することができる。
１有機化合物層３９５０の厚さは、粘度を適宜調整する
ことで陽極３９２８上の膜厚（ｔ１）とバンク３９３８
上の膜厚（ｔ２）とで異ならせることが可能である。即
ち、バンク３９３８により陽極３９２８上に形成される
凹部においよって陽極３９２８上の膜厚（ｔ１）を厚く
することができる。
【０１８０】また、陽極３９２８とバンク３９３８が接
する端部３９５８の厚さ（ｔ３）が最も厚くなり、曲率
を持たせて形成することができる。このような形状によ
り、その上層に形成する第２有機化合物層３９５１と陰
極３９５２の被覆性を向上させることができる。さら
に、応力集中による亀裂や電界集中が抑制され、発光素
子の劣化や短絡による不良を防止することができる。
する端部３９５８の厚さ（ｔ３）が最も厚くなり、曲率
を持たせて形成することができる。このような形状によ
り、その上層に形成する第２有機化合物層３９５１と陰
極３９５２の被覆性を向上させることができる。さら
に、応力集中による亀裂や電界集中が抑制され、発光素
子の劣化や短絡による不良を防止することができる。
【０１８１】（実施例１４）発光素子を用いた発光装置
は自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい場
所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、様々な電
気器具の表示部に用いることができる。
は自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい場
所での視認性に優れ、視野角が広い。従って、様々な電
気器具の表示部に用いることができる。
【０１８２】本発明により作製した発光装置を用いた電
気器具として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグ
ル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナ
ビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディ
オ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピ
ュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュ
ータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、
記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ等の
記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備
えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から画面
を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要
視されるため、発光素子を有する発光装置を用いること
が好ましい。それら電気器具の具体例を図１１に示す。
気器具として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグ
ル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナ
ビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディ
オ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピ
ュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュ
ータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、
記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ等の
記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備
えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から画面
を見る機会が多い携帯情報端末は、視野角の広さが重要
視されるため、発光素子を有する発光装置を用いること
が好ましい。それら電気器具の具体例を図１１に示す。
【０１８３】図１１（Ａ）は表示装置であり、筐体２０
０１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部
２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明に
より作製した発光装置は、表示部２００３に用いること
ができる。発光素子を有する発光装置は自発光型である
ためバックライトが必要なく、液晶表示装置よりも薄い
表示部とすることができる。なお、表示装置は、パソコ
ン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表
示用表示装置が含まれる。
０１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部
２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明に
より作製した発光装置は、表示部２００３に用いること
ができる。発光素子を有する発光装置は自発光型である
ためバックライトが必要なく、液晶表示装置よりも薄い
表示部とすることができる。なお、表示装置は、パソコ
ン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表
示用表示装置が含まれる。
【０１８４】図１１（Ｂ）はデジタルスチルカメラであ
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明により作製した発光装置は
表示部２１０２に用いることができる。
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明により作製した発光装置は
表示部２１０２に用いることができる。
【０１８５】図１１（Ｃ）はノート型パーソナルコンピ
ュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２
２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０
５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明に
より作製した発光装置は表示部２２０３に用いることが
できる。
ュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２
２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０
５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明に
より作製した発光装置は表示部２２０３に用いることが
できる。
【０１８６】図１１（Ｄ）はモバイルコンピュータであ
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明により作製した発光装置は表示部２３０２に
用いることができる。
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明により作製した発光装置は表示部２３０２に
用いることができる。
【０１８７】図１１（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の
画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本
体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部
Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０
５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含
む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表
示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発
明により作製した発光装置はこれら表示部Ａ２４０３、
Ｂ２４０４に用いることができる。なお、記録媒体を備
えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれ
る。
画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本
体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部
Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０
５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含
む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表
示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発
明により作製した発光装置はこれら表示部Ａ２４０３、
Ｂ２４０４に用いることができる。なお、記録媒体を備
えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれ
る。
【０１８８】図１１（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０
１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明
により作製した発光装置は表示部２５０２に用いること
ができる。
（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０
１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明
により作製した発光装置は表示部２５０２に用いること
ができる。
【０１８９】図１１（Ｇ）はビデオカメラであり、本体
２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポ
ート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０
６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キ
ー２６０９等を含む。本発明により作製した発光装置は
表示部２６０２に用いることができる。
２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポ
ート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０
６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キ
ー２６０９等を含む。本発明により作製した発光装置は
表示部２６０２に用いることができる。
【０１９０】ここで図１１（Ｈ）は携帯電話であり、本
体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力
部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、
外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。
本発明により作製した発光装置は、表示部２７０３に用
いることができる。なお、表示部２７０３は黒色の背景
に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑
えることができる。
体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力
部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、
外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。
本発明により作製した発光装置は、表示部２７０３に用
いることができる。なお、表示部２７０３は黒色の背景
に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑
えることができる。
【０１９１】なお、将来的に有機材料の発光輝度が高く
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。
【０１９２】また、上記電気器具はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機材料の応答速
度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機材料の応答速
度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。
【０１９３】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが好ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが好ましい。
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが好ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが好ましい。
【０１９４】以上の様に、本発明を用いて作製された発
光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器
具に用いることが可能である。また、本実施例の電気器
具は実施例１〜実施例１２を組み合わせて作製された発
光装置をその表示部に用いることができる。
光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器
具に用いることが可能である。また、本実施例の電気器
具は実施例１〜実施例１２を組み合わせて作製された発
光装置をその表示部に用いることができる。
【０１９５】
【発明の効果】本発明を用いることにより、陽極のクラ
ックの発生を低減できるため、発光素子の劣化を抑える
ことができる。また、陽極の表面を平坦化することで、
有機化合物層における電流密度を高めることができるた
め、駆動電圧を低減でき、発光素子の寿命を延ばすこと
ができる。
ックの発生を低減できるため、発光素子の劣化を抑える
ことができる。また、陽極の表面を平坦化することで、
有機化合物層における電流密度を高めることができるた
め、駆動電圧を低減でき、発光素子の寿命を延ばすこと
ができる。
【０１９６】また、ＴＦＴ基板を作製する処理室と発光
素子の作製する処理室とが物理的に離れており、基板を
移動させなければならない場合にも、ＴＦＴ基板をＴＦ
Ｔの特性を劣化させたり、静電破壊させたりすることな
く移動することができ、さらに、本発明の構造を適用す
れば、ＴＦＴが発光素子の材料となるアルカリ金属によ
り汚染されることや、発光素子が水分やガスにより劣化
する問題を防ぐことができ、良好な発光装置を実現する
ことができる。
素子の作製する処理室とが物理的に離れており、基板を
移動させなければならない場合にも、ＴＦＴ基板をＴＦ
Ｔの特性を劣化させたり、静電破壊させたりすることな
く移動することができ、さらに、本発明の構造を適用す
れば、ＴＦＴが発光素子の材料となるアルカリ金属によ
り汚染されることや、発光素子が水分やガスにより劣化
する問題を防ぐことができ、良好な発光装置を実現する
ことができる。
【図１】 発光装置の作製方法の実施形態を示す図。
【図２】 従来の発光装置の例を示す図。
【図３】 発光装置の作製工程を示す図。
【図４】 発光装置の作製工程を示す図。
【図５】 発光装置の作製工程を示す図。
【図６】 発光装置の作製工程を示す図。
【図７】 発光装置の作製工程の実施の一例を示す図。
【図８】 発光装置の作製工程の実施の一例を示す図。
【図９】 発光装置の封止構造を示す図。
【図１０】 発光装置の画素部の構造を示す図。
【図１１】 電気器具の一例を示す図。
【図１２】 発光装置の作製工程の実施の一例を示す
図。
図。
【図１３】 発光装置の作製工程の実施の一例を示す
図。
図。
【図１４】 ＡＦＭによる測定結果を示す図。
【図１５】 ＡＦＭによる測定結果を示す図。
【図１６】 ＡＦＭによる測定結果を示す図。
【図１７】 発光装置の作製工程の実施例を示す図。
【図１８】 発光装置の作製工程を示す図。
【図１９】 本発明の生産プロセスのイメージを示す
図。
図。
【図２０】 発光装置の作製工程の実施の一例を示す
図。
図。
【図２１】 発光装置の作製工程の実施の一例を示す
図。
図。
【図２２】 発光装置の作製工程の実施の一例を示す
図。
図。
【図２３】 発光装置の作製工程の実施の一例を示す
図。
図。
１００ 基板 １０１ 電流制御用ＴＦＴ １０２ 層間絶縁膜 １０４ 配線 １０６ 陽極 １０７ バンク １１１ 有機化合物層 １１２ 陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/10 33/12 Ｂ 33/12 33/14 Ａ 33/14 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１９Ａ ６１２Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB06 AB12 AB13 AB14 DB03 FA01 GA00 5C094 AA37 AA38 AA42 BA03 BA27 CA19 DA09 DA15 DB01 EA04 FA02 FB01 FB16 GB10 HA06 HA08 JA20 5F048 AB07 AB10 AC04 BA16 BB09 BB12 BC16 5F058 AA02 AD04 AD09 AD10 AD11 AD12 AF04 AH02 BD04 BD10 BD15 BD19 5F110 AA26 BB02 BB04 CC02 DD01 DD02 DD03 DD13 DD14 DD15 DD17 EE01 EE04 EE06 EE11 EE14 EE23 EE28 EE44 EE45 FF02 FF04 FF09 FF28 FF30 FF36 GG01 GG02 GG13 GG25 GG32 GG43 GG45 GG47 GG51 HJ01 HJ04 HJ12 HJ23 HL03 HL04 HL06 HL07 HL11 HL22 HL23 HM13 HM15 NN03 NN04 NN05 NN22 NN23 NN24 NN27 NN28 NN33 NN34 NN35 NN36 NN40 NN73 NN78 PP01 PP02 PP03 PP05 PP06 PP10 PP13 PP29 PP34 PP35 QQ04 QQ11 QQ19 QQ24 QQ28
Claims (18)
- 【請求項１】絶縁体上のＴＦＴと、前記ＴＦＴ上の層間
絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の第１の絶縁膜と、前記第
１の絶縁膜上の陽極と、前記ＴＦＴと前記陽極とを電気
的に接続する配線と、バンクと、前記陽極および前記バ
ンク上に第２の絶縁膜と、前記陽極上に前記第２の絶縁
膜を介して有機化合物層と、前記有機化合物層上に陰極
とを含む発光装置であって、前記第１の絶縁膜は、プラ
ズマ処理により形成された硬化膜であり、水素、窒素、
ハロゲン化炭素、弗化水素または希ガスから選ばれた一
種または複数種の気体元素を含むことを特徴とする発光
装置。 - 【請求項２】絶縁体上のＴＦＴと、前記ＴＦＴ上の層間
絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の第１の絶縁膜と、前記第
１の絶縁膜上の陽極と、前記ＴＦＴと前記陽極とを電気
的に接続する配線と、バンクと、前記陽極および前記バ
ンク上に第２の絶縁膜と、前記陽極上に前記第２の絶縁
膜を介して有機化合物層と、前記有機化合物層上に陰極
とを含む発光装置であって、前記第１の絶縁膜は、ＤＬ
Ｃ膜であることを特徴とする発光装置。 - 【請求項３】絶縁体上のＴＦＴと、前記ＴＦＴ上の層間
絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の第１の絶縁膜と、前記第
１の絶縁膜上の陽極と、前記ＴＦＴと前記陽極とを電気
的に接続する配線と、バンクと、前記陽極および前記バ
ンク上に第２の絶縁膜と、前記陽極上に前記第２の絶縁
膜を介して有機化合物層と、前記有機化合物層上に陰極
とを含む発光装置であって、前記第１の絶縁膜は、窒化
シリコン膜であることを特徴とする発光装置。 - 【請求項４】絶縁体上のＴＦＴと、前記ＴＦＴ上の層間
絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の第１の絶縁膜と、前記第
１の絶縁膜上の陽極と、前記ＴＦＴと前記陽極とを電気
的に接続する配線と、バンクと、前記陽極および前記バ
ンク上に第２の絶縁膜と、前記陽極上に前記第２の絶縁
膜を介して有機化合物層と、前記有機化合物層上に陰極
とを含む発光装置であって、前記第１の絶縁膜は、プラ
ズマ処理により形成された硬化膜およびＤＬＣ膜である
ことを特徴とする発光装置。 - 【請求項５】絶縁体上のＴＦＴと、前記ＴＦＴ上の層間
絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の第１の絶縁膜と、前記絶
縁膜上の陽極と、前記ＴＦＴと前記陽極とを電気的に接
続する配線と、バンクと、前記陽極および前記バンク上
に第２の絶縁膜と、前記陽極上に前記第２の絶縁膜を介
して有機化合物層と、前記有機化合物層上に陰極とを含
む発光装置であって、前記第１の絶縁膜は、プラズマ処
理により形成された硬化膜および窒化シリコン膜である
ことを特徴とする発光装置。 - 【請求項６】絶縁体上のＴＦＴと、前記ＴＦＴ上の層間
絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の第１の絶縁膜と、前記絶
縁膜上の陽極と、前記ＴＦＴと前記陽極とを電気的に接
続する配線と、バンクと、前記バンク上に第２の絶縁膜
と、前記陽極上に有機化合物層と、前記有機化合物層上
に陰極とを含む発光装置であって、前記第２の絶縁膜
は、窒化シリコン膜であることを特徴とする発光装置。 - 【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか一項にお
いて、前記陽極の表面の平均面粗さ（Ｒａ）は、０．９
ｎｍ以下、このましくは０．８５ｎｍ以下であることを
特徴とする発光装置。 - 【請求項８】請求項１乃至請求項７のいずれか一項にお
いて、前記バンクは、表面にプラズマ処理により形成さ
れ、水素、窒素、ハロゲン化炭素、弗化水素または希ガ
スから選ばれた一種または複数種の気体元素を含む硬化
膜を有していることを特徴とする発光装置。 - 【請求項９】絶縁体上に形成されたＴＦＴ上に層間絶縁
膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に絶縁膜を形成
する工程と、配線を形成する工程と、前記配線を介して
前記ＴＦＴに電気的に接続された陽極を形成する工程
と、前記陽極および前記配線を覆う樹脂絶縁膜を形成
し、エッチングしてバンクを形成する工程と、加熱処理
をする工程と、前記陽極を拭浄する工程と、前記陽極お
よび前記バンクを覆って絶縁膜を形成する工程と、前記
絶縁膜上に有機化合物層を形成する工程と、前記有機化
合物層上に陰極を形成する工程と、を含むことを特徴と
する発光装置の作製方法。 - 【請求項１０】絶縁体上に形成されたＴＦＴ上に層間絶
縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に絶縁膜を形
成する工程と、配線を形成する工程と、前記配線を介し
て前記ＴＦＴに電気的に接続された陽極を形成する工程
と、第１の加熱処理をする工程と、前記陽極および前記
配線を覆う樹脂絶縁膜を形成し、エッチングしてバンク
を形成する工程と、第２の加熱処理をする工程と、前記
陽極を拭浄する工程と、前記陽極および前記バンクを覆
って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に有機化合
物層を形成する工程と、前記有機化合物層上に陰極を形
成する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の作製
方法。 - 【請求項１１】絶縁体上に形成されたＴＦＴ上に層間絶
縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に絶縁膜を形
成する工程と、配線を形成する工程と、前記配線を介し
て前記ＴＦＴに電気的に接続された陽極を形成する工程
と、第１の加熱処理をする工程と、前記陽極および前記
配線を覆って、後のバンクを形成する樹脂絶縁膜を形成
する工程と、第２の加熱処理をする工程と、前記樹脂絶
縁膜をエッチングしてバンクを形成する工程と、前記陽
極を拭浄する工程と、前記陽極および前記バンクを覆っ
て絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に有機化合物
層を形成する工程と、前記有機化合物層上に陰極を形成
する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の作製方
法。 - 【請求項１２】絶縁体上に形成されたＴＦＴ上に層間絶
縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜表面にプラズマ
処理をする工程と、配線を形成する工程と、前記配線を
介して前記ＴＦＴに電気的に接続された陽極を形成する
工程と、前記陽極および前記配線を覆う樹脂絶縁膜を形
成する工程と、前記樹脂絶縁膜をエッチングしてバンク
を形成する工程と、加熱処理する工程と、前記陽極を拭
浄する工程と、前記陽極および前記バンクを覆って絶縁
膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に有機化合物層を形
成する工程と、前記有機化合物層上に陰極を形成する工
程と、を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 【請求項１３】絶縁表面を有する基板上に形成されたＴ
ＦＴ上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜
表面にプラズマ処理をする工程と、陽極を形成する工程
と、配線を形成する工程と、前記陽極および前記配線を
覆う樹脂絶縁膜を形成する工程と、前記ＴＦＴが形成さ
れた基板を第１の処理室から第２の処理室に移動する工
程と、前記樹脂絶縁膜をエッチングしてバンクを形成す
る工程と、加熱処理する工程と、前記バンク表面をプラ
ズマ処理する工程と、前記陽極を拭浄する工程と、前記
陽極および前記バンクを覆って絶縁膜を形成する工程
と、前記絶縁膜上に有機化合物層を形成する工程と、前
記有機化合物層上に陰極を形成する工程と、を含むこと
を特徴とする発光装置の作製方法。 - 【請求項１４】請求項１３において、前記陽極は、前記
配線を前記陽極の一部と重なるように形成することによ
り、前記ＴＦＴと電気的に接続していることを特徴とす
る発光装置の作製方法。 - 【請求項１５】請求項９乃至請求項１４のいずれか一項
において、前記バンクにプラズマ処理を行うことを特徴
とする発光装置の作製方法。 - 【請求項１６】請求項９乃至請求項１４のいずれか一項
において、プラズマ処理は、水素、窒素、ハロゲン化炭
素、弗化水素または希ガスから選ばれた一種または複数
種の気体中で行われることを特徴とする発光装置の作製
方法。 - 【請求項１７】請求項９乃至請求項１４のいずれか一項
において、前記陽極を拭浄する工程は、ＰＶＡ系の多孔
質材料を用いて行われることを特徴とする発光装置の作
製方法。 - 【請求項１８】請求項９乃至請求項１４のいずれか一項
において、前記陽極を拭浄する工程は、陽極の表面を平
坦化する工程であることを特徴とする発光装置の作製方
法。
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