JP2005010814A - グレートーンマスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半透光膜の膜厚の均一性が高いグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】 遮光部１と、透光部２と、露光光の一部を透過するグレートーン部３とを有するグレートーンマスクであって、グレートーン部３を通過する光を低減し、このグレートーン部３を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的としたＬＣＤ用又はＰＤＰ用大型グレートーンマスクにおいて、遮光部１が、透明基板上に順次形成された半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜を含み、グレートーン部３が、透明基板上に形成された半透光膜及びエッチングストッパー膜を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、グレートーンマスク及びその製造方法等に関する。

近年、大型ＬＣＤ用マスクの分野において、グレートーンマスクを用いてマスク枚数を削減する試みがなされている（例えば、非特許文献１参照。）。
ここで、グレートーンマスクは、例えば、図７（１）に示すように、遮光部１と、透光部２と、グレートーン部３とを有する。グレートーン部３は、グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界以下の微細遮光パターン３ａを形成した領域であって、この領域を透過する光の透過量を低減しこの領域による照射量を低減してフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的として形成される。遮光部１と微細遮光パターン３ａはともにクロムやクロム化合物等の同じ材料からなる同じ厚さの膜から通常形成されている。透光部２と微細透光部３ｂはともに、透明基板上において遮光膜等が形成されていない透明基板の部分である。
グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界は、ステッパ方式の露光機で約３μｍ、ミラープロジェクション方式の露光機で約４μｍである。このため、例えば、図７（１）でグレートーン部における微細透光部３ｂのスペース幅を３μｍ未満、露光機の解像限界以下の微細遮光パターン３ａのライン幅を３μｍ未満とする。上記大型ＬＣＤ用露光機で露光した場合、グレートーン部３を通過した露光光は全体として露光量が足りなくなるため、このグレートーン部３を介して露光したポジ型フォトレジストは膜厚が薄くなるだけで基板上に残る。つまり、レジストは露光量の違いによって通常の遮光部１に対応する部分とグレートーン部３に対応する部分で現像液に対する溶解性に差ができるため、現像後のレジスト形状は、図７（２）に示すように、通常の遮光部１に対応する部分１’が例えば約１．３μｍ、グレートーン部３に対応する部分３’が例えば約０．３μｍ、透光部２に対応する部分はレジストが残存しない部分２’となる。そして、レジストが残存しない部分２’で被加工基板の第１のエッチングを行い、グレートーン部３に対応する薄い部分３’のレジストをアッシング等によって除去しこの部分で第２のエッチングを行うことによって、１枚のマスクで従来のマスク２枚分の工程を行い、マスク枚数を削減する。

上述したグレートーンマスクにおいて、グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界の微細パターンにてグレートーン部を形成するには、理想的には、例えば微細ライン＆スペースパターンは２μｍ前後のピッチ（約半分の１μｍ前後が微細透光部）となり、±０．２μｍ程度の精度で微細パターンを加工する必要があるが、現在のＬＣＤ用大型マスクの精度からみれば、非常に厳しい精度である。
また、現状の大型マスク自動欠陥検査装置では、２μｍピッチパターンの欠陥検出（特にパターンのエッジについての欠陥検出）は非常に困難であり、また、±０．２μｍ程度の精度で微細パターンの検査を行うことも非常に困難である。
さらに、グレートーン部を微細パターンで構成しているため、データ作成におけるデ−タ容量が膨大になり、描画機および描画機に付随するデータ変換（フォーマット変換）機の能力を超えるような場合、描画できない可能性がある。詳しくは、例えば図８（２）に示すグレートーン部３のデータは、図８（１）に示す遮光部１及び透光部２のデータとは重ならないように遮光部及び透光部を避けてデータを作成しなくてはならず、データの作成が複雑になり、しかもグレートーン部３のデータは遮光部及び透光部のデータに沿った複雑な形状を示しているため、グレートーン部のデータ容量は、膨大なものとなり、図８（３）に示す合成データの容量も膨大なものとなる。

一方、透明基板上に設けたクロム単層膜の膜厚を部分的に変化させ、膜厚の厚い部分を遮光部とし、中間膜厚の部分をグレートーン部とし、膜厚のゼロの部分を透光部としたグレートーンマスクが知られている。しかし、クロム膜は透過率が低い（遮光性が高い）ことから透過率０％を得る膜厚が薄いため、中間膜厚の部分について中間の所定透過率が得られる膜厚となるようにハーフエッチングすることは難しい。そこで、透明基板上に設けたクロム化合物単層膜の膜厚を部分的に変化させたグレートーンマスクが提案されている（特許文献１）。この場合、クロム化合物単層膜は透過率０％を得る膜厚が４０００オンク゛ストローム程度と厚いため、中間膜厚の部分について中間の所定透過率が得られる膜厚となるようにハーフエッチングすることはクロム単層膜の場合に比べ容易となる。しかし、この方法は、膜厚が厚すぎるため、アスペクト比（パターン寸法と高さの比）が高くその結果遮光部のパターン形状やパターン精度が悪くなり、またエッチング時間も長くなる。さらに、実際には、ハーフエッチングによる膜厚制御を厳密に行うことは難しく、実用性に難があるという問題がある。
月刊ＦＰＤ Intelligence，1999年5月 特開平７−４９４１０号公報

本発明は、上述した問題点を解消したグレートーンマスク及びその製造方法等の提供を目的とする。

本発明は以下の構成を有する。

（構成１） 遮光部と、透光部と、露光光の一部を透過するグレートーン部とを有するグレートーンマスクにおいて
前記遮光部が、透明基板上に順次形成された半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜を含み、前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜あるいは半透光膜及びエッチングストッパー膜を含むことを特徴とするグレートーンマスク。

（構成２） 前記遮光膜及び前記半透光膜を、同一エッチング液又は同一エッチングガスで処理できる膜で構成することを特徴とする構成１に記載のグレートーンマスク。

（構成３） 前記遮光膜及び前記半透光膜が、クロムを含む材料からなることを特徴とする構成１又は２に記載のグレートーンマスク。

（構成４） 前記エッチングストッパー膜が、ＳｉＯ₂又はＳＯＧ（Spin On Glass）であることを特徴とする構成１〜３のいずれかに記載のグレートーンマスク。

（構成５） 構成１〜４のいずれかに記載のグレートーンマスクの製造方法において、
透明基板上に、少なくとも半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜が順次形成されたマスクブランクを準備する工程と、
前記ブランク上にレジスト膜を形成する工程と、
透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、またグレートーン部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程と、
現像処理を行い、遮光部を形成する部分とグレートーン部を形成する部分とでレジストの残膜値が異なるようなレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜をエッチングして透光部を形成する工程と、
前記グレートーン部上に残存するレジストパターンのみを除去する工程と、
前工程で残存したレジストパターンをマスクとして遮光膜あるいは遮光膜及びエッチングストッパー膜を除去する工程と、
さらに残存したレジストパターンを剥離する工程と、を含むことを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。

（構成６） 構成１〜４のいずれかに記載のグレートーンマスクを製造するためのグレートーンマスクブランクであって、
透明基板上に、半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜を有することを特徴とするグレートーンマスクブランク。

（構成７） グレートーンマスクがＬＣＤ用マスク又はＰＤＰ用マスクであることを特徴とする構成１〜４のいずれかに記載のグレートーンマスク。

（作用）
構成１によれば、透明基板上に順次形成された半透光膜とエッチングストッパー膜と遮光膜との３層構造とすることによって、エッチングによりグレートーン部（半透光部）における遮光膜を除去する際に、エッチングストッパー膜によって半透光膜の減膜を回避でき、したがって、半透光膜の膜厚の均一性が非常に高いグレートーンマスクを容易に得ることができる。また、遮光膜をクロム等の遮光性が高く薄い膜で構成できるので、エッチング時間の短縮が図れると共に、アスペクト比が低くその結果遮光部のパターン形状やパターン精度が良好となる。さらに、エッチングストッパー層を設けているため、遮光膜及び半透光膜を同一材料の膜や主成分が同じ膜等で構成できる。
なお、エッチングストッパー膜としてＳｉＯ₂もしくはＳＯＧ（Spin On Glass）等を用いた場合、ＳｉＯ₂やＳＯＧは透明基板と同等の透過特性を有するため、グレートーン部（半透光部）に介在してもその透過特性に影響を与えないので、グレートーン部（半透光部）におけるエッチングストッパー膜は除去しなくても良い。
本発明において、遮光膜及び／又は半透光膜としては、Ｃｒ、クロム化合物、ＭｏＳｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ａｌのうちから選択されるいずれかを用いることが好ましい。

構成２によれば、遮光膜及び半透光膜を、同一エッチング液又は同一エッチングガスで処理できる膜で構成することによって、遮光膜及び半透光膜を同時加工できる。

構成３によれば、遮光膜及び半透光膜が、クロムを含む材料からなることによって、遮光膜及び半透光膜を同一エッチング液又は同一エッチングガスで同時加工できる。このような例としては、同一材料の膜（例えば半透光膜：Ｃｒ、遮光膜：Ｃｒ）や主成分が同じ膜（例えば半透光膜：クロム化合物、遮光膜：Ｃｒ）などが挙げられる。特に、半透光膜がクロム化合物などからなり、半透光膜がクロム化合物などからなる場合は、次の効果がある。まず、半透光膜がクロム化合物などからなる場合は、所定の透過率を有するクロム化合物の膜厚は厚くすることができ、その膜厚の均一性ひいてはその透過率の均一性を高い精度で制御することができる。これに対し、半透光膜がＣｒなどからなる場合は、所定の透過率を有するＣｒの膜厚は非常に薄く、その膜厚がわずかに変動しても透過率が大きく変動してしまうため、Ｃｒ半透光膜の膜厚の均一性ひいてはその透過率の均一性を高い精度で制御することが、クロム化合物等の場合に比べ、難しい。また、遮光膜がＣｒなどからなる場合は、所定の遮光性（光学濃度）を有するＣｒの膜厚は薄くすることができ、その結果遮光部全体の厚さを抑えることができるので、遮光部のパターン形状やパターン精度が良好となる。これに対し、遮光膜がクロム化合物などからなる場合は、所定の遮光性（光学濃度）を有するクロム化合物の膜厚は厚くなり、その結果遮光部全体の厚さを抑えることができないので、遮光部のパターン形状やパターン精度が劣ることになる。
なお、上記構成１ないし３においてクロム化合物としては、酸化クロム（ＣｒＯx）、窒化クロム（ＣｒＮx）、酸窒化クロム（ＣｒＯxＮy）、フッ化クロム（ＣｒＦx）や、これらの膜に炭素や水素を含むものが挙げられる。

構成４によれば、エッチングストッパー膜としてＳｉＯ₂もしくはＳＯＧ（Spin On Glass）を用いることによって、ＳｉＯ₂やＳＯＧは透明基板と同等の透過特性を有するため、遮光部又はグレートーン部（半透光部）に介在してもそれらの透過特性に影響を与えない。また、ＳｉＯ₂やＳＯＧは多くの遮光膜材料又は半透光膜材料に対してエッチングストッパー層として機能するので好ましい。さらに、ＳｉＯ₂やＳＯＧは遮光膜材料や半透光膜材料との付着性が高い。
なお、エッチングストッパー層を設けない場合、半透光膜と遮光膜とをエッチング選択比が取れる材料で構成する必要があり材料が制限され、また半透光膜と遮光膜との付着力が問題となることがある。
ＳｉＯ₂もしくはＳＯＧからなるエッチングストッパー層の厚さは１００〜１０００オンク゛ストロームの範囲とすることが好ましい。

構成５によれば、各領域について露光量に応じてレジスト膜厚を異ならしめることによって、後工程でレジストプロセス（レジスト塗布、描画（露光）、現像）が不要となる。
なお、透光部を形成すべき部分上のエッチングストッパー膜を除去する工程と、半透光部を形成すべき部分上のレジストを除去する工程は、同時に行うことが好ましい。
また、透光部を形成すべき部分上の半透光膜を除去する工程と、半透光部を形成すべき部分上の遮光膜を除去する工程は、同時に行うことが好ましい。

構成６のマスクブランクによれば、各層の膜の除去工程と、レジストの減膜処理工程だけで、グレートーンマスクを製造できる。また、グレートーン部（半透光膜）の膜厚の均一性ひいては透過特性の均一性に優れた高品質のグレートーンマスクが得られる。

上記構成１ないし６においては、遮光膜と半透光膜とを合わせた光学濃度が３．０以上であればよい。つまり、遮光膜自体に光学濃度３．０以上なくても、半透光膜を合わせた場合の光学濃度が３．０以上になればよい。この場合、半透光膜の光学濃度の分だけ遮光膜を薄くすることができる。

構成７によれば、ＬＣＤ用グレートーンマスクブランクの場合、基板サイズが大きく膜厚の均一性を確保するのが難しいため、単層膜を中間の膜厚にハーフエッチングする方法ではマスクブランクにおける膜厚のばらつきを考慮するとハーフエッチングによる膜厚制御を厳密に行わなければならず（具体的にはハーフエッチングによるエッチング量の面内ばらつきをほぼゼロに抑える必要がある）、実際上はこのような厳密な膜厚制御は困難であることから、このような方法は実用性に難がある。これに対し、本発明のグレートーンマスクの製造方法は、このような問題がなく、したがって、本発明は、ＬＣＤ（液晶表示装置）用の大型グレートーンマスク（カラーフィルタや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）作製用など）やＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用の大型グレートーンマスク等を実用化する上で必要不可欠である。

なお、上記本発明のグレートーンマスク及びその製造方法によれば、以下の効果が得られる。
グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界の微細パターンにてグレートーン部を形成する必要がないので、グレートーン部における微細パターンの加工精度の問題が生じ得ない。
グレートーン部（半透光部）を半透光膜の膜厚で制御することにより、検出波形が安定するため欠陥険出は、微細パターンにてグレートーン部を形成する場合に比べ、容易である。
予め、透過率を制御した半透光膜を使用しているため、透過率の制御が容易である。
遮光部及び透光部のパターン形状が複雑であっても、グレートーン部（半透光部）は露光量を調節してグレートーン部全面に一様に描画する（いわゆるべた露光する）ので、グレートーン部の描画データ量は、微細パターンからなるグレートーン部を描画する場合に比べ、少なくなり、描画が容易となる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。
遮光部、透光部及びグレートーン部の全てのパターンデータを組み込んだ場合の合成データが、図１（１）に示すように、遮光部１及び透光部２（例えばＴＦＴのアモルファスシリコンパターン）と、その周辺に形成されるグレートーン部３（半透光部）で構成された場合を例にとる。この場合、図１（２）に示す遮光部１及び透光部２のデータと、図１（３）に示すグレートーン部３のデータに分離する。そして、透光部２をレジストが完全に除去できる露光量（１００％）で描画した後、半透光部３をレジストが完全に感光される露光量の約半分の露光量で描画することにより図１（１）に示すパターンの描画を行うことができる。図１（１）に示す描画パターンであれば、グレートーン部３に解像限界以下の微細パターンを形成する必要がなく、グレートーン部に微細パターンを形成する場合のデータ容量の問題は解決される。なお、透光部２と半透光部３の描画の順序については順不同であり、どららが先でも構わない。
上記図１（１）に示す描画パターンを、レジスト上（ポジレジストでの描画例）に描画した際の、露光量の分布は、図２に示すようになる。つまり、透光部２の露光量は１００％、グレートーン部３の露光量は５０％、遮光部１の露光量は０％（露光されない）となる。

次に、グレートーンマスクの製造手順について説明する。
図３及び図４はグレートーンマスクの製造手順を示す部分断面図であり、図２のＩ−Ｉ線断面を示す。

まず、図３（１）に示すように、透明基板１１上に、半透光膜１２、エッチングストッパー膜（バリアー膜）１３、遮光膜１４及びノボラック系ポジレジスト膜１５を順次形成した基板に対して、図２に示す露光分布で描画を行った場合、エリアＢは未露光となり、エリアＡは露光・現像後の膜厚がエリアＢの残膜値の約半分になるように描画の際の露光量を調節する。エリアＣはレジストパターニング（残膜値がゼロ）に不足しないだけの露光量を与える。この際の描画方法は、レーザ描画機で、露光量１００％の光量にてエリアＣの描画を行なった後、露光量５０％程度の光量で工リアＡの描画を行なう。エリアＡ、Ｃの描画順序についてはどららが先でも構わない。

次に、図３（２）に示すように、ウエット処理にて膜厚差を有するようにレジスト膜１５を加工（現像・減膜処理）する。
この際、レジスト膜１５の膜厚は、エリアＡで工リアＢの約半分程度となり、エリアＣでは完全に除去された状態となる。なお、ウエット処理は、例えば、無機アルカリ（例えばＫＯＨ、濃度0.63Ｎ）もしくは有機アルカリ（例えばＴＭＡＨ、濃度2.3％）などの現像液にて処理を行う。

次に、図３（３）に示すように、レジストを完全に除去したエリアＣに露出する遮光膜１４をウエットエッチングもしくはドライエッチングにて完全に除去する。

次に、図３（４）に示すように、エリアＣのエッチングストッパー膜１３（ＳｉＯ₂膜もしくはＳＯＧ）をフッ素系水溶液によるウエットエッチングもしくはフッ素系ガスを使用したドライエッチングにて除去する。
なお、エッチングストッパー膜１３をドライエッチングにて処理する場合には、次工程（図４（１））で行うエリアＡ（半透光部）のレジスト除去を同時に行っても構わない。

次に、図４（１）に示すように、ドライ処理（例えばＯ₂アッシング）によりエリアＡのレジストを完全に除去する。この結果、エリアＢ（遮光部）のレジスト膜１５の膜厚は当初の約半分になる。
なお、前工程（図３（４））で、エッチングストッパー膜１３のエッチングをドライエッチングにて処理する場合には、本工程は省いても構わない。

次に、図４（２）に示すように、エリアＡの遮光膜１４と、エリアＣの半透光膜１２をウエットエッチングもしくはドライエッチングにて除去し、透光部と半透光部を同時に形成する。この際、エリアＡの半透光膜１２はエッチングストッパー膜により保護されているため、エッチングされない。

次に、図４（３）に示すように、残ったレジストを有機アルカリもしくはドライ処理（Ｏ₂アッシング）にて除去することによって、エリアＢに遮光部、エリアＡに半透光部、エリアＣに透光部がそれぞれ形成されたグレートーンマスクが得られる。

半透光部のエッチングストッパー膜１３を除去する場合には、例えば、ウエットエッチングもしくはドライエッチングにて、エリアＡ（半透光部）のエッチングストッパー膜を除去できる（図４（４））。

なお、上記実施の形態において、グレートーンマスクを作製するためのマスクブランクは、例えば、石英基板などの透明基板上に、Ｃｒ又はクロム化合物（例えばＣｒＯなど）等の透過率を制御した厚さの半透光膜をスパッタ法等により成膜し、ＳｉＯ₂膜（スパッタ法もしくは蒸着法などで形成）、もしくはＳＯＧ（スピン・オン・グラス）によりエッチングストッパー層（バリアー層）を形成し、Ｃｒ等の遮光性を有する厚さの遮光膜をスパッタ法等により成膜し、この遮光膜上にレジストを５０００〜１００００オンク゛ストロームの範囲で塗布して作製する。
このように遮光膜及び半透光膜をＣｒ系材料とし、エッチングストッパー層をＳｉＯ₂系材料とすることにより、Ｃｒ系材料は例えば硝酸第２セリウムアンモニウムに過塩素酸を加えた水溶液によるウエットエッチング又は塩素系ガスによるドライエッチングによりエッチングすることができ、ＳｉＯ₂系材料はフッ素系水溶液によるウエットエッチング又はフッ素系ガスによるドライエッチングによりエッチングすることが可能であり、これらは互いのエッチング液又はエッチングガスに対する選択性が高いため、互いのエッチングに対してエッチングされにくい。
なお、ＳｉＯ₂膜もしくはＳＯＧからなるエッチングストッパー膜は透過率にほとんど影響を与えないので、除去しなくてても構わない。
この際、遮光膜と半透光膜とを合わせた光学濃度は３．０以上とする。
また、エッチングストッパー層の厚さは１００〜１０００オンク゛ストロームの範囲とする。
半透光膜の厚さは、半透光膜の透過率が２０％〜５０％となるような膜厚とする。例として、半透光膜にＣｒを用いた場合には半透光膜の膜厚が１００〜２００オンク゛ストロームの範囲（図５）、半透光膜にＣｒＯを用いた場合には、半透光膜の膜厚が６５０〜１４００オンク゛ストロームの範囲（図６）になるようにする。

なお、本発明は上述した実施の形態等に限定されるものではない。
例えば、マスクブランクの段階において、遮光膜上に反射防止層を設けることができる。この場合、遮光膜と反射防止膜は通常同時にエッチングできるので工程増は生じない。反射防止層は、例えば酸化クロム（ＣｒＯx）、窒化クロム（ＣｒＮx）、酸窒化クロム（ＣｒＯxＮy）などで形成できる。
また、ウエット処理の替わりにドライエッチング又はドライ処理を行うことができ、ドライエッチング又はドライ処理の替わりにウエット処理を行うこともできる。また、レーザ描画機による露光に限定されず、他の露光装置を用いても良い。
グレートーン部（半透光部）の光照射量は、所定の膜厚のフォトレジストを十分に感光されるのに必要な光照射量の５０％に限定されない。

（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、半透光膜の膜厚の均一性が非常に高いグレートーンマスクを容易に得ることができる。また、遮光膜をクロム等の遮光性が高く薄い膜で構成できるので、エッチング時間の短縮が図れるとともに、アスペクト比が低くその結果遮光部のパターン形状やパターン精度が良好となる。
特に、本発明は、ＬＣＤ用大型グレートーンマスク等を実用化する上で必要不可欠である。

本発明の一実施の形態にかかる描画データを説明するための図であり、図１（１）は全てのパターンデータを組み込んだ場合の合成データ、図１（２）は遮光部及び透光部の描画データ、図１（３）はグレートーン部の描画データ、をそれぞれ示す。 描画後の光照射量の分布を示す図である。 本発明の一実施の形態にかかるグレートーンマスクの製造手順の一部を示す部分断面図である。 本発明の一実施の形態にかかるグレートーンマスクの製造手順の一部（続き）を示す部分断面図である。 Ｃｒ半透光膜の膜厚と透過率の関係を示す図である。 ＣｒＯ半透光膜の膜厚と透過率の関係を示す図である。 グレートーンマスクを説明するための図であり、（１）は部分平面図、（２）は部分断面図である。 従来の描画データを説明するための図であり、図８（１）は遮光部及び透光部の描画データ、図８（２）はグレートーン部の描画データ、図８（３）は全てのパターンデータを組み込んだ場合の合成データ、をそれぞれ示す。

符号の説明

１ 遮光部
２ 透光部
３ グレートーン部
３ａ 微細遮光パターン
３ｂ 微細透光部
１１ 透明基板
１２ 半透光膜
１３ エッチングストッパー膜（バリアー膜）
１４ 遮光膜
１５ レジスト膜

Claims (6)

1. 遮光部と、透光部と、露光光の一部を透過するグレートーン部とを有するグレートーンマスクであって、該グレートーン部を通過する光を低減し、このグレートーン部を介して露光したフォトレジストの膜厚を選択的に変えることを目的としたＬＣＤ用又はＰＤＰ用大型グレートーンマスクにおいて、
   前記遮光部が、透明基板上に順次形成された半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜を含み、前記グレートーン部が、前記透明基板上に形成された半透光膜及びエッチングストッパー膜を含むことを特徴とするグレートーンマスク。
2. 前記遮光膜及び前記半透光膜を、同一エッチング液又は同一エッチングガスで処理できる膜で構成することを特徴とする請求項１に記載のグレートーンマスク。
3. 前記遮光膜及び前記半透光膜が、クロムを含む材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のグレートーンマスク。
4. 前記エッチングストッパー膜が、ＳｉＯ₂又はＳＯＧ（Spin On Glass）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のグレートーンマスク。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載のグレートーンマスクの製造方法において、
   透明基板上に、少なくとも半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜が順次形成されたマスクブランクを準備する工程と、
   前記ブランク上にレジスト膜を形成する工程と、
   透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、またグレートーン部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程と、
   現像処理を行い、遮光部を形成する部分とグレートーン部を形成する部分とでレジストの残膜値が異なるようなレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとして半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜をエッチングして透光部を形成する工程と、
   前記グレートーン部上に残存するレジストパターンのみを除去する工程と、
   前工程で残存したレジストパターンをマスクとして遮光膜あるいは遮光膜及びエッチングストッパー膜を除去する工程と、
   さらに残存したレジストパターンを剥離する工程と、を含むことを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
6. 請求項１〜４のいずれかに記載のグレートーンマスクを製造するためのグレートーンマスクブランクであって、
   透明基板上に、半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜を有することを特徴とするグレートーンマスクブランク。
   

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