JP2002062632A - 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法Info
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 透明基板上に少なくとも一層の位相シフ
ト膜を設けてなる位相シフトマスクブランクにおいて、
上記位相シフト膜が金属とシリコンを主成分とすると共
に、この位相シフト膜の膜応力が１００ＭＰａ以下であ
ることを特徴とする位相シフトマスクブランク、これを
パターンニングしてなる位相シフトマスク、及びこれら
の製造方法。 【効果】 本発明によれば、位相シフト膜が金属とシリ
コンを主成分とすること、特にモリブデンシリサイド酸
化炭化物又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物で形
成することにより、位相シフト膜の膜応力を１００ＭＰ
ａ以下に低減化することができ、位相シフト膜を成膜す
る際に基板の平坦度を悪化させることがないと共に、位
相シフト膜をパターンニングした後でも良好な平坦度を
有する高品質な位相シフトマスクブランク及び位相シフ
トマスクが得られる。
ト膜を設けてなる位相シフトマスクブランクにおいて、
上記位相シフト膜が金属とシリコンを主成分とすると共
に、この位相シフト膜の膜応力が１００ＭＰａ以下であ
ることを特徴とする位相シフトマスクブランク、これを
パターンニングしてなる位相シフトマスク、及びこれら
の製造方法。 【効果】 本発明によれば、位相シフト膜が金属とシリ
コンを主成分とすること、特にモリブデンシリサイド酸
化炭化物又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物で形
成することにより、位相シフト膜の膜応力を１００ＭＰ
ａ以下に低減化することができ、位相シフト膜を成膜す
る際に基板の平坦度を悪化させることがないと共に、位
相シフト膜をパターンニングした後でも良好な平坦度を
有する高品質な位相シフトマスクブランク及び位相シフ
トマスクが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用カ
ラーフィルター、及び磁気ヘッド等の微細加工を行うフ
ォトリソグラフィー工程に好適に用いられる位相シフト
マスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方
法に関し、特に、位相シフト膜によって露光波長の光の
強度を減衰させることができるハーフトーン型の位相シ
フトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製
造方法に関するものである。
ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）用カ
ラーフィルター、及び磁気ヘッド等の微細加工を行うフ
ォトリソグラフィー工程に好適に用いられる位相シフト
マスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方
法に関し、特に、位相シフト膜によって露光波長の光の
強度を減衰させることができるハーフトーン型の位相シ
フトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体集積回路の製
造をはじめとして、広範囲な用途に用いられているフォ
トマスクは、基本的には透光性基板上にクロムを主成分
とした遮光膜を所定のパターンで形成したものである。
近年では半導体集積回路の高集積化などの市場要求に伴
ってパターンの微細化が急速に進み、これに対して露光
波長の短波長化を図ることにより対応してきた。
造をはじめとして、広範囲な用途に用いられているフォ
トマスクは、基本的には透光性基板上にクロムを主成分
とした遮光膜を所定のパターンで形成したものである。
近年では半導体集積回路の高集積化などの市場要求に伴
ってパターンの微細化が急速に進み、これに対して露光
波長の短波長化を図ることにより対応してきた。
【０００３】しかしながら、露光波長の短波長化は解像
度を改善する反面、焦点深度の減少を招き、プロセスの
安定性が低下し、製品の歩留まりに悪影響を及ぼすとい
う問題があった。
度を改善する反面、焦点深度の減少を招き、プロセスの
安定性が低下し、製品の歩留まりに悪影響を及ぼすとい
う問題があった。
【０００４】このような問題に対して、有効なパターン
転写法の一つとして、位相シフト法があり、微細パター
ンを転写するためのマスクとして位相シフトマスクが使
用されている。
転写法の一つとして、位相シフト法があり、微細パター
ンを転写するためのマスクとして位相シフトマスクが使
用されている。
【０００５】この位相シフトマスク（ハーフトーン型位
相シフトマスク）は、例えば、図６（Ａ），（Ｂ）に示
したようにマスク上のパターン部分を形成している位相
シフター部２ａと、この位相シフター部２ａの存在しな
い基板露出部１ａとからなり、両者を透過してくる光の
位相差を図６（Ｂ）に示したように１８０度とすること
で、パターン境界部分の光の干渉により、干渉した部分
で光強度はゼロとなり、転写像のコントラストを向上さ
せることができるものである。また、位相シフト法を用
いることにより、必要な解像度を得る際の焦点深度を増
大させることが可能となり、クロム膜等からなる一般的
な露光パターンを持つ通常のマスクを用いた場合に比べ
て、解像度の改善と露光プロセスのマージンを向上させ
ることが可能なものである。
相シフトマスク）は、例えば、図６（Ａ），（Ｂ）に示
したようにマスク上のパターン部分を形成している位相
シフター部２ａと、この位相シフター部２ａの存在しな
い基板露出部１ａとからなり、両者を透過してくる光の
位相差を図６（Ｂ）に示したように１８０度とすること
で、パターン境界部分の光の干渉により、干渉した部分
で光強度はゼロとなり、転写像のコントラストを向上さ
せることができるものである。また、位相シフト法を用
いることにより、必要な解像度を得る際の焦点深度を増
大させることが可能となり、クロム膜等からなる一般的
な露光パターンを持つ通常のマスクを用いた場合に比べ
て、解像度の改善と露光プロセスのマージンを向上させ
ることが可能なものである。
【０００６】上記位相シフトマスクは、位相シフター部
の光透過特性によって、完全透過型位相シフトマスク
と、ハーフトーン型位相シフトマスクとに、実用的には
大別することができる。完全透過型位相シフトマスク
は、位相シフター部の光透過率が基板と同等であり、露
光波長に対し透明なマスクである。一方、ハーフトーン
型位相シフトマスクは、位相シフター部の光透過率が基
板露出部の数％〜数十％程度のものである。
の光透過特性によって、完全透過型位相シフトマスク
と、ハーフトーン型位相シフトマスクとに、実用的には
大別することができる。完全透過型位相シフトマスク
は、位相シフター部の光透過率が基板と同等であり、露
光波長に対し透明なマスクである。一方、ハーフトーン
型位相シフトマスクは、位相シフター部の光透過率が基
板露出部の数％〜数十％程度のものである。
【０００７】図１にハーフトーン型位相シフトマスクブ
ランク、図２にハーフトーン型位相シフトマスクの基本
的な構造をそれぞれ示す。図１に示したハーフトーン型
位相シフトマスクブランクは、露光光に対して透明な基
板１上にハーフトーン型位相シフト膜２を形成したもの
である。また、図２に示したハーフトーン型位相シフト
マスクは、マスク上のパターン部分を形成するハーフト
ーン型位相シフター部２ａと、位相シフト膜が存在しな
い基板露出部１ａをパターンニングしたものである。
ランク、図２にハーフトーン型位相シフトマスクの基本
的な構造をそれぞれ示す。図１に示したハーフトーン型
位相シフトマスクブランクは、露光光に対して透明な基
板１上にハーフトーン型位相シフト膜２を形成したもの
である。また、図２に示したハーフトーン型位相シフト
マスクは、マスク上のパターン部分を形成するハーフト
ーン型位相シフター部２ａと、位相シフト膜が存在しな
い基板露出部１ａをパターンニングしたものである。
【０００８】ここで、位相シフター部２ａを透過した露
光光は基板露出部１ａを透過した露光光に対して位相が
シフトされる（図６（Ａ），（Ｂ）参照）。また、位相
シフター部２ａを透過した露光光が被転写基板上のレジ
ストに対しては感光しない程度の光強度になるように、
位相シフター部２ａの透過率は設定されている。従っ
て、位相シフター部２ａは露光光を実質的に遮光する機
能を有する。
光光は基板露出部１ａを透過した露光光に対して位相が
シフトされる（図６（Ａ），（Ｂ）参照）。また、位相
シフター部２ａを透過した露光光が被転写基板上のレジ
ストに対しては感光しない程度の光強度になるように、
位相シフター部２ａの透過率は設定されている。従っ
て、位相シフター部２ａは露光光を実質的に遮光する機
能を有する。
【０００９】上記ハーフトーン型位相シフトマスクとし
ては、構造が簡単な単層型のハーフトーン型位相シフト
マスクが提案されており、このような単層型のハーフト
ーン型位相シフトマスクとして、モリブデンシリサイド
酸化物（ＭｏＳｉＯ）、モリブデンシリサイド酸化窒化
物（ＭｏＳｉＯＮ）からなる位相シフト膜を有するもの
などが提案されている（特開平７−１４０６３５号公報
等）。
ては、構造が簡単な単層型のハーフトーン型位相シフト
マスクが提案されており、このような単層型のハーフト
ーン型位相シフトマスクとして、モリブデンシリサイド
酸化物（ＭｏＳｉＯ）、モリブデンシリサイド酸化窒化
物（ＭｏＳｉＯＮ）からなる位相シフト膜を有するもの
などが提案されている（特開平７−１４０６３５号公報
等）。
【００１０】このような位相シフトマスクを作製する方
法としては、位相シフトマスクブランクをリソグラフィ
法によりパターン形成する方法が用いられる。このリソ
グラフィ法は、位相シフトマスクブランク上にレジスト
を塗布し、電子線又は紫外線により所望の部分のレジス
トを感光後に現像し、位相シフト膜表面を露出させた
後、パターンニングされたレジスト膜をマスクとして所
望の部分の位相シフト膜をエッチングして基板を露出さ
せる。その後、レジスト膜を剥離することにより位相シ
フトマスクが得られるものである。
法としては、位相シフトマスクブランクをリソグラフィ
法によりパターン形成する方法が用いられる。このリソ
グラフィ法は、位相シフトマスクブランク上にレジスト
を塗布し、電子線又は紫外線により所望の部分のレジス
トを感光後に現像し、位相シフト膜表面を露出させた
後、パターンニングされたレジスト膜をマスクとして所
望の部分の位相シフト膜をエッチングして基板を露出さ
せる。その後、レジスト膜を剥離することにより位相シ
フトマスクが得られるものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクにお
いて位相シフト膜の膜応力が必要以上に大きいと、平坦
な基板を準備しても、この基板上に位相シフト膜を成膜
した後で基板に反りが生じて、位相シフトマスクブラン
クとしての平坦度が悪化してしまう。また、位相シフト
膜の膜応力により反りが生じた基板を、パターンニング
することにより部分的に位相シフト膜が除去され、その
部分において膜応力が開放され、基板の反りが変化する
結果、パターンニング前後において基板の平坦度が変化
してしまうという問題がある。
な位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクにお
いて位相シフト膜の膜応力が必要以上に大きいと、平坦
な基板を準備しても、この基板上に位相シフト膜を成膜
した後で基板に反りが生じて、位相シフトマスクブラン
クとしての平坦度が悪化してしまう。また、位相シフト
膜の膜応力により反りが生じた基板を、パターンニング
することにより部分的に位相シフト膜が除去され、その
部分において膜応力が開放され、基板の反りが変化する
結果、パターンニング前後において基板の平坦度が変化
してしまうという問題がある。
【００１２】一方、位相シフト膜の膜応力を予め考慮し
ておき、位相シフトマスクブランクとしての平坦度が良
好になるように基板の反りを調整しておいたとしても、
パターンニングによる膜応力の開放の度合いはパターン
密度やパターン形状に大きく左右され、一概に規定でき
るものではないため、いくら反り量を予測したとして
も、結局、平坦な位相シフトマスクを得ることは極めて
困難である。
ておき、位相シフトマスクブランクとしての平坦度が良
好になるように基板の反りを調整しておいたとしても、
パターンニングによる膜応力の開放の度合いはパターン
密度やパターン形状に大きく左右され、一概に規定でき
るものではないため、いくら反り量を予測したとして
も、結局、平坦な位相シフトマスクを得ることは極めて
困難である。
【００１３】そして、このような膜応力の高い位相シフ
ト膜を有する位相シフトマスクブランク及びこれをパタ
ーンニングしてなる位相シフトマスクを用いて実際に回
路パターンの転写を行うと、マスクの反りによりマスク
位置が露光装置内で設計された所望の位置よりずれてし
まい、フォーカス位置のずれが生じる。また、マスクが
反ることにより基板中心部とマスクの外周部でもマスク
面の位置が異なるため、マスク上の位置により最適な露
光条件が異なり、露光パターン面内でもフォーカスのず
れが生じてパターンの面内不均一が生じ、結果として、
露光マージンが悪化し、安定的に面内均一性が高い露光
プロセスに適応できる位相シフトマスクを製造すること
は困難であり、その改善が強く望まれていた。
ト膜を有する位相シフトマスクブランク及びこれをパタ
ーンニングしてなる位相シフトマスクを用いて実際に回
路パターンの転写を行うと、マスクの反りによりマスク
位置が露光装置内で設計された所望の位置よりずれてし
まい、フォーカス位置のずれが生じる。また、マスクが
反ることにより基板中心部とマスクの外周部でもマスク
面の位置が異なるため、マスク上の位置により最適な露
光条件が異なり、露光パターン面内でもフォーカスのず
れが生じてパターンの面内不均一が生じ、結果として、
露光マージンが悪化し、安定的に面内均一性が高い露光
プロセスに適応できる位相シフトマスクを製造すること
は困難であり、その改善が強く望まれていた。
【００１４】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、位相シフト膜の膜応力を小さくすることにより、位
相シフト膜の成膜前後及びパターンニング前後での基板
の反り量の変化が小さくし得、高い平坦度を有する高品
質な位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び
これらの製造方法を提供することを目的とする。
で、位相シフト膜の膜応力を小さくすることにより、位
相シフト膜の成膜前後及びパターンニング前後での基板
の反り量の変化が小さくし得、高い平坦度を有する高品
質な位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び
これらの製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結
果、露光波長に対して透明な基板上に少なくとも一層の
位相シフト膜を設けてなる位相シフトマスクブランクに
おいて、位相シフト膜が金属とシリコンを主成分とする
こと、特にモリブデンシリサイド酸化炭化物（ＭｏＳｉ
ＯＣ）又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物（Ｍｏ
ＳｉＯＮＣ）で形成することにより、位相シフト膜の膜
応力を１００ＭＰａ以下に低減化することができ、位相
シフト膜を成膜する際に基板の平坦度を悪化させること
がないと共に、位相シフト膜をパターンニングした後で
も良好な平坦度を有する位相シフトマスクブランク及び
位相シフトマスクが得られることを見出し、本発明をな
すに至った。
発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結
果、露光波長に対して透明な基板上に少なくとも一層の
位相シフト膜を設けてなる位相シフトマスクブランクに
おいて、位相シフト膜が金属とシリコンを主成分とする
こと、特にモリブデンシリサイド酸化炭化物（ＭｏＳｉ
ＯＣ）又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物（Ｍｏ
ＳｉＯＮＣ）で形成することにより、位相シフト膜の膜
応力を１００ＭＰａ以下に低減化することができ、位相
シフト膜を成膜する際に基板の平坦度を悪化させること
がないと共に、位相シフト膜をパターンニングした後で
も良好な平坦度を有する位相シフトマスクブランク及び
位相シフトマスクが得られることを見出し、本発明をな
すに至った。
【００１６】即ち、本発明は、下記の位相シフトマスク
ブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法を提
供する。 請求項１：透明基板上に少なくとも一層の位相シフト膜
を設けてなる位相シフトマスクブランクにおいて、上記
位相シフト膜が金属とシリコンを主成分とすると共に、
この位相シフト膜の膜応力が１００ＭＰａ以下であるこ
とを特徴とする位相シフトマスクブランク。 請求項２：上記位相シフト膜をモリブデンシリサイド酸
化炭化物又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物で形
成した請求項１記載の位相シフトマスクブランク。 請求項３：上記位相シフト膜が、透過する露光光の位相
を１８０±５度変換し、かつ透過率が３〜４０％である
請求項１又は２記載の位相シフトマスクブランク。 請求項４：請求項１乃至３のいずれか１項記載の位相シ
フトマスクブランクをリソグラフィ法によりパターン形
成して得られることを特徴とする位相シフトマスク。 請求項５：透明基板上に少なくとも一層の位相シフト膜
を設けてなる位相シフトマスクブランクの製造方法にお
いて、モリブデン及びシリコンを主成分として含むター
ゲットを用いると共に、炭素を含むスパッタガスを用い
て反応性スパッタリングを行うことにより、膜応力が１
００ＭＰａ以下である位相シフト膜を成膜することを特
徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。 請求項６：上記位相シフト膜がモリブデンシリサイド酸
化炭化物又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物であ
る請求項５記載の位相シフトマスクブランクの製造方
法。 請求項７：上記炭素を含むスパッタガスとして二酸化炭
素を用いて反応性スパッタリングを行う請求項５又は６
記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。 請求項８：上記位相シフト膜が、透過する露光光の位相
を１８０±５度変換し、かつ透過率が３〜４０％である
請求項５，６又は７記載の位相シフトマスクブランクの
製造方法。 請求項９：請求項５乃至８のいずれか１項記載の方法に
より製造された位相シフトマスクブランクに対してリソ
グラフィ法によりパターンニングを行うことを特徴とす
る位相シフトマスクの製造方法。
ブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法を提
供する。 請求項１：透明基板上に少なくとも一層の位相シフト膜
を設けてなる位相シフトマスクブランクにおいて、上記
位相シフト膜が金属とシリコンを主成分とすると共に、
この位相シフト膜の膜応力が１００ＭＰａ以下であるこ
とを特徴とする位相シフトマスクブランク。 請求項２：上記位相シフト膜をモリブデンシリサイド酸
化炭化物又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物で形
成した請求項１記載の位相シフトマスクブランク。 請求項３：上記位相シフト膜が、透過する露光光の位相
を１８０±５度変換し、かつ透過率が３〜４０％である
請求項１又は２記載の位相シフトマスクブランク。 請求項４：請求項１乃至３のいずれか１項記載の位相シ
フトマスクブランクをリソグラフィ法によりパターン形
成して得られることを特徴とする位相シフトマスク。 請求項５：透明基板上に少なくとも一層の位相シフト膜
を設けてなる位相シフトマスクブランクの製造方法にお
いて、モリブデン及びシリコンを主成分として含むター
ゲットを用いると共に、炭素を含むスパッタガスを用い
て反応性スパッタリングを行うことにより、膜応力が１
００ＭＰａ以下である位相シフト膜を成膜することを特
徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。 請求項６：上記位相シフト膜がモリブデンシリサイド酸
化炭化物又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物であ
る請求項５記載の位相シフトマスクブランクの製造方
法。 請求項７：上記炭素を含むスパッタガスとして二酸化炭
素を用いて反応性スパッタリングを行う請求項５又は６
記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。 請求項８：上記位相シフト膜が、透過する露光光の位相
を１８０±５度変換し、かつ透過率が３〜４０％である
請求項５，６又は７記載の位相シフトマスクブランクの
製造方法。 請求項９：請求項５乃至８のいずれか１項記載の方法に
より製造された位相シフトマスクブランクに対してリソ
グラフィ法によりパターンニングを行うことを特徴とす
る位相シフトマスクの製造方法。
【００１７】本発明によれば、ハーフトーン型位相シフ
トマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクに
おける位相シフト膜の膜応力を１００ＭＰａ以下に低減
させることできる。その結果、位相シフトマスクブラン
ク製造時の位相シフト膜の成膜前後での基板の反り量の
変化が小さいと共に、位相シフトマスクブランクから位
相シフトマスクを製造時のパターン形成前後での基板の
反り量の変化を小さくすることができ、高い平坦度を有
する高品質な位相シフトマスクブランク及び位相シフト
マスクが得られ、露光プロセスの安定性が向上し、所望
とする微細な幅のパターンを正確に形成することがで
き、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対
応することができるものである。
トマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクに
おける位相シフト膜の膜応力を１００ＭＰａ以下に低減
させることできる。その結果、位相シフトマスクブラン
ク製造時の位相シフト膜の成膜前後での基板の反り量の
変化が小さいと共に、位相シフトマスクブランクから位
相シフトマスクを製造時のパターン形成前後での基板の
反り量の変化を小さくすることができ、高い平坦度を有
する高品質な位相シフトマスクブランク及び位相シフト
マスクが得られ、露光プロセスの安定性が向上し、所望
とする微細な幅のパターンを正確に形成することがで
き、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対
応することができるものである。
【００１８】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。本発明の位相シフトマスクブランクは、図１に示し
たように、露光光が透過する基板１上に、金属とシリコ
ンを主成分とした位相シフト膜２を成膜したものであ
り、この位相シフト膜２の膜応力が１００ＭＰａ以下で
あることを特徴とし、これにより、位相シフトマスクブ
ランク製造時の位相シフト膜の成膜前後での基板の反り
量の変化を小さくすることができると共に、位相シフト
マスク製造時のパターン形成前後での基板の反り量の変
化を小さくすることができ、高い平坦度を有する高品質
な位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを得
ることができるものである。
る。本発明の位相シフトマスクブランクは、図１に示し
たように、露光光が透過する基板１上に、金属とシリコ
ンを主成分とした位相シフト膜２を成膜したものであ
り、この位相シフト膜２の膜応力が１００ＭＰａ以下で
あることを特徴とし、これにより、位相シフトマスクブ
ランク製造時の位相シフト膜の成膜前後での基板の反り
量の変化を小さくすることができると共に、位相シフト
マスク製造時のパターン形成前後での基板の反り量の変
化を小さくすることができ、高い平坦度を有する高品質
な位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを得
ることができるものである。
【００１９】上記のように位相シフト膜の膜応力を１０
０ＭＰａ以下、好ましくは８０ＭＰａ以下とする手段と
しては、位相シフト膜の成膜条件を調整する方法、位相
シフト膜の膜組成を調整する方法などが考えられるが、
位相シフト膜は、その光学的特性が成膜条件により大き
く影響されるため、成膜条件を変化させることは好まし
くない。従って本発明においては、位相シフト膜の光学
的特性を損うことなく、膜応力を小さくすることができ
る元素を加えて膜組成を適正化することにより、光学的
特性を損なうことなく膜応力を低減化することができる
ものである。
０ＭＰａ以下、好ましくは８０ＭＰａ以下とする手段と
しては、位相シフト膜の成膜条件を調整する方法、位相
シフト膜の膜組成を調整する方法などが考えられるが、
位相シフト膜は、その光学的特性が成膜条件により大き
く影響されるため、成膜条件を変化させることは好まし
くない。従って本発明においては、位相シフト膜の光学
的特性を損うことなく、膜応力を小さくすることができ
る元素を加えて膜組成を適正化することにより、光学的
特性を損なうことなく膜応力を低減化することができる
ものである。
【００２０】具体的には、位相シフト膜としては、金属
とシリコンを主成分とするもの、特にモリブデンシリサ
イド酸化炭化物（ＭｏＳｉＯＣ）又はモリブデンシリサ
イド酸化窒化炭化物（ＭｏＳｉＯＮＣ）で形成したもの
が好ましい。この場合、位相シフト膜の膜応力を１００
ＭＰａ以下、好ましくは８０ＭＰａ以下とするため、モ
リブデンシリサイド酸化炭化物（ＭｏＳｉＯＣ）膜の組
成はＭｏ：５〜２５原子％、Ｓｉ：１０〜３５原子％、
Ｏ：３０〜６０原子％、Ｃ：３〜２０原子％であること
が好ましい。モリブデンシリサイド酸化窒化炭化物（Ｍ
ｏＳｉＯＮＣ）膜の組成はＭｏ：５〜２５原子％、Ｓ
ｉ：１０〜３５原子％、Ｏ：３０〜６０原子％、Ｎ：５
〜３０原子％、Ｃ：３〜２０原子％であることが好まし
い。
とシリコンを主成分とするもの、特にモリブデンシリサ
イド酸化炭化物（ＭｏＳｉＯＣ）又はモリブデンシリサ
イド酸化窒化炭化物（ＭｏＳｉＯＮＣ）で形成したもの
が好ましい。この場合、位相シフト膜の膜応力を１００
ＭＰａ以下、好ましくは８０ＭＰａ以下とするため、モ
リブデンシリサイド酸化炭化物（ＭｏＳｉＯＣ）膜の組
成はＭｏ：５〜２５原子％、Ｓｉ：１０〜３５原子％、
Ｏ：３０〜６０原子％、Ｃ：３〜２０原子％であること
が好ましい。モリブデンシリサイド酸化窒化炭化物（Ｍ
ｏＳｉＯＮＣ）膜の組成はＭｏ：５〜２５原子％、Ｓ
ｉ：１０〜３５原子％、Ｏ：３０〜６０原子％、Ｎ：５
〜３０原子％、Ｃ：３〜２０原子％であることが好まし
い。
【００２１】また、上記位相シフト膜は、透過する露光
光の位相を１８０±５度変換し、かつ透過率が３〜４０
％であることが好ましい。なお、上記透明基板は石英、
又は二酸化珪素を主成分とするものが好ましい。
光の位相を１８０±５度変換し、かつ透過率が３〜４０
％であることが好ましい。なお、上記透明基板は石英、
又は二酸化珪素を主成分とするものが好ましい。
【００２２】本発明において位相シフト膜は単層のみで
はなく、図３，４に示したように位相シフト膜２上に遮
光膜４を形成した位相シフトマスク及び位相シフトマス
クブランクとしても構わない。この場合、遮光膜として
はＣｒＯ，ＣｒＮ，ＣｒＯＮ，ＣｒＣＯＮ等のＣｒ系膜
を用いることが好ましい。
はなく、図３，４に示したように位相シフト膜２上に遮
光膜４を形成した位相シフトマスク及び位相シフトマス
クブランクとしても構わない。この場合、遮光膜として
はＣｒＯ，ＣｒＮ，ＣｒＯＮ，ＣｒＣＯＮ等のＣｒ系膜
を用いることが好ましい。
【００２３】本発明の位相シフト膜の成膜方法として
は、反応性スパッタ法が好ましい。この際のスパッタリ
ングターゲットとしては金属とシリコンとを主成分とす
るものを用いる。この場合、ターゲットは金属とシリコ
ンのみからなるものでも良く、膜の組成を面内で一定に
保つために、金属に酸素、窒素、炭素のいずれか、又は
これらを組み合わせて添加したターゲットを用いても構
わない。なお、金属の種類としてはＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｒ又はＮｉなどが
挙げられるが、これらの中でもモリブデン（Ｍｏ）が好
ましい。
は、反応性スパッタ法が好ましい。この際のスパッタリ
ングターゲットとしては金属とシリコンとを主成分とす
るものを用いる。この場合、ターゲットは金属とシリコ
ンのみからなるものでも良く、膜の組成を面内で一定に
保つために、金属に酸素、窒素、炭素のいずれか、又は
これらを組み合わせて添加したターゲットを用いても構
わない。なお、金属の種類としてはＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｒ又はＮｉなどが
挙げられるが、これらの中でもモリブデン（Ｍｏ）が好
ましい。
【００２４】スパッタリング方法としては、直流（Ｄ
Ｃ）電源を用いたものでも、高周波（ＲＦ）電源を用い
たものでもよく、またマグネトロンスパッタリング方式
であっても、コンベンショナル方式であってもよい。な
お、成膜装置は通過型でも枚葉型でも構わない。
Ｃ）電源を用いたものでも、高周波（ＲＦ）電源を用い
たものでもよく、またマグネトロンスパッタリング方式
であっても、コンベンショナル方式であってもよい。な
お、成膜装置は通過型でも枚葉型でも構わない。
【００２５】位相シフト膜を成膜する際のスパッタガス
の組成は、アルゴン等の不活性ガスに酸素ガス、窒素ガ
ス、各種酸化窒素ガス、各種酸化炭素ガス等の炭素を含
むガスなどを成膜される位相シフト膜が所望の組成及び
膜応力を持つように、適宜に添加することにより成膜す
ることができる。この場合、炭素を含むガスとしては、
メタン等の各種炭化水素ガス、一酸化炭素、二酸化炭素
の酸化炭素ガスなどが挙げられるが、二酸化炭素は炭素
源及び酸素源として使用できると共に、反応性が低く安
定なガスであることから特に好ましい。
の組成は、アルゴン等の不活性ガスに酸素ガス、窒素ガ
ス、各種酸化窒素ガス、各種酸化炭素ガス等の炭素を含
むガスなどを成膜される位相シフト膜が所望の組成及び
膜応力を持つように、適宜に添加することにより成膜す
ることができる。この場合、炭素を含むガスとしては、
メタン等の各種炭化水素ガス、一酸化炭素、二酸化炭素
の酸化炭素ガスなどが挙げられるが、二酸化炭素は炭素
源及び酸素源として使用できると共に、反応性が低く安
定なガスであることから特に好ましい。
【００２６】ＭｏＳｉＯＣ又はＭｏＳｉＯＮＣを成膜す
る際のスパッタガスの組成は、アルゴン等の不活性ガス
に炭素を含む混合ガスが好適に用いられるが、これら以
外にも酸素ガス、窒素ガス、各種酸化窒素ガス等を成膜
される位相シフト膜が所望の組成及び膜応力を持つよう
に、適宜添加することができる。
る際のスパッタガスの組成は、アルゴン等の不活性ガス
に炭素を含む混合ガスが好適に用いられるが、これら以
外にも酸素ガス、窒素ガス、各種酸化窒素ガス等を成膜
される位相シフト膜が所望の組成及び膜応力を持つよう
に、適宜添加することができる。
【００２７】具体的には、ＭｏＳｉＯＣを成膜する場合
には、ターゲットとしてモリブデンシリサイドを用い、
スパッタガスとしてアルゴンガスと二酸化炭素ガスとを
含むスパッタガスで反応性スパッタリングすることが好
ましい。また、ＭｏＳｉＯＮＣ膜を成膜する場合には、
ターゲットとしてモリブデンシリサイドを用い、アルゴ
ンガスと二酸化炭素ガスと窒素ガスとを含むスパッタガ
スで反応性スパッタリングを行うことが好ましい。
には、ターゲットとしてモリブデンシリサイドを用い、
スパッタガスとしてアルゴンガスと二酸化炭素ガスとを
含むスパッタガスで反応性スパッタリングすることが好
ましい。また、ＭｏＳｉＯＮＣ膜を成膜する場合には、
ターゲットとしてモリブデンシリサイドを用い、アルゴ
ンガスと二酸化炭素ガスと窒素ガスとを含むスパッタガ
スで反応性スパッタリングを行うことが好ましい。
【００２８】なお、成膜される位相シフト膜の透過率を
上げたい時には、膜中に酸素及び窒素が多く取り込まれ
るようにスパッタガスに添加する酸素や窒素を含むガス
の量を増やす方法、スパッタリングターゲットに予め酸
素や窒素を多く添加した金属シリサイドを用いる方法な
どにより調整することができる。
上げたい時には、膜中に酸素及び窒素が多く取り込まれ
るようにスパッタガスに添加する酸素や窒素を含むガス
の量を増やす方法、スパッタリングターゲットに予め酸
素や窒素を多く添加した金属シリサイドを用いる方法な
どにより調整することができる。
【００２９】次に、本発明の位相シフトマスクブランク
を用いて図２に示したような位相シフトマスクを製造す
る場合は、図５（Ａ）に示したように、透明基板１１上
に位相シフト膜１２を形成した後、位相シフト膜１２上
にレジスト膜１３を形成し、図５（Ｂ）に示したよう
に、レジスト膜１３をパターンニングし、更に、図５
（Ｃ）に示したように、位相シフト膜１２をドライエッ
チング又はウエットエッチングした後、図５（Ｄ）に示
したように、レジスト膜１３を剥離する方法が採用し得
る。この場合、レジスト膜の塗布、パターンニング（露
光、現像）、レジスト膜の除去及びエッチングは、公知
の方法により行うことができる。
を用いて図２に示したような位相シフトマスクを製造す
る場合は、図５（Ａ）に示したように、透明基板１１上
に位相シフト膜１２を形成した後、位相シフト膜１２上
にレジスト膜１３を形成し、図５（Ｂ）に示したよう
に、レジスト膜１３をパターンニングし、更に、図５
（Ｃ）に示したように、位相シフト膜１２をドライエッ
チング又はウエットエッチングした後、図５（Ｄ）に示
したように、レジスト膜１３を剥離する方法が採用し得
る。この場合、レジスト膜の塗布、パターンニング（露
光、現像）、レジスト膜の除去及びエッチングは、公知
の方法により行うことができる。
【００３０】このようにして得られる本発明の位相シフ
トマスクは、位相シフト膜の膜応力が小さく、このた
め、パターンニング前後における基板の反り量の変化が
小さく、平坦度の高いマスクを製造することができ、露
光プロセスの安定性が向上し、更なる半導体集積回路の
微細化、高集積化に十分対応することができるものであ
る。
トマスクは、位相シフト膜の膜応力が小さく、このた
め、パターンニング前後における基板の反り量の変化が
小さく、平坦度の高いマスクを製造することができ、露
光プロセスの安定性が向上し、更なる半導体集積回路の
微細化、高集積化に十分対応することができるものであ
る。
【００３１】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
【００３２】〔実施例１〕スパッタリング装置を用い
て、石英基板上にＭｏＳｉＯＮＣ膜を膜厚１４０ｎｍに
成膜した。この際、ターゲットとしてモリブデンシリサ
イドを用い、スパッタガスとしてアルゴンガスと二酸化
炭素ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いて、反応性スパ
ッタを行った。
て、石英基板上にＭｏＳｉＯＮＣ膜を膜厚１４０ｎｍに
成膜した。この際、ターゲットとしてモリブデンシリサ
イドを用い、スパッタガスとしてアルゴンガスと二酸化
炭素ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いて、反応性スパ
ッタを行った。
【００３３】このようにして作製したサンプルの２４８
ｎｍでの光学的特性として位相差と透過率を測定した結
果、位相差１８２度、透過率８．３％の位相シフト膜が
得られた。このサンプルの膜の組成をＸ線光電子分光法
（ＸＰＳ）により分析した結果、モリブデンが１４原子
％、シリコンが２３原子％、酸素が４６原子％、窒素が
１０原子％、炭素が８原子％含まれていた。
ｎｍでの光学的特性として位相差と透過率を測定した結
果、位相差１８２度、透過率８．３％の位相シフト膜が
得られた。このサンプルの膜の組成をＸ線光電子分光法
（ＸＰＳ）により分析した結果、モリブデンが１４原子
％、シリコンが２３原子％、酸素が４６原子％、窒素が
１０原子％、炭素が８原子％含まれていた。
【００３４】得られた１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３
５ｍｍの基板における１４４ｍｍ角内でのＭｏＳｉＯＮ
Ｃ膜を成膜前後の平坦度の変化量をＮＩＤＥＫのＦＴ−
９００により測定したところ０．３８μｍであった。こ
のときの膜応力を計算すると７７ＭＰａであり、応力の
方向としては圧縮応力であった。結果を表１に示す。
５ｍｍの基板における１４４ｍｍ角内でのＭｏＳｉＯＮ
Ｃ膜を成膜前後の平坦度の変化量をＮＩＤＥＫのＦＴ−
９００により測定したところ０．３８μｍであった。こ
のときの膜応力を計算すると７７ＭＰａであり、応力の
方向としては圧縮応力であった。結果を表１に示す。
【００３５】〔比較例１〕二酸化炭素ガスの代わりに酸
素ガスを用いた以外は実施例１と同様にして、石英基板
上にＭｏＳｉＯＮ膜を膜厚１３０ｎｍに成膜し、２４８
ｎｍでの位相差が１８２度、透過率が７．０％の位相シ
フト膜を得た。このサンプルの膜の組成をＸ線光電子分
光法（ＸＰＳ）により分析した結果、モリブデンが１３
原子％、シリコンが２６原子％、酸素が４７原子％、窒
素が１４原子％、炭素が定量下限値以下含まれていた。
素ガスを用いた以外は実施例１と同様にして、石英基板
上にＭｏＳｉＯＮ膜を膜厚１３０ｎｍに成膜し、２４８
ｎｍでの位相差が１８２度、透過率が７．０％の位相シ
フト膜を得た。このサンプルの膜の組成をＸ線光電子分
光法（ＸＰＳ）により分析した結果、モリブデンが１３
原子％、シリコンが２６原子％、酸素が４７原子％、窒
素が１４原子％、炭素が定量下限値以下含まれていた。
【００３６】得られた１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３
５ｍｍの基板における１４４ｍｍ角内でのＭｏＳｉＯＮ
膜成膜前後の平坦度の変化量を同様に測定したところ
０．５９μｍであった。このときの膜応力を計算すると
１２５ＭＰａであり、応力の方向としては圧縮応力であ
った。結果を表１に示す。
５ｍｍの基板における１４４ｍｍ角内でのＭｏＳｉＯＮ
膜成膜前後の平坦度の変化量を同様に測定したところ
０．５９μｍであった。このときの膜応力を計算すると
１２５ＭＰａであり、応力の方向としては圧縮応力であ
った。結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】 表１の結果から、実施例１のＭｏＳｉＯＮＣ膜は比較例
１のＭｏＳｉＯＮ膜に比べて膜応力が小さく、基板の平
坦度の悪化を少なくすることができると共に、パターン
ニング前後での平坦度の変化も少なくすることができる
ものである。
１のＭｏＳｉＯＮ膜に比べて膜応力が小さく、基板の平
坦度の悪化を少なくすることができると共に、パターン
ニング前後での平坦度の変化も少なくすることができる
ものである。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、位相シフト膜が金属と
シリコンを主成分とすること、特にモリブデンシリサイ
ド酸化炭化物又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物
で形成することにより、位相シフト膜の膜応力を１００
ＭＰａ以下に低減化することができ、位相シフト膜を成
膜する際に基板の平坦度を悪化させることがないと共
に、位相シフト膜をパターンニングした後でも良好な平
坦度を有する高品質な位相シフトマスクブランク及び位
相シフトマスクが得られる。
シリコンを主成分とすること、特にモリブデンシリサイ
ド酸化炭化物又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物
で形成することにより、位相シフト膜の膜応力を１００
ＭＰａ以下に低減化することができ、位相シフト膜を成
膜する際に基板の平坦度を悪化させることがないと共
に、位相シフト膜をパターンニングした後でも良好な平
坦度を有する高品質な位相シフトマスクブランク及び位
相シフトマスクが得られる。
【図１】本発明の一実施例に係る位相シフトマスクブラ
ンクの断面図である。
ンクの断面図である。
【図２】同位相シフトマスクの断面図である。
【図３】同別の位相シフトマスクの断面図である。
【図４】同別の位相シフトマスクブランクの断面図であ
る。
る。
【図５】位相シフトマスクの製造法を示した説明図であ
り、（Ａ）はレジスト膜を形成した状態、（Ｂ）はレジ
スト膜をパターンニングした状態、（Ｃ）はエッチング
を行った状態、（Ｄ）はレジスト膜を除去した状態の概
略断面図である。
り、（Ａ）はレジスト膜を形成した状態、（Ｂ）はレジ
スト膜をパターンニングした状態、（Ｃ）はエッチング
を行った状態、（Ｄ）はレジスト膜を除去した状態の概
略断面図である。
【図６】（Ａ），（Ｂ）はハーフトーン型位相シフトマ
スクの原理を説明する図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ部
の部分拡大図である。
スクの原理を説明する図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ部
の部分拡大図である。
１ １１ 基板 １ａ 基板露出部 ２ １２ 位相シフト膜 ２ａ 位相シフター部 １３ レジスト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 英雄 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社精密機能材料研究所 内 (72)発明者 岡崎 智 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社精密機能材料研究所 内 Ｆターム(参考） 2H095 BB03 BB37 BC08 4K029 AA08 BA52 BA54 BD01 CA05 DC05
Claims (9)
- 【請求項１】 透明基板上に少なくとも一層の位相シフ
ト膜を設けてなる位相シフトマスクブランクにおいて、
上記位相シフト膜が金属とシリコンを主成分とすると共
に、この位相シフト膜の膜応力が１００ＭＰａ以下であ
ることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 【請求項２】 上記位相シフト膜をモリブデンシリサイ
ド酸化炭化物又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物
で形成した請求項１記載の位相シフトマスクブランク。 - 【請求項３】 上記位相シフト膜が、透過する露光光の
位相を１８０±５度変換し、かつ透過率が３〜４０％で
ある請求項１又は２記載の位相シフトマスクブランク。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項記載の位
相シフトマスクブランクをリソグラフィ法によりパター
ン形成して得られることを特徴とする位相シフトマス
ク。 - 【請求項５】 透明基板上に少なくとも一層の位相シフ
ト膜を設けてなる位相シフトマスクブランクの製造方法
において、モリブデン及びシリコンを主成分として含む
ターゲットを用いると共に、炭素を含むスパッタガスを
用いて反応性スパッタリングを行うことにより、膜応力
が１００ＭＰａ以下である位相シフト膜を成膜すること
を特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。 - 【請求項６】 上記位相シフト膜がモリブデンシリサイ
ド酸化炭化物又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物
である請求項５記載の位相シフトマスクブランクの製造
方法。 - 【請求項７】 上記炭素を含むスパッタガスとして二酸
化炭素を用いて反応性スパッタリングを行う請求項５又
は６記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。 - 【請求項８】 上記位相シフト膜が、透過する露光光の
位相を１８０±５度変換し、かつ透過率が３〜４０％で
ある請求項５，６又は７記載の位相シフトマスクブラン
クの製造方法。 - 【請求項９】 請求項５乃至８のいずれか１項記載の方
法により製造された位相シフトマスクブランクに対して
リソグラフィ法によりパターンニングを行うことを特徴
とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000249174A JP2002062632A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法 |
| EP01306996A EP1182504B1 (en) | 2000-08-21 | 2001-08-17 | Phase shift mask blank, phase shift mask, and methods of manufacture |
| DE60115786T DE60115786T2 (de) | 2000-08-21 | 2001-08-17 | Phasenschiebermaske, Rohling sowie Verfahren zu deren Herstellung |
| US09/931,905 US20020039690A1 (en) | 2000-08-21 | 2001-08-20 | Phase shift mask blank, phase shift mask, and methods of manufacture |
| KR1020010049851A KR100745940B1 (ko) | 2000-08-21 | 2001-08-20 | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및이들의 제조 방법 |
| TW090120427A TW491965B (en) | 2000-08-21 | 2001-08-20 | Phase shift mask blank, phase shift mask, and methods of manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000249174A JP2002062632A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002062632A true JP2002062632A (ja) | 2002-02-28 |
Family
ID=18738954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000249174A Pending JP2002062632A (ja) | 2000-08-21 | 2000-08-21 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020039690A1 (ja) |
| EP (1) | EP1182504B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002062632A (ja) |
| KR (1) | KR100745940B1 (ja) |
| DE (1) | DE60115786T2 (ja) |
| TW (1) | TW491965B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005331554A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JPWO2004017140A1 (ja) * | 2002-08-19 | 2005-12-08 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法、転写マスクの製造方法、マスクブランク製造用スパッタリングターゲット |
| JP2007271774A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| KR100811404B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이유브이 노광 공정용 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP2010066783A (ja) * | 2009-12-25 | 2010-03-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JP2010102356A (ja) * | 2002-03-29 | 2010-05-06 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 |
| JP2015045783A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 |
| JP2019174791A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4600629B2 (ja) * | 2001-06-26 | 2010-12-15 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法 |
| TWI329779B (en) * | 2003-07-25 | 2010-09-01 | Shinetsu Chemical Co | Photomask blank substrate, photomask blank and photomask |
| JP2006292840A (ja) | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 露光方法及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| TWI316732B (en) * | 2005-09-09 | 2009-11-01 | Au Optronics Corp | Mask and manufacturing method thereof |
| TWI269935B (en) * | 2005-12-30 | 2007-01-01 | Quanta Display Inc | Mask and fabrication method thereof and application thereof |
| EP3385779A1 (en) | 2017-04-05 | 2018-10-10 | Koninklijke Philips N.V. | Multi-view display device and method |
| JP7073246B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2022-05-23 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
| CN110196530B (zh) * | 2018-02-27 | 2024-05-14 | Hoya株式会社 | 相移掩模坯料、相移掩模的制造方法、及显示装置的制造方法 |
| CN110320739B (zh) * | 2018-03-28 | 2024-06-04 | Hoya株式会社 | 相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及显示装置的制造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0695362A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランク |
| JPH0874031A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-19 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス製造方法、位相シフトフォトマスクブランクス、及び位相シフトフォトマスク |
| JPH0996898A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Hoya Corp | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク |
| JPH1069064A (ja) * | 1997-07-07 | 1998-03-10 | Hoya Corp | ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 |
| JPH10171096A (ja) * | 1996-12-14 | 1998-06-26 | Hoya Corp | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5952128A (en) * | 1995-08-15 | 1999-09-14 | Ulvac Coating Corporation | Phase-shifting photomask blank and method of manufacturing the same as well as phase-shifting photomask |
| US5635315A (en) * | 1995-06-21 | 1997-06-03 | Hoya Corporation | Phase shift mask and phase shift mask blank |
-
2000
- 2000-08-21 JP JP2000249174A patent/JP2002062632A/ja active Pending
-
2001
- 2001-08-17 DE DE60115786T patent/DE60115786T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-17 EP EP01306996A patent/EP1182504B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-20 TW TW090120427A patent/TW491965B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-20 KR KR1020010049851A patent/KR100745940B1/ko active IP Right Grant
- 2001-08-20 US US09/931,905 patent/US20020039690A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0695362A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランク |
| JPH0874031A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-19 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス製造方法、位相シフトフォトマスクブランクス、及び位相シフトフォトマスク |
| JPH0996898A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Hoya Corp | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク |
| JPH10171096A (ja) * | 1996-12-14 | 1998-06-26 | Hoya Corp | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク |
| JPH1069064A (ja) * | 1997-07-07 | 1998-03-10 | Hoya Corp | ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010102356A (ja) * | 2002-03-29 | 2010-05-06 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 |
| JP4488892B2 (ja) * | 2002-08-19 | 2010-06-23 | Ｈｏｙａ株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法、位相シフトマスクブランク製造用スパッタリングターゲット、及び、位相シフトマスクの製造方法 |
| JPWO2004017140A1 (ja) * | 2002-08-19 | 2005-12-08 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法、転写マスクの製造方法、マスクブランク製造用スパッタリングターゲット |
| US8652306B2 (en) | 2002-08-19 | 2014-02-18 | Hoya Corporation | Method for manufacturing mask blank, method for manufacturing transfer mask, sputtering target for manufacturing mask blank |
| JP2010020335A (ja) * | 2002-08-19 | 2010-01-28 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法および転写マスクの製造方法 |
| JP2005331554A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JP4650608B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-03-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| KR100811404B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이유브이 노광 공정용 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP2007271774A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
| JP2010066783A (ja) * | 2009-12-25 | 2010-03-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JP4687929B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-05-25 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JP2015045783A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 |
| JP2019174791A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
| JP7204496B2 (ja) | 2018-03-28 | 2023-01-16 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
| TWI813644B (zh) * | 2018-03-28 | 2023-09-01 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 相移光罩基底、相移光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 |
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