KR101084000B1 - 위상 반전형 그레이톤 블랭크 마스크 및 위상반전형포토마스크와 그 제조 방법 - Google Patents
위상 반전형 그레이톤 블랭크 마스크 및 위상반전형포토마스크와 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101084000B1 KR101084000B1 KR1020060004327A KR20060004327A KR101084000B1 KR 101084000 B1 KR101084000 B1 KR 101084000B1 KR 1020060004327 A KR1020060004327 A KR 1020060004327A KR 20060004327 A KR20060004327 A KR 20060004327A KR 101084000 B1 KR101084000 B1 KR 101084000B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- pattern
- semi
- phase inversion
- phase
- Prior art date
Links
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 41
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- -1 chromium carbide nitride Chemical class 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/46—Antireflective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
LCD 제조의 4-마스크 공정시 반투과막을 투과하는 노광광의 분포가 개선되어 반투과막 패턴 노광에 의한 포토레지스트 잔막의 두께가 일정하고 포토레지스트 잔막의 각도가 커서 해상도가 증가되는 그레이톤 포토마스크를 제조하기 위하여 투명기판 위에 위상반전막 및 반투과막을 형성한 후 반투과 패턴과 그 주위에 형성된 위상반전 패턴을 형성하여 반투과 패턴을 투과하는 투과광의 에지에서 위상반전이 일어나도록 하거나 또는, 투명기판 위에 위상 반전을 위하여 적절히 제어된 두께의 차광막 형성 후 차광막을 패터닝하여 개구부를 형성 한 다음 반투과막을 형성하여 개구부 에지(Edge)에 형성된 적절히 제어된 두께의 반투과막을 위상반전 패턴으로 하여 반투과 패턴을 투과하는 투과광의 에지에서 위상반전이 일어나도록 하는 위상 반전형 그레이톤 포토마스크를 제조방법 및 그 원재료인 위상반전형 그레이톤 블랭크 마스크의 제조 방법이다.
그레이톤, 포토마스크, 블랭크 마스크, 투과율, 위상 반전 마스크
Description
1 : 투명기판 2 : 반투과막
3 : 위상반전막 4 : 차광막
5 : 반사방지막 6 : 포토레지스트
100 : 차광 패턴 101a : 슬릿 패턴
101b : 반투과 패턴
102a, 102b : 위상 반전 패턴
103 : 투과 패턴
200 : TFT용 포토레지스트
201 : TFT 채널부
300, 300a, 300c : TFT 포토레지스트 잔막
본 발명은 액정 표시장치(LCD) 등의 제조에 사용되는 블랭크 마스크 및 포토마스크에 관한 것이다. 특히, 액정 표시장치 제조시 포토마스크를 사용하는 공정수 를 줄이기 위한 4-마스크 및 3-마스크 공정에 사용되는 그레이톤 포토마스크 및 그 원재료인 그레이톤 블랭크 마스크에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시장치(LCD) 등의 제조시 패턴이 형성된 포토마스크를 사용하는 리소그래피 공정이 사용되고 있으며 최근 원가 절감과 수율 향상을 위하여 종래의 5-마스크 공정에서 점차 4-마스크 및 3-마스크로의 공정 이행이 이루어지고 있다. 종래에는 이러한 4-마스크 공정용 포토마스크로서 슬릿 마스크를 사용하는 것이 일반적이다.
종래의 슬릿 마스크는 도 1에 도시한 바와 같이 슬릿 패턴(101a)을 형성하여 노광광의 강도를 감소시키고 슬릿 패턴 사이를 투과하는 투과광의 상호 간섭에 의해 슬릿패턴에 위치하는 LCD 4-마스크 공정의 TFT 포토레지스트에 일정량이 노광되도록 하여 원하는 두께의 포토레지스트 잔막(300)이 잔류하도록 하는 방식이다.
그러나 종래의 슬릿 마스크는 회절되는 투과광을 제어하기가 매우 어렵고 또한 회절광의 강도가 패턴의 에지 부분에서 약해지기 때문에 TFT 제조시 반투과막 패턴(101)의 에지(Edge)에서 포토레지스트 잔막(300a)의 기울기가 작아지게 되어 해상도가 저해된다. 또한, 슬릿이 형성된 부분에는 투과광이 없고 슬릿 사이로 투과되는 광의 회절광에 의해 포토레지스트가 노광되기 때문에 포토레지스트 잔막 표면의 굴곡이 생기게 되어 4-마스크 공정 불안정 및 TFT의 패턴 불량과 수율 감소를 일으키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로 상기 4-마스크 공정시 포토레지스트 잔막의 굴곡이 없는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 및 그 원재료인 위상반전형 그레이톤 블랭크 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명의 다른 목적은 위상반전막(3)과 반투과막(2)을 가지며 각각 투과율과 위상이 적절히 제어되어 4-마스크 공정시 포토레지스트 잔막의 기울기가 개선된 위상반전형 그레이톤 포토마스크 및 그 원재료인 위상반전형 그레이톤 블랭크 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 투명기판 위에 노광광에 대하여 투과율이 적절히 제어된 반투과막(2)과 투과율 및 위상이 적절히 제어된 위상반전막(3)을 형성한 다음, 적어도 차광막(4)을 형성하는 것이 바람직하다.
상기의 반투과막(2)은 4-마스크 공정시 적절한 두께의 포토레지스트 잔막을 잔류시키기 위하여 형성하며, 위상반전막(3)은 위상반전막(3)을 투과하는 투과광과 반투과막(2)을 투과하는 투과광의 상쇄간섭을 통하여 4-마스크 공정시 포토레지스트 잔막(300)의 기울기를 크게 하기 위한 것이다.
또한 상기 투명기판(1) 위에 두께가 적절히 제어된 차광막(4)을 형성한 다음 차광막(4)을 패터닝하여 개구부를 형성하고, 그 위에 반투과막(2)을 형성하여 상기 반투과막(2)이 형성된 개구부 에지 부분에서 차광막(4)의 두께만큼 더 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 개구부 에지의 반투과막(2)은 차광막(4)의 두께만큼 더 두껍게 형성되기 때문에, 상기의 차광막(4)은 반투과막(2)이 형성된 개구부의 에지에서 의도하는 만큼의 위상 이동이 발생하도록 반투과막(2)의 굴절률을 고려하여 정 해진 두께로 형성한다.
또한 상기 반투과막(2) 패턴의 에지에서 위상 이동이 발생하도록 하기 위하여, 상기 차광막(4)의 두께를 50 내지 500nm 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
또한 상기 반투과막(2)의 두께는 50 내지 500nm의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
또한 상기의 위상반전막(3) 또는 개구부의 에지(Edge)에 형성된 반투과막(2)이 반투과막(2)을 투과하는 투과광에 대하여 140 내지 240도의 위상 반전이 이루어지는 것이 바람직하다. 위상반전이 140도 이하 내지 240도 이상이 되면, 상쇄 간섭에 의한 효과가 감소하게 된다.
또한 노광광이 상기의 반투과막(2)과 위상반전막(3)을 동시에 투과하는 반투과막 패턴(102a) 또는 개구부의 에지에 형성되어 위상반전막(3) 역할을 하는 반투과막(102b)을 투과할 때의 투과율이 2 내지 20%가 되는 것이 바람직하다. 투과율이 2% 반투과막(2)을 투과하는 투과광의 상쇄간섭 효과가 작으며, 20% 이상이 되면 포토레지스트를 일부 노광하게 되므로, 4-마스크 공정시의 포토레지스트 잔막의 기울기가 더 작아질 수 있다.
또한 상기의 반투과막(2)이 300 내지 500nm 파장의 노광광에 대하여 10 내지 80%의 투과율을 가지도록 형성하는 것이 바람직하다. 반투과막(2)의 투과율이 10% 이하가 되면 4-마스크 공정시 포토레지스트 잔막(300)의 두께가 너무 두껍게 되며, 투과율이 80%를 초과하게 되면 포토레지스트 잔막(300)의 두께가 너무 얇게 된다.
또한 상기의 위상반전막(3)의 두께를 아래의 수학식 1에 의하여 계산된 두께 로 하는 것이 바람직하며, 위상반전막(3)의 두께를 50 내지 500nm의 두께로 하는 것이 더욱 바람직하다.
d : 위상반전막 두께 Φ : 위상반전
λ : 노광 파장 n : 위상반전막의 굴절률
위상 반전은 상기에 기술한 바와 같이 140 내지 240도의 범위 내에서 가능하며, 또한 일반적으로 LCD 공정의 경우 단일 파장이 아닌 브로드밴드 파장을 사용하기 때문에 목표로 하는 위상 반전각과 위상반전막(3)의 굴절률에 따라서 일정한 범위의 두께 범위를 가질 수 있다.
또한 상기의 반투과막(2), 위상반전막(3) 및 차광막(4)이 각각 다른 패턴을 형성하기 때문에, 반투과막(2), 위상반전막(3) 및 차광막(4)을 형성하는 물질의 식각비가 3 이상이 되는 것이 바람직하며, 식각비가 5 이상이 되는 것이 더욱 바람직하다.
또한 상기의 반투과막(2)이 상기의 차광막(4) 및 위상반전막(3)과 서로 다른 물질로 구성되며, 코발트(Co), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 플래티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 실리콘(Si) 니켈(Ni), 카드 뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 인디움틴옥사이드(ITO)으로 이루어진 군으로부터 적어도 1종 이상을 선택하여 단독으로, 또는 실리콘, 질소, 탄소, 산소 중 하나 이상을 포함하여 사용하는 것이 가능하다.
또한 상기의 위상반전막(3)이 상기의 반투과막(2) 및 차광막(4)과 서로 다른 물질로 구성되며, 코발트(Co), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 플래티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 실리콘(Si) 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 인디움틴옥사이드(ITO)으로 이루어진 군으로부터 적어도 1종 이상을 선택하여 단독으로, 또는 실리콘, 질소, 탄소, 산소 중 하나 이상을 포함하여 사용하는 것이 가능하다.
또한 상기의 반투과막(2) 및 위상반전막(3) 및 차광막(4)이 물리 기상 증착법(PVD), 화학 기상 증착법(CVD), 원자층 적층법(ALD)으로 형성하는 것이 바람직하며, 물리 기상 증착법(PVD) 중 리액티브 스퍼터링법으로 형성하는 것이 더욱 바람직하다.
이때 상기의 차광막(4) 위에 반사방지막(5)을 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 위상반전형 그레이톤 블랭크 마스크를 사용하여 위상반전형 그레이톤 포토마스크를 제조할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
(실시예 1)
도 2a 내지 도 2k는 본 발명의 제1 실시예에 따른 블랭크 마스크 및 포토마스크와 그 제조방법을 도시한 것이다.
도면을 참조하면, 먼저 투명기판(1) 위에 반투과막(2)으로서 인듐주석(InSn) 타겟과 불활성 가스와 리액티브 가스로서 산소(O2) 가스를 사용하는 리액티브 스퍼터링법으로, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO)을 약 30nm 두께로 형성하였다. 이때 두께 및 스퍼터링 조건은 반투과막(2)이 436nm의 파장에서 50%의 투과율이 되도록 조절하였다.
그 다음 위상반전막(3)으로서 알루미늄 타겟과 불활성 가스 및 질소(N2) 가스를 사용하는 리액티브 스퍼터링법으로 알루미늄 질화물(AlN)을 160nm 두께로 형성하였다. 이때 알루미늄 질화물의 두께, 및 스퍼터링 조건은 436nm의 노광파장에서 위상 이동이 160 내지 200도를 만족하고 반투과막(2)과 위상반전막(3)을 동시에 투과하는 투과율이 6% 내외가 되도록 적절히 조절하였다.
그 다음 크롬(Cr) 타겟과 불활성 가스, 질소 및 메탄(CH4) 가스를 사용하는 리액티브 스퍼터링법으로 크롬 탄화 질화물(CrCN)의 차광막(4)을 80nm 두께로 형성하였다. 그 다음 크롬 타겟과 불활성 가스, 질소, 이산화탄소(CO2) 가스를 사용하는 리액티브 스퍼터링법으로 크롬 탄화 산화 질화물(CrCON)의 반사방지막(5)을 30nm 두께로 형성하였다. 그 다음 1차 포토레지스트(6)를 스캔 앤드 스핀 (Scan and Spin) 코팅법으로 1000nm 두께로 형성하여 위상반전형 그레이톤 블랭크 마스크 를 제작하였다. 이러한 과정에 의해 제조된 위상반전형 그레이톤 블랭크 마스크의 개략적인 단면을 도 2a에 도시하였다.
이후 상기의 위상반전형 그레이톤 블랭크 마스크를 사용하여 위상 반전형 그레이톤 포토 마스크를 제작하였다. 먼저 1차 포토레지스트(6)에 1차 노광 및 현상하였다. 이때 1차 노광은 차광 패턴(100)과 투과 패턴(103)이 형성되도록 노광한다. 그 다음 반사방지막(5)과 차광막(4)을 순차적으로 습식 식각하여 제거하였다(도 2b). 이때 그 하부에 있는 알루미늄 질화물의 위상반전막(3)은 식각 특성이 다르기 때문에 식각되지 않는다.
그 다음 알루미늄 식각액을 사용하여 위상반전막(3)을 식각한다(도 2c). 이 때 그 하부에 있는 인듐 주석 산화물(ITO)의 반투과막(2)은 식각 특성이 다르기 때문에 식각되지 않는다. 그 다음 반투과막(2)을 식각한 후 잔류하는 포토레지스트(6)를 제거하면 차광 패턴(100)과 투과 패턴(103)이 형성된다(도 2d). 그 다음 반투과 패턴(101b)을 형성하기 위하여 2차 포토레지스트(6)를 상기의 1차 포토레지스트(6)와 동일한 방법으로 코팅하였다. 상기의 과정에 의해 제조된 2차 위상반전형 그레이톤 블랭크 마스크의 단면을 도 2e에 개략적으로 도시하였다.
그 다음 2차 노광 및 2차 현상하였다. 이때 2차 노광은 반투과 패턴을 노광하였다. 그 다음 반사방지막(5)과 차광막(4)을 순차적으로 식각하였다(도 2f). 그 다음 위상반전막(3)을 식각하였다(도 2g). 이때 반투과 패턴(101b)이 형성되며 반투과막(2)을 투과하는 노광광은 적절한 투과율을 가지게 된다.
그 다음 잔류하는 포토레지스트(6)를 스트립하여 제거한다(도 2h). 그 다음 상기의 1차 포토레지스트(6) 코팅과 동일한 방법으로 3차 포토레지스트(6)를 형성하였다. 그 다음 3차 노광하고 현상하였다(도 2i). 이때 반투과 패턴(101b)을 투과하는 광의 에지(Edge)에서 상쇄간섭을 위하여 상기의 반투과막 패턴(101b)의 주위로 좀 더 크게 패턴이 형성되도록 노광하였다.
그 다음 반사방지막(5)과 차광막(4)을 순차적으로 식각한다(도 2j). 그 다음 잔류 포토레지스트(6)를 제거하면(도 2k) 위상반전형 그레이톤 포토 마스크가 완성된다.
상기의 위상반전형 그레이톤 포토마스크의 반투과 패턴(101b)의 투과율을 측정하였을 때, 노광 파장의 일부인 436nm에서 48%로 측정되었다. 또한 반투과 패턴(101b)의 에지 부분의 위상반전막(3)과 반투과막(2)을 투과하는 광의 투과율을 측정하였더니 436nm에서 6.3%로 측정되었다. 또한 반투과 패턴(101b)과 반투과 패턴(101b) 에지 부분의 위상반전막(3)과의 위상차를 측정하였더니 436nm에서 168도의 위상이동이 발생하였다. 상기의 투과율 측정값과 위상이동 측정값을 사용하여 시뮬레이션 소프트웨어로 상기의 위상반전형 그레이톤 포토마스크를 사용하여 LCD 제조의 4-마스크 공정을 진행하였을 때, 반투과막(2) 및 위상반전막(3)을 투과하여 TFT 위의 포토레지스트에 전사되는 노광광의 강도와 포토레지스트 잔막(300b)의 두께 분포를 계산하였다. 상기의 계산 결과를 도 3에 개략적으로 도시하였으며, 슬릿 마스크를 사용하는 도 1a 또는 종래의 그레이톤 포토마스크를 사용하는 도 1b의 결과와 비교하여 노광광의 분포가 개선되었다. 또한 상기 노광광의 분포 개선으로 인하여 포토레지스트 잔막의 분포(300b)가 표면의 굴곡이 없이 균일하고 패턴 에지 (Edge)에서의 포토레지스트의 기울기가 커져 패턴부와 패턴되지 않은 부분이 분명하게 구별되는 우수 해상도의 결과를 얻었다.
(실시예 2)
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 제2 실시예에 따른 블랭크 마스크 및 포토마스크와 그 제조 방법을 도시한 것이다.
도면을 참조하면, 먼저 투명기판(1) 위에 본 발명의 제1 실시예와 동일한 방법으로 크롬 탄화 질화물(CrCN)의 차광막(4)을 300nm 두께로 형성하였다. 이때 차광막(4)의 두께는 상기의 식 (1)에 근거하여 노광 파장과 추후에 형성될 반투과막(2)의 굴절률을 고려하여 반투과막 패턴(101c)의 에지에서 160 내지 200도의 위상 반전이 일어나도록 적절히 선택하였다.
그 다음 상기의 실시예 1과 동일한 방법으로 1차 포토레지스트(6)를 형성하여 위상반전형 그레이톤 블랭크 마스크를 완성하였다(도 4a). 그 다음 1차 노광하여 반투과막 패턴(101c)이 형성될 개구부를 형성한 다음, 차광막(4)을 식각하였다(도 4b). 그 다음 잔류 포토레지스트(6)를 제거하고(도 4c) 그 위에 436nm의 노광파장에서 50%의 투과율이 되도록 화학 기상 증착(CVD) 장치에 SiH4 가스와 NH3 가스를 사용하여 실리콘 질화물(SiN)의 반투과막(2)을 200nm 두께로 형성하였다(도 4d). 이때 개구부의 에지에 두껍게 형성되는 반투과막(2)은 차광막(4) 두께와 반투과막(2) 두께가 합쳐진 두께로 형성되게 되므로 반투과막(2) 두께보다 차광막(4)의 두께만큼 두껍게 형성된다. 따라서 자연적으로 개구부 측면에 형성된 반투과막(2)은 투과율이 감소하게 된다. 또한 반투과막(2)과 차광막(4)의 두께만큼 두께가 두 껍기 때문에 투과광의 위상을 이동시키게 되며 따라서 위상반전막(3)의 역할을 하게 된다.
그 다음 상기의 실시예 1과 동일한 방법으로 2차 포토레지스트(6)를 형성하였다(도 4e). 그 다음 2차 노광 후 현상한다. 이때 차광 패턴(100) 및 투과 패턴(103)을 형성하도록 노광하였다(도 4f). 그 다음 반투과막(2)을 식각하여 제거한다(도 4g). 그 다음 차광막(4)을 식각하여 제거하고(도 4h) 잔류하는 포토레지스트(6)를 제거하면 위상반전형 그레이톤 포토마스크가 완성된다(도 4i).
상기의 위상반전형 그레이톤 포토마스크의 반투과 패턴(101b)의 투과율을 측정하였을 때 노광 파장의 일부인 436nm에서 51%로 측정되었다. 또한 반투과 패턴(101b)의 에지 부분의 위상반전막(3) 역할을 하는 반투과막(2)을 투과하는 광의 투과율을 측정하였더니 436nm에서 9.6%로 측정되었다. 또한 반투과 패턴(101b)과 반투과 패턴(101b) 에지 부분의 위상차를 측정하였더니, 436nm에서 185도의 위상이동이 발생하였다. 상기의 투과율 측정값과 위상이동 측정값을 사용하여 시뮬레이션 소프트웨어로 상기의 위상반전형 그레이톤 포토마스크를 사용하여 LCD 제조의 4-마스크 공정을 진행하였을 때, 반투과막(2) 및 위상반전막(3)을 투과하여 TFT 위의 포토레지스트에 전사되는 노광광의 강도와 포토레지스트 잔막(300c)의 두께 분포를 계산하였다. 상기의 계산 결과를 도 3에 개략적으로 도시하였으며, 슬릿 마스크를 사용하는 도 1a 또는 종래의 그레이톤 포토마스크를 사용하는 도 1b의 결과와 비교하여 노광광의 분포가 개선되었다. 또한 상기 노광광의 분포 개선으로 인하여 포토레지스트 잔막(300c)의 분포가 표면의 굴곡이 없이 균일하고 패턴 에지(Edge)에서 의 포토레지스트의 기울기가 커져 패턴부와 패턴되지 않은 부분이 분명하게 구별되어 해상도가 증가되었다.
상술한 바와 같이 본 발명의 블랭크 마스크 및 포토마스크는 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, 상기의 위상반전형 그레이톤 포토마스크는 투과율과 위상이 적절히 제어된 반투과막 패턴을 형성함으로써, LCD 제조의 4-마스크 공정시에 포토레지스트 잔막의 굴곡이 발생되지 않게 되어, LCD 제조의 공정을 안정화시키고 수율을 향상시키는 효과가 있다.
둘째, 상기의 위상반전형 그레이톤 포토마스크는 위상반전막이 형성되어 반투과막 패턴의 에지에 위상반전막 패턴이 형성되거나, 또는 반투과막의 에지) 부분에서 위상반전막 역할을 하도록 차광막 및 반투과막이 형성되기 때문에, 반투과막을 투과하는 노광광은 에지 부분에서의 상쇄간섭 효과에 의해 LCD 제조의 4-마스크 공정시에 포토레지스트 잔막의 기울기가 개선되어 해상도가 증가되어 LCD 제조의 공정을 안정화시키고 수율을 향상시키는 효과가 있다.
본 발명은 상기에 설명되고 도면에 예시된 것에 의해 한정되는 것은 아니며, 다음에 청구되는 기재의 범위 내에서 더 많은 변형 및 변용예가 가능한 것임은 물론이다.
Claims (15)
- 투과 패턴, 반투과 패턴, 차광 패턴 및 위상반전 패턴을 가지는 위상반전형 그레이톤 포토마스크의 원재료인 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크로서,투명 기판 위에 반투광막, 위상반전막 및 차광막을 포함하고,상기 반투과 패턴은 적어도 상기 투명 기판 위에 상기 반투광막이 형성된 것이고, 상기 위상반전 패턴은 적어도 상기 투명 기판 위에 상기 위상반전막이 형성된 것이며,상기 위상반전막은, 노광광에 대하여 상기 반투과 패턴을 투과한 노광광과 상기 위상반전 패턴을 투과한 노광광이 상쇄되어 강도가 감소될 수 있는 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 위상반전막의 두께(d)는 식(1)에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.식(1) d=(φ×λ)/(2(n-1))(여기서, φ는 140° 내지 200°, λ는 노광광의 파장, n은 위상반전막의 굴절률임)
- 제1항에 있어서,상기 위상반전 패턴은 적어도 상기 투명 기판 위에 상기 반투광막과 상기 위상반전막이 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 반투과 패턴은 상기 노광광에 대한 투과율이 10% 내지 80%인 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 위상반전 패턴은 상기 노광광에 대한 투과율이 2% 내지 10%인 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 위상반전 패턴은 상기 반투과 패턴에 인접하여 형성되는 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 반투광막과 위상반전막, 또는 상기 반투광막과 차광막, 또는 상기 위상반전막과 차광막은 식각비가 3 이상인 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
- 투과 패턴, 반투과 패턴 및 차광 패턴을 가지는 위상반전형 그레이톤 포토마스크의 원재료인 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크로서,투명 기판 위에 차광막이 패터닝되어 상기 차광 패턴이 형성되고, 상기 차광 패턴에 의해 노출된 상기 투명 기판과 상기 차광 패턴 위에 반투광막이 형성되고,상기 투명 기판 위에 형성된 상기 반투광막에서, 노광광에 대하여 상기 차광 패턴에 인접한 에지(edge) 부분을 투과한 노광광과 상기 에지 부분을 제외한 부분을 투과한 노광광이 상쇄되어 강도가 감소될 수 있는 두께를 가지며, 상기 에지 부분에서 노광광에 대한 투과율이 2% 내지 10%를 갖도록 상기 반투광막이 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
- 제8항에 있어서,상기 차광 패턴에 인접한 상기 반투광막의 에지 부분의 두께(d)는 식(1)에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.식(1) d=(φ×λ)/(2(n-1))(여기서, φ는 140° 내지 200°, λ는 노광광의 파장, n은 반투광막의 굴절률임)
- 제8항에 있어서,상기 반투광막의 에지 부분을 제외한 부분은 상기 노광광에 대한 투과율이 10% 내지 80%인 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
- 삭제
- 제1항 또는 제8항에 있어서,상기 노광광은 파장이 300㎚ 내지 500㎚인 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
- 제1항 또는 제8항에 있어서,상기 차광막은 상기 노광광에 대한 반사율을 저감시키는 반사방지막을 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
- 제1항에 있어서,상기 위상반전막의 두께는 50㎚ 내지 500㎚인 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
- 제8항에 있어서,상기 반투광막의 두께는 50㎚ 내지 500㎚인 것을 특징으로 하는 위상반전형 그레이톤 포토마스크 블랭크.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060004327A KR101084000B1 (ko) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | 위상 반전형 그레이톤 블랭크 마스크 및 위상반전형포토마스크와 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060004327A KR101084000B1 (ko) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | 위상 반전형 그레이톤 블랭크 마스크 및 위상반전형포토마스크와 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070075735A KR20070075735A (ko) | 2007-07-24 |
| KR101084000B1 true KR101084000B1 (ko) | 2011-11-17 |
Family
ID=38500773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060004327A KR101084000B1 (ko) | 2006-01-16 | 2006-01-16 | 위상 반전형 그레이톤 블랭크 마스크 및 위상반전형포토마스크와 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101084000B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9188851B2 (en) | 2012-09-04 | 2015-11-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Pattern mask and method of manufacturing thin film pattern using pattern mask |
| KR20180029877A (ko) * | 2016-09-13 | 2018-03-21 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치의 제조 방법 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI461833B (zh) * | 2010-03-15 | 2014-11-21 | Hoya Corp | 多調式光罩、多調式光罩之製造方法及圖案轉印方法 |
| KR20130067332A (ko) | 2011-11-16 | 2013-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광용 마스크 및 그 마스크를 사용한 기판 제조 방법 |
| JP6139826B2 (ja) * | 2012-05-02 | 2017-05-31 | Hoya株式会社 | フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
| JP6259509B1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-01-10 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | ハーフトーンマスク、フォトマスクブランクス及びハーフトーンマスクの製造方法 |
| KR102525586B1 (ko) * | 2017-11-15 | 2023-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토 마스크 및 포토 마스크를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000181049A (ja) | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP3522073B2 (ja) | 1996-06-10 | 2004-04-26 | シャープ株式会社 | レティクル、フォトリソグラフィの利用方法、パターニング方法およびフォトレジストプロファイルの形成方法 |
| JP2005010814A (ja) | 2004-10-01 | 2005-01-13 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
| JP2005257712A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-01-16 KR KR1020060004327A patent/KR101084000B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3522073B2 (ja) | 1996-06-10 | 2004-04-26 | シャープ株式会社 | レティクル、フォトリソグラフィの利用方法、パターニング方法およびフォトレジストプロファイルの形成方法 |
| JP2000181049A (ja) | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2005257712A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
| JP2005010814A (ja) | 2004-10-01 | 2005-01-13 | Hoya Corp | グレートーンマスク及びその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9188851B2 (en) | 2012-09-04 | 2015-11-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Pattern mask and method of manufacturing thin film pattern using pattern mask |
| KR20180029877A (ko) * | 2016-09-13 | 2018-03-21 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102003598B1 (ko) | 2016-09-13 | 2019-07-24 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070075735A (ko) | 2007-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101084000B1 (ko) | 위상 반전형 그레이톤 블랭크 마스크 및 위상반전형포토마스크와 그 제조 방법 | |
| TWI422961B (zh) | 光罩及其製造方法、圖案轉印方法、以及顯示裝置之製造方法 | |
| US10527931B2 (en) | Mask blank, transfer mask, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
| TWI598679B (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
| KR101333931B1 (ko) | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크의 제조방법 | |
| JP2012230379A (ja) | ブランクマスク及びフォトマスク | |
| JP2018109672A (ja) | ハーフトーンマスク、フォトマスクブランクス及びハーフトーンマスクの製造方法 | |
| JP2008052120A (ja) | マスクブランク及びフォトマスク並びにこれらの製造方法 | |
| JP5336226B2 (ja) | 多階調フォトマスクの製造方法 | |
| KR100800301B1 (ko) | 그레이톤 블랭크마스크 및 포토마스크 제조방법 | |
| KR100812253B1 (ko) | 그레이톤 포토마스크의 제조방법, 그레이톤 포토마스크 및그레이톤 블랭크마스크 | |
| TW201019045A (en) | Multi-tone photomask, pattern transfer method and method of producing a display device using the multi-tone photomask | |
| KR20160024222A (ko) | 평판 디스플레이용 포토마스크 및 그의 제조 방법 | |
| KR101430763B1 (ko) | 마스크 블랭크 및 포토마스크 | |
| KR20130028167A (ko) | 평판 디스플레이 소자의 제조에 사용되는 그레이 톤 마스크 및 그 제조방법 | |
| KR100886802B1 (ko) | 블랭크마스크, 이를 이용한 투과 제어 슬릿 마스크 및 그제조방법 | |
| TWI641902B (zh) | 半色調光罩、光罩坯料、及半色調光罩的製造方法 | |
| KR20140048062A (ko) | 평판 디스플레이 소자의 해상력 및 생산성 향상을 위한 포토 마스크 및 그 제조 방법 | |
| KR101329525B1 (ko) | 그레이톤 블랭크 마스크와 그레이톤 포토마스크 및 그제조방법 | |
| KR20090016113A (ko) | 하프톤 블랭크마스크, 이를 이용한 하프톤 슬릿 마스크 및그 제조방법 | |
| TWI465838B (zh) | 多色調光罩、光罩基底及圖案轉印方法 | |
| KR20070073244A (ko) | 그레이톤 블랭크마스크 및 포토마스크 제조방법 | |
| KR20100096650A (ko) | 그레이톤 블랭크 마스크 및 그레이톤 포토마스크 | |
| KR20170095747A (ko) | 에칭액 및 에칭액에 의해 가공된 포토 마스크 | |
| KR100955781B1 (ko) | 멀티톤 블랭크 마스크, 멀티톤 포토 마스크 및 그의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141031 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151023 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161018 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181101 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191204 Year of fee payment: 9 |