JPH0874031A

JPH0874031A - 位相シフトフォトマスクブランクス製造方法、位相シフトフォトマスクブランクス、及び位相シフトフォトマスク

Info

Publication number: JPH0874031A
Application number: JP21479294A
Authority: JP
Inventors: Akihiko Toku; 昭彦悳; Mae Kawada; 前川田; Yoshihiro Saito; 芳宏斉藤; Tsuneo Yamamoto; 恒雄山本; Atsushi Hayashi; 厚林; Nobuyuki Yoshioka; 信行吉岡; Akira Chiba; 明千葉; Junji Miyazaki; 順二宮崎
Original assignee: Ulvac Seimaku KK; Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Ulvac Seimaku KK; Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1994-09-08
Filing date: 1994-09-08
Publication date: 1996-03-19
Anticipated expiration: 2019-12-02
Also published as: JP3594659B2

Abstract

(57)【要約】【目的】紫外線露光に適し、耐薬品性の高い位相シフ
トフォトマスクブランクスを提供する。【構成】体積百分率で2.65%〜6%の割合で一酸化窒素ガ
スを添加してモリブデンシリサイドのターゲットをスパ
ッタし、透明基板上にモリブデンシリサイド酸化窒化膜
を成膜すると、このモリブデンシリサイド酸化窒化膜
は、ＫｒＦエキシマレーザ波長での位相シフト膜に適
し、耐薬品性に優れる。前記一酸化窒素ガスの割合が低
いと、特に耐薬品性に優れるので、0.5%〜6%の範囲で添
加すれば、モリブデンシリサイド酸化窒化膜を位相シフ
ト膜の保護膜として使用できる。そして、モリブデンシ
リサイド酸化窒化膜を200℃以上で熱処理すれば、透過
率のプロセス変動を小さくでき、露光波長における透過
率を高くすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、位相シフトフォトマ
スクに関し、特に、露光波長の光を減衰させる減衰型
で、ＫｒＦエキシマレーザーなどの紫外光露光に特に適
した位相シフトフォトマスク、及びその位相シフトフォ
トマスクを製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、図１８(ｂ)に示すような位相シ
フトフォトマスクには、図１８(ａ)の位相シフトフォト
マスクブランクス表面の、位相シフト膜２０４の所望部
分をエッチングし、前記石英基板２０１の表面が露出し
た開口部２１０と、エッチングされずに残された位相シ
フト膜から成る位相シフト部２０５で、半導体基板に転
写する回路パターンが形成されている。

【０００３】前記位相シフト部２０５は露光光の波長で
透光性を有しており、その膜厚は、前記開口部２１０を
透過した露光光と前記シフト部２０５を透過した露光光
の位相とが互いに１８０°(deg)だけ異なるような厚み
に構成されているので、図１８(ｃ)に示すようなウェハ
ー露光の際には、前記開口部２１０と前記位相シフト部
２０５の境界のウェハー上の光強度がゼロとなり、これ
により、位相シフトフォトマスクで転写された回路パタ
ーンは、高い解像度を有するものである。

【０００４】一般に、前記位相シフト膜４には、単層膜
や多層膜が使用されており、前記位相シフト部２０５の
露光光の透過率は、リソグラフィにおいて適正な露光量
を得るとともに、ウェハー上に塗布されたレジスト膜の
現像後の膜厚を調整するために、４％〜４０％の透過率
が求められている。

【０００５】しかしながら、前記位相シフト膜２０４を
従来技術の多層膜で構成した場合には、短波長の露光光
での光透過率は低く、解像度を向上させるために、露光
光にＫｒＦエキシマレーザ(波長２４８nm)を使用した場
合には、多層膜から成る位相シフトフォトマスクでは十
分な露光を行えないという欠点があった。

【０００６】一方、位相シフト膜を単層膜で構成する場
合は、従来は、アルゴン及び酸素、或いは酸素及び窒素
からなる混合ガス雰囲気中でモリブデンシリサイドのタ
ーゲットをスパッタして、石英基板２０１上にモリブデ
ンシリサイドの酸化物あるいは酸窒化物の薄膜を成膜し
ていたが、光透過率は高いものの耐薬品性に劣るという
欠点があった。

【０００７】また、単層膜が酸化膜である場合には、膜
の内部応力が大きいため、膜が基板から剥離したり、基
板が変形したりする等の欠点があった。

【０００８】更に、モリブデンシリサイドの酸化物やそ
の酸窒化物の単層膜は、普通用いられるフォトマスクの
欠陥検査波長（たとえばλ＝４８８nm）における透過率
が４０％を超えるため、欠陥検査ができないという重大
な欠点があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来の位相シフトフォトマスクの有する問題点を解決
するもので、その目的は、ＫｒＦエキシマレーザー露光
波長等の短波長露光光における透過率が高く、欠陥検査
波長における透過率が低く、且つ、耐薬品性があり、膜
の内部応力が低い位相シフト膜を有する位相シフトフォ
トマスクブランクス及び位相シフトフォトマスクを製造
する方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１記載の発明は、位相シフトフォトマスク製造
方法であって、体積百分率で２．６５％から６％の割合
で一酸化窒素ガスが添加されたスパッタガスでモリブデ
ンシリサイドのターゲットをスパッタし、透明基板上に
位相シフト膜としてモリブデンシリサイド酸化窒化膜を
成膜することを特徴とし、請求項２記載の発明は、位相
シフトフォトマスク製造方法であって、体積百分率で
０．５％から６％の割合で一酸化窒素ガスが添加された
スパッタガスでモリブデンシリサイドのターゲットをス
パッタし、予め透明基板上に成膜された位相シフト膜上
に保護膜としてモリブデンシリサイド酸化窒化膜を成膜
することを特徴とし、請求項３記載の発明は、請求項１
又は請求項２のいずれか１項記載の位相シフトフォトマ
スク製造方法であって、前記モリブデンシリサイド酸化
窒化膜が成膜された透明基板を２００℃以上の温度で熱
処理することを特徴とする。

【００１１】

【作用】モリブデンシリサイド酸化窒化膜のうち、アル
ゴンガス等の希ガスに、体積百分率で２．６５％から６
％の割合で一酸化窒素ガスを添加してモリブデンシリサ
イドをスパッタして透明基板条に成膜したものは、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ波長やｉ線波長等の短波長での透過率
が高く、一般に使用されている検査装置が用いる検査光
の波長(４８８nm)での透過率が低いため、このモリブデ
ンシリサイド酸化窒化膜単層で位相シフトフォトマスク
ブランクスを構成することができる。

【００１２】この条件で成膜したモリブデンシリサイド
酸化窒化膜は耐薬品性に優れており、膜の内部応力が小
さいので、位相シフトフォトマスクブランクス上に、ウ
ェハー基板に転写すべきパターンを形成するプロセス工
程で、光学的特性が劣化することがなく、また、剥離も
生じない。

【００１３】一酸化窒素ガスの添加割合が少ないと、モ
リブデンシリサイド酸化窒化膜の耐薬品性は一層向上す
るので、前記一酸化窒素ガスを体積百分率で０．５％か
ら６％の割合で希ガスに添加して成膜すれば、モリブデ
ンシリサイド酸化窒化膜を、位相シフト膜の保護膜とし
て用いることができる。

【００１４】モリブデンシリサイド酸化窒化膜の成膜
後、２００℃以上に加熱すれば、光学的特性が向上、安
定し、製造プロセスにおける透過率の変動が小さくな
る。

【００１５】なお、余り低温では効果が少なく、あまり
高温では膜質の面から好ましくないため、望ましくは２
５０℃〜３５０℃で熱処理するのがよい。また、熱処理
雰囲気は、真空雰囲気、希ガス雰囲気、一酸化窒素ガス
雰囲気、または希ガス雰囲気に酸素ガスと窒素ガスのい
ずれか一方又は両方のガスが添加した雰囲気等、モリブ
デンシリサイド酸化窒化膜の膜質を損なわない雰囲気で
あればよい。

【００１６】

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。

【００１７】位相シフト膜に要求される条件としては、
まず、露光光に対する透過率が４％〜４０％の範囲内で
あること、および露光光の位相を１８０°変換させるこ
とが要求されており、図６に示すＤＣマグネトロンスパ
ッタリング装置５００を使用して、以下の種々の条件
で、モリブデンシリサイド酸化窒化膜を成膜した。

【００１８】このＤＣマグネトロンスパッタリング装置
５００は、真空槽５０６を有しており、該真空槽５０６
の内部に、マグネトロンカソード５０９が設けられてい
る。

【００１９】前記マグネトロンカソード５０９は、モリ
ブデン(Ｍｏ)とシリコン(Ｓｉ)が、略１：２の割合で結
合したモリブデンシリサイドから成るターゲット５０７
と、マグネット５０８とを有しており、前記ターゲット
５０７と、所定距離を隔ててアノード５１０が対向配置
されており、該アノード５１０のターゲット５０７に対
する面には、厚さ２．３mm、大きさ１２７mm角の石英基
板５０１が配置されている。

【００２０】前記真空槽５０６には、排気管５１２と、
ガス導入管５１３が設けられており、該ガス導入管５１
３は、図示しないガスボンベに接続され、アルゴンガス
(Ａｒ)と一酸化窒素ガス(ＮＯ)を導入し得るように構成
されている。

【００２１】表１のＭ-１〜Ｍ-２４に記載した割合でア
ルゴンガスに一酸化窒素を添加し、前記ターゲット５０
７に直流電圧を印加して、前記ターゲット５０７をスパ
ッタし、Ｍ-１〜Ｍ-２４の条件毎に別々の石英基板を複
数用意して、前記各条件に対応するモリブデンシリサイ
ド酸化窒化膜を成膜した。

【００２２】なお、スパッタの際には、Ｍ1-１〜Ｍ-２
４の各条件とも、石英基板を図示しないヒータと温度制
御装置によって加熱し、６０℃〜１５０℃の温度に保持
されている。

【００２３】Ｍ-１〜Ｍ-２４のいずれの条件でも、図１
に示すように、石英基板１の主表面上にモリブデンシリ
サイド酸化窒化膜４が成膜された。

【００２４】Ｍ-１１〜Ｍ-２４の条件には、成膜後前記
ＤＣマグネトロンスパッタ装置５００から石英基板を取
り出し、クリーンオーブンにて表１に記載した各加熱条
件で熱処理を行うことを含むものであり、Ｍ-１〜Ｍ-１
０の条件は加熱処理を含まないものである。

【００２５】次いで、図７のように、前記Ｍ-６からＭ-
８の条件でモリブデンシリサイド酸化窒化膜が成膜され
た実施例のうちの一部を抜き取り、それらの条件で成膜
されたモリブデンシリサイド酸化窒化膜４を第１層と
し、更にその上に、前記Ｍ-３とＭ-５の条件で第２層目
のモリブデンシリサイド酸化窒化膜２を成膜した。この
２層成膜条件をＭ２-１〜Ｍ２-４とする。表３に、これ
らＭ２-１〜Ｍ２-４の条件の、第１層目の成膜条件と第
２層目の成膜条件との対応関係を示す。

【００２６】なお、Ｍ１-１は第２層目のモリブデンシ
リサイド酸化窒化膜を成膜しない、単層の成膜条件であ
る。

【００２７】また、Ｍ２-４の条件は、第１層目のモリ
ブデンシリサイド酸化窒化膜４の成膜後、第２層目のモ
リブデンシリサイド酸化窒化膜２の成膜前に加熱処理を
行ったものである。

【００２８】分光光度計を用い、前記各条件で成膜され
たサンプル(実施例)に、ＫｒＦレーザ光の波長(２４８n
m)と、検査光の波長(４８８nm)の測定光を垂直入射さ
せ、反射率Ｒと透過率Ｔとを測定した。その測定結果
と、別途触針法で求めておいた前記モリブデンシリサイ
ド酸化窒化膜の膜厚とから数値計算(ＲＴ法)により、光
学定数をｎ−ｉ・ｋの、屈折率ｎと消衰係数ｋの値と
を算出した。

【００２９】Ｍ１-１〜Ｍ１-２４の各条件で成膜したモ
リブデンシリサイド酸化窒化膜４の値を平均し、表２〜
表４に示す。

【００３０】表中のｄ_sは、透過光の位相を１８０°変
換させるために必要な膜厚であり、前記モリブデンシリ
サイド酸化窒化膜４を透過する露光光の波長をλ₀と
し、前記屈折率ｎの測定値から、ｄ_s＝λ₀／２（ｎ−１） …… (１) の関係式で求めた値であり。膜厚の実測値ではない。

【００３１】また、２層膜では、露光光の波長λ₀にお
ける１層目の膜の屈折率をｎ₁、２層目の膜の屈折率を
ｎ₂とすると、目的とする位相角をＰ_sと、１層目の膜の
膜厚ｄ₁と２層目の膜の膜厚ｄ₂との間に、近似的に次式
が成立する。

【００３２】ｄ₁ ＋ｄ₂ ＝Ｐ_s／１８０°・λ₀／｛２・(ｎ−１)｝ …… (２) 但し、ｎ＝ (ｎ₁・ｄ₁＋ｎ₂・ｄ₂)／(ｄ₁＋ｄ₂) …… (３) である。

【００３３】Ｍ１-１〜Ｍ２-４の条件は、ＫｒＦエキシ
マレーザ光の波長において、表４に示す位相角が得られ
るように、上式を使用して第１層目の膜厚ｄ₁と第２層
目の膜厚ｄ₂を算出し、各膜厚と各膜の成膜速度から成
膜時間を求めた成膜条件である。

【００３４】これらＭ１-１〜Ｍ２-４の条件で成膜した
モリブデンシリサイド酸化窒化膜の、ＫｒＦエキシマレ
ーザ波長での透過率と、検査波長での透過率とを測定し
た。測定結果は、各成膜条件と合わせて、表４に示す。

【００３５】前記Ｍ１ー１の条件で成膜されたモリブデ
ンシリサイド酸化窒化膜は、ＫｒＦエキシマレーザ波長
での透過率が高く、検査波長(４８８nm)での透過率が４
０％より小さく、位相シフトフォトマスクに要求される
光学特性を満足している。従って、この条件で成膜した
モリブデンシリサイド酸化窒化膜は、単層で位相シフト
膜として用いることができる。

【００３６】次いで、前記各条件で成膜したモリブデン
シリサイド酸化窒化膜の耐薬品性を試験した。

【００３７】前記Ｍ-１６〜Ｍ-１９の条件で成膜した各
サンプルを、表５に示す条件で薬品に浸漬し、透過率Ｔ
の変化を測定し、耐薬品性を評価した。その結果を図９
〜図１６に示す。

【００３８】比較例として、アルゴンガス中に酸素ガス
(Ｏ₂)を添加し、モリブデンシリサイドターゲットをス
パッタして石英基板上にモリブデンシリサイド酸化膜を
成膜し、２５０℃で１時間熱処理を行ったものの透過率
の変化を併せて記載する。

【００３９】図９と図１０は、アンモニア水溶液(ＨＮ₃
０．５wt％)に、室温で１時間浸漬した場合であり、図
１１と図１２は、濃硫酸(Ｈ₂ＳＯ₄９６wt％)に１００℃
で１時間浸漬した場合である。また、図１３と図１４
は、前記濃硫酸と同じ濃度の濃硫酸と、過酸化水素水
(Ｈ₂Ｏ₂３０wt％)とを容積比で４対１の割合で混合した
混合液に１００℃で１時間浸漬した場合であり、図１５
と図１６は、前記濃硫酸と同じ濃度の濃硫酸と、硝酸
(ＨＮＯ₃６０wt％)とを容積比で９対１の割合で混合し
た混合液に１００℃で１時間浸漬した場合である。

【００４０】図９〜図１６の横軸は、いずれもスパッタ
ガス１７０SCCM中に含まれる一酸化窒素ガス、又は酸素
ガスの流量(SCCM)であり、縦軸は、透過率Ｔ(％)の変化
量である。波長３６５nmのｉ線を測定光とし、その波長
での透過率の変化を、図９、図１１、図１３、図１５に
示し、波長２４８nmのＫｒＦエキシマレーザ光を測定光
とし、その波長での透過率の変化を、図１０、図１２、
図１４、図１６に示す。

【００４１】図９〜図１６、及び表５から分かるよう
に、アンモニア水溶液に浸漬する場合を除き、一酸化窒
素を添加して成膜したモリブデンシリサイド酸化窒化膜
の方が、酸素だけを添加して成膜したモリブデンシリサ
イド酸化膜よりも耐薬品性に優れている。特に、一酸化
窒素ガスの添加量が少ない方が耐薬品性に優れているこ
とが分かる。

【００４２】また、ＫｒＦエキシマレーザ波長における
透過率は、表１、表２、表４から分かるように、スパッ
タガス全体の流量を１７０SCCMとしたとき、その中に一
酸化窒素が６〜１０SCCM程度含まれている場合に位相シ
フトフォトマスクとして用いることが可能である。

【００４３】更に、前記Ｍ-５、Ｍ-１５、Ｍ-８、Ｍ-１
８、Ｍ２-２、Ｍ２-３の各条件で成膜したサンプルのう
ち一部を抜き取り、前記濃硫酸と同じ濃度の濃硫酸に１
００℃で１時間浸漬した。その後、波長２４８nmと波長
４８８nmでの透過率の変化を測定した。測定結果を表５
に記載する。

【００４４】一酸化窒素ガスの添加量と膜の応力との関
係を図１７に示す。縦軸は膜中の応力であり、横軸は、
アルゴンガスと一酸化窒素ガスから構成されるスパッタ
ガス１７０SCCM中に含まれる一酸化窒素ガスの量(SCCM)
である。比較例としてアルゴンガスに酸素ガスを添加し
て成膜したモリブデンシリサイド酸化膜の応力を記載す
る。本発明方法により成膜したモリブデンシリサイド酸
化窒化膜の応力が小さく、優れていることが分かる。

【００４５】以上により、アルゴンガスに体積百分率で
２．６５％から６％の割合で一酸化窒素ガスを添加して
成膜されたモリブデンシリサイド酸化窒化膜(Ｍ-６から
Ｍ-１０と、Ｍ-１６からＭ２０の条件)は、表２に記載
したとおり、ＫｒＦエキシマレーザ波長(２４８nm)での
透過率が高い。しかも、Ｍ-６からＭ-８及びＭ-１６の
ものは、検査波長(４８８nm)での透過率も、欠陥検査に
望ましいと言われる４０％以下の範囲内の値であるの
で、この条件で成膜したモリブデンシリサイド酸化窒化
膜だけで単層で位相シフト膜を構成することができるこ
とが分かる。

【００４６】ところで、表２に記載したように、アルゴ
ンガス中に、体積百分率で０．５％〜２．６５％の割合
で一酸化窒素ガスを添加して成膜されたモリブデンシリ
サイド酸化窒化膜は、ＫｒＦエキシマレーザ波長(２４
８nm)での透過率が低いため、必ずしも単層膜で位相シ
フト膜を構成するのには適さない。

【００４７】しかし、上述したように、この条件で成膜
したモリブデンシリサイド酸化窒化膜は耐薬品性に優れ
ており、また、内部応力も小さいことから、従来法で成
膜した膜(モリブデンシリサイド酸化膜、モリブデンシ
リサイド酸化窒化膜、酸化クロム膜、酸化窒化クロム膜
等の薄膜。単層膜に限定されるものではない。)を位相
シフト膜(下地膜)とし、その位相シフト膜を第１層目の
膜とし、体積百分率で０．５％〜２．６５％の割合で一
酸化窒素ガスを添加して成膜したモリブデンシリサイド
酸化窒化膜を第２層目の膜として成膜すれば、該第２層
目のモリブデンシリサイド酸化窒化膜を保護膜とするこ
とができる。従って、保護膜としては、０．５％〜６％
の割合で一酸化窒素ガスを添加して成膜されたモリブデ
ンシリサイド酸化窒化膜を保護膜とすることができるこ
とになる。

【００４８】このようにして上記各条件で位相シフトフ
ォトマスクブランクスが製造できたが、それらのうち、
耐薬品性試験を行っていないものを抜き取り、図２に示
すように、モリブデンシリサイド酸化窒化膜４上に電子
ビーム用レジスト（例えば日本ゼオン製ＺＥＰ−８１０
Ｓ(登録商標)等）を塗布し、５０００Åの厚みにレジス
ト膜５を成膜した。更に、モリブデンシリサイド酸化窒
化膜は導電性を有さず、そのまま電子ビームで露光する
と帯電してしまうことから、帯電防止膜６（昭和電工製
エスペーサ１００(登録商標)）を約１００Å形成し
た。

【００４９】そして、電子ビーム露光を行い、図３に示
すように、前記帯電防止膜６を水洗除去するとともに前
記レジスト膜５を現像し、レジストパターン７を形成し
た。

【００５０】前記レジストパターン７をマスクとして、
平行平板型のＲＦイオンエッチング装置で、ＣＦ₄ガス
(流量１００sccm)と０₂ガス(流量５sccm)との混合ガス
を反応ガスに使用し、電極基板間距離６０mm、作動圧力
０．４Torrの条件で３分間反応させ、前記位相シフト膜
４をエッチングし、図４に示すように、石英基板１上に
半導体基板上に転写すべき回路パターン８を形成した。

【００５１】なお、図８に示すように、保護膜として用
いられる第２層目のモリブデンシリサイド酸化窒化膜２
を成膜した実施例も、同様の処理を施して、回路パター
ン２’、４’で、石英基板１上に回路パターン８’を形
成し、図５に示すように、前記レジストパターン７を除
去して、位相シフトフォトマスク１５を作成した。

【００５２】以上で位相シフトフォトマスクが製造され
たので、分光光度計を用い、ＫｒＦエキシマレーザ波長
と検査波長における位相シフトフォトマスクの光学特性
を測定した。

【００５３】前記Ｍ-１〜Ｍ-１０の条件で成膜されたモ
リブデンシリサイド酸化窒化膜は、位相シフト膜の光透
過率が０．５〜１．０％程度変動していた。これは、従
来問題とされてきたのと同様に、位相シフト膜の成膜後
の、レジスト塗布プロセスなどにおける加熱処理に起因
するものと考えられる。

【００５４】一方、前記Ｍ-１１〜Ｍ-２４の条件で成膜
されたモリブデンシリサイド酸化窒化膜は、加熱処理が
施されているので、同じ膜厚であれば透過率が増加し、
光学特性は安定していた。

【００５５】なお、本実施例では、アルゴンガスに一酸
化窒素ガスを添加してスパッタガスとしたが、アルゴン
ガスに限るものではなく、ネオンガス、クリプトンガ
ス、キセノンガス等の希ガスを使用することができる。

【００５６】また、本実施例では、モリブデン(Ｍｏ)と
シリコン(Ｓｉ)との割合が、略１：２のモリブデンシリ
サイドターゲットを使用したが、シリコンの割合がそれ
よりも略±１０％の範囲で異なるモリブデンシリサイド
のターゲットを使用しても、成膜されたモリブデンシリ
サイド酸化窒化膜の特性に変わりはなかった。

【００５７】なお、本発明の位相シフトフォトマスク
は、ＫｒＦエキシマレーザ露光にのみ用いられるもので
はなく、ｉ線露光等、短波長露光にひろく用いることが
できるのは言うまでもない。また、本実施例では直流マ
グネトロンスパッタを行ってモリブデンシリサイド酸化
窒化膜を成膜したが、ＲＦマグネトロンスパッタにより
成膜した場合にも、同様の結果が得られている。

【００５８】

【表１】

【００５９】

【表２】

【００６０】

【表３】

【００６１】

【表４】

【００６２】

【表５】

【００６３】

【発明の効果】本発明によれば、耐薬品性の高い単層の
モリブデンシリサイド酸化窒化膜で位相シフトフォトマ
スクを構成できるので、製造工程が簡単になり、歩留ま
りも向上する。

【００６４】また、従来技術の薄膜や本発明のモリブデ
ンシリサイド酸化窒化膜を位相シフト膜として用い、そ
の膜上に、更に本発明のモリブデンシリサイド酸化窒化
膜を成膜すれば、位相シフト膜を保護することができる
ので、耐薬品性が高く、プロセス変動の少ない、優れた
位相シフトフォトマスクを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例により成膜したモリブデン
シリサイド酸化窒化膜の断面図

【図２】本発明方法の一実施例工程の一部を説明する
ための図

【図３】本発明方法の一実施例工程の一部を説明する
ための図

【図４】本発明方法の一実施例工程の一部を説明する
ための図

【図５】本発明方法の一実施例工程の一部を説明する
ための図

【図６】本発明方法に用いることができるＤＣマグネ
トロンスパッタリング装置の構成を示す模式図

【図７】本発明方法の他の実施例の工程の一部を説明
するための図

【図８】本発明方法の他の実施例の工程の一部を説明
するための図

【図９】本発明方法により製造した位相シフトフォト
マスクのアンモニア水溶液に対する耐性をｉ線波長での
透過率の変化として示す図

【図１０】本発明方法により製造した位相シフトフォ
トマスクのアンモニア水溶液に対する耐性をＫｒＦエキ
シマレーザ波長での透過率の変化として示す図

【図１１】本発明方法により製造した位相シフトフォ
トマスクの濃硫酸に対する耐性をｉ線波長での透過率の
変化として示す図

【図１２】本発明方法により製造した位相シフトフォ
トマスクの濃硫酸に対する耐性をＫｒＦエキシマレーザ
波長での透過率の変化として示す図

【図１３】本発明方法により製造した位相シフトフォ
トマスクの濃硫酸と過酸化水素水の混合液に対する耐性
をｉ線波長での透過率の変化として示す図

【図１４】本発明方法により製造した位相シフトフォ
トマスクの濃硫酸と過酸化水素水の混合液に対する耐性
をＫｒＦエキシマレーザ波長での透過率の変化として示
す図

【図１５】本発明方法により製造した位相シフトフォ
トマスクの濃硫酸と硝酸の混合液に対する耐性をｉ線波
長での透過率の変化として示す図

【図１６】本発明方法により製造した位相シフトフォ
トマスクの濃硫酸と硝酸の混合液に対する耐性をＫｒＦ
エキシマレーザ波長での透過率の変化として示す図

【図１７】本発明方法により製造した位相シフトフォ
トマスクの内部応力を示す図

【図１８】 (ａ)位相シフトフォトマスクブランクス
(ｂ)位相シフトフォトマスク (ｃ)ウェハー上の露光光
の光強度を説明するための図

【符号の説明】

１……石英基板２、４……モリブデンシリサイド酸
化窒化膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斉藤芳宏埼玉県秩父市大字寺尾2804番地アルバック成膜株式会社内 (72)発明者山本恒雄埼玉県秩父市大字寺尾2804番地アルバック成膜株式会社内 (72)発明者林厚埼玉県秩父市大字寺尾2804番地アルバック成膜株式会社内 (72)発明者吉岡信行兵庫県伊丹市瑞原４−１三菱電機株式会社北伊丹製作所内 (72)発明者千葉明兵庫県伊丹市瑞原４−１三菱電機株式会社北伊丹製作所内 (72)発明者宮崎順二兵庫県伊丹市瑞原４−１三菱電機株式会社ユー・エル・エス・アイ開発研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】体積百分率で２．６５％から６％の割合で
一酸化窒素ガスが添加されたスパッタガスでモリブデン
シリサイドのターゲットをスパッタし、透明基板上に位相シフト膜としてモリブデンシリサイド
酸化窒化膜を成膜することを特徴とする位相シフトフォ
トマスクブランクス製造方法。
【請求項２】体積百分率で０．５％から６％の割合で一
酸化窒素ガスが添加されたスパッタガスでモリブデンシ
リサイドのターゲットをスパッタし、予め透明基板上に成膜された位相シフト膜上に保護膜と
してモリブデンシリサイド酸化窒化膜を成膜することを
特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス製造方
法。
【請求項３】前記モリブデンシリサイド酸化窒化膜が成
膜された透明基板を２００℃以上の温度で熱処理するこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項記
載の位相シフトフォトマスクブランクス製造方法。
【請求項４】モリブデンシリサイドのターゲットを、体
積百分率で２．６５％から６％の割合で一酸化窒素ガス
が添加されたスパッタガスでスパッタして透明基板上に
成膜したモリブデンシリサイド酸化窒化膜を位相シフト
膜として有することを特徴とする位相シフトフォトマス
クブランクス。
【請求項５】モリブデンシリサイドのターゲットを、体
積百分率で０．５％から６％の割合で一酸化窒素ガスが
添加されたスパッタガスでスパッタして透明基板上に成
膜したモリブデンシリサイド酸化窒化膜を位相シフト膜
として有することを特徴とする位相シフトフォトマスク
ブランクス。
【請求項６】前記モリブデンシリサイド酸化窒化膜が成
膜された透明基板が２００℃以上の温度で熱処理された
ことを特徴とする請求項７又は請求項８のいずれか１項
記載の位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項７】請求項４乃至請求項６のいずれか１項記載
の位相シフトフォトマスクブランクスにウェハー基板に
転写すべきパターンを形成したことを特徴とする位相シ
フトフォトマスク。