KR100645216B1 - 사진 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents

사진 마스크 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100645216B1
KR100645216B1 KR1020050080112A KR20050080112A KR100645216B1 KR 100645216 B1 KR100645216 B1 KR 100645216B1 KR 1020050080112 A KR1020050080112 A KR 1020050080112A KR 20050080112 A KR20050080112 A KR 20050080112A KR 100645216 B1 KR100645216 B1 KR 100645216B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
mask pattern
film
pattern
patterns
Prior art date
Application number
KR1020050080112A
Other languages
English (en)
Inventor
김진엽
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020050080112A priority Critical patent/KR100645216B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100645216B1 publication Critical patent/KR100645216B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48—Protective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 사진 마스크의 제조 방법은 석영 기판 위에 박막을 형성하고, 박막 위에 감광제를 도포한다. 이후, 감광제에 라이팅 장비에서 컴퓨터 설계 데이터를 전사하고, 전사된 감광제를 현상하여 감광제 패턴을 형성한다. 다음으로, 감광제 패턴을 막으로 하여 박막을 식각하여 마스크 패턴을 형성하고, 감광제 패턴을 제거하고 기판을 세척한다. 이어서, 기판 위의 마스크 패턴 사이의 공간에 충진되고 노광 광원에 대하여 투명한 마스크 패턴간 충진막을 형성하고, 마스크 패턴 위에 마스크 패턴을 보호하고 노광 광원에 대하여 투명한 마스크 패턴 보호막을 형성하며, 마스크 패턴간 충진막 및 마스크 패턴 보호막은 동일한 굴절율을 갖도록 하여 구성한다. 여기서, 마스크 패턴간 충진막 및 마스크 패턴 보호막은 실리콘 몰딩 화합물로 형성된 것이 바람직하다. 또한, 마스크 패턴간 충진막 형성과 및 마스크 패턴 보호막 형성에서는, 실리콘 몰딩 화합물을 마스크 패턴 사이의 공간을 충진하고 아울러 마스크 패턴을 소정의 두께로 덮도록 도포한 후 열처리함으로써 마스크 패턴간 충진막 및 마스크 패턴 보호막을 동시에 형성하는 것이 바람직하다.
실리콘 몰딩 화합물, 빛의 회절 각도, 펠리클,

Description

사진 마스크 및 그 제조 방법{Photo Mask and Manufacturing Method Thereof}
도 1에서 도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 사진 마스크 제조 방법을 공정 순서대로 도시한 단면도이고,
도 7에서 도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 사진 마스크 제조 방법에서 실리콘 몰딩 화합물로 마스크 패턴간 충진막과 마스크 보호막을 동시에 형성하는 공정을 순서대로 도시한 단면도이다.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
10: 석영 기판 20: 박막
30: 감광제 40, 40a: 마스크 패턴간 충진막
50, 40a: 마스크 패턴 보호막
본 발명은 반도체 소자의 제조 기술에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로는 사진 공정에서 해상도를 향상시킬 수 있는 사진 마스크 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 기술에서 사진 공정은 사진 마스크(mask) 상에 설계된 패턴을 공정 제어 규격하에 웨이퍼(wafer) 상에 구현하는 기술이다. 사진 공정에서 사용하는 사진 마스크는 경질 마스크(hard surface mask)와 에멀전 마스크(emulsion mask)의 2가지 종류가 있다. 에멀전 마스크는 정해진 노출 횟수 동안 사용하고 버리도록 제작되어 있으며, 경질 마스크는 한번 사용한 후 세척을 거쳐서 가능한 한 여러 번 다시 사용하도록 제작되어 있다. 그러나. 사진 마스크는 웨이퍼와 접촉할 때마다, 그 질이 나빠지는데, 이는 웨이퍼 위에 있는 먼지나 실리콘 칩, 또는 에피 스파이크가 마스크의 홈(defect)을 만들기 때문이다.
종래의 경질 마스크의 제작 방법은 광학적으로 편평한 석영(Quartz) 기판 위에 1000Å 정도의 크롬(chrome), 몰리브덴 실리콘 질화막(MoSiN) 등의 박막을 형성하고, 그 위에 감광제(resist)를 도포한다. 다음으로, 전자 빔(electron beam) 또는 레이저(laser)를 사용하는 라이팅(Writing) 장비에서 컴퓨터 설계(Computer Aided Design, CAD) 데이터(data)를 마스크 위의 감광제에 전사한다. 이후, 전사된 감광제는 현상(develop)을 통해 감광제 패턴으로 형상화된다. 현상 후 생성된 감광제 패턴을 막으로 하여 석영 기판에 형성된 박막을 습식 또는 건식 식각하여 마스크 패턴을 형성한다. 다음으로, 석영 기판 위에 감광제를 제거(strip)하고 기판을 세척(cleaning)한다. 이후, 석영 기판 위에 흠(Defact)을 찾고 이를 제거(repair)한다. 이어서, 석영 기판 위의 형성된 마스크 패턴을 파티클(particle) 등으로부터 보호하기 위해 얇은 박막 형태의 마스크 패턴 보호막인 펠리클(pellicle)을 마스크에 붙이며, 최종적으로 사진 마스크에 흠이 있는지를 검사하고, 사진 마스크를 완 성한다.
그러나 이러한 사진 마스크 제작은 마스크와 마스크 패턴 보호막 사이에 공기층이 존재하여 빛이 패턴을 만나 회절(diffraction)되는 각도가 증가하기 때문에 웨이퍼에서 감광제 패턴을 형성할 때에 해상력(resolution)이 감소하게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 높은 NA(Numerical Aperture)를 사용해야 하는 등의 많은 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 사진 공정에서 해상도를 향상시킬 수 있는 사진 마스크 및 그의 형성 방법을 제시하는 것이다.
본 발명에 따른 사진 마스크의 제조 방법은 석영 기판 위에 박막을 형성하는 단계와, 상기 박막 위에 감광제를 도포하는 단계와, 상기 감광제 위에 라이팅 장비에서 컴퓨터 설계 데이터를 전사하는 단계와, 상기 전사된 감광제를 현상하여 감광제 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광제 패턴을 막으로 하여 상기 박막을 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광제 패턴을 제거하고 기판을 세척하는 단계와, 상기 기판 위의 상기 마스크 패턴 사이의 공간에 충진되고 노광 광원에 대하여 투명한 마스크 패턴간 충진막을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴 위에 상기 마스크 패턴을 보호하고 상기 노광 광원에 대하여 투명한 마스크 패턴 보호막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 마스크 패턴간 충진막 및 상기 마스크 패턴 보호막은 동일한 굴절율을 갖는 것을 특징으로 구성한다. 여기서, 상기 마스크 패턴간 충진막 및 상기 마스크 패턴 보호막은 실리콘 몰딩 화합물로 형성된 것이 바람직하다. 또한, 상기 마스크 패턴간 충진막 형성 단계 및 상기 마스크 패턴 보호막 형성 단계는, 상기 실리콘 몰딩 화합물을 상기 마스크 패턴 사이의 공간을 충진하고 아울러 상기 마스크 패턴을 소정의 두께로 덮도록 도포한 후 열처리함으로써 상기 마스크 패턴간 충진막 및 상기 마스크 패턴 보호막을 동시에 형성하는 것이 바람직하다.
[제1실시예]
이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
도 1에서 도 6은 본 발명에 따른 사진 마스크를 형성하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 광학적으로 편평한 석영(Quartz) 기판(10) 위에 크롬(chrome), 몰리브덴 실리콘 질화막(MoSiN) 등의 박막(20)을 형성한다. 박막(20)은 스퍼터(Sputter) 또는 화학기상증착(Chemiacl Vapo Deposition, CVD) 장비에서 형성하며, 두께는 약 1000Å로 형성한다.
다음으로, 기판(10) 위에 감광제(resist, 30)를 분사한 후, 기판(10)을 높은 회전수로 회전시켜 감광제(30)를 균일한 얇은 막의 형태로 기판(10) 전체에 도포시킨다. 이때, 감광제(30) 두께의 균일도는 사진 마스크 CD(Critical Dimension) 균일도에 크게 영향을 미친다.
다음으로, 전자 빔 또는 레이저를 사용하는 라이팅 장비에서 컴퓨터 설계 데이터를 기판(10) 위의 감광제(30)에 전사한다. 이후, 전사된 감광제(30)는 현상을 통해 감광제 패턴(30)으로 형상화된다.
다음으로, 도 2와 같이, 현상 후 생성된 감광제 패턴(30)을 막으로 하여 기판(10) 위에 박막(20)을 습식 또는 건식 식각하여 마스크 패턴을 형성한다. 이후, 도 3과 같이, 기판(10) 위에 감광제(30)를 제거하고 기판(10)을 세척한다.
다음으로, 기판(10) 위에 흠을 찾고 이를 제거한다. 흠은 대부분의 사진 마스크 제작에서 발생하며, 흠을 모두 제거할 수 있을 경우에만 실제 사용가능한 사진 마스크가 만들어진다.
다음으로, 도 4와 같이, 기판(10) 위의 마스크 패턴간 충진막(40)을 형성한다. 여기서, 충진막(40)은 실리콘 몰딩 화합물(silicon molding compound, 35)로 형성하며, 마스크 패턴 보호막인 펠리클(pellicle)과 동일한 계열인 젤 형태의 PDMS(Poly- dimethylsiloxane) 등으로 마스크 패턴(20) 사이의 공간을 채워준다. 이후, 기판(10)을 열처리한다. 이때, 도 5와 같이, 실리콘 몰딩 화합물은 마스크 패턴 보호막과 같은 탄성이 있는 투명한 형태의 박막(40)이 된다.
다음으로, 도 6을 참조하면, 기판(10) 위의 형성된 마스크 패턴(20)을 파티클(particle) 등으로부터 보호하기 위해 얇은 박막 형태의 마스크 패턴 보호막인 페리클(50)을 붙인다. 여기서, 펠리클은 노광 광원에 대해서 투명하며, 마스크 패턴간 충진막과 실질적으로 동일한 굴절율을 갖는다. 이후, 최종적으로 사진 마스크를 검사하고, 사진 마스크를 완성한다. 이때, 마스크 패턴(20)과 펠리클(50) 사이에 실리콘 몰딩 화합물(40)을 채워주었기 때문에 사진 마스크 내에는 공기층이 없게 된다.
이에 따라, 종래의 사진 마스크는 마스크 패턴과 마스크 패턴 보호막 사이의 공기층에 의해 빛의 회절되는 각도가 컸으나, 마스크 패턴과 마스크 패턴 보호막 사이에 공기층이 있었던 공간을 충진막으로 채운 사진 마스크는 빛의 회절되는 각도가 적기 때문에 웨이퍼에 감광제 패턴을 형성할 때에 웨이퍼에 도달하는 사진 마스크의 정보가 늘어나게 되어 해상력이 향상된다.
[제2실시예]
제2실시예는 사진 마스크를 제작할 때 실리콘 몰딩 화합물로 마스크 패턴간 충진막과 마스크 패턴 보호막을 형성하는 방법을 예시한다. 여기서, 제1실시예와 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호로 표시되어 있다.
제2실시예를 구체적으로 설명하면, 먼저, 도 1에서 설명한 방식으로 석영 기판(10) 위에 크롬, 몰리브덴 실리콘 질화막 등의 박막(20)을 형성한다. 이후, 기판(10) 위에 감광제(30)를 도포하고, 전자 빔 또는 레이저를 사용하는 라이팅 장비에서 컴퓨터 설계 데이터를 기판(10) 위의 감광제(30)에 전사한 이후, 전사된 감광제(30)를 현상을 통해 감광제 패턴(30)을 형상화된다.
다음으로, 도 2와 같이, 현상 후 생성된 감광제 패턴(30)을 막으로 하여 기판(10)에 형성된 박막(20)을 습식 또는 건식 식각하여 마스크 패턴(20)을 형성한다. 이후, 도 3과 같이, 기판(10) 위에 감광제(30)를 제거하고 기판(10)을 세척하고, 흠을 찾아 이를 제거한다.
다음으로, 도 7과 같이, 기판(10) 위에 실리콘 몰딩 화합물로 마스크 패턴간 충진막(40a)과 마스크 패턴 보호막인 페리클(50a)을 동시에 형성한다. 여기서, 실 리콘 몰딩 화합물은 젤 형태의 PDMS 등으로 형성하며, 마스크 패턴(20) 사이의 공간을 채워주면서 동시에 마스크 패턴 보호막을 형성한다. 이어서, 기판(10)을 열처리한다. 이후, 최종적으로 사진 마스크를 검사하고, 사진 마스크를 완성한다. 이때, 실리콘 몰딩 화합물로 마스크 패턴간 충진막(40a)과 마스크 패턴 보호막(50a)을 동시에 형성하였기 때문에 사진 마스크 내에는 공기층이 없게 된다. 이에 따라, 사진 마스크를 통과하는 빛의 회절 각도가 적게 됨으로써, 웨이퍼에 감광제 패턴을 형성할 때에 웨이퍼에 도달하는 사진 마스크의 정보가 늘어나게 되어 해상력이 향상된다.
본 발명에 따른 사진 마스크는 실리콘 몰딩 화합물로 마스크 패턴간 충진막을 마스크 패턴과 마스크 패턴 보호막 사이에 채워서 공기층을 제거함으로써, 빛이 마스크에서 회절되는 각도를 작게하여 웨이퍼에 감광제 팬턴을 형성할 때에 해상력을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 따른 사진 마스크는 실리콘 몰딩 화합물로 마스크 패턴간 충진막과 마스크 패턴 보호막을 동시에 형성하여 마스크 패턴 사이의 공기층을 제거함으로써, 빛이 마스크에서 회절되는 각도를 작게하여 웨이퍼에 감광제 팬턴을 형성할 때에 해상력을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 사진 마스크는 빛에 의한 회절 정도를 마스크에서 개선할 수 있음으로 높은 NA를 사용하지 않고도 비교적 단순하게 해상력을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
발명의 바람직한 실시예에 대해 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것이 아니다. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.

Claims (6)

  1. 석영 기판 위에 박막을 형성하는 단계와,
    상기 박막 위에 감광제를 도포하는 단계와,
    상기 감광제 위에 라이팅 장비에서 컴퓨터 설계 데이터를 전사하는 단계와,
    상기 전사된 감광제를 현상하여 감광제 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 감광제 패턴을 막으로 하여 상기 박막을 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 감광제 패턴을 제거하고 기판을 세척하는 단계와,
    상기 기판 위의 상기 마스크 패턴 사이의 공간에 충진되고 노광 광원에 대하여 투명한 마스크 패턴간 충진막을 형성하는 단계와,
    상기 마스크 패턴 위에 상기 마스크 패턴을 보호하고 상기 노광 광원에 대하여 투명한 마스크 패턴 보호막을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 마스크 패턴간 충진막 및 상기 마스크 패턴 보호막은 실질적으로 동일한 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 사진 마스크 제조 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 마스크 패턴간 충진막 및 상기 마스크 패턴 보호막은 실리콘 몰딩 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 사진 마스크 제조 방법.
  3. 제2항에서,
    상기 마스크 패턴간 충진막 형성 단계 및 상기 마스크 패턴 보호막 형성 단계는, 상기 실리콘 몰딩 화합물을 상기 마스크 패턴 사이의 공간을 충진하고 아울러 상기 마스크 패턴을 소정의 두께로 덮도록 도포한 후 열처리함으로써 상기 마스크 패턴간 충진막 및 상기 마스크 패턴 보호막을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 사진 마스크 제조 방법.
  4. 석영 기판과,
    상기 석영 기판 위에 형성된 마스크 패턴과,
    상기 마스크 패턴 사이의 공간에 충진되고 노광 광원에 대하여 투명한 마스크 패턴간 충진막과,
    상기 마스크 패턴 위에 형성되어 상기 마스크 패턴을 보호하고 상기 노광 광원에 대하여 투명한 마스크 패턴 보호막을 포함하고,
    상기 마스크 패턴간 충진막 및 상기 마스크 패턴 보호막이 실질적으로 동일한 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 사진 마스크.
  5. 제4항에서,
    상기 마스크 패턴간 충진막 및 상기 마스크 패턴 보호막은 실리콘 몰딩 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 사진 마스크.
  6. 제4항에서,
    상기 마스크 패턴간 충진막 및 상기 마스크 패턴 보호막은 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 사진 마스크.
KR1020050080112A 2005-08-30 2005-08-30 사진 마스크 및 그 제조 방법 KR100645216B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050080112A KR100645216B1 (ko) 2005-08-30 2005-08-30 사진 마스크 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050080112A KR100645216B1 (ko) 2005-08-30 2005-08-30 사진 마스크 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100645216B1 true KR100645216B1 (ko) 2006-11-10

Family

ID=37654410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050080112A KR100645216B1 (ko) 2005-08-30 2005-08-30 사진 마스크 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100645216B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100990074B1 (ko) 2007-12-24 2010-10-29 인더스트리얼 테크놀로지 리서치 인스티튜트 경사 노광 리소그래피 시스템

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0874031A (ja) * 1994-09-08 1996-03-19 Ulvac Seimaku Kk 位相シフトフォトマスクブランクス製造方法、位相シフトフォトマスクブランクス、及び位相シフトフォトマスク
KR20020092919A (ko) * 1999-10-20 2002-12-12 가부시키가이샤 신에이샤 막면보호층부착 포토마스크 원판과 그 제조방법 및포토마스크 원판용 보호층 형성액
KR20050061332A (ko) * 2003-12-18 2005-06-22 키모토 컴파니 리미티드 표면보호막 및 이것을 사용한 표면보호재료

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0874031A (ja) * 1994-09-08 1996-03-19 Ulvac Seimaku Kk 位相シフトフォトマスクブランクス製造方法、位相シフトフォトマスクブランクス、及び位相シフトフォトマスク
KR20020092919A (ko) * 1999-10-20 2002-12-12 가부시키가이샤 신에이샤 막면보호층부착 포토마스크 원판과 그 제조방법 및포토마스크 원판용 보호층 형성액
KR20050061332A (ko) * 2003-12-18 2005-06-22 키모토 컴파니 리미티드 표면보호막 및 이것을 사용한 표면보호재료

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100990074B1 (ko) 2007-12-24 2010-10-29 인더스트리얼 테크놀로지 리서치 인스티튜트 경사 노광 리소그래피 시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20100311244A1 (en) Double-exposure method
KR100924332B1 (ko) 포토마스크의 브리지 리페어 방법
US6656646B2 (en) Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
US6720116B1 (en) Process flow and pellicle type for 157 nm mask making
KR100645216B1 (ko) 사진 마스크 및 그 제조 방법
KR100998669B1 (ko) 포토마스크의 패턴 선폭 보정방법
KR101080008B1 (ko) 하드마스크용 원판 및 이를 이용한 하드마스크 제조방법
TWI715971B (zh) 光罩及其形成方法
JP2003121989A (ja) ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法
JPH10274839A (ja) 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法
KR100865559B1 (ko) 포토 마스크의 제조방법
TWI771111B (zh) 用於半導體微影製程的光罩、製造光罩的方法、以及半導體微影方法
KR101179262B1 (ko) 트리톤 위상반전마스크 제조방법
CN111435218B (zh) 光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版
KR100854459B1 (ko) 포토마스크의 결함 수정방법
KR101153998B1 (ko) 포토 마스크의 패턴 브리지 결함 수정 방법
KR20120081661A (ko) 자기조립단분자층을 이용한 포토마스크의 형성방법
KR960000187B1 (ko) 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함 제거방법
KR100914282B1 (ko) 포토마스크의 패턴선폭 보정방법
JPH09319066A (ja) ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法
KR20080071794A (ko) 포토마스크의 결함 수정방법
KR20080109569A (ko) 포토마스크 제조방법
JPH1055059A (ja) フォトマスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法
KR20100101842A (ko) 바이너리 마스크의 결함 리페어 방법
KR20080071801A (ko) 원자력현미경을 이용한 포토마스크의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091026

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee