KR960000187B1 - 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함 제거방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 제조용 크롬 마스크의 결함 제거방법

제1도는 크롬 패턴 사이에 마스크 결함이 존재하는 종래의 크롬 마스크의 단면도.

제2도는 상기 제1도의 크롬 마스크를 사용할 경우 공정 결함이 발생되는 것을 나타내는 반도체 웨이퍼의 단면도.

제3도는 본 발명의 노광공정의 기술적 원리를 설명하기 위한 크롬 마스크의 광 투과현상을 나타낸 단면도.

제4a도 내지 제4e도는 본 발명에 의한 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함을 제거하는 단계를 도시한 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 석영기판 2 : 크롬 패턴

3 : 마스크 결함 4 : 실리콘 웨이퍼

5,6 : 감광막 5a : 잔여 감광막

6a : 비노광된 감광막 6b : 노광된 감광막

본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 노광공정에 사용되는 크롬 마스크 결합(Defect)을 제거하는 방법에 관한 것으로, 특히 크롬 마스크 제조시 설계 룰(Design Rule)에 의해 형성된 크롬 패턴사이의 석영기판상에 불필요하게 남아있는 잔여물질 즉, 크롬 잔여물 및 유·무기질에 의한 마스크의 결함을 감광막을 사용하는 노광 및 식각기술로 제거하므로써, 상기 마스크를 사용하는 웨이퍼 공정시 공정의 결함을 유발시키지 않아 제품의 수율 및 특성을 향상시킬 수 있도록 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함을 제거하는 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자의 제조공정 중 노광 공정에 사용되는 크롬 마스크 제조시 설계 룰에 따라 크롬막을 식각하여 크롬 패턴을 형성하는데, 석영기판상에 크롬 패턴을 형성한 후 결함 용인을 제거하기 위해 마스크 세정공정을 실시한다. 그러나 크롬막을 식각하여 형성된 크롬 패턴사이의 석영기판상에 크롬 잔여물 및 유·무기질과 같은 잔여물질이 완전히 제거되지 않고 접착된 채 남아있게 되어 마스크의 결함으로 작용하게 된다. 이러한 결함이 일반공정상 규정한 결함 크기(Defect Size)의 규격(Spec) 보다 작을 경우는 반도체 소자의 노광공정에 사용할 수 있으나, 큰 경우에는 재제작을 해야만 한다.

마스크의 결함으로 인한 웨이퍼 공정시 공정결함을 제1도 및 제2도를 참조하여 설명하면, 제1도는 석영기판(1)상에 형성된 크롬 패턴(2) 사이에 마스크 결함(3)인 크롬 잔여물 또는 유·무기질이 접착되어 있는 상태를 도시한 마스크의 단면도로서, 이러한 마스크를 사용하여 실리콘 웨이퍼(4)상에 도포된 감광막(5)을 패턴화하는 웨이퍼 공정을 실시하면 제2도에 도시된 바와같이 마스크의 결함(3)이 있는 부분에 노출된 감광막(5)은 완전히 제거되지 않은 채 잔여 감광막(5A)으로 남아 있게 되어 공정 결함으로 작용하게 된다.

상술한 바와같이 크롬 마스크 제조시 크롬막을 식각하여 크롬 패턴을 형성하기 때문에 크롬 패턴사이에는 마스크 결함이 존재하게 되며, 이러한 크롬 마스크를 사용하여 웨이퍼 공정시 공정 결함을 유발하여 반도체 소자의 수율 및 특성을 저하시키는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 크롬 패턴사이의 석영기판에 불필요하게 남아있는 잔여물질 즉, 크롬 잔여물 및 유·무기질에 의한 마스크의 결함을 감광막을 사용하는 노광 및 식각기술로 제거하는 방법을 제공함에 그 목적이 있다.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조용 마스크의 결함 제거방법은 반도체 소자의 제조공정 중 노광공정에 사용되는 크롬 마스크 제조시 설계 룰에 의해 석영기판(1)상에 형성된 크롬 패턴(2) 사이에 마스크 결함(3)이 존재하는 상태에서 상기 크롬 패턴(2) 및 마스크 결함(3)이 존재하는 석영기판(1)상에 감광막(6)을 전반적으로 도포한 후, 석영기판(1)의 후면을 노광하는 단계와, 상기 노광공정에 의해 노광된 부분의 감광막(6B)을 현상공정으로 현상하여 비노광된 감광막(6A)을 패턴화하여 마스크 결함(3)을 노출되게 하는 단계와, 상기 현상공정으로 패턴화된 감광막(6A)을 이용하여 식각공정으로 상기 노출된 마스크 결함(3)을 제거한 후, 상기 패턴화된 감광막(6A)을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

제3도는 크롬 마스크의 광 투과현상을 나타낸 단면도이고, 제4a도 내지 제4e도는 본 발명에 의한 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함을 제거하는 단계를 도시한 단면도로서, 제4a도는 공지의 기술로 석영기판(1)상에 형성된 크롬 패턴(2) 사이에 마스크 결함(3)인 크롬 잔여물 또는 유·무기질이 접착되어 있는 크롬 마스크의 상태를 도시한 것이다.

제4b도는 상기 크롬 패턴(2) 및 마스크 결합(3)이 있는 석영기판(1)상에 감광막(6)을 전반적으로 도포한 후, 석영기판(1)의 후면을 노광하여 크롬패턴(2)이 있는 부분의 감광막(6A)은 노광되지 않고 크롬패턴(2)이 없는 부분 및 마스크 결함(3)이 있는 부분의 감광막(6B)은 노광된 상태를 도시한 것이다.

상기 감광막(6)의 노광 원리는 제3도의 크롬 마스크의 광 투과현상의 원리를 이용한 것으로, 광을 마스크에 비추면 크롬 패턴(2) 부분은 광이 차단되고 그 외의 부분은 광이 투과되는데, 이 투과되는 광은 크롬 패턴(2) 가장자리에서는 빛의 간섭이, 결함(3) 부분에서는 빛의 간섭과 산란이 일어나 크롬 패턴(2)이 없는 부분은 물론 결함(3)이 있는 부분의 감광막(6B)을 노광되게 한다.

제4c도는 상기 노광된 감광막(6B)을 현상공정으로 현상하여 비노광된 감광막(6A)을 패턴화하여 마스크결함(3)을 노출되게한 상태를 도시한 것이고, 제4d도는 상기 마스크 결함(3)을 제거하기 위하여 패턴화된 감광막(6A)을 이용한 식각공정으로 마스크 결함(3)을 제거한 상태를 도시한 것이다.

제4e도는 상기 감광막(6A)을 제거한 다음 마스크 세정공정으로 결함요인들을 완전히 제거한 상태의 크롬 마스크를 도시한 것이다.

상술한 바와같이 크롬 마스크의 크롬 패턴사이에 존재하는 마스크 결함을 반도체 노광기술 및 식각기술을 적용하여 제거하므로써, 웨이퍼 공정시 마스크 결함에 의한 공정결함의 발생을 방지할 수 있어 반도체 소자의 수율 및 특성을 향상시킬 수 있다.

Claims (1)

1. 반도체 소자의 제조공정 중 노광공정에 사용되는 크롬 마스크 제조시 설계 룰에 의해 석영기판(1)상에 형성된 크롬 패턴(2) 사이에 존재하는 마스크 결함(3)을 제거하는 방법에 있어서, 상기 크롬 패턴(2) 및 마스크 결함(3)이 존재하는 석영기판(1)상에 감광막(6)을 전반적으로 도포한 후, 석영기판(1)의 후면을 노광하는 단계와, 상기 노광공정에 의해 노광된 부분의 감광막(6B)을 현상공정으로 현상하여 비노광된 감광막(6A)을 패턴화하여 마스크 결함(3)을 노출되게 하는 단계와, 상기 현상공정으로 패턴화된 감광막(6A)을 이용하여 식각공정으로 상기 노출된 마스크 결함(3)을 제거한 후, 상기 패턴화된 감광막(6A)을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함 제거방법.