KR100865559B1 - 포토 마스크의 제조방법 - Google Patents

포토 마스크의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100865559B1
KR100865559B1 KR1020070083698A KR20070083698A KR100865559B1 KR 100865559 B1 KR100865559 B1 KR 100865559B1 KR 1020070083698 A KR1020070083698 A KR 1020070083698A KR 20070083698 A KR20070083698 A KR 20070083698A KR 100865559 B1 KR100865559 B1 KR 100865559B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
film
substrate
protective film
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020070083698A
Other languages
English (en)
Inventor
황대호
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020070083698A priority Critical patent/KR100865559B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100865559B1 publication Critical patent/KR100865559B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

마스크 이면의 긁힘 또는 파티클 오염으로부터 보호하여 마스크 제조 수율을 높이고 제조비용을 절감할 수 있는 포토 마스크의 제조방법은, 패턴이 형성될 대상막과 레지스트막이 차례로 형성된 마스크 기판을 준비하는 단계와, 마스크 기판의 이면(back side)에, 마스크 기판의 이면을 보호하기 위한 보호막을 형성하는 단계와, 레지스트막을 노광 및 현상하여 소정의 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 대상막을 패터닝하는 단계와, 레지스트 패턴을 제거하는 단계, 및 기판의 이면에 형성된 보호막을 제거하는 단계를 포함한다.
블랭크 마스크, 보호막, 긁힘, 고분자 폴리머, 플로오로-폴리머

Description

포토 마스크의 제조방법{Method for fabricating photo mask}
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체소자의 제조에 사용되는 포토 마스크의 이면(back side)을 긁힘(scratch) 또는 파티클(particel)로부터 안전하게 보호할 수 있도록 하는 방법에 관한 것이다.
반도체소자의 제조공정에 사용되는 포토 마스크는 웨이퍼 상에 구현되는 패턴의 원판이라 할 수 있기 때문에, 반도체소자가 고집적화 및 고성능화될수록 그 중요성은 더욱 커지고 있다. 그런데, 패턴이 형성되는 포토 마스크의 전면에는 펠리클이 설치되어 패턴을 보호하는 역할을 하지만, 포토 마스크의 이면(back side)에는 어떠한 보호막도 형성되어 있지 않다. 따라서, 블랭크 마스크를 제작할 때, 블랭크 마스크로부터 웨이퍼 상에 구현될 패턴을 포함하는 포토 마스크를 제작할 때, 또는 포토 마스크를 운반하는 과정에서 여러 단계의 공정을 거치면서 바이너리 마스크(binary mask) 또는 위상반전 마스크(phase shift mask)를 불문하고 마스크의 이면은 여러 가지 위험에 노출되어 있다. 그러한 위험 요소에는 크게 파티클과 긁힘의 두 가지로 나누어 볼 수 있다.
첫째, 포토 마스크 기판의 이면에 부착되는 각종 파티클로 인해 포토 마스크 제조의 마지막 단계에서 정상적으로 출하되지 못하고, 파티클 제거, 세정 및 자외선 검사 등의 단계를 반복적으로 거치게 된다. 따라서, 마스크 제작기간이 길어지고 제조비용이 증가하게 된다.
둘째, 공정상의 여러 요인들로 인해 발생하는 마스크 기판 이면의 긁힘(scratch)은, 메인 패턴이 존재하는 영역은 물론, 메인 패턴이 형성되어 있는 영역으로부터 펠리클이 부착되는 위치, 즉 메인 패턴 영역으로부터 500 ∼ 600㎜까지의 기판 이면에 긁힘이 발생할 경우, 그 마스크는 반드시 폐기 처분하고 처음부터 다시 마스크를 제작하여야 한다. 이는, 마스크의 이면에 긁힘이 존재할 경우, 웨이퍼 노광시 마스크 이면의 긁힘으로 인해 빛의 산란, 굴절 또는 반사가 일어나 웨이퍼 상에 코팅되어 있는 레지스트에 마스크의 패턴을 정상적으로 전사할 수 없기 때문이다. 따라서, 마스크 제작기간 및 제조비용이 증가하게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 마스크 이면의 긁힘 또는 파티클 오염으로부터 보호하여 마스크 제조 수율을 높이고 제조비용을 절감할 수 있는 포토 마스크의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에 따른 포토 마스크의 제조방법은, 패턴이 형성될 대상막과 레지스트막이 차례로 형성된 마스크 기판을 준비하는 단계와, 상기 마스크 기판의 이면(back side)에, 상기 마스크 기판의 이면을 보호하기 위한 보호막을 형성하는 단계와, 상기 레지스트막을 노광 및 현상하여 소정의 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 대상막을 패터닝하는 단계와, 상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 기판의 이면에 형성된 상기 보호막을 제거하는 단계, 및 상기 대상막이 패터닝되어 있는 기판 상에 펠리클을 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 마스크 기판은, 투명 기판 상에 광 차단막과 레지스트막이 차례로 형성되어 있는 블랭크 마스크일 수 있다.
그리고, 상기 투명 기판과 광 차단막 사이에 위상반전막을 더 포함할 수 있다.
상기 광 차단막은 크롬(Cr)으로 이루어지고, 상기 위상반전막은 몰리브덴실리콘나이트라이드(MoSiN) 또는 몰리브덴실리콘옥시나이트라이드(MoSiON)으로 이루 어질 수 있다.
상기 보호막은 광 투과율이 95 ∼ 100％인 물질로 형성할 수 있다.
상기 보호막은 플루오로-폴리머(Fluoro-polymer)와 같은 고분자 폴리머로 형성할 수 있다.
상기 보호막은 메인 패턴이 배치되어 있는 영역으로부터 500 ∼ 600㎜까지 형성할 수 있다.
상기 보호막은 제거하는 단계에서, 상기 보호막은 황산(H2SO4) 또는 오존(O3)을 사용하여 제거할 수 있다.
본 발명에 따르면, 포토 마스크의 이면에 보호막을 형성한 후 패턴 형성공정을 진행함으로써, 마스크의 이면에 부착될 수 있는 파티클과 공정상의 여러 요인으로 인해 발생할 수 있는 긁힘으로부터 마스크를 보호할 수 있다. 따라서, 마스크를 다시 제작하여야 하는 비율을 줄일 수 있어 마스크 제작기간 및 제작비용을 감소시킬 수 있으며, 제조수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다.
본 발명은 바이너리 마스크 또는 위상반전마스크의 펠리클을 부착하는 영역 이면에 펠리클과 같은 크기로 보호막을 형성한 후 마스크 제조공정을 진행함으로써, 마스크의 이면에 부착될 수 있는 파티클과 공정상의 여러 요인으로 인해 발생할 수 있는 긁힘으로부터 마스크를 보호할 수 있도록 한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 포토 마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
도 1을 참조하면, 석영(Qz)과 같은 투명한 기판(100) 위에 예를 들어 몰리브덴실리콘옥시나이트라이드(MoSiON) 또는 몰리브덴실리콘나이트라이드(MoSiN)와 같은 위상반전 물질을 일정 두께 증착하여 위상반전막(102)을 형성한다. 이 위상반전막(102) 위에, 예를 들어 크롬(Cr)과 같은 광 차단물질을 일정 두께 증착하여 광 차단막(104)을 형성한다. 광 차단막(104) 위에, 예를 들어 전자빔 레지스트를 도포하여 레지스트막(106)을 형성한다. 또는, 기판(100) 위에 위상반전막(102), 광 차단막(104), 그리고 레지스트막(106)이 차례로 형성되어 있는 블랭크(blank) 마스크를 준비한다. 바이너리 마스크의 경우에는 위상반전막이 생략된다.
다음에, 상기 기판(100)의 이면(back side)에 고분자 폴리머를, 예를 들어 0.1 ∼ 1㎜의 두께로 얇게 코팅하여 보호막(108)을 형성한다. 상기 보호막(108)은 기판을 투과하는 빛의 투과율에 거의 영향을 미치지 않도록 플루오로-폴리머(fluoro-polymer)와 같이 투과율이 95 ∼ 100％ 정도인 고분자 폴리머로 형성할 수 있다. 그리고, 상기 보호막(108)은, 포토 마스크 제조과정 중에 기판(100)의 이면을 긁힘이나 파티클로부터 보호하는 역할을 하며, 펠리클과 같은 크기로 형성할 수 있다.
도 2를 참조하면, 전자빔을 이용하여 원하는 패턴대로 레지스트막(106)을 노광한 후, 현상액을 사용하여 노광된 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성한다. 다음에, 패터닝된 레지스트막(106)을 마스크로 하여 노출된 영역의 광 차단막(104)과 위상반전막(102)을 건식식각하여 광 차단 패턴과 위상반전 패턴을 형성한다.
도 3을 참조하면, 레지스트막을 제거한 다음, 광 차단 패턴과 위상반전 패턴이 형성된 기판의 전면에 다시 레지스트를 도포하여 광 차단영역과 투과영역을 정의하기 위한 레지스트막(110)을 형성한다. 다음에, 전자빔을 사용하여 상기 레지스트막을 노광한 후 현상액으로 현상하여 광 차단영역에만 레지스트막(110)이 남도록 한다.
도 4를 참조하면, 광 차단영역에 잔류하는 레지스트막을 마스크로 하여 노출된 영역의 광 차단막(104)을 식각한 다음, 레지스트막을 제거한다. 다음에, 기판(100)의 이면에 형성되어 있던 보호막(도 3의 108)을 세정 또는 스트립 공정을 통해 제거한다. 상기 보호막(도 3의 108)이 플루오로-폴리머와 같은 고분자 폴리머로 이루어진 경우, 황산(H2SO4) 또는 오존(O3)을 이용한 세정을 통해 제거할 수 있다. 보호막이 제거된 후 마스크에 펠리클을 부착하면 위상반전 마스크가 완성된다.
이상 본 발명을 상세히 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.
도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 포토 마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.

Claims (9)

  1. 패턴이 형성될 대상막과 레지스트막이 차례로 형성된 마스크 기판을 준비하는 단계;
    상기 마스크 기판의 이면(back side)에, 상기 마스크 기판의 이면을 보호하기 위한 보호막을 형성하는 단계;
    상기 레지스트막을 노광 및 현상하여 소정의 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 대상막을 패터닝하는 단계;
    상기 레지스트 패턴을 제거하는 단계;
    상기 기판의 이면에 형성된 상기 보호막을 제거하는 단계; 및
    상기 대상막이 패터닝되어 있는 기판 상에 펠리클을 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 기판은, 투명 기판 상에 광 차단막과 레지스트막이 차례로 형성되어 있는 블랭크 마스크인 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 투명 기판과 광 차단막 사이에, 위상반전막을 더 포함하는 것을 특징으 로 하는 포토 마스크의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광 차단막은 크롬(Cr)으로 이루어지고,
    상기 위상반전막은 몰리브덴실리콘나이트라이드(MoSiN) 또는 몰리브덴실리콘옥시나이트라이드(MoSiON)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 보호막은 광 투과율이 95 ∼ 100％인 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 보호막은 고분자 폴리머로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 보호막은 플루오로-폴리머(Fluoro-polymer)로 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 보호막은 메인 패턴이 배치되어 있는 영역으로부터 500 ∼ 600㎜까지 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 보호막은 제거하는 단계에서,
    상기 보호막은 황산(H2SO4) 또는 오존(O3)을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.
KR1020070083698A 2007-08-20 2007-08-20 포토 마스크의 제조방법 KR100865559B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070083698A KR100865559B1 (ko) 2007-08-20 2007-08-20 포토 마스크의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070083698A KR100865559B1 (ko) 2007-08-20 2007-08-20 포토 마스크의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100865559B1 true KR100865559B1 (ko) 2008-10-28

Family

ID=40177658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070083698A KR100865559B1 (ko) 2007-08-20 2007-08-20 포토 마스크의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100865559B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107644808A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 东京毅力科创株式会社 衬底的背面摩擦减小
CN111433886A (zh) * 2017-11-29 2020-07-17 东京毅力科创株式会社 衬底的背侧摩擦减小

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980048859A (ko) * 1996-12-18 1998-09-15 김광호 위상반전 마스크 제조방법
KR20000045394A (ko) * 1998-12-30 2000-07-15 김영환 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법
KR20070049424A (ko) * 2005-11-08 2007-05-11 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체소자의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980048859A (ko) * 1996-12-18 1998-09-15 김광호 위상반전 마스크 제조방법
KR20000045394A (ko) * 1998-12-30 2000-07-15 김영환 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법
KR20070049424A (ko) * 2005-11-08 2007-05-11 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체소자의 제조방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107644808A (zh) * 2016-07-21 2018-01-30 东京毅力科创株式会社 衬底的背面摩擦减小
CN107644808B (zh) * 2016-07-21 2023-08-22 东京毅力科创株式会社 衬底、处理衬底的方法以及处理室系统
CN111433886A (zh) * 2017-11-29 2020-07-17 东京毅力科创株式会社 衬底的背侧摩擦减小
JP2021508412A (ja) * 2017-11-29 2021-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板の裏面摩擦低減
JP7301279B2 (ja) 2017-11-29 2023-07-03 東京エレクトロン株式会社 基板の裏面摩擦低減

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101169827B1 (ko) 포토마스크 및 노광 방법
US6803160B2 (en) Multi-tone photomask and method for manufacturing the same
US6617265B2 (en) Photomask and method for manufacturing the same
JP2011215614A (ja) 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
CN105097455A (zh) 光掩模及其制造方法
KR100924332B1 (ko) 포토마스크의 브리지 리페어 방법
TW201802573A (zh) 具有多層遮光層的光罩
JP3715189B2 (ja) 位相シフトマスク
US9057961B2 (en) Systems and methods for lithography masks
US7803505B2 (en) Method of fabricating a mask for a semiconductor device
KR100865559B1 (ko) 포토 마스크의 제조방법
KR101080008B1 (ko) 하드마스크용 원판 및 이를 이용한 하드마스크 제조방법
KR20080077870A (ko) 반도체 소자의 포토마스크 형성방법
US8999611B2 (en) Mask blank for scattering effect reduction
JP7009746B2 (ja) Ｈａｚｅの除去方法、及びフォトマスクの製造方法
KR100575000B1 (ko) 반도체 소자 제조용 포토마스크 및 그 제조 방법
JP6065549B2 (ja) フォトマスクの製造方法
CN115981094B (zh) 光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法
US20210048739A1 (en) Method for producing photomask, method for producing semiconductor device, method for forming pattern, and photomask
KR100645216B1 (ko) 사진 마스크 및 그 제조 방법
JP4393164B2 (ja) フォトマスクとその製造方法、および、それを用いた露光方法
KR960000187B1 (ko) 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함 제거방법
KR100855864B1 (ko) 반도체소자의 마스크 제조방법
KR20100101842A (ko) 바이너리 마스크의 결함 리페어 방법
KR20090106900A (ko) 포토마스크의 스크래치 제거방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee