JP2011095787A - 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 短波長の露光波長に対しても十分な透過率が得られ、使用可能であると共に、欠陥検査波長に対しても適切な透過率を有し、満足すべき検査が可能となる位相シフトフォトマスク及び該マスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】 ２層からなる減衰型位相シフト膜において、上層の膜の屈折率及び消衰係数を下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくして、露光波長における透過率を高くし、また、３層からなる減衰型位相シフト膜において、中間層の膜の屈折率及び消衰係数を上層及び下層の膜の屈折率よりも小さくして、欠陥検査波長における透過率を低くし、さらにまた、３層以上からなる減衰型位相シフト膜において、最上層の膜の屈折率及び消衰係数をその直下層の膜の屈折率よりも小さくして、露光波長における透過率を高くする。
【選択図】 図２

Description

本発明は、多層膜の位相シフト膜からなる位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク、並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法に関し、特に減衰型（ハーフトーン）位相シフトフォトマスク及びこのマスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス、並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法に関する。

従来、減衰型の位相シフトフォトマスクとして、単層膜からなるもの（特許文献１）及び２層膜からなるもの（特許文献２）が提案されている。単層膜からなるものについてはその膜構成を図１に、２層膜からなるものについてはその膜構成を図２に示す。

特開平７−１４０６３５号公報 特開平８−７４０３１号公報

近年の半導体集積回路技術の発展に伴ってパターンの微細化が進むにつれ、露光波長が短波長化し、露光波長の光を減衰させる減衰型の位相シフトフォトマスクに対しては、次のような性能が要求されている。
（１）位相差（ＰＳ）は、ＰＳ＝１７５〜１８０°であること。
（２）露光波長（λ_ｅｘｐ）における透過率（Ｔ_ｅｘｐ）は、Ｔ_ｅｘｐ＝２〜３０％であること。
（３）検査波長（λ_ｉｎｓｐ）における透過率（Ｔ_ｉｎｓｐ）は、Ｔ_ｉｎｓｐ＜約４０〜５０％（例えば、λ_ｅｘｐ＝１９３ｎｍのとき、λ_ｉｎｓｐ＝３６５ｎｍ）であること。
（４）露光波長における反射率（Ｒ_ｅｘｐ）は、好ましくは、Ｒ_ｅｘｐ＜約２０％であること。
（５）膜厚ｄは薄い方が好ましいこと。

上記従来技術の位相シフト膜の場合、露光波長（λ_ｅｘｐ）を短波長化（例えば、ＡｒＦエキシマレーザー露光の場合、λ_ｅｘｐ＝１９３ｎｍ）すると、露光波長における透過率（Ｔ_ｅｘｐ）が上記要求透過率よりも低くなってしまう。そのため、露光波長における要求透過率を確保しようとして、この透過率（Ｔ_ｅｘｐ）を高くすると、欠陥検査波長における透過率も高くなり過ぎるという問題が生じる。例えば、図２に示す２層膜においては、上記従来技術の場合、空気（屈折率：ｎ_０）その他の気体のような周囲環境に接する上層の膜の屈折率（ｎ_１−ｉｋ_１）が下層の膜の屈折率（ｎ_２−ｉｋ_２）よりも大きいため、露光波長における透過率が小さくなり、例えばＡｒＦエキシマレーザーの波長に対して満足すべき透過率が得られないという問題がある。これに対して、露光波長における透過率を上げると、通常用いられる位相シフトフォトマスクの欠陥検査波長（例えば、λ_ｉｎｓｐ＝３６５ｎｍ）における透過率が大きくなり過ぎるため、欠陥検査が不可能となる。このように、上記従来技術では、近年の半導体集積回路技術の発展に対応しきれなくなっている。

なお、欠陥検査装置メーカーの努力により、検査波長が短波長化する傾向にある。従って、検査波長（３６５ｎｍ）における透過率の多少の増大は問題とならなくなる可能性があるが、大幅な透過率増大は大分先にならないと解決されないと思われる。
本発明は、上記従来技術のもつ問題点を解決するものであり、短波長の露光波長に対しても十分な透過率が得られ、使用可能であると共に、欠陥検査波長に対しても適切な透過率を有し、満足すべき検査が可能となる位相シフトフォトマスク及びこのマスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス、並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記従来技術の問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、膜の屈折率に着目し、多層膜からなる位相シフト膜の構成を最適化することによって、これらの問題の解決を図り、本発明を完成するに至った。

本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ハーフトーン位相シフト膜が２層からなり、上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。

また、本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ハーフトーン位相シフト膜が３層からなり、中間層の膜の屈折率及び消衰係数が上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、欠陥検査波長における透過率が低くなり、検査が可能となる。３層膜からなる位相シフト膜の場合、基準となる膜構成として、例えば、空気その他の気体／ｎ_１、ｋ_１、ｄ_１／ｎ_２、ｋ_２、ｄ_２／ｎ_３、ｋ_３、ｄ_３／透明基板（ただし、ｎ_１、ｎ_２、ｎ_３はそれぞれ上層、中間層、下層の膜の屈折率であり、ｋ_１、ｋ_２、ｋ_３はそれぞれ、上層、中間層、下層の膜の消衰係数であり、ｄ_１、ｄ_２、ｄ_３はそれぞれ上層、中間層、下層の膜厚である。）のような構成を考えることができる。

さらに、本発明のハーフトーン位相シフト膜が３層からなる場合、上層の膜の屈折率及び消衰係数を中間層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいものとしてもよく、これにより、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。

さらにまた、本発明のハーフトーン位相シフト膜が４層以上からなり、最上層の膜の屈折率及び消衰係数がその直下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、露光波長における透過率が高いものが得られる。

前記ハーフトーン位相シフト膜はＭｏＳｉＯＮ系の膜である。その他にＭｏＳｉＮ系の膜、ＭｏＳｉＯ系の膜等であってもよい。

本発明の位相シフトフォトマスクは、上記位相シフトフォトマスクブランクスにウエハー基板に転写すべきパターンが形成されたものであり、この位相シフトフォトマスクを用いて露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することができる。

なお、露光波長として、上記したＡｒＦエキシマレーザー露光の場合（λ_ｅｘｐ＝１９３ｎｍ）の他に、Ｆ_２レーザー露光の場合、λ_ｅｘｐ＝１５７ｎｍ、ＫｒＦエキシマレーザー露光の場合、λ_ｅｘｐ＝２４８ｎｍ等が用いられ得る。

本発明によれば、減衰型（ハーフトーン）の位相シフト膜を２層構成とし、上層の膜の屈折率及び消衰係数を下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。
また、本発明によれば、減衰型の位相シフト膜を３層構成とし、中間層の膜の屈折率及び消衰係数を上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、欠陥検査波長における透過率が低くなり、欠陥検査が可能になる。
さらに、本発明によれば、減衰型の位相シフト膜を３層以上の構成とし、最上層の膜の屈折率及び消衰係数をその直ぐ下の層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。
さらにまた、本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ＡｒＦエキシマレーザー露光用位相シフトフォトマスクを得るのに大変有効であり、このフォトマスクを用いて微細なパターンを有する半導体装置の製造が可能になる。

単層からなる位相シフト膜を有する従来の減衰型の位相シフトフォトマスクの断面図。 ２層からなる位相シフト膜を有する減衰型の位相シフトフォトマスクの断面図。 ３層からなる位相シフト膜有する減衰型の位相シフトフォトマスクの断面図。 ２層からなる位相シフト膜の各層の膜厚（ｄ_１、ｄ_２）の間の関係を示すグラフ。 ３層からなる位相シフト膜の各層の膜厚（ｄ_１、ｄ_２、ｄ_３）の間の関係を示すグラフ。 反応性スパッタリング工程で用いる反応ガス流量比（Ｎ_２Ｏ／Ａｒ＋Ｎ_２Ｏ、ｖｏｌ％）と光学定数（屈折率ｎ及び消衰係数ｋ）との関係を示すグラフ。

以下、本発明の実施例及び比較例を図面を参照して説明する。雰囲気ガスは空気とした（ｎ_０＝１）。
（実施例１）
本実施例では、図１〜５に基づき、本発明の２層膜及び３層膜の膜構成の最適化について従来技術と比較して説明する。
図１に示すような単層膜の場合、位相シフト膜ｆを透過する光Ｆと位相シフト膜の開口部ｑを透過する光Ｑとの位相差（ＰＳ）は次式で与えられる。
ＰＳ ＝ ２π(ｎ_１−ｎ_０)ｄ_１ ／λ （１）
ＰＳ＝１８０°（π）になる膜厚ｄ_１ ^０は次式で与えられる。
ｄ_１ ^０ ＝ λ_ｅｘｐ／２(ｎ_１−ｎ_０) （２）
上式中、ｎ_１は位相シフト膜の屈折率であり、ｎ_０は空気の屈折率（ｎ_０＝１）であり、ｄ_１は位相シフト膜の膜厚であり、λ_ｅｘｐは露光波長である。
図２に示すような２層膜の場合、位相シフト膜を透過する光Ｆと位相シフト膜の開口部を透過する光Ｑとの位相差（ＰＳ）は次式で与えられる。
ＰＳ ＝ ＰＳ_１＋ＰＳ_２ （３）
ここに、ＰＳ_１及びＰＳ_２は次式で与えられる。
ＰＳ_１ ＝ ２π(ｎ_１−ｎ_０)ｄ_１ ／λ_ｅｘｐ （４）
ＰＳ_２ ＝ ２π(ｎ_２−ｎ_０)ｄ_２ ／λ_ｅｘｐ （５）
上式（３）、（４）、（５）からＰＳ＝πとなる条件は、次式である。
ｄ_１／ｄ_１ ^０＋ｄ_２／ｄ_２ ^０ ＝ １ （６）
ここに、ｄ_１ ^０ 及びｄ_２ ^０ は次式で与えられる。
ｄ_１ ^０ ＝ λ_ｅｘｐ ／２(ｎ_１−ｎ_０) （７）
ｄ_２ ^０ ＝ λ_ｅｘｐ ／２(ｎ_２−ｎ_０) （８）
上式中、ＰＳ_１及びＰＳ_２はそれぞれ上層及び下層の膜の位相差であり、ｎ_１及びｎ_２はそれぞれ上層及び下層の膜の屈折率であり、ｄ_１及びｄ_２はそれぞれ上層及び下層の膜の膜厚であり、ｄ_１ ^０ 及びｄ_２ ^０ はそれぞれ上層及び下層の膜の位相差が１８０°になる膜厚であり、λ_ｅｘｐは露光波長である。
図３に示すような３層膜の場合、位相シフト膜を透過する光Ｆと位相シフト膜の開口部を透過する光Ｑとの位相差（ＰＳ）は次式で与えられる。
ＰＳ ＝ ＰＳ_１＋ＰＳ_２＋ＰＳ_３ （９）
ここに、ＰＳ_１、ＰＳ_２及びＰＳ_３は次式で与えられる。
ＰＳ_１ ＝ ２π(ｎ_１−ｎ_０)ｄ_１ ／λ_ｅｘｐ （１０）
ＰＳ_２ ＝ ２π(ｎ_２−ｎ_０)ｄ_２ ／λ_ｅｘｐ （１１）
ＰＳ_３ ＝ ２π(ｎ_３−ｎ_０)ｄ_３ ／λ_ｅｘｐ （１２）
上式（９）〜（１２）からＰＳ＝πとなる条件は、次式である。
ｄ_１／ｄ_１ ^０＋ｄ_２／ｄ_２ ^０＋ｄ_３／ｄ_３ ^０ ＝ １ （１３）
ここに、ｄ_１ ^０ 、ｄ_２ ^０ 及びｄ_３ ^０ は次式で与えられる。
ｄ_１ ^０ ＝ λ_ｅｘｐ ／２(ｎ_１−ｎ_０) （１４）
ｄ_２ ^０ ＝ λ_ｅｘｐ ／２(ｎ_２−ｎ_０) （１５）
ｄ_３ ^０ ＝ λ_ｅｘｐ ／２(ｎ_３−ｎ_０) （１６）
上式中、ＰＳ_１、ＰＳ_２及びＰＳ_３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の位相差であり、ｎ_１、ｎ_２及びｎ_３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の屈折率であり、ｎ_０は空気の屈折率（ｎ_０＝１）であり、ｄ_１、ｄ_２及びｄ_３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の膜厚であり、ｄ_１ ^０、ｄ_２ ^０及びｄ_３ ^０はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の位相差が１８０°になる膜厚であり、λ_ｅｘｐは露光波長である。

図１、２及び３中のｎ_ｓは基板の屈折率であり、図１中のｋ_１は位相シフト膜の上層の膜の消衰係数であり、図２中のｋ_１及びｋ_２はそれぞれ上層及び下層の膜の消衰係数であり、また、図３中のｋ_１、ｋ_２及びｋ_３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の消衰係数である。

以下に示す表１、表２において、ＲＲはアルミニウム真空蒸着膜に対する反射率（相対反射率）、ＰＳ０は膜の吸収を無視したときの位相差、ＰＳは膜の吸収を考慮したときの位相差を表す。
上記したように、単層膜、２層膜、３層膜の場合について、位相差πを与える条件について説明したが、以下、２層膜及び３層膜の最適化について説明する。

先ず、２層膜の最適化について説明する。上式（６）から、位相差πを与える位相シフト膜の各層の膜厚（オングストローム）ｄ_１とｄ_２との間には、図４に示すような直線関係がある。この直線に沿った各点Ｆ_１１、Ｆ_１２、Ｆ_２１〜Ｆ_２７について、光学特性を計算した結果を表１に示した。その際、位相シフト膜の光学定数は、表４に示すＭｏＳｉＯＮスパッター膜（３５０℃、３時間焼鈍品）のＱ：１１、Ｑ：１３についての値を用いた。表１において、ｆ_１は上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率より高い構成のもの（従来膜）、ｆ_２はその逆の構成のもの（本発明膜）を表す。表１より、露光波長１９３ｎｍにおける透過率Ｔ_１９３については、ｆ_２の方がｆ_１よりも高くなることがわかる。また、露光波長１９３ｎｍにおける反射率ＲＲ_１９３については、ｆ_２の方がｆ_１よりも低くなって、好ましい方向へ行くことがわかる。

従って、ｆ_１（従来膜）のように、上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率よりも高い位相シフト膜よりも、上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率よりも低い位相シフト膜の方が好ましい。

次に、３層膜の最適化について説明する。上式（１３）から、位相差πを与える位相シフト膜の各層の膜厚（オングストローム）ｄ_１、ｄ_２及びｄ_３は、図５に示すように、平面Ｆ_１１−Ｆ_１２−Ｆ_１３を３辺とする平面上の点で与えられる。この平面上の点Ｆ_３１、Ｆ_３２、Ｆ_３３、Ｆ_３４についての光学特性の計算結果を表２に示した。表２には、単層膜Ｆ_１１、Ｆ_１２、Ｆ_１３、及び２層膜Ｆ_２１、Ｆ_２２、Ｆ_２３についての計算結果を比較のために示した。表２における膜の基本構成Ｆ_３ｊ（ｊ＝１〜４）及び膜ｆ_１〜ｆ_６の詳細は表３に示す通りである。また、位相シフト膜の光学定数は、表４に示すＭｏＳｉＯＮスパッター膜のＱ：１１、Ｑ：２５、Ｑ：１３についての値を用いた。

表２から、次のことがわかる。膜ｆ_１〜ｆ_６のうち、露光波長１９３ｎｍにおける透過率Ｔ_１９３はｆ_２、ｆ_４、ｆ_６の膜が高く、欠陥検査波長３６５ｎｍにおける透過率Ｔ_３６５はｆ_３、ｆ_５の膜が低い。また、露光波長１９３ｎｍにおける反射率ＲＲ_１９３はｆ_１、ｆ_３膜よりもｆ_２、ｆ_４、ｆ_５、ｆ_６膜の方が低い。

従って、１９３ｎｍ露光用位相シフト膜としては、露光波長における透過率を高くするには、ｆ_２、ｆ_４、ｆ_６の膜、すなわち上層の膜が中間層の膜よりも低い屈折率をもつことが好ましく、また、欠陥検査波長における透過率を低くするには、ｆ_３、ｆ_５の膜、すなわち中間層の膜の屈折率が上層及び下層の膜の両方よりも低いことが好ましい。

以上の実施例においては、２層膜及び３層膜の最適化について説明したが、４層以上のハーフトーン位相シフト膜の場合についても、最上層の膜の屈折率がその直下層の膜の屈折率よりも小さいものからなる位相シフト膜であれば、最適化され、上記で説明したのと同じように露光波長における透過率が高いものが得られる。

実施例２（位相シフトフォトマスクブランクスの製作）
平板型直流マグネトロン装置を用いて、特開平６−２２０６２７号公報、特開平８−１２７８７０号公報、及びN.Motegi, Y.Kashimoto, K.Nagatani et al., J. Vacuum Sci. Technol., Vol. B13(4),1995,pp.1906-1909 等に記載され、示されたいわゆるＬＴＳ（ロングスロースパッタリング）法に従って透明基板上にモリブデンシリサイド酸化窒化膜を形成した。すなわち、この装置内にＭｏＳｉ_２ターゲットを設置し、圧力０．０５３３〜０．１０７Ｐａ（４〜８×１０^−４Ｔｏｒｒ）の下、ＡｒガスとＮ_２Ｏガスとを表４に示す流量及び流量比で用いる反応性スパッタリングによって、６インチ（１５２．４ｍｍ）角の厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）の６０２５石英基板の上にＭｏＳｉＯＮ膜を形成した。成膜後、３５０℃で３時間の熱処理を施して２層膜及び３層膜のＭｏＳｉＯＮ膜を位相シフト膜とする位相シフトフォトマスクブランクスを製作した。この膜構成は表１及び表２に記載された本発明の膜構成とした。製作されたＭｏＳｉＯＮ系スパッター膜に関し、反応ガス流量比（Ｎ_２Ｏ／Ａｒ＋Ｎ_２Ｏ、ｖｏｌ％）と光学定数との間の関係は図６及び表４に示す通りであった。図６及び表４から明らかなように、反応ガス流量比が大きい程、屈折率ｎと消衰係数ｋは小さくなることがわかる。すなわち、ＭｏＳｉＯＮ膜の酸窒化度が高い程、屈折率ｎ及び消衰係数ｋは小さくなる。

また、位相シフト膜としてＭｏＳｉＯＮ系スパッター膜の代わりに、ＭｏＳｉＮ系スパッター膜、ＭｏＳｉＯ系スパッター膜を用いた場合も同じような傾向が見られる。

実施例３（位相シフトフォトマスクの製作）
実施例２で得た位相シフトフォトマスクブランクス上に電子ビーム用レジスト（例えば、日本ゼオン株式会社製のＺＥＰ−８１０Ｓ等）を塗布し、約５０００オングストローム厚さのレジスト膜を形成した。次いで、パターン露光、現像、ドライエッチング、洗浄等の一連の周知のパターン形成処理を施して、位相シフト膜の一部をエッチング除去し、開口部と位相シフト膜とで、ホール或いはドット等のパターンの形成された位相シフトフォトマスクを製作した。この際のドライエッチングは、平行平板型のＲＦイオンエッチング装置を用い、電極間距離６０ｍｍ、作動圧力４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）で、ＣＦ_４＋Ｏ_２混合ガスを用いて、それぞれの流量比を約９５容量％及び５容量％で実施した。このようにして微細なパターンを有するフォトマスクの製作が可能であった。

実施例４（半導体装置の製造）
実施例３で得られた位相シフトフォトマスクを用いて、露光光としてＡｒＦエキシマレーザー光を使用した露光を行い、感光材の塗布されたウェハー基板上にフォトマスクの所定のパターンを転写し、次いで現像してこの所定のパターンをウェハー上に形成した。以下、公知の製造工程に従って半導体装置を製造した。かくして得られた半導体装置は微細なパターンを有していた。

ｆ 位相シフト膜
Ｆ 位相シフト膜を通過する光
ｑ 位相シフト膜の開口部
Ｑ 位相シフト膜の開口部を透過する光
ｎ_０ 空気の屈折率
ｄ_１、ｄ_２、ｄ_３ 位相シフト膜の各層の膜厚
ｎ_１−ｉｋ_１、ｎ_２−ｉｋ_２、ｎ_３−ｉｋ_３ 位相シフト膜の各層の膜の複素屈折率
ｎ_ｓ 基板の屈折率
ｋ_１、ｋ_２、ｋ_３ 位相シフト膜の各層の膜の消衰係数

Claims (11)

1. ハーフトーン位相シフト膜が２層からなり、波長１９３ｎｍに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さく、波長３６５ｎｍに対する透過率を３４．３６％〜７２．１２％とし、波長１９３ｎｍに対する透過率を３．９１〜８．６６％とし、波長１９３ｎｍに対する位相差１７５．０〜１７８．５°とすることを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
2. 上層及び下層の合計膜厚を８３４〜１３２１Åとすることを特徴とする請求項１に記載の位相シフトフォトマスクブランクス。
3. ハーフトーン位相シフト膜が３層からなり、波長１９３ｎｍに対する中間層の膜の屈折率及び消衰係数が上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
4. ハーフトーン位相シフト膜が３層からなり、波長１９３ｎｍに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が中間層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
5. 各層の合計膜厚を１０９５〜１２５８Åとすることを特徴とする請求項３又は４に記載の位相シフトフォトマスクブランクス。
6. ハーフトーン位相シフト膜が４層以上からなり、波長１９３ｎｍに対する最上層の膜の屈折率及び消衰係数がその直下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
7. 前記ハーフトーン位相シフト膜がＭｏＳｉＯＮ系の膜であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の位相シフトフォトマスクブランクス。
8. 請求項１〜７のいずれかに記載の位相シフトフォトマスクブランクスにウエハー基板に転写すべきパターンが形成されてなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。
9. 請求項８記載の位相シフトフォトマスクを用いて露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 露光光としてＡｒＦエキシマレーザー光を使用することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 波長１９３ｎｍに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいハーフトーン位相シフト膜であって、ウェハー基板に転写すべきパターンが形成された位相シフトフォトマスクに、ＡｒＦエキシマレーザーによる露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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