KR100855864B1 - 반도체소자의 마스크 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체소자의 마스크 제조방법에 관한 것으로, 투명기판 상부에 도전층을 형성하고, 상기 도전층 상부에 차광막을 형성한 다음, 사진식각공정에 의해 상기 차광막패턴을 패터닝함으로써 상기 차광막패턴에 정전기가 인가되더라도 상기 도전층이 정전기 방전 통로로 이용되어 상기 차광막패턴이 손상되는 것을 방지할 수 있으므로 보다 정밀한 마스크의 제작이 가능하고, 투과율이 저하되는 것 없이 안정적으로 소자를 형성할 수 있는 기술이다.

Description

반도체소자의 마스크 제조방법{Fabricating method for mask of semiconductor device}

도 1a 및 도 1b 는 종래기술에 따른 반도체소자의 마스크 제조방법을 도시한 공정 단면도.

도 2a 및 도 2b 는 본 발명에 따른 마스크 제조방법을 도시한 공정 단면도.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

11, 21 : 투명기판 13, 25 : 차광막

14, 26 : 차광막패턴 15, 27 : 감광막패턴

23 : 도전층

본 발명은 반도체소자의 마스크 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게 마스크에 정전기 방전 통로를 형성함으로써 정전기에 의해 차광막패턴이 손상되는 것을 방지하여 안정적으로 마스크를 형성할 수 있는 반도체소자의 마스크 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자의 제조 공정 중, 노광 원판 마스크는 원판 마스크 상의 패턴을 실리콘 웨이퍼 기판 상의 감광막에 전사시키는 리소그래피 공정에 사용된다.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 종래기술에 따른 반도체소자의 마스크 제조방법을 설명한다.

도 1a 및 도 1b 는 종래기술에 따른 반도체소자의 마스크 제조방법을 도시한 공정 단면도이다.

먼저, 투명기판(11) 상부에 차광막(13)이 전면적으로 형성되어 있고, 상기 차광막(13) 상부에 감광막(도시안됨)이 도포되어 있는 블랭크 마스크(blank mask)를 준비한다.

다음, 패턴으로 예정되는 부분을 전자빔을 이용하여 노광시킨다.

그 다음, 상기 감광막을 현상하여 감광막패턴(15)을 형성한다. (도 1a 참조)

다음, 상기 감광막패턴(15)을 식각마스크 상기 차광막(13)을 식각하여 차광막패턴(14)을 형성한다.

그 다음, 상기 감광막패턴(15)을 제거한다.

그 후, 세정 및 검사 등의 공정을 실시한다. (도 1b 참조)

상기한 바와 같이 종래기술에 따른 반도체소자의 마스크 제조방법은, 마스크를 형성하기 위한 일련의 공정에서 발생한 정전기가 상기 차광막패턴에 인가되는 경우 별도의 정전기 방전 통로가 없기 때문에 상기 차광막패턴이 손상되어 마스크의 불량을 유발하고, 그에 의해 공정의 안정성 및 수율의 저하를 일으키는 문제점이 있다.

따라서 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여, 투명기판 상부에 투광성을 갖는 도전층을 소정 두께 증착한 후 마스크를 형성함으로써 마스크 상에 정전기 방전 통로를 형성하여 정전기에 의해 마스크가 손상되는 것을 방지하는 반도체소자의 마스크 제조방법을 제공함을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자의 마스크 제조방법은,

투명기판 상부에 투광성을 갖는 도전층을 형성하는 공정과,

상기 도전층 상부에 차광막을 형성하는 공정과,

상기 차광막 상부에 패턴으로 예정되는 부분을 보호하는 감광막패턴을 형성하는 공정과,

상기 감광막패턴을 식각마스크로 상기 차광막을 식각하여 차광막패턴을 형성하는 공정과,

상기 투명기판은 석영기판인 것과,

상기 차광막은 크롬막인 것과,

상기 도전층은 몰리브덴(Mo)층을 사용하여 50 ∼ 100Å 두께로 형성되며, 85 ∼ 90%의 투광성을 갖는 것과,

상기 도전층은 몰리브덴(Mo)층을 사용하여 100 ∼ 150Å 두께로 형성되며, 80 ∼ 85%의 투광성을 갖는 것과,

상기 도전층은 몰리브덴(Mo)층을 사용하여 150 ∼ 200Å 두께로 형성되며, 70 ∼ 80%의 투광성을 갖는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 반도체소자의 마스크 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.

도 2a 및 도 2b 는 본 발명에 따른 반도체소자의 마스크 제조방법을 도시한 공정 단면도이다.

먼저, 투명기판(21) 상부에 투광성을 갖는 도전층(23)을 소정 두께 형성한다.

이때, 상기 투명기판(21)은 석영기판으로 사용하고, 상기 도전층(23)은 몰리브덴(Mo)층을 사용하여 형성한다.

여기서, 상기 도전층(23)으로 사용되는 몰리브덴층은 일반적인 해프톤 마스크에서 1000Å 정도의 두께로 형성되고, 이때 상기 몰리브덴층은 0 ∼ 5%의 투과율을 갖는다.

상기 도전층(23)을 하기와 같은 조건으로 형성한다.

상기 도전층(23)은 몰리브덴층을 사용하여 50 ∼ 100Å 두께로 형성되며, 이때, 상기 몰리브덴층은 85 ∼ 90%의 투광성을 갖는다.

상기 도전층(23)은 몰리브덴층을 사용하여 100 ∼ 150Å 두께로 형성되며, 이때, 상기 몰리브덴층은 80 ∼ 85%의 투광성을 갖는다.

상기 도전층(23)은 몰리브덴(Mo)층을 사용하여 150 ∼ 200Å 두께로 형성되며, 이때, 상기 몰리브덴층은 70 ∼ 80%의 투광성을 갖는다.

본 발명에서는 노광공정에 영향을 미치지 않을 정도의 투과율을 갖도록 형성 되며, 후속 공정에서도 식각되지 않고, 박막 형태로 남아 있는다.

이는 정전기가 인가되었을 때 방전 통로로 사용되기 위함이다.

다음, 상기 도전층(23) 상부에 차광막(25)을 형성한다. 이때, 상기 차광막(25)은 크롬층으로 형성된 것이다.

그 다음, 상기 차광막(25) 상부에 감광막(도시안됨)을 도포한다.

다음, 상기 감광막에서 패턴으로 예정되는 부분을 전자빔을 이용하여 노광시킨다.

그 다음, 상기 감광막을 현상하여 감광막패턴(27)을 형성한다. (도 2a 참조)

다음, 상기 감광막패턴(27)을 식각마스크 상기 차광막(25)을 식각하여 차광막패턴(26)을 형성한다.

그 다음, 상기 감광막패턴(27)을 제거한다.

이때, 상기 차광막패턴(26) 형성 후에도 상기 도전층(23)은 그대로 남아 있으며, 상기 차광막패턴(26)에 정전기가 인가되더라도 상기 도전층(23)이 방전 통로(화살표방향)로 사용되어 상기 차광막패턴(26)이 손상되지 않는다. (도 2b 참조)

이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 기술에 따른 반도체소자의 마스크 제조방법은, 투명기판 상부에 소정 두께의 도전층을 형성하고, 상기 도전층 상부에 차광막을 형성한 다음, 사진식각공정에 의해 상기 차광막패턴을 패터닝함으로써 상기 차광막패턴에 정전기가 인가되더라도 상기 도전층이 정전기 방전 통로로 이용되어 상기 차광막패턴이 손상되는 것을 방지할 수 있으므로 보다 정밀한 마스크의 제작이 가능하고, 투과율이 저하되는 것 없이 안정적으로 소자를 형성할 수 있는 이점이 있다.

Claims (6)

1. 투명기판 상부에 투광성을 갖는 도전층을 형성하는 공정과,

   상기 도전층 상부에 차광막을 형성하는 공정과,

   상기 차광막 상부에 패턴으로 예정되는 부분을 보호하는 감광막패턴을 형성하는 공정과,

   상기 감광막패턴을 식각마스크로 상기 차광막을 식각하여 차광막패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 마스크 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 투명기판은 석영기판인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 마스크 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 차광막은 크롬막인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 마스크 제조방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 도전층은 몰리브덴(Mo)층을 사용하여 50 ∼ 100Å 두께로 형성되며, 85 ∼ 90%의 투광성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 마스크 제조방법.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 도전층은 몰리브덴(Mo)층을 사용하여 100 ∼ 150Å 두께로 형성되며, 80 ∼ 85%의 투광성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 마스크 제조방법.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 도전층은 몰리브덴(Mo)층을 사용하여 150 ∼ 200Å 두께로 형성되며, 70 ∼ 80%의 투광성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 마스크 제조방법.

Images