JP2012230379A - ブランクマスク及びフォトマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して160゜ないし200゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。これにより、等倍露光装置を利用してフラットパネルディスプレイ(FPD)デバイスを製造するに当って高い解像度を表すことができ、特に、複数の露光光を利用する等倍露光装置に好適である。
【選択図】 図4B
Description
PSM)である。フォトマスク300は、ブラインド領域50及びメイン領域60に遮光膜パターン20aが備えられ、透明基板10及び遮光膜パターン20a上に位相反転膜30が備えられたブランクマスク300aをパターニングして形成する。前記パターニングは前述した図4Bと同様に、遮光領域、透光領域及び位相反転領域を露出させるマスクパターンを形成してエッチングする方法で行う。フォトマスク300のブラインド領域50には、位相反転膜30及び遮光膜パターン20aが順次にエッチングされて露出された透明基板10領域を含む透光領域104と遮光領域102とが備えられる。また、メイン領域60には遮光膜パターン20aを包むように位相反転膜30がエッチングされて、すなわち、パターニングされて露出された透明基板10領域と位相反転領域106とが備えられる。この時、メイン領域60の遮光膜パターン20a側面に配置される位相反転膜パターン30aによりリムタイプの位相転移マスクが具現され、前記位相反転膜パターン30aにより解像度が増大する。さらに、ブラインド領域50の遮光膜パターン20a側面には位相反転膜パターン30aが残留し、前記位相反転膜パターン30aにより解像度が増大する。
20 遮光膜
30 位相反転膜
25、40 フォトレジスト膜
102 遮光領域
104 透光領域
106 位相反転領域
100、300a ブランクマスク
200、300、400 フォトマスク
Claims (13)
- ブラインド領域に遮光領域及び透光領域が備えられ、メイン領域に位相反転領域及び透光領域が備えられたフラットパネルディスプレイ(FPD)製造用フォトマスクであり、
前記ブラインド領域は、透明基板上に遮光膜パターン及び位相反転膜が積層されて構成され、前記ブラインド領域の透光領域は、前記位相反転膜及び遮光膜パターンが順次にエッチングされて露出された前記透明基板領域を含み、
前記メイン領域の透光領域は、透明基板上に積層された位相反転膜がエッチングされて露出された前記透明基板領域を含み、
前記遮光膜パターンのエッチング速度は、同じエッチング物質に対して前記位相反転膜のエッチング速度より速いことを特徴とするフォトマスク。 - ブラインド領域に遮光領域及び透光領域が備えられ、メイン領域に遮光領域、位相反転領域及び透光領域が備えられたFPD製造用フォトマスクであり、
前記ブラインド領域は、透明基板上に遮光膜パターン及び位相反転膜が積層されて構成され、前記ブラインド領域の透光領域は、前記位相反転膜及び遮光膜パターンが順次にエッチングされて露出された前記透明基板領域を含み、
前記メイン領域の透光領域は、透明基板上に積層された遮光膜パターンを包むように、前記透明基板及び前記遮光膜パターン上に積層された位相反転膜がエッチングされて露出された前記透明基板領域を含み、
前記遮光膜パターンのエッチング速度は、同じエッチング物質に対して前記位相反転膜のエッチング速度より速いことを特徴とするフォトマスク。 - ブラインド領域に遮光領域及び透光領域が備えられ、メイン領域に遮光領域、位相反転領域及び透光領域が備えられたFPD製造用フォトマスクであり、
前記ブラインド領域は、透明基板上に遮光膜パターン及び位相反転膜が積層されて構成され、前記ブラインド領域の透光領域は、前記位相反転膜及び遮光膜パターンが順次にエッチングされて露出された前記透明基板領域を含み、
前記メイン領域の透光領域は、透明基板の一部分に残留すると共に、前記透明基板上に積層された遮光膜パターンを包むように、前記透明基板及び前記遮光膜パターン上に積層された位相反転膜がエッチングされて露出された前記透明基板領域を含み、
前記遮光膜パターンのエッチング速度は、同じエッチング物質に対して前記位相反転膜のエッチング速度より速いことを特徴とするフォトマスク。 - 前記ブラインド領域とメイン領域との境界に配置された前記遮光膜パターンの側面に、前記位相反転膜がエッチングされて形成された位相反転膜パターンが配置されたことを特徴とする請求項1ないし3のうちいずれか一項に記載のフォトマスク。
- 前記遮光膜パターン及び前記位相反転膜は、それぞれの厚さd1及びd2と同じエッチング物質に対するエッチング速度V1及びV2に対して、d1/V1≦d2/V2の関係を持つことを特徴とする請求項1ないし3のうちいずれか一項に記載のフォトマスク。
- 前記遮光膜パターン及び前記位相反転膜は、クロム(Cr)を含むことを特徴とする請求項1ないし3のうちいずれか一項に記載のフォトマスク。
- 前記位相反転膜は、酸素(O)、窒素(N)、炭素(C)のうち一つ以上の物質をさらに含むことを特徴とする請求項1ないし3のうちいずれか一項に記載のフォトマスク。
- 前記遮光膜パターンの厚さは、1200Å以下であることを特徴とする請求項1ないし3のうちいずれか一項に記載のフォトマスク。
- 前記位相反転膜の厚さは、500Åないし2500Åであることを特徴とする請求項1ないし3のうちいずれか一項に記載のフォトマスク。
- 前記位相反転膜は、露光光に対して160゜ないし200゜の位相差を持つことを特徴とする請求項1ないし3のうちいずれか一項に記載のフォトマスク。
- 前記露光光は、i線、h線、g線のうちいずれか一つ以上を含み、前記位相反転膜は、前記露光光であるi線、h線、g線に対する位相差偏差が20゜以下であり、透過率が1%ないし30%であり、透過率偏差が10%以下であることを特徴とする請求項10に記載のフォトマスク。
- ブラインド領域に遮光領域及び透光領域が備えられ、メイン領域に位相反転領域及び透光領域が備えられたFPD製造用フォトマスクの製造方法であり、
前記ブラインド領域と対応する透明基板上に遮光膜パターンを形成する段階と、
前記ブラインド領域の前記遮光膜パターン及び前記メイン領域と対応する透明基板上に、同じエッチング物質に対して前記遮光膜パターンよりエッチング速度の遅い位相反転膜を形成する段階と、
前記メイン領域及び前記ブラインド領域の前記透明基板の一部分が露出されるように、前記位相反転膜及び前記遮光膜パターンを順次にエッチングする段階と、
を含むフォトマスクの製造方法。 - ブラインド領域に遮光領域及び透光領域が備えられ、メイン領域に遮光領域、位相反転領域及び透光領域が備えられたFPD製造用フォトマスクの製造方法であり、
前記ブラインド領域と対応する透明基板及び前記メイン領域と対応する透明基板の一部分上に遮光膜パターンを形成する段階と、
前記メイン領域及びブラインド領域の前記遮光膜パターンと前記メイン領域の前記透明基板上に、同じエッチング物質に対して前記遮光膜パターンよりエッチング速度の遅い位相反転膜を形成する段階と、
前記メイン領域の前記遮光膜パターンを覆うと共に、前記ブラインド領域及び前記メイン領域の前記透明基板一部分が露出されるように、前記位相反転膜及び前記遮光膜パターンを順次にエッチングする段階と、
を含むフォトマスクの製造方法。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013148892A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-08-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法 |
WO2014103867A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
JP5668168B1 (ja) * | 2014-06-17 | 2015-02-12 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | プロキシミティ露光用フォトマスク |
KR20150026779A (ko) | 2013-08-30 | 2015-03-11 | 호야 가부시키가이샤 | 표시 장치 제조용 포토마스크, 그 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP2015064404A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2015102633A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
KR20170003412A (ko) | 2015-06-30 | 2017-01-09 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크, 포토마스크의 설계 방법, 포토마스크 블랭크 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP2017026701A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
JP2017033004A (ja) * | 2016-09-21 | 2017-02-09 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 |
JP2017219865A (ja) * | 2017-09-07 | 2017-12-14 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク、及び表示装置の製造方法 |
KR20190047032A (ko) * | 2016-12-28 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 에스케이 일렉트로닉스 | 하프톤 마스크, 포토마스크 블랭크스 및 하프톤 마스크의 제조방법 |
JP2019204137A (ja) * | 2019-09-10 | 2019-11-28 | Hoya株式会社 | フォトマスクの設計方法および製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101282040B1 (ko) * | 2012-07-26 | 2013-07-04 | 주식회사 에스앤에스텍 | 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 |
KR101485755B1 (ko) * | 2012-08-09 | 2015-01-26 | 주식회사 에스앤에스텍 | 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000098583A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 描画用アライメントマークを有する位相シフトマスク |
JP2001312043A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Dainippon Printing Co Ltd | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス |
JP2009265620A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-11-12 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP2011013283A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスク |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020110760A1 (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-15 | Macronix International Co., Ltd. | Method for improving hydrophilic character of photoresist and effect of development |
-
2011
- 2011-11-30 KR KR1020110126960A patent/KR101151685B1/ko active IP Right Grant
-
2012
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000098583A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 描画用アライメントマークを有する位相シフトマスク |
JP2001312043A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Dainippon Printing Co Ltd | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス |
JP2009265620A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-11-12 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP2011013283A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスク |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013148892A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-08-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法 |
JP5982013B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2016-08-31 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
WO2014103867A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
KR102168151B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2020-10-20 | 알박 세이마쿠 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크 및 그의 제조방법 |
KR20150102004A (ko) * | 2012-12-27 | 2015-09-04 | 알박 세이마쿠 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크 및 그의 제조방법 |
JPWO2014103867A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-01-12 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
KR20150026779A (ko) | 2013-08-30 | 2015-03-11 | 호야 가부시키가이샤 | 표시 장치 제조용 포토마스크, 그 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP2015049282A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 |
KR20160091866A (ko) | 2013-08-30 | 2016-08-03 | 호야 가부시키가이샤 | 표시 장치 제조용 포토마스크, 그 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP2015064404A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
KR101935171B1 (ko) * | 2013-11-22 | 2019-01-03 | 호야 가부시키가이샤 | 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 블랭크, 표시 장치 제조용의 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP2015102633A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
JP2016004174A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | プロキシミティ露光用フォトマスク |
JP5668168B1 (ja) * | 2014-06-17 | 2015-02-12 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | プロキシミティ露光用フォトマスク |
CN106324977A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | Hoya株式会社 | 光掩模、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法 |
JP2017015863A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの設計方法、フォトマスクブランク、および表示装置の製造方法 |
KR20170003412A (ko) | 2015-06-30 | 2017-01-09 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크, 포토마스크의 설계 방법, 포토마스크 블랭크 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN106324977B (zh) * | 2015-06-30 | 2023-05-12 | Hoya株式会社 | 光掩模、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法 |
JP2017026701A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
JP2017033004A (ja) * | 2016-09-21 | 2017-02-09 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 |
KR102193360B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2020-12-21 | 가부시키가이샤 에스케이 일렉트로닉스 | 하프톤 마스크, 포토마스크 블랭크스 및 하프톤 마스크의 제조방법 |
KR20190047032A (ko) * | 2016-12-28 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 에스케이 일렉트로닉스 | 하프톤 마스크, 포토마스크 블랭크스 및 하프톤 마스크의 제조방법 |
JP2017219865A (ja) * | 2017-09-07 | 2017-12-14 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク、及び表示装置の製造方法 |
JP2019204137A (ja) * | 2019-09-10 | 2019-11-28 | Hoya株式会社 | フォトマスクの設計方法および製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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