KR20020015283A - 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및이들의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
위상 시프트막 | 평탄도 변화량 | 막 응력 | |
실시예 1 | MoSiONC | 0.38 ㎛ | 77 MPa |
비교예 1 | MoSiON | 0.59 ㎛ | 125 MPa |
Claims (9)
- 투명 기판 상에 한층 이상의 위상 시프트막을 설치하여 이루어지는 위상 시프트 마스크 블랭크에 있어서, 상기 위상 시프트막이 금속과 실리콘을 주성분으로 함과 동시에 위상 시프트막의 막 응력이 100 MPa 이하인 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서, 상기 위상 시프트막이 몰리브덴 실리사이드 산화 탄화물 또는 몰리브덴 실리사이드 산화 질화 탄화물로 형성된 위상 시프트 마스크 블랭크.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 위상 시프트막이 투과하는 노광광의 위상을 180±5도 변환하는 동시에 투과율이 3 내지 40 %인 위상 시프트 마스크 블랭크.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 위상 시프트 마스크 블랭크를 리소그래피법에 의해 패턴 형성하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크.
- 투명 기판 상에 한층 이상의 위상 시프트막을 설치하여 이루어지는 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법에 있어서, 몰리브덴 및 실리콘을 주성분으로서 포함하는 타겟을 사용함과 동시에 탄소를 포함하는 스퍼터링 가스를 사용하여 반응성스퍼터링을 행함으로써 막 응력이 100 MPa 이하인 위상 시프트막을 성막하는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 위상 시프트막이 몰리브덴 실리사이드 산화 탄화물 또는 몰리브덴 실리사이드 산화 질화 탄화물인 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 탄소를 포함하는 스퍼터링 가스로서 이산화탄소를 사용하여 반응성 스퍼터링을 행하는 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 위상 시프트막이 투과하는 노광광의 위상을 180±5도 변환하는 동시에 투과율이 3 내지 40 %인 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법.
- 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 위상 시프트 마스크 블랭크에 대하여 리소그래피법에 의해 패터닝을 행하는 것을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크의 제조 방법.
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