JP6528877B2 - フォトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
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Description
請求項1:
20nmノード以下のリソグラフィーに使用するフォトマスク用であり、石英基板と、該石英基板上に形成された遮光膜であるクロム系材料膜を有するフォトマスクブランクであり、該クロム系材料膜が、反り量が50nm以下となる引張応力又は圧縮応力を有するフォトマスクブランクを製造する方法であって、
152mm角、厚さ6.35mmの石英基板上に、ターゲットとしてクロムターゲットを用い、スパッタガスとして不活性ガスと反応性ガスとを不活性ガスに対する反応性ガスの流量比を1以上1.5以下として、単位膜厚当りの波長193nmの光学濃度が0.050/nm以上であるクロム系材料膜を成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
請求項2:
前記クロム系材料膜の膜厚が4nm以上50nm以下であることを特徴とする請求項1記載の製造方法。
請求項3:
前記クロム系材料膜が、CrN膜であることを特徴とする請求項1又は2記載の製造方法。
請求項4:
前記クロム系材料膜が単層膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の製造方法。
請求項5:
前記クロム系材料膜を150℃以上で10分間以上熱処理することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の製造方法。
請求項6:
前記熱処理の温度が300℃以下であることを特徴とする請求項5記載の製造方法。
また、本発明は、以下のフォトマスクブランクが関連する。
[1] 石英基板と、該石英基板上に形成されたクロム系材料膜とを有するフォトマスクブランクであって、
前記クロム系材料膜が遮光膜であり、前記クロム系材料膜の単位膜厚当りの波長193nmの光学濃度が0.050/nm以上であり、かつ前記クロム系材料膜が、152mm角、厚さ6.35mmの石英基板上に成膜して、150℃以上で10分間以上熱処理したときの前記クロム系材料膜の反り量が50nm以下となる引張応力又は圧縮応力を有することを特徴とするフォトマスクブランク。
[2] 前記反り量が30nm以下であることを特徴とする[1]記載のフォトマスクブランク。
[3] 前記光学濃度が0.054/nm以上であることを特徴とする[1]又は[2]記載のフォトマスクブランク。
[4] 前記クロム系材料膜の膜厚が4nm以上50nm以下であることを特徴とする[1]〜[3]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[5] 前記熱処理の温度が300℃以下であることを特徴とする[1]〜[4]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[6] 前記クロム系材料膜が、窒素、酸素、炭素及び水素から選ばれる少なくとも一つを含有することを特徴とする[1]〜[5]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[7] 前記クロム系材料膜が、CrN膜であることを特徴とする[1]〜[6]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
[8] 前記クロム系材料膜が単層膜であることを特徴とする[1]〜[7]のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
本発明のフォトマスクブランクは、石英基板と、石英基板上に形成された遮光膜を有し、この遮光膜は、クロム系材料膜である。そして、このクロム系材料膜は、
(i)クロム系材料膜の単位膜厚当りの波長193nmの光学濃度が0.050/nm以上、好ましくは0.054/nm以上であり、かつ
(ii)クロム系材料膜が、152mm角、厚さ6.35mmの石英基板上に成膜して、150℃以上、好ましくは150℃以上300℃以下で、10分間以上熱処理したときのクロム系材料膜の反り量が50nm以下、好ましくは30nm以下となる引張応力又は圧縮応力を有する
という特徴を備える。
DCスパッタ装置を用いて、CrNからなるクロム系材料膜(厚さ44nm)を成膜した。スパッタガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスを、流量比でAr:N2=1:1(モル比)として用い、チャンバー内のガス圧が0.04Paになるように調整した。ターゲットとしては、Crを用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。
DCスパッタ装置を用いて、CrNからなるクロム系材料膜(厚さ45nm)を成膜した。スパッタガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスとを、流量比でAr:N2=1:1.5(モル比)として用い、チャンバー内のガス圧が0.05Paになるように調整した。ターゲットとしては、Crを用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。得られたクロム系材料膜について、実施例1と同様にして、単位膜厚当りの光学濃度と、反り量を求めた。結果を表1に示す。
DCスパッタ装置を用いて、CrNからなるクロム系材料膜(厚さ43nm)を成膜した。スパッタガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスを、流量比でAr:N2=2.5:2(モル比)として用い、チャンバー内のガス圧が0.07Paになるように調整した。ターゲットとしては、Crを用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。得られたクロム系材料膜について、実施例1と同様にして、単位膜厚当りの光学濃度と、反り量を求めた。結果を表1に示す。
DCスパッタ装置を用いて、CrONからなるクロム系材料膜(厚さ44nm)を成膜した。スパッタガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスと酸素ガスを、流量比でAr:N2:O2=2.5:7.5:4(モル比)として用い、チャンバー内のガス圧が0.13Paになるように調整した。ターゲットとしては、Crを用い、基板を30rpmで回転させながら成膜した。得られたクロム系材料膜について、実施例1と同様にして、単位膜厚当りの光学濃度と、反り量を求めた。結果を表1に示す。
Claims (6)
- 20nmノード以下のリソグラフィーに使用するフォトマスク用であり、石英基板と、該石英基板上に形成された遮光膜であるクロム系材料膜を有するフォトマスクブランクであり、該クロム系材料膜が、反り量が50nm以下となる引張応力又は圧縮応力を有するフォトマスクブランクを製造する方法であって、
152mm角、厚さ6.35mmの石英基板上に、ターゲットとしてクロムターゲットを用い、スパッタガスとして不活性ガスと反応性ガスとを不活性ガスに対する反応性ガスの流量比を1以上1.5以下として、単位膜厚当りの波長193nmの光学濃度が0.050/nm以上であるクロム系材料膜を成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 前記クロム系材料膜の膜厚が4nm以上50nm以下であることを特徴とする請求項1記載の製造方法。
- 前記クロム系材料膜が、CrN膜であることを特徴とする請求項1又は2記載の製造方法。
- 前記クロム系材料膜が単層膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の製造方法。
- 前記クロム系材料膜を150℃以上で10分間以上熱処理することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の製造方法。
- 前記熱処理の温度が300℃以下であることを特徴とする請求項5記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018046298A JP6528877B2 (ja) | 2018-03-14 | 2018-03-14 | フォトマスクブランクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014186313A Division JP2016057578A (ja) | 2014-09-12 | 2014-09-12 | フォトマスクブランク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018101155A JP2018101155A (ja) | 2018-06-28 |
JP6528877B2 true JP6528877B2 (ja) | 2019-06-12 |
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ID=62715491
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6528877B2 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2699521B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1998-01-19 | 凸版印刷株式会社 | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
JPH04371955A (ja) * | 1991-06-20 | 1992-12-24 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP2001305713A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク |
JP2002169265A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Hoya Corp | フォトマスクブランクス及びフォトマスクブランクスの製造方法 |
JP4462423B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2010-05-12 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法 |
JP4933754B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
JP5242110B2 (ja) * | 2007-09-30 | 2013-07-24 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
KR101584383B1 (ko) * | 2008-03-31 | 2016-01-11 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크 블랭크의 제조 방법 |
JP2012159855A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-08-23 | Hoya Corp | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
JP5713953B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2015-05-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびその製造方法 |
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2018
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018101155A (ja) | 2018-06-28 |
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A977 | Report on retrieval |
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