CN112925164A - 光掩膜板及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
该发明涉及一种光掩膜板及其形成方法，能够改善使用光掩膜板进行光刻时，转印的图形边界模糊、不精准的情况，提高光刻工艺的生产加工良率。所述光掩膜板具有图案区域，包括：基板；形成于所述基板上表面的相移层；形成于所述相移层上表面的第一光遮蔽层，所述第一光遮蔽层沿所述图案区域的边缘设置，所述第一光遮蔽层的透光率小于等于预设值；形成于所述第一光遮蔽层上表面的第二光遮蔽层。
Description
技术领域
本发明涉及光掩膜板领域，具体涉及一种光掩膜板及其形成方法。
背景技术
在半导体装置的制作中，利用光刻技术来将图案转移至晶片，就会用到光掩膜板。所述光掩膜板由石英或者玻璃制成，在一侧表面沉积有一种或多种金属材料以防止透光。随着晶片的关键尺寸的减小，以及集成电路芯片中电路密度的增大，开发出了例如OPC(optical proximity correction，光学邻近效应校正)、OAI(off-axis illumination，离轴照明)、DDL(double dipole lithography，双重偶极光刻、以及PSM(Phase Shift Mask，相移掩模)等分辨率增强技术，以改善焦点深度，从而将图案能够更好的传递至晶片。
其中，PSM同时利用光线的强度和相位来成像，以得到更高分辨率。
现有技术中，采用PSM的方法进行光刻时，光掩膜板的结构如图1所示。PSM的基本原理主要是在掩模图形的相邻透光区引入180°(或其奇数倍)的位相差，或再辅之以透过率变化(衰减PSM)，以改变相邻图形衍射光束之间的干涉状态。通过相邻透光区光场的相消干涉，减小光场分布中暗区的光强、增大亮区的光场，以提高对比度、改善分辨力，或者用相邻图形的位相梯度，产生光场方向反转和零场区,以提高图形陡度、对比度和分辨力。由于亮区光场分布变陡，从而也改善了曝光量宽容度。
然而现有技术中，在利用PSM进行光掩膜板图形的转印时，总是会出现转印的图形边界模糊、不精准的问题，这将大大的影响光刻工艺过程中的生产加工良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光掩膜板及其形成方法，能够改善使用光掩膜板进行光刻时，转印的图形边界模糊、不精准的情况，提高光刻工艺的生产加工良率。
为了解决上述技术问题，以下提供了一种光掩膜板，具有图案区域，包括：基板；形成于所述基板上表面的相移层；形成于所述相移层上表面的第一光遮蔽层，所述第一光遮蔽层沿所述图案区域的边缘设置，所述第一光遮蔽层的透光率小于等于预设值；形成于所述第一光遮蔽层上表面的第二光遮蔽层。
可选的，所述相移层包括MoSiON层或MoSi层中的至少一种。
可选的，所述第一光遮蔽层包括透光率为0的MoSiON层或透光率为0的MoSi层中的至少一种。
可选的，所述第二光遮蔽层包括铬层或氧化铬层中的至少一种。
可选的，所述第二光遮蔽层在基板表面的投影被所述第一光遮蔽层在所述基板表面的投影覆盖。
可选的，所述第二光遮蔽层中形成有开口，所述开口将所述图案区域完全暴露，并且所述开口的边缘与所述图案区域的边缘有一预设距离，该预设距离大于0μm，小于等于600μm。
可选的，所述基板包括石英基板。
可选的，所述相移层的透光率为6％至18％。
可选的，所述相移层的厚度范围为50至100nm。
可选的，所述第一光遮蔽层的厚度范围为50至100nm。
可选的，所述第二光遮蔽层的厚度范围为30至60nm。
为了解决上述技术问题，以下还提供了一种光掩膜板的形成方法，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上表面形成相移层；在所述相移层的上表面形成第一光遮蔽层，所述第一光遮蔽层的透光度小于等于预设值；在所述第一光遮蔽层上表面形成第二光遮蔽层；去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层，所述预设区域为所述光掩膜板的图案区域。
可选的，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层时，包括以下步骤：在所述第二光遮蔽层上表面形成第一光阻层；图形化所述第一光阻层，暴露出位于所述预设区域内的所述第二光遮蔽层的上表面；沿垂直所述基板表面向下的方向刻蚀所述第二光遮蔽层暴露的区域，直至暴露出所述第一光遮蔽层的上表面；沿垂直所述基板表面向下的方向刻蚀所述第一光遮蔽层外露于所述第二光遮蔽层的区域，直至暴露出所述相移层的上表面；去除剩余的所述第一光阻层。
可选的，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层时，还包括以下步骤：部分刻蚀外露的相移层，以部分暴露所述基板的上表面。
可选的，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层时，还包括以下步骤：在所述第二光遮蔽层表面形成开口，所述开口的边缘与所述预设区域的边缘有一预设距离，该预设距离大于0μm，小于等于600μm，直至暴露所述第一光遮蔽层的上表面。
可选的，在所述第二光遮蔽层表面形成开口时，包括以下步骤：在剩余的第一光遮蔽层之间，以及剩余的第二光遮蔽层之间填充第二光阻层，直至所述第二光阻层覆盖至所述第二光遮蔽层的上表面；图形化所述第二光阻层，使所述第二光遮蔽层的上表面部分外露，所述第二光阻层形成的图案的边缘与预设区域的边缘有预设距离；沿垂直所述基板表面向下的方向刻蚀外露于所述第二光阻层的所述第二光遮蔽层，直至暴露所述第一光遮蔽层的上表面。
本发明的光掩膜板及其形成方法在第二光遮蔽层和相移层之间设置了一层第一光遮蔽层，设置两层光遮蔽层，能够有效防止光线从不被期待的区域入射至相移层，且使用该具体实施方式中的光掩膜板，即使所述第二光遮蔽层在反应过程中发生形状的变化，变得透光，也可以由所述第一光遮蔽层进行光的遮挡，这样，使用该光掩膜板进行光刻时，转印到目标区域的转印图形的边界更加准确，从而能够提高晶片的生产良率。
附图说明
图1为现有技术中的光掩膜板的结构示意图。
图2为使用现有技术中的光掩膜板进行光刻时的预设效果图。
图3为使用现有技术中的光掩膜板进行光刻时的实际效果图。
图4a-图4j为形成本发明的一种具体实施方式中光掩膜板的各步骤对应的光掩膜板示意图。
图5a-图5j为形成本发明的一种具体实施方式中光掩膜板的各步骤对应的光掩膜板示意图。
图6为本发明的一种具体实施方式中光掩膜板的形成方法的步骤流程示意图。
图7为本发明的一种具体实施方式中形成的光掩膜板的俯视图。
具体实施方式
研究发现，在光刻过程中，将光掩膜板的图形转印到目标区域时，总是会出现转印后的图案边界模糊、不精准的原因在于，现有技术中在光刻过程中使用到的光罩，其用于挡光的掩膜层很容易在光刻的过程中发生反应，发生离子迁移，导致该掩膜层由不透光变得透光。
如图1所示，图1为现有技术中光掩膜板的结构示意图。在图1所示的具体实施方式中，由金属铬作为光罩的掩膜层203。在使用图1中的光掩膜板进行光刻时，需要采用193nmArF浸没式光刻技术进行曝光处理。图2为图1所示的光掩膜板的局部俯视图，该光掩膜板预计转印到目标区域的转印图案201的边界应当就是掩膜层203的边界，应当是清晰精准，该局部俯视图中转印图案201的尺寸为d1，然而实际获取到的转印图案201的效果却往往如图3所示，转印图案201的边界在一模糊区域301内，十分不精准。这是由于作为掩膜层203的铬层中的铬离子会在曝光处理的过程中发生迁移，随着铬离子的迁移，铬层由不透光的铬层逐渐变为透光，在图3中可以看出，具有足够的遮挡效果的掩膜层的尺寸，从d2变为了d3。自铬层上方入射的光线有可能穿过所述模糊区域301，使最终转印到目标区域的转印图案201边界模糊、不精准，转印图案201的尺寸从d1变为d4，与预设的尺寸有较大差别，影响到光刻工艺过程中的生产加工良率。
以下结合附图和具体实施方式对本发明提出的一种光掩膜板及其形成方法作进一步详细说明。
请参阅图4a-图4j以及图7，其中图4a-图4j为形成本发明的一种具体实施方式中光掩膜板的各步骤对应的光掩膜板示意图，图7为本发明的一种具体实施方式中形成的光掩膜板的局部俯视图。
如图4j所示，在该具体实施方式中，提供了一种光掩膜板，具有图案区域，包括：基板101；形成于所述基板101上表面的相移层102，所述相移层102用于改变入射至基板101内的光线的相位；形成于所述相移层102上表面的第一光遮蔽层401，所述第一光遮蔽层401沿所述图案区域的边缘设置，所述第一光遮蔽层401的透光率小于等于预设值；形成于所述第一光遮蔽层401上表面的第二光遮蔽层103。
在该具体实施方式中，所述光掩膜板在第二光遮蔽层103和相移层102之间设置了一层第一光遮蔽层401，设置两层光遮蔽层，能够有效防止光线从不被期待的区域入射至相移层，且使用该具体实施方式中的光掩膜板，即使所述第二光遮蔽层103在反应过程中发生形状的变化，变得透光，也可以由所述第一光遮蔽层401进行光的遮挡，这样，使用该光掩膜板进行光刻时，将相移层中的目标图案转印到目标区域所得到的转印图形的边界更加准确，从而能够提高晶片的生产良率。
实际上，还可以根据需要设置三层以上的光遮蔽层，以防止外部光线自不被期待的区域入射至所述相移层。
在一种具体实施方式中，所述相移层102包括MoSiON层或MoSi层中的至少一种。实际上，也可以根据需要设置所述相移层102，例如将所述相移层102设置成氮化硅、硅化钽、氮化钽或其他适合的材料。在一些具体实施方式中，所述相移层102为单一层，在另一些具体实施方式中，所述相移层102包括多个层，例如硅化钼与氧化硅的组合等。
在一种具体实施方式中，所述相移层102的厚度范围为50至100nm，比如，所述相移层102的厚度可以为60nm。
在一种具体实施方式中，所述相移层102的透光率为6％至18％。这是PSM所需要的透光率。实际上也可根据需要进行相应的调节。在一种具体实施方式中，所述相移层102的透光率为6％。
在一种具体实施方式中，所述第一光遮蔽层401的透光率低于预设值。在一些具体实施方式中，所述预设值可以根据需要进行设置。限制所述第一光遮蔽层401的透光率，是为了防止所述第一光遮蔽层401的透光率太高，无法阻止光线透过，导致最终形成的仍然是第二光遮蔽层103透光后，边界不清晰的转印图案。
在一种具体实施方式中，所述预设值的范围为0％到2％，即所述第一光遮蔽层的透光率小于等于2％。在一种具体实施方式中，第一光遮蔽层401包括透光率为0的MoSiON层或透光率为0的MoSi层中的至少一种。这里可以在形成该构成第一光遮蔽层401的MoSiON层时，利用溅射(sputtering)技术调整形成MoSiON的原子间密度，从而获取到具有特定透光率的MoSiON层。
在一种具体实施方式中，不仅可以通过调整构成第一光遮蔽层401的MoSiON层的密度来调整所述第一光遮蔽层401的透光率，还可以通过调整构成第一光遮蔽层401的MoSiON层的厚度，来调整所述第一光遮蔽层401的透光率。
在一种具体实施方式中，所述第一光遮蔽层401的厚度范围为50至100nm。实际上，也可以根据需要设置所述第一光遮蔽层401的厚度。比如，所述第一光遮蔽层401的厚度可以为60nm。
在一种具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103包括铬层或氧化铬层中的至少一种。在一种具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103是用来防止在使用所述光掩膜板进行光刻的过程中不被期望的区域漏光的。因此在该具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103沿所述图案区域的周边延伸，以防止周边存其它图案发生漏光。在该具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103对于透射过所述基板101以及所述相移层102的光，其是不透光的。
在其他的具体实施方式中，也可以根据需要设置所述第二光遮蔽层103的具体构成，如将第二光遮蔽层103设置成由铬层、镍层、铝层、钌层、氮化钽硼层等中至少一种构成。
在将所述第二光遮蔽层103设置成铬层时，由于铬层会随着光刻过程中曝光的进行而逐渐发生离子反应、变得透明，因此随着所述光掩膜板的使用，所述光掩膜板的第二光遮蔽层103会逐渐失效，这时，就可以使用所述第一光遮蔽层401来实现对不被期待的区域的遮光功能。在该具体实施方式中，光掩膜板的寿命被大大延长，转印到目标区域的转印图案也始终具有清晰、明确的边界，提高了光刻过程中的转印质量。
此处可参考图7，图7中，d3是所述第二光遮蔽层103的原始尺寸。随着反应的进行，所述第二光遮蔽层103的一部分变得透明，遮光的尺寸从d3变为d5，但第一光遮蔽层401的遮光区域不变，转印图案201的边界还是以第一光遮蔽层401的边界为准，在图7中，转印图案201的尺寸仍为d1。
在一种具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103在基板101表面的投影被所述第一光遮蔽层401在所述基板101表面的投影覆盖。这样，所述第二光遮蔽层103在性质发生变化、由不透光逐渐变为透光后，所有透过了所述第二光遮蔽层103的光线都可以被所述第一光遮蔽层401所阻挡，保证了所述第一光遮蔽层401的阻挡效果。
在一种具体实施方式中，所述第二光遮蔽层中形成有开口，所述开口将所述图案区域完全暴露，并且所述开口的边缘与所述图案区域的边缘有一预设距离，该预设距离大于0μm，小于等于600μm，即第一光遮蔽层401的尺寸d2和第二光遮蔽层103的尺寸d3之间的差值可以为0至600μm。设置较宽的间距，不仅是为了保证所有透过了所述第二光遮蔽层103的光线都可以被所述第一光遮蔽层401所阻挡，还因为使用铬层作为第二光遮蔽层103的时候，铬层在光刻的曝光过程中还会发生氧化膨胀，导致该铬层的覆盖面积增大。设置较大的第二光遮蔽层，可以有效防止铬层氧化后体积增大至超出所述第一光遮蔽层401的遮挡范围。
举例来说，所述开口的边缘与所述相移层中的目标图案的边缘的距离可以为500μm，即第一光遮蔽层401的尺寸d2和第二光遮蔽层103的尺寸d3之间的差值可以为500μm，以防止铬层氧化后体积增大至超出所述第一光遮蔽层401的遮挡范围。
在一种具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103的厚度范围为30至60nm，以具有较佳的不透光效果。
在一种具体实施方式中，所述基板101包括石英基板101。实际上，也可根据需要设置所述基板101为包括玻璃、适应、熔融硅石、氟化钙、氮化硅、氧化钛合金、蓝宝石等中的至少一种。在实际的使用过程中，可以根据需要采用合适的材料来作为所述基板。在一些具体实施方式中，所述基板101的厚度范围为0.3至0.9cm，比如，所述基板101的厚度可以为0.8cm。
请参阅图4a-图4j、图5a-图5j和图6，其中图5a-图5j为形成本发明的一种具体实施方式中光掩膜板的各步骤对应的光掩膜板示意图，图6为本发明的一种具体实施方式中光掩膜板的形成方法的步骤流程示意图。
在该具体实施方式中，以下还提供了一种光掩膜板的形成方法，包括以下步骤：S51提供一基板101；S52在所述基板101上表面形成相移层102；S53在所述相移层的上表面形成第一光遮蔽层103，所述第一光遮蔽层103的透光度小于等于预设值；S54在所述第一光遮蔽层103上表面形成第二光遮蔽层401，到步骤S54为止，可以参考图4a；S55去除位于预设区域内的第一光遮蔽层103和第二光遮蔽层401，所述预设区域为所述光掩膜板的图案区域，此处可参阅图4e。
使用该具体实施方式中的光掩膜板的形成方法，当有光线从所述第二光遮蔽层103上方入射至所述光掩膜板时，所述光线无法透过所述第二光遮蔽层103以及所述第一光遮蔽层401。即使所述第二光遮蔽层103的性质随着光刻的进行发生了改变，也有所述第一光遮蔽层401作为遮光的保障层，这保证了使用该光掩膜板进行光刻时，最终获取的转印图案边缘精确，不会由于第二光遮蔽层103的形状改变而受到影响，能过延长所述光掩膜板的使用寿命，提高晶圆生产的良率。
在一种具体实施方式中，所述相移层102包括MoSiON层或MoSi层中的至少一种。实际上，也可以根据需要设置所述相移层102，例如将所述相移层102设置成氮化硅、硅化钽、氮化钽或其他适合的材料。在一些具体实施方式中，所述相移层102为单一层，在另一些具体实施方式中，所述相移层102包括多个层，例如硅化钼与氧化硅的组合等。
在一种具体实施方式中，所述相移层102的厚度范围为50至100nm，比如，所述相移层102的厚度可以为60nm。
在一种具体实施方式中，在形成所述相移层102时，可以通过化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积等方法来将所述相移层102形成到相应区域。
在一种具体实施方式中，所述预设值可以根据需要进行设置。限制所述第一光遮蔽层401的透光率小于等于一预设值，是为了防止所述第一光遮蔽层401的透光率太高，无法阻止光线透过，导致最终形成的仍然是第二光遮蔽层103透光后，边界不清晰的转印图案。
在一种具体实施方式中，所述预设值的范围为0％到2％，即所述第一光遮蔽层401的透光率小于等于2％。在一种具体实施方式中，所述第一光遮蔽层401包括透光率为0的MoSiON层或透光率为0的MoSi层中的至少一种。这里可以在形成该构成第一光遮蔽层401的MoSiON层时，调整形成的MoSiON的密度，从而获取到具有特定透光率的MoSiON层。
在一种具体实施方式中，不仅可以通过调整构成第一光遮蔽层401的MoSiON层的密度来调整所述第一光遮蔽层401的透光率，还可以通过调整构成第一光遮蔽层401的MoSiON层的厚度，来调整所述第一光遮蔽层401的透光率。
在一种具体实施方式中，所述第一光遮蔽层401的厚度范围为50至100nm。实际上，也可以根据需要设置所述第一光遮蔽层401的厚度。比如，所述第一光遮蔽层401的厚度可以为60nm。
在一种具体实施方式中，在形成所述第一光遮蔽层401时，也可以通过化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积等方法来将第一光遮蔽层401形成到相应区域。
在一种具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103包括铬层或氧化铬层中的至少一种。在一种具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103可以用来防止在使用所述光掩膜板进行光刻的过程中不被期望的区域漏光。因此在该具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103沿所述相移层中的目标图案的周边延伸，以防止周边存其它图案发生漏光。在该具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103对于透射过所述基板101以及所述相移层102的光，其是不透光的。
在其他的具体实施方式中，也可以根据需要设置所述第二光遮蔽层103的具体构成，如将第二光遮蔽层103设置成由铬层、镍层、铝层、钌层、氮化钽硼层等中至少一种构成。
在一种具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103的厚度范围为30至60nm，以具有较佳的不透光效果。
在一种具体实施方式中，在形成所述第二光遮蔽层103时，也可以通过化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积等方法来将第二光遮蔽层103形成到相应区域。
在将所述第二光遮蔽层103设置成铬层时，由于铬层会随着光刻过程中曝光的进行而逐渐发生离子反应、变得透明，因此随着所述光掩膜板的使用，所述光掩膜板的第二光遮蔽层103会逐渐失效，这时，就可以使用所述第一光遮蔽层401来实现对不被期待的区域的遮光功能。在该具体实施方式中，光掩膜板的寿命被大大延长，转印到目标区域的转印图案也始终具有清晰、明确的边界，提高了光刻过程中的转印质量。
在一种具体实施方式中，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层401和第二光遮蔽层103时，包括以下步骤：在所述第二光遮蔽层103上表面形成第一光阻层402，此处可参阅图4b；图形化所述第一光阻层402，暴露出位于所述预设区域内的所述第二光遮蔽层103的上表面，此处可参阅图4c；沿垂直所述基板101表面向下的方向刻蚀所述第二光遮蔽层103暴露的区域，直至暴露出所述第一光遮蔽层401的上表面；沿垂直所述基板101表面向下的方向刻蚀所述第一光遮蔽层401外露于所述第二光遮蔽层103的区域，直至暴露出所述相移层102的上表面，此处可参阅图4d；去除剩余的第一光阻层402。
在一种具体实施方式中，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层401和第二光遮蔽层103时，还包括以下步骤：部分刻蚀外露的相移层，以部分暴露所述基板的上表面。此处可参阅图4j。在一种具体实施方式中，在部分刻蚀外露的相移层的上表面时，包括以下步骤：在第一光遮蔽层401、第二光遮蔽层103之间填充第三光阻层404，所述第三光阻层404被填充至所述第二光遮蔽层的上表面，此处可以参阅图4h；图形化所述第三光阻层404，且图形化后的第三光阻层404暴露出将要刻蚀的部分相移层102的上表面，此处可参阅图4i；沿垂直所述基板101表面向下的方向刻蚀所述相移层102外露的区域，直至暴露出所述基板101的上表面，此处可参阅图4j。
在一种具体实施方式中，在图形化所述第一光阻层402、第三光阻层404时，采用的均是定向的干法刻蚀。在刻蚀所述第一光遮蔽层401、第二光遮蔽层103以及相移层102时，采用的也是定向的干法刻蚀。实际上，可以根据需要选择所需的刻蚀方式。
在一种具体实施方式中，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层401和第二光遮蔽层103时，还包括以下步骤：在所述第二光遮蔽层103表面形成开口，所述开口的边缘与所述预设区域的边缘有一预设距离，该预设距离大于0μm，小于等于600μm，直至暴露所述第一光遮蔽层401的上表面。
在该具体实施方式中，所述第二光遮蔽层103在基板101表面的投影被所述第一光遮蔽层401在所述基板101表面的投影覆盖。这样，所述第二光遮蔽层103在性质发生变化、由不透光逐渐变为透光后，所有透过所述第二光遮蔽层103的光线都可以被所述第一光遮蔽层401所阻挡，保证了所述第一光遮蔽层401的阻挡效果。
在该具体实施方式中，在所述开口的边缘与所述预设区域的边缘之间设置较宽的间距，不仅是为了保证所有透过了所述第二光遮蔽层103的光线都可以被所述第一光遮蔽层401所阻挡，还因为使用铬层作为第二光遮蔽层103的时候，铬层在光刻的曝光过程中还会发生氧化膨胀，导致该铬层的覆盖面积增大。设置较大的第二光遮蔽层，可以有效防止铬层氧化后体积增大至超出所述第一光遮蔽层401的遮挡范围。
在一种具体实施方式中，所述开口的边缘与所述预设区域的边缘之间的距离为500μm，以防止铬层氧化后体积增大至超出所述第一光遮蔽层401的遮挡范围。
在一种具体实施方式中，在所述第二光遮蔽层103中形成开口时，包括以下步骤：在剩余的第一光遮蔽层401之间，以及剩余的第二光遮蔽层103之间填充第二光阻层403，直至所述第二光阻层403覆盖至所述第二光遮蔽层103的上表面，此处可参阅图4e；图形化所述第二光阻层403，使所述第二光遮蔽层103的上表面部分外露，所述第二光阻层403形成的图案的边缘与预设区域的边缘有预设距离，此处可参阅图4f；沿垂直所述基板101表面向下的方向刻蚀外露于所述第二光阻层403的所述第二光遮蔽层103，直至所述第一光遮蔽层401的上表面外露，此处可参阅图4g。
在一种其他的具体实施方式中，在去除位于预设区域内的第一光遮蔽层401和第二光遮蔽层103时，包括以下步骤：在所述第二光遮蔽层103表面形成第一光阻层402，此处仍可参照图4b；图形化所述第一光阻层402，图形化后的所述第一光阻层具有沿所述预设区域的边缘设置的第一区域，以及用来保护相移层102的第二区域，此处请参阅图5a；将所述第一光阻层402的图案依次转印到所述第二光遮蔽层103、第一光遮蔽层401以及相移层102，如图5b所示；去除第一光阻层，如图5c所示；在所述第二光遮蔽层103、第一光遮蔽层401以及相移层102之间填充第三光阻层404，请参阅图5g，请注意，图5g中所述第二光遮蔽层103已经被部分去除了；图形化所述第三光阻层404，所述第三光阻层404图形化后仅留下设置于第一区域内的部分，暴露出位移第二区域内的所述第一光遮蔽层401的上表面，此处可参阅图5h；将所述第三光阻层404图形化后的图形转印至所述第一光遮蔽层401，此处可参阅图5i；去除剩余的所述第三光阻层404，此处可参阅图5j。
该具体实施方式中，通过设置第三光阻层404将位于所述相移层102上表面的不被需要的第一遮光层去除。
在该具体实施方式中，在去除第一光阻层后，形成第三光阻层404之前，通过以下步骤在所述第二光遮蔽层表面形成开口：在所述第二光遮蔽层103、第一光遮蔽层401以及相移层102之间填充第二光阻层403，所述第二光阻层403填充至所述第二光遮蔽层103的上表面，如图5d所示；图形化所述第二光阻层403，使所述第二光遮蔽层103的上表面部分外露，所述第二光阻层403形成的图案的边缘与预设区域的边缘有预设距离，此处可参阅图5e；将所述第二光阻层403上的图形转印给所述第二光遮蔽层103，此处可参阅图5f。
在该具体实施方式中，在形成第三光阻层404之前，先去除剩余的第二光阻层403，而在其他的具体实施方式中，也可以在形成所述第三光阻层404之前，不去除剩余的第二光阻层403。
在该具体实施方式中，在形成第一光阻层402、第二光阻层403、第三光阻层404之前，先在目标区域的表面形成一层抗反射涂层，如BARC(Bottom Anti-ReflectionCoating)涂层等，以防止所述第一光阻层402、第二光阻层403、第三光阻层404发生驻波效应和凹缺(notching)效应，从而影响光刻过程中图案转印的可靠度。
在形成第一光阻层402时，由于所述第一光阻层402是形成于所述第二光遮蔽层103上表面的，因此可以通过旋涂光阻涂料，来将所述第一光阻层402形成到所述第二光遮蔽层103上表面。在形成第二光阻层403以及第三光阻层404时，由于具有需要填充的凹槽结构，因此需要使用化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积等，来将所述第二光阻层403或第三光阻层404形成到相应区域。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (16)
1.一种光掩膜板，具有图案区域，其特征在于，包括：
基板；
形成于所述基板上表面的相移层；
形成于所述相移层上表面的第一光遮蔽层，所述第一光遮蔽层沿所述图案区域的边缘设置，所述第一光遮蔽层的透光率小于等于预设值；
形成于所述第一光遮蔽层上表面的第二光遮蔽层。
2.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述相移层包括MoSiON层或MoSi层中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第一光遮蔽层包括透光率为0的MoSiON层或透光率为0的MoSi层中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽层包括铬层或氧化铬层中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽层在基板表面的投影被所述第一光遮蔽层在所述基板表面的投影覆盖。
6.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽层中形成有开口，所述开口将所述图案区域完全暴露，并且所述开口的边缘与所述图案区域的边缘有一预设距离，该预设距离大于0μm，小于等于600μm。
7.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述基板包括石英基板。
8.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述相移层的透光率为6％至18％。
9.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述相移层的厚度范围为50至100nm。
10.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第一光遮蔽层的厚度范围为50至100nm。
11.根据权利要求1所述的光掩膜板，其特征在于，所述第二光遮蔽层的厚度范围为30至60nm。
12.一种光掩膜板的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上表面形成相移层；
在所述相移层的上表面形成第一光遮蔽层，所述第一光遮蔽层的透光度小于等于预设值；
在所述第一光遮蔽层上表面形成第二光遮蔽层；
去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层，所述预设区域为所述光掩膜板的图案区域。
13.根据权利要求12所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层时，包括以下步骤：
在所述第二光遮蔽层上表面形成第一光阻层；
图形化所述第一光阻层，暴露出位于所述预设区域内的所述第二光遮蔽层的上表面；
沿垂直所述基板表面向下的方向刻蚀所述第二光遮蔽层暴露的区域，直至暴露出所述第一光遮蔽层的上表面；
沿垂直所述基板表面向下的方向刻蚀所述第一光遮蔽层外露于所述第二光遮蔽层的区域，直至暴露出所述相移层的上表面；
去除剩余的所述第一光阻层。
14.根据权利要求12所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层时，还包括以下步骤：
部分刻蚀外露的相移层，以部分暴露所述基板的上表面。
15.根据权利要求12所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，去除位于预设区域内的第一光遮蔽层和第二光遮蔽层时，还包括以下步骤：
在所述第二光遮蔽层表面形成开口，所述开口的边缘与所述预设区域的边缘有一预设距离，该预设距离大于0μm，小于等于600μm，直至暴露所述第一光遮蔽层的上表面。
16.根据权利要求15所述的光掩膜板的形成方法，其特征在于，在所述第二光遮蔽层表面形成开口时，包括以下步骤：
在剩余的第一光遮蔽层之间，以及剩余的第二光遮蔽层之间填充第二光阻层，直至所述第二光阻层覆盖至所述第二光遮蔽层的上表面；
图形化所述第二光阻层，使所述第二光遮蔽层的上表面部分外露，所述第二光阻层形成的图案的边缘与预设区域的边缘有预设距离；
沿垂直所述基板表面向下的方向刻蚀外露于所述第二光阻层的所述第二光遮蔽层，直至暴露所述第一光遮蔽层的上表面。
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