JP4807739B2 - マスクブランク及びフォトマスク - Google Patents

Description

本発明は、マスクブランク及びフォトマスクに関する。

従来、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用のマスクブランクの製造方法として、ガラス基板上にＣｒ系の遮光膜を形成した後、一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、遮光膜表面に対して当該一方向に交差する方向へノズルを相対移動させてレジスト膜を形成する方法が知られている（以下、スリットコータと称す）。また、ＬＳＩ用のフォトマスクについて、ドライエッチングでパターニングが可能な遮光膜材料として、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）系材料を用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。また、遮光膜とレジスト膜との密着性を向上させるために、遮光膜上に金属薄膜や酸化された金属珪化物膜を形成することが提案されている（例えば、特許文献２、３参照。）。
特公平３−６６６５６号公報 特開平１−１４２６３７号公報 特開平３−１１６１４７号公報

ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク（ＦＰＤ用のマスクブランク）において、遮光膜上には、レジスト膜が形成される。このレジスト膜は、遮光膜のエッチング時にエッチングマスクとして使用される。しかし、ＦＰＤ用のマスクブランクにおいては、レジスト膜を形成すべき遮光膜表面の面積が大きいため、例えばＬＳＩ用のマスクブランク等と比べ、レジスト膜の塗布むらや、面内膜厚均一性の悪化が生じやすい。また、一枚のウェハを多数のチップに切り分けるＬＳＩの製造と異なり、ＦＰＤデバイスの製造では、一枚のフォトマスクによって同時にパターン転写がなされるデバイスの数が１〜数個程度と少ない。そのため、ＦＰＤ用のマスクブランクの場合、フォトマスク製造時にパターン欠陥が生じると、歩留まりへの影響も大きい。そのため、ＦＰＤ用のマスクブランクにおいては、塗布むらがなく、面内膜厚均一性が良好なレジスト膜を形成することが特に望まれている。

また、ＦＰＤ用のマスクブランクを製造する場合、遮光膜は、例えば、コスト面及びスループットを重視して、エッチング液を用いたウエットエッチングによってパターニングされる。この場合、ドライエッチングを行う場合と比べてエッチング精度が低くなりやすい。そのため、エッチングマスクとなるレジスト膜を、塗布むらがなく、面内膜厚均一性が良好な状態にすることがより重要になる。

このような状況の下で、本願発明者は、ＦＰＤ用のマスクブランクの遮光膜の材料として、Ｃｒ系材料に代えて金属シリサイド系材料（具体的にはＭｏＳｉ系材料）を用いることを検討した。金属シリサイド系材料で形成した遮光膜は、フォトマスク製造時の耐薬品性（耐酸性）が高いこと、基板との密着性がよいこと、シールドからの膜剥がれによる欠陥発生が少ないこと等の点で良好な特性を有している。そのため、金属シリサイド系材料は、ＦＰＤ用のマスクブランクの遮光膜の材料として注目すべき材料である。

ここで、ＦＰＤ用のマスクブランクを製造する場合、レジスト膜は、マスクブランクに対する塗布精度、歩留まり等を勘案して、例えば、一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、遮光膜表面に対して当該一方向に交差する方向へノズルを相対移動させて形成される。より具体的には、毛細管現象によりレジスト液を上昇させる毛管状のノズルに対して基板を相対的に走査させることによって基板にレジスト膜を形成する。レジスト液は、基板の移動に伴って、ノズル先端から順次引き出される。

しかし、金属シリサイド系材料の遮光膜は、レジスト液に対する濡れ性が悪い。そのため、金属シリサイド系遮光膜上に上記方法によりレジスト膜を形成する場合、スリットからレジスト液を引き出しにくくなり、レジスト膜の塗布むらが発生しやすいこととなる。また、基板全体に塗布できたとしても、面内膜厚均一性が悪くなりやすい。そのため、金属シリサイド系材料の遮光膜に対し、上記方法によりレジスト膜を形成することは、フォトマスク製造時にパターン精度を低下させる原因となるおそれがある。また、レジスト膜を形成できたとしても、遮光膜とレジスト膜との密着性が悪いため、フォトマスク製造時にレジスト膜が剥がれ、パターン欠陥が生じるおそれもある。そのため、従来、ＦＰＤ用マスクブランクにおいて、金属シリサイド系材料の遮光膜を用いにくいという問題があった。

そこで、本発明は、上記の課題を解決できるマスクブランク及びフォトマスクを提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、基板と、金属シリサイドを材料として基板上に形成された遮光膜と、酸化又は酸窒化された金属シリサイドを材料として遮光膜上に形成された上層膜とを備え、遮光膜及び上層膜は、上層膜上に形成されるレジスト膜をパターニングしたエッチングマスクを用いてウエットエッチングされるべき膜であり、レジスト膜は、上層膜上に、一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、上層膜表面に対して当該一方向に交差する方向へノズルを相対移動させて形成され、上層膜の膜厚は、５０〜３００オングストロームである。

このように構成した場合、金属シリサイド系材料の遮光膜を用いることにより、フォトマスク製造時の耐薬品性（耐酸性）を高めること、基板との密着性がよいこと、シールドからの膜剥がれによる欠陥発生を少なくすること等を実現できる。この場合、フォトマスク製造時の薬液耐性が良好であることから、光学特性が設計どおりのマスクを製造しやすくなる。また、光学特性の変動幅が小さく、欠陥発生が少ないことから、パターン転写特性が良好となる。そのため、このように構成すれば、ＦＰＤデバイスを製造するために好適なマスクブランクを提供できる。

また、上記の組成の上層膜は、上記の組成の遮光膜と比べ、レジスト液に対する濡れ性がよい。そのため、レジスト膜との密着性が良好になり、適切に、一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、上層膜表面に対して当該一方向に交差する方向へノズルを相対移動させて、レジスト膜を上層膜上に形成することが可能になる。これにより、高い塗布精度、及び高い歩留まりが実現できる。また、ＦＰＤ用のマスクブランクに求められる塗布むらの精度及び面内膜厚均一性を実現できる。そのため、この構成のマスクブランクから製造されるフォトマスクを用いることにより、製造されるＦＰＤデバイスも表示むらを低減できる。また、フォトマスクの製造時にレジスト膜が剥がれてパターン欠陥が生じるおそれもほとんどなくなる。

尚、レジスト膜の面内膜厚均一性が不十分であると、フォトマスク製造時にパターン線幅均一性（ＣＤ精度）が低下することとなり、ＦＰＤデバイスの表示むらの原因となる。そのため、レジスト膜に求められる面内膜厚均一性は、フォトマスクに許容されるＣＤ精度の大きさに応じて決まる。

レジスト膜の面内膜厚均一性は、例えば、１０００オングストローム以下、より好ましくは５００オングストローム以下とすることが求められる。

また、構成１のようにした場合、必要以上に膜厚を厚くすることなく、スリットコータを用いる場合に必要なレジスト液に対する濡れ性を発揮させることができる。ＦＰＤ用のマスクブランクは、ＬＳＩ用のマスクブランク等と比べて大型であり、基板上に形成される薄膜の膜応力の影響も大きくなる。そのため、ＦＰＤ用のマスクブランクにおいては、薄膜の膜厚を低減することが特に重要になる。また、ウエットエッチングによって形成される断面形状を適切に制御する観点からも、膜厚の低減が強く求められる。
尚、上層膜の膜厚が薄過ぎる場合、レジスト液に対する濡れ性が不足するおそれがある。また、上層膜の膜厚が厚過ぎる場合、遮光膜及び上層膜から生じる膜応力が大きくなり過ぎる。また、上層膜が厚過ぎると、遮光膜のウエットエッチングにおいて断面形状を制御することが難しくなる。そのため、遮光膜のエッチング精度が低下するおそれがある。

（構成２）ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、基板と、金属シリサイドを材料として基板上に形成された遮光膜と、遮光膜よりも金属を多くの割合で含有する金属シリサイド、又は金属を材料として遮光膜上に形成された上層膜とを備え、上層膜の金属含有量は、５０原子％超１００原子％以下であり、遮光膜及び上層膜は、上層膜上に形成されるレジスト膜をパターニングしたエッチングマスクを用いてウエットエッチングされるべき膜であり、レジスト膜は、上層膜上に、一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、上層膜表面に対して当該一方向に交差する方向へノズルを相対移動させて形成される。

このように構成した場合も、レジスト液に対する濡れ性を高めることができる。そのため、構成１と同様に、ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク（ＦＰＤ用のマスクブランク）に求められる塗布むらの低減及び面内膜厚均一性を実現できる。また、この構成のマスクブランクから製造されるフォトマスクを用いることにより、製造されるＦＰＤデバイスも表示むらを低減できる。また、フォトマスクの製造時にレジスト膜が剥がれてパターン欠陥が生じるおそれもほとんどなくなる。

（構成３）上層膜の膜厚は、５０〜３００オングストロームである。このように構成すれば、必要以上に膜厚を厚くすることなく、スリットコータを用いる場合に必要なレジスト液に対する濡れ性を適切に発揮させることができる。

（構成４）金属は、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）のいずれかを含む材料である。このような構成にすれば、フォトマスク製造時の耐薬品性や基板との密着性がよいこと、低欠陥であることに加え、ウェットエッチング溶液に対するパターン制御性がよくなる。

（構成５）構成１から４のいずれかに記載のマスクブランクを用いて製造されたことを特徴とするＦＰＤデバイスを製造するためのフォトマスク。このように構成すれば、構成１〜４と同様の効果を得ることができる。このフォトマスクは、例えば、ウエットエッチングによってマスクブランク上に形成された遮光膜等のパターニングを施し、マスクパターンを形成して製造される。

尚、上記の各構成において、ＦＰＤ用のマスクブランク及びマスクとしては、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ等のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクが挙げられる。
ＬＣＤ用マスクには、ＬＣＤの製造に必要なすべてのマスクが含まれ、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、特にＴＦＴチャンネル部やコンタクトホール部、低温ポリシリコンＴＦＴ、カラーフィルタ、反射板（ブラックマトリクス）等を形成するためのマスクが含まれる。他の表示デバイス製造用マスクには、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、プラズマディスプレイ等の製造に必要なすべてのマスクが含まれる。

ＦＰＤ用のフォトマスクに適したマスクブランク及びフォトマスクを提供できる。また、ＦＰＤデバイスの表示むらの原因となるフォトマスクにおけるパターン線幅均一性（ＣＤ精度）の低下を抑えたマスクブランク及びフォトマスクを提供できる。

以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るマスクブランク１０の構成の一例を示す。マスクブランク１０は、ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクである。また、このマスクブランクは、例えば、一辺が３３０ｍｍ以上（例えば３３０ｍｍ×４５０ｍｍ〜１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ）の大型のマスクブランクである。また、このマスクブランクから製造されるＦＰＤ用のフォトマスクは、例えば、ミラープロジェクション（スキャニング露光方式による、等倍投影露光）方式やレンズを使ったレンズプロジェクション方式の露光装置に搭載されて使用される。このフォトマスクは、例えば、ｉ線からｇ線に渡る波長帯域の光を用いた多色波露光用のフォトマスクであり、例えば１μｍ以下のグレートーンパターンを有する。

マスクブランク１０は、基板１２、遮光膜１４、上層膜１６、及びレジスト膜１８を備える。マスクブランク１０は、例えば下地膜や半透光性膜等の他の層を更に備えてもよい。基板１２は、例えば透光性基板である。この透光性基板としては、合成石英、ソーダライムガラス、無アルカリガラス等の基板が挙げられる。

遮光膜１４及び上層膜１６は、フォトマスクの製造工程において、レジスト膜１８をパターニングしたエッチングマスクを用いて一般的にウェットエッチングされる。遮光膜１４は、金属と珪素を含む金属シリサイドを材料とする遮光膜であり、例えば、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を材料とする遮光膜であり、基板１２上に形成される。

上層膜１６は、レジスト液に対する濡れ性を高めるために遮光膜１４上に形成される層である。上層膜１６は、酸化又は酸窒化された金属シリサイドを材料として形成されており、例えば、酸化されたモリブデンシリサイド膜（ＭｏＳｉＯ）、酸窒化されたモリブデンシリサイド膜（ＭｏＳｉＯＮ）、酸化されたタンタルシリサイド膜（ＴａＳｉＯ）、酸窒化されたタンタルシリサイド膜（ＴａＳｉＯＮ）、酸化されたチタンシリサイド膜（ＴｉＳｉＯ）、酸窒化されたチタンシリサイド膜（ＴｉＳｉＯＮ）、酸化されたタングステンシリサイド膜（ＷＳｉＯ）、酸窒化されたタングステンシリサイド膜（ＷＳｉＯＮ）が挙げられる。上層膜１６の膜厚は、例えば、５０〜３００オングストローム、より好ましくは、１００〜３００オングストローム、さらに好ましくは１５０〜３００オングストロームである。上層膜１６は、反射防止機能を有する膜であっても良い。

尚、上層膜１６を酸化された金属シリサイド膜とする場合は、金属と珪素を含有するスパッタリングターゲットを用い、アルゴンガスなどの不活性ガスに酸素ガスを含む混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリング法により形成したり、金属と珪素と酸素を含有するスパッタリングターゲットを用い、アルゴンガスなどの不活性ガスを含む雰囲気中でスパッタリングにより形成したり、または、金属シリサイド膜を公知の方法で成膜した後、大気中や酸素雰囲気中で加熱処理することによって酸化された金属シリサイド膜を形成することができる。

また、上層膜１６を酸窒化された金属シリサイド膜とする場合は、金属と珪素を含有するスパッタリングターゲットを用い、アルゴンガスなどの不活性ガスと、酸素ガスと窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス等のガスを含む混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリング法により形成したり、金属と珪素と酸素と窒素を含有するスパッタリングターゲットを用い、アルゴンガスなどの不活性ガスを含む雰囲気中でスパッタリングにより形成したり、または、金属シリサイド膜を公知の方法で成膜した後、大気中や酸素と窒素を含む雰囲気中で加熱処理することによって酸窒化された金属シリサイド膜を形成することができる。

レジスト膜１８は、上層膜１６上に、スリットコータを用いて形成される。本例において、レジスト膜１８は、レーザー描画用レジスト膜である。またレーザー描画用レジスト膜に限らず、電子線描画用レジスト膜であっても良い。また、ポジ型のレジスト膜、ネガ型のレジスト膜のどちらでも構わない。レジスト膜１８の膜厚は、レーザー描画用のレジスト膜の場合、レーザー描画装置の描画波長による定在波によるパターン断面形状悪化を防止するための膜厚に設定することが好ましい。

以上のように構成すれば、上層膜１６を形成することにより、スリットコータを用いる場合に必要なレジスト液に対する濡れ性を適切に発揮させることができる。また、これによりＦＰＤ用マスクブランクにおいて、金属シリサイド系材料の遮光膜１４を適切に用いることができる。そのため、ＦＰＤデバイスを製造するために好適なマスクブランクを提供できる。

尚、上層膜１６は、例えば２０〜６５原子％の酸素を含有することが好ましい。このように構成すれば、レジスト液に対する必要な濡れ性を発揮させるために必要な膜厚を低減できる。上層膜１６の酸素含有量は、より好ましくは４０〜６５原子％である。

また、上層膜１６を酸窒化された金属シリサイド膜とする場合、窒素含有量は、例えば５〜３０原子％とする。このように構成すれば、レジスト液に対する必要な濡れ性を発揮できる酸窒化された金属シリサイド膜を安定して形成することができる。

ここで、レジスト液に対する濡れ性を高めるためには、上記と異なる組成の遮光膜１４及び上層膜１６を用いることもできる。例えば、遮光膜１４よりも金属を多くの割合で含有する金属シリサイドや、金属単体を材料として上層膜１６を形成することにより、レジスト液に対する濡れ性を高めることもできる。この場合、遮光膜１４の金属含有量は、例えば、５〜３３原子％である。遮光膜１４としては、例えば、上記金属含有量（５〜３３原子％）のモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を材料とすることができる。

また、上層膜１６の金属含有量は、例えば、３４〜１００原子％、より好ましくは５０〜１００原子％である。上層膜１６としては、例えば、上記金属含有量（３４〜１００原子％）のモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を材料とすることができる。尚、上記金属含有量が１００原子％の場合は、モリブデン、タンタル、チタン、タングステンなどの金属単体を意味する。上層膜１６の膜厚は、例えば、５０〜３００オングストローム、より好ましくは、１００〜３００オングストローム、さらに好ましくは１５０〜３００オングストロームである。このように構成すれば、スリットコータを用いる場合に必要なレジスト液に対する濡れ性を適切に発揮させることができる。

尚、前記遮光膜１４及び上層膜１６によって被転写体に転写すべく転写パターンとする場合、遮光膜１４及び上層膜１６の合計の膜厚は、ＦＰＤ用デバイスを製造する際に使用される露光装置の波長に対して光学濃度（ＯＤ）で３以上となる膜厚となるように設定する。また、遮光膜１４のみによって被転写体に転写すべく転写パターンとする場合、遮光膜１４の膜厚を、ＦＰＤ用デバイスを製造する際に使用される露光装置の波長に対して光学濃度（ＯＤ）で３以上となる膜厚となるように設定する。ｉ線からｇ線に渡る波長帯域の光を用いた多色波露光として使用する場合、光学濃度（ＯＤ）で３以上となるようにするには、８５０オングストローム以上とすることが好ましい。微細パターンを形成することを考えると膜厚は薄い方が好ましく、膜厚は１８００オングストローム以下が好ましい。両者を考慮すると、８５０〜１８００オングストローム、より好ましくは、９５０〜１５００オングストロームが望ましい。

以下、実施例に基づき本発明を更に詳細に説明する。
（実施例１）
大型ガラス基板（合成石英（ＱＺ）１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）上に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、遮光膜、及び上層膜の成膜を行った。成膜は、大型インラインスパッタリング装置内に連続して配置された各スペース（スパッタ室）にＭｏＳｉ_２ターゲット（Ｍｏ：３３モル％、Ｓｉ：６７モル％）、及びＭｏＳｉ_２ターゲット（Ｍｏ：３３モル％、Ｓｉ：６７モル％）を各々配置し、まず最初のスパッタ室において、ＭｏＳｉ_２ターゲットに対してＡｒガスをスパッタリングガスとしてＭｏＳｉ_２膜の遮光膜を７００オングストローム成膜した、次いで次のスパッタ室において、ＭｏＳｉ_２ターゲットに対してＡｒガス、及びＯ_２ガスをスパッタリングガスとしてＭｏＳｉＯ膜の上層膜を２５０オングストローム成膜して、ＦＰＤ用大型マスクブランクを作製した。遮光膜におけるＭｏ含有量は３３原子％、Ｓｉ含有量は６７原子％である。また、上層膜におけるＭｏ含有量は１３原子％、Ｓｉ含有量は２７原子％、酸素含有量は６０原子％である。尚、遮光膜及び上層膜における組成分析はラザフォード後方散乱分析により測定した。以下の各実施例及び比較例においても同様である。

上記で作製したマスクブランクを用い、洗浄処理（純水、常温）後、公知のスリットコータ装置（特開２００５−２８６２３２号公報に記載のスリットコータ装置）を用いてレジスト液を塗布し、現像によってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、遮光膜及び上層膜を一体的にウエットエッチングでパターニングして、ＦＰＤ用大型のフォトマスクを作製した。このフォトマスクは、５μｍ幅の通常パターン及び１μｍ幅のグレートーンパターンを有する。このグレートーンパターンは、大型ＦＰＤ用露光機の解像限界以下の微細遮光パターン及び微細透過部からなるパターンである。尚、上述のレジスト液の塗布条件は、レジスト平均膜厚が１μｍとなるように、ノズルと基板表面との間隔、ノズルの幅、ノズルの走査速度等を設定して行った。上記のマスクブランク上に塗布されたレジスト膜は、塗布むらがなく、面内膜厚均一性は、５００オングストロームであった。尚、面内膜厚均一性とは、パターン形成領域内におけるレジスト膜厚の最大値と最小値の差をいう。

得られたフォトマスクにおける遮光膜及び上層膜によるパターンの線幅均一性（ＣＤ精度）は良好であり、このフォトマスクを使用して製造された液晶表示装置も表示むらがなく良好であった。

（実施例２）
上層膜の形成時のスパッタリングガスとして、Ａｒガス、ＮＯガスを用いて上層膜をＭｏＳｉＯＮ膜とした以外は実施例１と同様にして、実施例２に係るマスクブランク及びフォトマスクを作製した。実施例２において、遮光膜におけるＭｏ含有量は３３原子％、Ｓｉ含有量は６７原子％である。また、上層膜におけるＭｏ含有量は１８原子％、Ｓｉ含有量は３７原子％、酸素含有量は３０原子％、窒素含有量は１５原子％である。

実施例２において、レジスト膜の面内膜厚均一性は、実施例１と同様に良好であった。また、得られたフォトマスクを使用して製造された液晶表示装置も表示むらがなく良好であった。

（比較例１）
上層膜を形成しなかった以外は実施例１と同様にして、比較例１に係るマスクブランク及びフォトマスクを作製した。比較例１では、レジスト液に対する濡れ性が悪いため、レジスト膜に塗布むらが生じ、基板全体にレジスト膜を形成することができなかった。そのため、フォトマスクを適切に作製できなかった。

（比較例２）
上層膜の膜厚を５０オングストローム未満（４５オングストローム程度）とした以外は実施例１と同様にして、比較例２に係るマスクブランク及びフォトマスクを作製した。基板全体にレジスト膜を形成することはできたが、レジスト液に対する濡れ性が不十分であったため、面内膜厚均一性は、１０００オングストローム超になった。そのため、得られたフォトマスクにおける遮光膜及び上層膜によるパターン線幅均一性（ＣＤ精度）は悪化し、このフォトマスクを使用して製造された液晶表示装置は表示ムラが発生した。

（比較例３）
上層膜の膜厚を３００オングストローム超（３６０オングストローム程度）とした以外は実施例１と同様にして、比較例３に係るマスクブランク及びフォトマスクを作製した。レジスト液に対する濡れ性は十分であったが、レジストパターンをマスクにして遮光膜及び上層膜をパターニングしたパターンの断面形状が悪化した。その結果、このフォトマスクを使用して製造された液晶表示装置は表示ムラが発生した。

（実施例３）
上層膜をＭｏＳｉ膜とした以外は実施例１と同様にして、実施例３に係るマスクブランク及びフォトマスクを作製した。実施例３において、上層膜におけるＭｏ含有量は、遮光膜におけるＭｏ含有量と比べて大きく、５０原子％である。また、Ｓｉ含有量は５０原子％である。

（実施例４）
遮光膜及び上層膜を成膜する際に使用するターゲットをＭｏＳｉ_４（Ｍｏ：２０モル％、Ｓｉ：８０モル％）とした以外は実施例１と同様にして、実施例４に係るマスクブランク及びフォトマスクを作製した。実施例４において、遮光膜におけるＭｏ含有量は２０原子％、Ｓｉ含有量は８０原子％である。また、上層膜におけるＭｏ含有量は８原子％、Ｓｉ含有量は３２原子％、酸素含有量は６０原子％である。

（実施例５）
上層膜をＭｏ膜とした以外は実施例１と同様にして、実施例５に係るマスクブランク及びフォトマスクを作製した。
（実施例６）
大型ガラス基板（合成石英（ＱＺ）１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）上に、枚葉スパッタリング装置を使用し、ＭｏＳｉ_２ターゲットに対してＡｒガスをスパッタリングガスとしてＭｏＳｉ_２膜を８５０オングストローム成膜した。次いで、ＭｏＳｉ_２膜に対して大気中で１９０℃の加熱処理を５０分間行ってＭｏＳｉ_２膜の表面を酸化させてＭｏＳｉ_２膜の表面にＭｏＳｉＯ膜を形成した。この酸化されたＭｏＳｉＯ膜の膜厚は、５０オングストロームであった。
上記で作製したマスクブランクを用い、実施例１と同様にフォトマスクを作製した。

実施例３〜６において、レジスト膜の面内膜厚均一性は、実施例１と同様に良好であった。また、得られたフォトマスクを使用して製造された液晶表示装置も表示むらがなく良好であった。

（比較例４）
上層膜のＭｏ含有量を４５原子％に少なくした以外は実施例３同様にして、比較例４に係るマスクブランク及びフォトマスクを作製した。比較例４においては、レジスト液に対する濡れ性が不十分であったため、面内膜厚均一性は、１０００オングストローム超になった。そのため、得られたフォトマスクにおける遮光膜及び上層膜によるパターン線幅均一性（ＣＤ精度）は悪化し、このフォトマスクを使用して製造された液晶表示装置は表示ムラが発生した。

以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

本発明は、例えばＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクに好適に適用できる。

本発明の一実施形態に係るマスクブランク１０の構成の一例を示す図である。

符号の説明

１０・・・マスクブランク、１２・・・基板、１４・・・遮光膜、１６・・・上層膜、１８・・・レジスト膜

Claims (10)

1. ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
   前記マスクブランクは、ｉ線〜ｇ線に渡る波長帯域の光を用いた多色波長露光用のフォトマスクを製造するためのものであり、
   基板と、
   金属シリサイドを材料として前記基板上に形成された遮光膜と、
   ２０〜６５原子％の酸素を含有する酸化された金属シリサイドを材料、又は５〜３０原子％の窒素を含有する酸窒化された金属シリサイドからなる材料で前記遮光膜上に形成された上層膜とを備え、
   前記遮光膜及び前記上層膜は、前記上層膜上に形成されるレジスト膜をパターニングしたエッチングマスクを用いてウエットエッチングされるべき膜であり、
   前記レジスト膜は、前記上層膜上に、一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記上層膜表面に対して前記一方向に交差する方向へ前記ノズルを相対移動させて形成され、
   前記上層膜の膜厚は、５０〜３００オングストロームであることを特徴とするマスクブランク。
2. ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
   前記マスクブランクは、ｉ線〜ｇ線に渡る波長帯域の光を用いた多色波長露光用のフォトマスクを製造するためのものであり、
   基板と、
   金属シリサイドを材料として前記基板上に形成された遮光膜と、
   前記遮光膜よりも金属を多くの割合で含有する金属シリサイド、又は金属からなる材料で前記遮光膜上に形成された上層膜とを備え、
   前記上層膜の金属含有量は、５０原子％超１００原子％以下であり、
   前記遮光膜及び前記上層膜は、前記上層膜上に形成されるレジスト膜をパターニングしたエッチングマスクを用いてウエットエッチングされるべき膜であり、
   前記レジスト膜は、前記上層膜上に、一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記上層膜表面に対して前記一方向に交差する方向へ前記ノズルを相対移動させて形成されることを特徴とするマスクブランク。
3. 前記上層膜の膜厚は、５０〜３００オングストロームであることを特徴とする請求項２に記載のマスクブランク。
4. 前記金属は、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン
   （Ｗ）のいずれかを含む材料であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク。
5. 前記遮光膜は、ＭｏＳｉ _２ 膜であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク。
6. 請求項１から５のいずれかに記載のマスクブランクを用いて製造されたことを特徴とするＦＰＤデバイスを製造するためのフォトマスク。
7. ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクの製造方法であって、
   前記マスクブランクは、ｉ線〜ｇ線に渡る波長帯域の光を用いた多色波長露光用のフォトマスクを製造するためのものであり、
   基板上に、金属シリサイドからなる材料で遮光膜を成膜し、
   前記遮光膜上に、２０〜６５原子％の酸素を含有する酸化された金属シリサイドを材料、又は５〜３０原子％の窒素を含有する酸窒化された金属シリサイドからなる材料で上層膜を成膜し、
   一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記上層膜表面に対して前記一方向に交差する方向へ前記ノズルを相対移動させることによって、前記上層膜上にレジスト膜を形成し、
   前記レジスト膜は、パターン形成領域内におけるレジスト膜厚の最大値と最小値との差で示される面内膜厚均一性が１０００オングストローム以下となるように形成されることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
8. ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクの製造方法であって、
   前記マスクブランクは、ｉ線〜ｇ線に渡る波長帯域の光を用いた多色波長露光用のフォトマスクを製造するためのものであり、
   基板上に、金属シリサイドからなる材料で遮光膜を成膜し、
   前記遮光膜上に、前記遮光膜よりも金属を多くの割合で含有する金属シリサイド、又は金属からなる材料であり、前記金属含有量が５０原子％超１００原子％以下となるように上層膜を成膜し、
   一方向に伸びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記上層膜表面に対して前記一方向に交差する方向へ前記ノズルを相対移動させることによって、前記上層膜上にレジスト膜を形成し、
   前記レジスト膜は、パターン形成領域内におけるレジスト膜厚の最大値と最小値との差で示される面内膜厚均一性が１０００オングストローム以下となるように形成されることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
9. 前記基板は、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ以上の大型ガラス基板であることを特徴とする請求項７又は８記載のマスクブランクの製造方法。
10. 請求項７から９のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクを用いて製造されたことを特徴とするＦＰＤデバイスを製造するためのフォトマスク。
    

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