KR101329525B1 - 그레이톤 블랭크 마스크와 그레이톤 포토마스크 및 그제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 365nm의 단일 파장의 광을 노광광으로 하거나 또는 주 노광광으로 하는 리소그래피 노광 장치에 사용되는 그레이톤 포토마스크의 제조방법과 그 원재료인 그레이톤 블랭크 마스크에 관한 것으로서, 색수차가 없고 해상도가 우수하여 2㎛ 이하의 패턴을 형성할 수 있도록 제조된 마스크 단축 공정용의 그레이톤 포토마스크 및 이에 사용 가능한 그레이톤 블랭크 마스크와 그 제조 방법을 제공한다.

그레이톤 마스크, 마스크 단축 공정, 블랭크 마스크, 포토마스크, i-line

Description

그레이톤 블랭크 마스크와 그레이톤 포토마스크 및 그 제조방법{Gray-tone Blank Mask and Gray-tone Photomask, the Manufacturing method of them}

도 1은 본 발명의 제 1 실시예를 도시한 단면도이다.

도 2는 본 발명의 제 2 실시예를 도시한 단면도이다.

<　도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

1 : 투명기판　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 2 : 반투과막

3 : 차광막 4 : 반사방지막

5 : 포토레지스트

본 발명은 액정 표시장치(LCD), 유기전계 발광 소자(OLED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 전계 발광 디스플레이(FED) 등의 평판 디스플레이(FPD) 제품의 제조시 마스크 단축 공정에 사용되는 그레이톤 블랭크 마스크 및 포토마스크에 관한 것이다.

오늘날 액정표시장치(LCD), 유기전계 발광 소자(OLED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 전계 발광소자(FED) 등의 평판 디스플레이(FPD) 제품은 시장의 요구가 고급화, 고기능화 됨에 따라 그 응용 범위가 확대되면서, 우수한 제조 공정 기술의 개발이 요구되고 있다.

일반적으로 TFT-LCD 등의 평판 디스플레이 제조시 패턴이 형성된 포토마스크를 사용하는 리소그래피 공정이 사용되고 있으며 최근 원가 절감과 수율 향상을 위하여 마스크 단축 공정을 사용하는 기술이 개발, 적용되고 있다.

예를 들면 TFT-LCD의 경우 TFT 기판 제조시 종래의 5-마스크 공정에서 점차 4-마스크 및 3-마스크로의 공정 이행이 이루어지고 있다. 상기의 마스크 단축 공정은 하나의 포토마스크로써 2회의 노광 효과를 낼 수 있는 마스크 단축 공정용 포토마스크를 사용하는 방법으로 가능하며, 노광회수 감소에 따른 공정 단축, 생산성 향상 및 수율 향상, 재료비 절감에 의한 원가 절감 효과를 얻을 수 있다.

상기 마스크 단축 공정용 포토마스크는 1회의 노광으로 2회의 노광 효과를 내어야 하기 때문에 종래의 포토마스크가 차광 패턴과 투과 패턴으로 이루어진 반면에 마스크 단축 공정용 포토마스크는 차광 패턴, 투과 패턴, 반투과 패턴으로 이루어지게 된다.

마스크 단축 공정은 상기 패턴에 의해 노광을 실시하여 피사체의 포토레지스트가 투과 패턴에 의해 완전히 제거된 영역과, 반투과 패턴에 의해 피사체의 포토레지스트 잔막이 잔류하는 영역, 차광 패턴에 의해 피사체의 포토레지스트가 완전한 두께로 잔류하는 영역을 형성시키고 먼저 포토레지스트가 완전히 제거된 영역을 식각 등의 방법으로 패터닝하여 1회의 노광에 의한 효과를 얻고, 애슁(Ashing) 등의 방법으로 포토레지스트 잔막이 잔류하는 영역의 포토레지스트를 제거한 다음 새롭게 노출된 영역을 식각하는 등의 방법으로 패터닝하여 2회째의 노광 효과를 얻는 방법이다. 종래에는 이러한 마스크 단축 공정용 포토마스크로서 종래의 바이너리 블랭크 마스크를 사용하고 반투과 패턴으로 슬릿 패턴이 형성된 슬릿 마스크(Slit Mask)를 사용하는 것이 일반적이었으나, 최근 패턴이 미세화 됨에 따라 슬릿 마스크 대신 그레이톤 블랭크 마스크를 사용하고 반투과 패턴에 반투과막이 적층된 그레이톤 마스크(Graytone Mask)가 필요하게 되었다.

그러나 상기 그레이톤 마스크는 다음과 같은 문제점이 있었다.

최근, 평판 디스플레이 제품이 급격히 고급화됨에 따라 그 제조 공정이 더욱 미세한 패턴의 제조가 요구되고 있는데 TFT-LCD와 같은 평판 디스플레이 제품 제조시 브로드 밴드(Broad Band) 파장을 노광광으로 하여 리소그패피 공정을 수행하는 것이 많으며, 특히 수은(Hg) 램프의 365nm의 i-line, 405nm의 h-line, 436nm의 g-line을 모두 포함하는 300 ~ 500nm의 브로드 밴드 노광광을 광원으로 사용하는 것이 일반적이었다.

그러나 상기 브로드 밴드 파장에 의한 노광은 색수차에 의하여 투과패턴 및 반투과 패턴을 투과하는 각각의 파장에 따라 회절되는 정도가 다르고 특히 반투과 패턴을 투과하는 노광광의 경우 위상 변화까지 발생하기 때문에 해상도 저하로 인하여 피사체의 패턴 크기 제어와 최소선폭(CD)을 2㎛ 이하로 제조하기가 매우 어려운 문제점이 있었다.

특히, 마스크 단축 공정에서 가장 중요한 반투과 패턴의 미세화가 어려워 평판 디스플레이 제품의 고급화와 품질 개선을 제약하고 또한 마스크 단축 공정의 수율을 감소시키는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 피사체의 최소선폭을 2㎛ 이하로 제조할 수 있는 그레이톤 블랭크 마스크와 그레이톤 포토마스크 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 반투과 패턴을 미세하게 제조하여 평판 디스플레이 제품의 고급화와 품질 개선을 이룰 수 있는 그레이톤 블랭크 마스크와 그레이톤 포토마스크 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 상기 색수차가 없는 노광광을 광원으로 하는 리소그래피 노광장치에 마스크 단축 공정용으로 사용가능한 그레이톤 블랭크 마스크와 그레이톤 포토마스크 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, i-line(365nm)의 단일 파장을 사용하거나 또는 h-line(405nm)와 g-line(436nm) 등의 수은 램프의 특성파장을 포함 하지 않으며 i-line(365nm)을 포함하는 브로드 밴드 파장을 사용하여 노광하는 것이 바람직하다. 상기 해상도를 저해하는 색수차는 각 파장에 따라 투과 패턴(슬릿)을 투과할 때의 회절 정도가 다르기 때문에 발생하며 투과 패턴이 작을수록 더 커진다. 따라서 브로드 밴드 파장을 노광광으로 하는 대신에 단일 파장을 사용하게 되면 상기 색수차에 의한 해상도 저하를 제거할 수 있다. 또한 수은 램프의 경우 i-line, h-line, g-line 등의 특성 파장의 강도가 특히 강하기 때문에 어느 하나의 특성 파장만을 포함하는 브로드 밴드 파장을 노광광으로 사용하더라도 그 주변부의 노광광의 강도가 약하기 때문에 단일 파장을 사용하는 것과 거의 같은 효과를 얻을 수 있다. 또한 상기 해상도는 아래의 식과 같이 노광 파장이 감소하면 동시에 감소하게 된다. 따라서 가장 우수한 해상도를 얻기 위해서는 i-line, h-line, g-line 중 가장 짧은 파장을 가지는 특성 파장인 365 nm의 i-line을 사용하는 것이 바람직하다.

R : 해상도 k1 : 공정 상수

NA : 개구수 λ : 노광 파장

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 그레이톤 포토마스크의 원재료인 그레이톤 블랭크 마스크가 투명기판(1) 위에365nm의 파장의 노광광에서 10 ~ 90%의 투과율을 가지는 반투과막(2)과 상기 노광광에 대하여 차광 효과를 가지는 차광막(3)이 적층되는 것이 바람직하다. 만약 반투과막(2)의 투과율이 10% 이 하가 되면 상기 그레이톤 포토마스크를 사용하여 리소그래피 공정을 하는 경우 반투과 패턴에 의한 피사체의 포토레지스트(5) 잔막의 두께가 너무 두껍게 남기 때문에 차광 패턴에 의한 포토레지스트(5) 패턴과 구분이 잘 되지 않게 되고, 반대로 투과율이 90% 이상인 경우 반대로 반투 패턴에 의한 피사체의 포토레지스트(5) 잔막의 두께가 너무 얇기 때문에 투과 패턴에 의한 포토레지스트(5) 패턴과 구분이 잘 되지 않는다. 따라서 4-마스크 혹은 3-마스크 등의 마스크 단축공정을 수행하는데 어려움이 따르게 된다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 블랭크 마스크가 적어도 투명기판(1) 위에 반투과막(2)이 적층되고 그 위에 차광막(3)이 적층된 형태인 것이 바람직하다.

상기의 블랭크 마스크 형태 가지게 되면 반투과막(2)과 차광막(3)을 각각 식각하여 패턴을 형성하는 것이 가능하게 된다. 또한 상기 그레이톤 블랭크 마스크는 반투과막(2)이 차광막(3) 하부에 적층되어 있기 때문에 차광막(3) 식각액에 대하여 식각 선택비가 3 이상인 것이 바람직하다. 만약 차광막(3) 식각액에 대한 반투과막(2)의 식각비가 3 이하가 되면 차광만을 식각하여 반투과 패턴 형성시 하부의 반투과막(2)에 손상이 발생하여 원하는 투과율을 얻기가 어렵다.

또한 상기 차광막(3) 위에 반사방지막(4)을 더 적층하여 그레이톤 포토마스크 제조 및 리소그래피 공정에서의 반사율을 감소시킨 것이 더욱 바람직하다. 반사방지막(4)을 더 적층하게 되면 포토마스크 제조시 스탠딩 웨이브(Standing Wave)현상 방지하고 그레이톤 포토마스크를 사용하여 리소그래피 공정 진행시 다중 반사에 의한 패턴 에러를 감소시킨다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 그레이톤 블랭크 마스크를 사용하여 그레이톤 포토마스크를 제조하는 것이 바람직하다. 상기의 결과로 그레이톤 포토마스크의 차광 패턴은 투명기판(1) 위에 적어도 반투과막(2)이 적층되고 그 위에 차광막(3)이 적층되며, 반투과 패턴은 투명기판(1) 위에 반투과막(2)이 적층되고 차광막(3)은 식각되어 제거되며, 투과 패턴은 반투과막(2)과 차광막(3)이 식각되어 제거된 형태로 된다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 그레이톤 블랭크 마스크가 차광막(3)이 식각되어 형성된 차광막(3) 패턴 위에 반투과막(2)이 적층된 형태인 것이 바람직하다. 상기와 같은 형태는 차광막(3)이 식각되어진 투명기판(1) 위에 반투과막(2)이 적층되기 때문에 차광막(3)과의 식각비에 제한이 없으며 동일한 식각 특성을 가지는 물질을 반투과막(2) 물질로 사용하는 것이 가능하다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 그레이톤 블랭크 마스크를 사용하여 그레이톤 포토마스크를 제조하는 것이 바람직하다. 상기의 결과로 그레이톤 포토마스크의 차광 패턴은 투명기판(1) 위에 적어도 차광막(3)이 적층된 후 그 위에 반투과막(2)이 적층되며, 반투과 패턴은 차광막(3)이 식각된 투명기판(1) 위에 반투과막(2)이 적층되며, 투과 패턴은 차광막(3)과 반투과막(2)이 식각되어 제거된 형태로 된다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반투과막(2) 적층시 1차 노광에 의한 패턴 위치와 2차 노광에 의한 패턴 위치를 정렬하기 위하여 얼라인 키(Align Key) 패턴이 형성될 영역을 포함하는 일부 영역에 반투과막(2)을 적층하지 않는 것이 바람직하다. 상기 얼라인 키 패턴은 1차 노광에 의해 형성되며, 상기 영역에 반투과막(2)이 적층되지 않음으로 인하여 얼라인 키 패턴의 투과 패턴과 그 주변부와의 높은 반사율 차이로 인하여 2차 노광시 위치 정렬이 쉽고 정확하게 될 수 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 1차 노광 및 2차 노광 중 어느 하나의 패턴을 실제로 형성되는 패턴보다 크게 노광하여 셀프 얼라인(Self Align)이 되도록 하는 것이 바람직하다. 상기 크게 노광된 패턴은 위치 정렬 마진(Align Margin)으로만 역할을 수행하며 실제 패턴이 되지 않도록 하는 범위 내에서 하는 것이 가능하다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, i-line(365nm), h-line(405nm), g-line(436nm)에서의 투과율 편차가 5%이하를 만족하는 것이 바람직하다. 상기와 같이 반투과막(2)을 적층하고 그레이톤 포토마스크를 제조하게 되면 상기에서와 같이 i-line을 노광광으로 하는 리소그래피 노광 장치에서 뿐만 아니라 브로드 밴드 파장을 노광광으로 사용하는 리소그래피 노광 장치에서도 동일한 투과율로 사용 가능하게 되는 장점이 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반투과막(2)의 투과율이 기판 외곽에서 50mm를 제외한 영역내의 365nm의 파장에서 투과율 편차가 5% 이하가 되는 것이 바람직하다. 그레이톤 포토마스크를 사용하는 마스크 단축 공정은 두 번째 패턴의 정밀도는 반투과 패턴의 투과율 정밀도에 의존하게 된다. 따라서 기판 내에서 반투과 패턴의 투과율 편차는 작을수록 좋으며 5% 이상의 투과율 편차를 가지는 경우 마스크 단축 공정시 공정 여유도를 감소시키고 불량을 일으키는 원인이 된다. 상기 피사체의 노광에 관여하는 패턴은 일반적으로 기판의 50mm 정도의 외곽에는 형성되지 않기 때문에 기판 외곽의 투과율 편차는 무관하기 때문에 기판 외곽으로부터 50mm를 제외한 영역 내에서만 투과율 편차가 5% 이내가 되면 된다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반투과막(2)의 전면(Front Side)의 반사율이 그레이톤 포토마스크 패턴 검사 파장에서 5 ~ 70%의 반사율이 되는 것이 바람직하다. 일반적으로 그레이톤 블랭크 마스크를 사용하여 그레이톤 포토마스크를 제조하는 과정에서 패턴 결함을 검사하여 세정(Cleaning), 결함수정(Repair)을 실시하게 되는데 상기 패턴 결함 검사시 반투과막(2)의 반사율이 5% 이하인 경우, 투과 패턴인 투명기판(1)의 반사율과 차이가 거의 없기 때문에 투과 패턴과 구분이 잘 되지 않기 때문에 패턴 검사가 매우 어려운 문제점이 발생하게 되고 반투과막(2)의 반사율이 70% 이상이 되면 상기 그레이톤 포토마스크를 사용하여 리소그래피 노광을 실시할 경우 피사체에 의해 반사되는 노광광을 강하게 재반사하게 되어 패턴 불량을 일으키기 쉽다.

상기 반투과막(2)의 반사율은 15 ~ 40%가 되는 것이 더욱 바람직하다. FPD 제조시 검사 파장은 일반적으로 300 ~ 600nm 정도이다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반투과막(2)이 차광막(3) 또는 반사방지막(4) 표면과의 반사율 차이가 상기 검사 파장에서 5 ~ 60%가 되는 것이 바람직하다. 상기에서와 같이 그레이톤 포토마스크 제조 과정에서 패턴 검사 를 실시하는 경우 반투과 패턴이 차광막(3) 패턴과 반사율 차이가 5% 이하가 되면 패턴 검사가 어려우며 60% 이상이 되는 경우 그레이톤 포토마스크를 사용하여 리소그래피 노광을 실시하는 경우 차광 패턴 또는 반투과 패턴의 높은 반사율에 의하여 피사체가 패턴 불량을 일으키기 쉽다.

상기 반사율 차이는 5 내지 20%가 되는 것이 더욱 바람직하다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 반투과막(2)에 의한 위상 변화가 365nm의 파장에서 0 ~ ±100°가 되도록 하는 것이 바람직하다.

반투과막(2)은 1 이상의 굴절율을 가지기 때문에 반투과막(2)이 적층된 반투과 패턴을 투과하는 노광광은 투과 패턴을 투과하는 노광광에 비하여 위상차를 일으키게 된다.

이 때 반투과막(2) 패턴과 투과 패턴이 인접하는 경우 위상 차이에 의하여 노광광이 상호 간섭하여 노광광이 중첩되는 부분의 노광광의 강도가 달라지게 되는데 만약 상쇄 간섭이 발생하면 이로 인하여 패턴 불량을 일으키기 쉽다.

따라서 상쇄 간섭이 발생하지 않도록 반투과막(2)을 적층하여야 하며 0 내지 50°가 되도록 하는 것이 더욱 바람직하다.

상기 위상 변화는 Lasertech사의 MPM-100등의 위상 이동 측정 장치를 사용하거나, 또는 반투과막(2)의 굴절율을 측정하여 아래의 식으로 계산하는 것이 가능하다.

　Φ : 위상 이동　　　　　　　　　　 　　　 n : 반투과막(2)의 굴절율

삭제

　　d : 반투과막(2)의 두께　　　 　　　　 λ : 노광광 파장

또한 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반투과막(2)의 표면 거칠기가 0.1 ~ 5nmRMS가 되도록 적층되는 것이 바람직하다. 반투과막(2)의 표면 거칠기가 5nmRMS 이상이 되면 반투과 패턴을 투과하는 투과광의 산란이 커지기 때문에 반투과 패턴을 투과하는 노광광의 분포에 악영향을 주게 되어 현상 공정 후 패턴 크기, 노광 정도, 반투과 패턴에 의한 피사체의 포토레지스트(5) 잔막 두께 등을 제어하기가 매우 어렵게 된다.

따라서 반투과막(2)의 거칠기는 작을수록 좋으며 0.1 ~ 1.5nmRMS가 되도록 적층하는 것이 더욱 바람직하다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 반투과막(2)이 원자 간에 국소배열(Short Range Ordering)로 이루어지는 비정질구조를 갖는 것이 바람직하다. 반투과막(2)의 표면 거칠기가 큰 경우, 반투과 패턴을 투과하는 노광광이 산란되어 피사체 포토레지스트(5)의 잔막 두께와 회선폭(CD)을 제어하기가 매우 어렵게 된다.

상기 표면 거칠기는 반투과막(2)이 결정화(Crystallization)가 되면 커지는 경향이 있기 때문에 반투과막(2)이 비정질인 것이 바람직하다. 또한 하기의 차광막(3) 및 반사방지막(4)의 경우에도 패턴 에지 거칠기와 난반사에 의한 문제를 감소시키기 위하여 비정질 구조를 가지는 것이 바람직하다.

또한 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 반투과막(2)으로 탄탈륨(Ta), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 실리콘(Si), 니켈(Ni), 카드늄(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 게르마늄(Ge) 중 어느 하나 이상을 주성분으로 하는 것이 바람직하고 산소(O), 질소(N), 보론(B), 불소(F), 염소(Cl), 수소(H) 성분 중 어느 하나 이상이 더 포함된 물질로 구성하는 것이 더욱 바람직하다.

또한 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 차광막(3)의 광학밀도(O/D : Optical Density)가 2.0 내지 6.0이 되는 것이 바람직하다.

차광막(3)은 노광광에 대하여 차광 효과를 가져야 하기 때문에 노광광에 대한 투과율이 1% 이하가 되는 것이 바람직하며 광학밀도 2에 해당한다.

또한 상기 광학밀도를 너무 높게 하면 차광효과는 거의 증가하지 않는데 차광막(3)의 두께만 두꺼워지게 되므로 6.0 이하로 적절히 제어되는 것이 바람직하다. 상기 광학밀도는 아래의 식으로 계산한다.

광학밀도 = 2-log₁₀( 투과율%_{노광 파장})

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 반투과막(2), 반사방지막(4) 및 차광막(3) 중의 어느 하나는 진공챔버 내에서 불활성 가스 및 반응성 가스를 도입하여 리액티브 스퍼터링(Reactive Sputtering) 및 진공 증착 방법(PVD, CVD, ALD)을 이용하는 것이 바람직하며 상기에서 리액티브 스퍼터링법을 사용하는 것이 더욱 바람직하다.

리액티브 스퍼터링법은 대면적의 기판에 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr) 등의 타겟을 사용하여 금속박막을 균일한 두께 및 성분으로 적층하는데 매우 적합하며, 또한 사용되는 반응성 가스에 따라 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 보론(B), 불소(F), 염소(Cl), 수소(H) 등의 성분비를 제어하여 박막의 특성을 제어하는 것이 가능하다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 투명기판(1)을 반투과막(2) 적층 전 또는 반투과막(2) 적층 후 80 ~ 800℃ 온도에서 0 내지 60분간 열처리 하는 것이 바람직하다.

반투과막(2) 적층 전, 후의 열처리를 통하여 투과율 특성을 개선시킬 수 있으며, 그레이톤 포토마스크 제조시 세정 등에 사용되는 화학약품에 대한 내화학성이 개선되는 효과가 있다. 상기 열처리는 800℃ 이상의 온도에서는 대부분의 물질이 결정화가 진행되어 반투과막(2) 표면 거칠기가 증가하기 쉽고 80℃ 이하의 온도에서는 열처리 효과가 거의 없다.

상기 열처리 방법으로는 진공 또는 대기압에서 램프에 의한 적외선, 자외선, X-Ray 조사 등의 비접촉식 방법을 사용하거나 핫플레이트(Hot Plate)등의 접촉식 방법을 사용하는 것이 가능하다.

진공 중에서 열처리하는 경우 투과율 특성 및 표면 개질을 위하여 아르곤(Ar), 헬륨(He), 네온(Ne), 크립톤(Kr), 크세논(Xe) 등의 불활성 가스와 산소(O2), 질소(N2), 이산화탄소(CO2), 이산화질소(NO2), 산화질소(NO), 이산화질소(NO2), 암모니아(NH3), 불소(F2) 중에서 어느 하나 이상을 사용하는 것도 가능하 다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 투명기판(1)과 차광막(3) 또는 반투과막(2) 사이, 또는 차광막(3)과 반투과막(2) 사이에 선택적 식각이 어려울 경우 식각저지막을 더 적층하는 것이 바람직하다.

이 때 식각 저지막은 투명기판(1)과 차광막(3) 또는 반투과막(2) 사이에 적층될 경우 상기 투명기판(1), 차광막(3) 또는 반투과막(2)과 식각비가 3 이상이어야 하고, 차광막(3)과 반투과막(2) 사이에 적층될 경우 차광막(3)과 반투과막(2)과의 식각비가 3 이상이 되는 것이 바람직하다.

식각비는 아래의 식으로 계산된다. 식각저지막 물질로는 식각비를 만족하는 경우 상기에서 나열한 물질을 사용하는 것이 가능하다.

식각비 = (식각하고자 하는 물질의 식각속도) / (식각하지 않고자 하는 물질의 식각속도)

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 식각액으로 CAN(Ceric Amonium Ntrate), 염산(HCl), 질산(HNO3), FeCl3, 초산(CH3COOH), 옥살산, 수산화 나트륨(NaOH), 수산화 칼륨(KOH) 중 어느 하나 이상이 포함된 식각액으로 식각하는 것이 가능하다. 상기 식각액은 반투과막(2), 차광막(3) 및 식각저지막을 구성하는 물질의 종류, 적층 및 패터닝 순서 등을 고려하여 적절히 선택하여 사용하는 것이 바람직하며 식각비, 식각속도에 따라 식각액을 가열하거나 물(H2O), 과산화 수소(H2O2)를 더 포함하여 사용하는 것이 더욱 바람직하다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 적어도 상기 차광막(3)과 상기 반투과막(2)이 적층된 그레이톤 블랭크 마스크 위에 포토레지스트(5)가 코팅되는 것이 바람직하다.

상기 포토레지스트는 포지티브(Positive)형, 네가티브(Negative)형 중 어느 것이라도 사용 가능하며 제조 공정과 설계상의 필요에 따라 적절히 선택하면 된다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 차광막(3) 및 반사방지막(4)의 두께는 100nm내지 2500nm며, 상기 차광막(3)을 패터닝하기 위해서 100nm 내지 2000nm 두께의 포토레지스트(5)를 코팅하는 것이 바람직하다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 포토레지스트(5)를 스핀 코팅법, 캐필러리(Capillary) 코팅법, 스캔 앤드 스핀(Scan And Spin) 코팅법 중 어느 하나를 사용하는 것이 가능하며 코팅 후 50 내지 300℃ 범위 내에서 소프트 베이트(Soft Bake)를 하는 것이 더욱 바람직하다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기 반투과막(2), 차광막(3) 중의 어느 하나 이상이 습식 식각이 가능한 물질 또는 습식 식각과 건식 식각이 모두 가능한 물질로 형성하는 것이 바람직하며 반투과막(2)과 차광막(3)이 모두 습식식각이 가능한 물질로 형성되는 것이 더욱 바람직하다.

상기와 같이 하게 되면 상기 그레이톤 블랭크 마스크 제조 또는 상기 그레이톤 블랭크 마스크를 사용하여 그레이톤 포토마스크 제조시 불량이 발생하더라도 고가의 투명기판(1) 손상 없이 상기 반투과막(2)과 차광막(3)을 제거하여 재사용하는 것이 가능하게 된다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상기의 그레이톤 블랭크 마스크 제조공정을 통해 제조된 포토마스크는 TFT-LCD 뿐만 아니라, 반도체 집적회로, 유기전계 발광소자(OLED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 전계 효과 디스플레이(FED) 및 평판 디스플레이(FPD)의 제조용인 것이 바람직하다.

(실시예 1)

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 제1실시예에 따른 그레이톤 블랭크 마스크와 그레이톤 포토마스크 및 그 제조 방법을 도시한 것이다. 본 실시예에서는 TFT-LCD 제조시 스위칭 소자로 사용되는 TFT(Thin Film Transistor)의 소스/드레인/채널 패턴 제조용의 그레이톤 블랭크 마스크 및 그레이톤 포토마스크를 예를 들어 설명한다. 차광 패턴은 상기 소스/드레인 패턴에 해당하며 반투과 패턴은 상기 채널 패턴에 해당한다.

도면을 참조하면, 투명기판(1) 위에 반투과막(2)을 적층하고 그 위에 차광막(3)을 적층하고 그 위에 반사방지막(4)이 적층하고 그 위에 1차 포토레지스트(5)를 코팅하여 본 실시예에 의한 그레이톤 블랭크 마스크를 제조하였다(도 1a). 상기 투명기판(1)은 석영 유리의 152 x 152 x 6mm 크기의 투명기판(1)을 사용하였다.

상기 기판은 바람직한 실시예를 보이기 위하여 반도체와 미세한 패턴의 TFT-LCD 제조에 흔히 사용되는 소형의 기판을 사용하였으나 일반적으로 TFT-LCD 제조에 사용되는 330 x 450 x 6mm 내지 1200 x 1600 x 13mm의 기판을 사용하는 경우에도 동일한 방법이 적용하는 것이 가능하다.

이 때 위치 정렬 패턴이 형성될 일부 영역에는 스크린을 실시하여 반투과막(2)이 적층되지 않도록 하였으며, 차광막(3)과 반사방지막(4)은 위치 정렬 패턴 영역에 적층되도록 하였다.

상기 반투과막(2)은 몰리브데늄(Mo)과 실리콘(Si)이 1mol : 9mol의 비율을 가지는 몰리브데늄 실리사이드(MoSi) 타겟(Target)을 사용하고 직류 전원(DC Power)을 사용하는 리액티브 스퍼터링(Reactive Sputtering) 장치를 사용하여 적층하였다. 불활성 가스로서 아르곤(Ar) 가스를 100sccm 사용하고 반응성 가스로서 질소(N2) 가스를 15sccm사용하여 몰리브데늄 실리사이드 질화물(MoSiN)의 반투과막(2)을 적층하였다.

이 때 인가 전력은 0.5kW이고 2mTorr의 압력하에서 적층하였다. 상기 반투과막(2)은 투과율은 365nm에서 25%, 두께는 30nm 두께가 되도록 아르곤(Ar) 가스 및 질소(N2) 가스량과 스퍼터링 장치의 전력을 제어하여 적층된 것이며, 상기 25%의 투과율은 소스/드레인 및 채널 패턴을 형성하기에 알맞은 투과율이며 상기 30nm의 두께는 25%의 투과율에서 반투과막(2)의 위상차가 50° 미만이 되도록 제어한 것이다.

상기 위상차는 위상 이동 측정 장치인 MPM-100으로 측정하였을 때 43°의 위상 변화가 측정되었다.

또한 상기 반투과막(2)의 표면 거칠기를 AFM(Atomic Force Microscope)로 측정한 결과 0.61nmRMS로 측정되어 표면거칠기에 문제가 없었으며, XRD(X-Ray Diffraction) 분석을 실시한 결과 주요 결정방향에서의 피크(Peak)가 발견되지 않 아 반투과막(2)이 비정질인 것으로 확인되었다.

그 다음 상기 리액티브 스퍼터링 장치를 사용하여 종래의 바이너리 블랭크 마스크를 제조하는 방법으로 차광막(3)과 반사방지막(4)을 적층하였다. 차광막(3)은 크롬(Cr) 타겟과 아르곤(Ar), 질소(N2), 및 메탄(CH4) 가스를 사용하여 적층하고 반사방지막(4)은 크롬(Cr) 타겟과 아르곤(Ar), 질소(N2), 및 이산화 탄소(CO2) 가스를 사용하여 적층하였다.

그 다음 포지티브(Positive) 타입의 포토레지스트(5)인 IP3500을 465nm 두께로 코팅하여 본 실시예에 의한 그레이톤 블랭크 마스크를 완성하였다(도 1a).

그 다음 상기 그레이톤 블랭크 마스크를 사용하여 그레이톤 포토마스크를 제조하는데 먼저 1차 노광 및 현상하여 1차 포토레지스트(5) 패턴을 형성(도 1b)한 다음, 상기 1차 포토레지스트(5) 패턴을 식각 마스크로 하여 반사방지막(4)과 차광막(3)을 식각하고 이어서 반투과막(2)을 식각하였다(도 1c).

반사방지막(4)과 차광막(3) 식각은 크롬 식각은 염소(Cl2) 가스와 산소(O2) 가스를 사용하고, 반투과막(2)은 CF4, SF6 가스를 사용하는 ICP 방식의 건식 식각 장치를 사용하여 식각하였다.

이 때 상기 반투과막(2)이 습식 식각이 가능한 물질인 경우, 예를 들면 탄탈륨 질화물(TaN)일 경우, 반사방지막(4) 및 차광막(3)은 크롬 식각액인 CR-7S 등을 사용하고 가열된 수산화 나트륨(NaOH)와 과산화 수소(H2O2)의 혼합액을 사용하여 습식 식각만으로 제조하는 것도 가능하다.

상기의 결과로 투과 패턴이 형성되며 반투과 패턴이 포함된 차광 패턴이 형 성된다. 그 다음 상기 1차 포토레지스트(5)를 제거하고 2차 포토레지스트(5)를 코팅한 다음 2차 노광 및 현상하였다(도 1d).

상기 2차 노광은 반투과 패턴의 반사방지막(4)과 차광막(3)이 식각되도록 노광하며 그 다음 상기 2차 포토레지스트(5) 패턴을 식각마스크로 하여 CR-7S으로 차광막(3)을 식각하여 반투과막(2) 표면이 드러나도록 하면 상기 반투과 패턴을 포함하는 차광 패턴이 투명기판(1) 위에 반투과막(2)이 차광막(3) 및 반사방지막(4)이 순서대로 적층된 차광 패턴과 투명기판(1) 위에 반투과막(2)이 적층된 반투과 패턴으로 구분된다.

그 다음 상기 2차 포토레지스트(5)를 제거하면 본 실시예에 의한 그레이톤 포토마스크가 제조된다(도 1e). 본 실시예에서는 먼저 1차 노광에 의해 차광막(3)과 반투과막(2)을 식각하여 투과 패턴을 먼저 형성하고 2차 노광에 의해 차광 패턴과 반투과 패턴을 형성하였으나 순서를 바꾸어 제조 하는 것도 가능하며 상기의 방법 중 어떤 방법을 선택하더라도 동일한 그레이톤 포토마스크를 제조할 수 있다.

즉, 1차 노광에 의해 차광막(3)을 식각하여 반투과 패턴을 먼저 형성한 다음 2차 노광에 의해 차광막(3)과 반투과막(2)을 식각하여 투과 패턴과 차광 패턴을 형성하는 것도 가능하다.

본 실시예에서 1차 노광에 의한 패턴과 2차 노광에 의한 패턴의 정확한 위치 정렬을 위하여 2차 노광시 실제 반투과 패턴이 되는 영역보다 더 크게 노광하여 셀프 얼라인이 되도록 하였으나 본 실시예에서는 본 특허의 핵심 내용을 설명하고자 생략하였으며 세정, 결함 수정 공정 또한 수행되었으나 내용 설명을 생략하였다.

상기 제조된 그레이톤 포토마스크의 투과율을 측정하였더니 365nm에서 25.3%로 측정되어 그레이톤 포토마스크 제조 과정에서 반투과막(2)의 손상이 거의 없는 것이 확인되었다.

그 다음, 본 실시예에 의해 제조된 상기의 그레이톤 포토마스크를 i-line을 노광광으로 하는 TFT-LCD 제조용의 리소그래피 노광 장치에 장착하고 평가를 실시하였더니 2㎛ 이하의 반투과막(2) 패턴이 매우 정밀하게 제조되어 종래의 리소그래피 노광 장치 및 그레이톤 포토마스크로 제조 불가능한 미세 패턴 형성이 가능함을 보였다.

또한 상기 미세 패턴의 제조로 인하여 더 고급화된 TFT-LCD를 제조하였으며 마스크 단축 공정 수행이 원활히 진행되어 불량율이 매우 낮았다. 또한 반투과 패턴과 투과 패턴의 경계면에서 피사체 패턴에 이상이 없었으며 따라서 반투과막(2)의 위상 변화에 의한 문제가 없는 것으로 확인되었다.

(실시예 2)

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제2실시예에 따른 그레이톤 블랭크 마스크와 그레이톤 포토마스크 및 그 제조 방법을 도시한 것이다.

본 실시예에서는 제 1 실시예와 동일한 패턴의 그레이톤 포토마스크를 제조하게 되나 그레이톤 블랭크 마스크 및 제조 방법이 다르다.

차광막(3) 적층 및 식각, 포토레지스트(5) 코팅, 노광 및 현상 공정은 상기 제 1 실시예와 동일한 방법으로 수행하였다.

먼저 투명기판(1) 위에 크롬 탄화 질화물(CrCN)의 차광막(3)을 적층하였다. 그 다음 포토레지스트(5)를 코팅하여 블랭크 마스크를 제조하였다(도 2a).

그 다음 반투과 패턴이 형성될 영역의 차광막(3)이 식각되도록 1차 노광하고 현상하여 1차 포토레지스트(5) 패턴을 형성한 다음 상기 1차 포토레지스트(5) 패턴을 식각 마스크로 하여 차광막(3)을 식각하였다.

그 다음 1차 포토레지스트(5)를 제거하였다(도 2b). 그 다음 상기 제 1 실시예와 동일한 방법으로 위치 정렬 패턴이 형성될 영역이 제외된 전면에 반투과막(2)을 적층한다. 반투과막(2)은 상기와 다르게 크롬 질화물(CrN)을 적층하였다. 상기의 리액티브 스퍼터링 장치를 사용하고 크롬(Cr) 타겟에 아르곤(Ar) 가스 80sccm, 질소(N2) 가스 3sccm을 사용하고 2mTorr의 압력에서 0.35kW의 직류 전원을 인가하여 12nm 두께로 적층하였다.

상기 반투과막(2)의 투과율은 365nm에서 25.1%, 405nm에서 25.3%, 436nm에서 25.5%로 i-line(365nm)을 노광광으로 하는 리소그래피 노광 장치 뿐만 아니라 300 내지 500nm의 브로드 밴드 파장을 노광광으로 하는 리소그래피 노광 장치에서도 사용 가능하도록 제작되었다.

상기 반투과막(2)의 위상 이동은 21°로 측정되었고 표면 거칠기는 0.58nmRMS로 측정되었으며, 상기와 마찬가지로 비정질의 구조인 것으로 측정되었다.

그 다음 2차 포토레지스트(5)를 코팅한(도 2c) 다음 차광 패턴과 반투과 패턴이 식각되지 않도록 하여 2차 노광 및 현상을 실시하였다.

그 다음 반투과막(2) 및 차광막(3)을 CR7-S를 사용하여 동시에 식각하였다. 상기 제 1 실시예와 달리 본 실시예의 차광막(3)은 크롬 탄화 질화물(CrCN)이고 반투과막(2)은 크롬 질화물(CrN)이기 때문에 동시에 식각 가능하다.

상기의 결과로 투명기판(1) 위에 차광막(3)과 그 위에 반투과막(2)이 적층된 차광 패턴, 투명기판(1) 위에 반투과막(2)이 적층된 투과 패턴, 상기 차광막(3)과 반투과막(2)이 식각되어 제거된 투과 패턴으로 구성된 그레이톤 포토마스크가 제조된다. 상기 본 실시예의 그레이톤 포토마스크의 투과율을 측정하였더니 365nm 에서 25.5%, 405nm에서 25.7%, 436nm에서 25.9%로 측정되어 투과율 변화가 거의 없었다.

본 실시예에서도 패턴 형성 순서를 바꾸어 제조하는 것이 가능하며 셀프 얼라인을 위하여 얼라인 마진을 부가하여 패턴 노광 크기를 실제 패턴보다 크게 하여 제조하는 것이 가능하다.

제 1 실시예와 동일하게 본 실시예에 의해 제조된 상기의 그레이톤 포토마스크를 i-line을 노광광으로 하는 TFT-LCD 제조용의 리소그래피 노광 장치에 장착하고 평가를 실시하였더니 2㎛ 이하의 반투과막(2) 패턴이 매우 정밀하게 제조되었다.

상술한 바와 같이 본 발명의 그레이톤 블랭크 마스크 및 그레이톤 포토마스크는 다음과 같은 효과를 제공한다.

첫째, 피사체를 2㎛ 이하로 제조할 수 있는 그레이톤 블랭크 마스크와 그레 이톤 포토마스크 및 그 제조 방법을 제공 하는 효과가 있다.

둘째, 반투과 패턴을 미세하게 제조하여 평판 디스플레이 제품의 고급화와 품질 개선을 이룰 수 있는 그레이톤 블랭크 마스크와 그레이톤 포토마스크 및 그 제조 방법을 제공하는 효과가 있다.

셋째, 상기 색수차가 없는 i-line을 광원으로 하는 리소그래피 노광장치에 마스크 단축 공정용으로 사용가능한 그레이톤 블랭크 마스크와 그레이톤 포토마스크 및 그 제조 방법을 제공하는 효과가 있다.

본 발명은 TFT-LCD 제조의 소스/드레인/채널 패턴을 실시예로 하여 설명하였으나 여기에 한정되는 것은 아니며, TFT 제조의 패시베이션(Passivation) /컨택 홀(Contact Hole) 패턴, OLED 제조용, PDP 제조용, FED 제조용 등 제조 제품, 용도와 목적 및 패턴 형태에 따라 적절히 변형하여 사용하는 것이 가능하다. 따라서 본 발명은 다음에 기재되는 청구의 범위 내에서 더 많은 변형 및 변용예가 가능한 것임은 물론이다.

Claims (24)

1. 투명 기판에 적어도 차광 패턴, 반투과 패턴, 투과 패턴을 갖는 FPD(Flat Pannel Display)용 그레이톤 포토마스크의 제조방법으로서,

   상기 투명 기판 상에 365nm 파장의 노광광에 대하여 0 ~ ±100°의 위상 변화를 갖는 반투과막, 차광막 및 상기 투과 패턴의 형성 부분을 노출시키는 1차 포토레지스트 패턴을 순차적으로 형성하는 단계;

   상기 노출된 차광막, 반투과막을 식각하여 투과 패턴을 형성하는 단계;

   상기 노출된 상기 투과 패턴 부분의 상기 투명 기판 부분 및 상기 차광 패턴 부분을 덮음과 아울러 상기 반투과 패턴의 형성 부분의 상기 반투과막을 노출시키는 2차 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및

   상기 노출된 차광막을 식각하여 상기 반투과 패턴 및 차광 패턴을 형성하는 단계;를 포함하며,

   상기 1차 및 2차 포토레지스트 패턴은 365nm의 단일 파장을 노광광을 이용하여 노광하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
2. 투명 기판에 적어도 차광 패턴, 반투과 패턴, 투과 패턴을 갖는 FPD(Flat Pannel Display)용 그레이톤 포토마스크의 제조방법으로서,

   상기 투명 기판 상에 차광막 및 상기 반투과 패턴의 형성 부분을 노출시키는1차 포토레지스트 패턴을 순차적으로 형성하는 단계;

   상기 노출된 상기 차광막 부분을 식각하여 제거하는 단계;

   상기 반투과 패턴의 형성 부분의 상기 투명 기판 부분 및 상기 차광막을 덮도록 365nm 파장의 노광광에 대하여 0 ~ ±100°의 위상 변화를 갖는 반투과막을 형성하는 단계;

   상기 반투과막 상에 상기 투과 패턴의 형성 부분이 노출되도록 2차 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;

   상기 노출된 부분의 상기 반투과막 및 차광막을 식각하여 상기 차광 패턴, 반투과 패턴 및 투과 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하며,

   상기 1차 및 2차 포토레지스트 패턴은 365nm의 단일 파장을 노광광을 이용하여 노광하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 반투과막은 상기 365nm 파장의 노광광에 대하여 10 ~ 90%의 투과율을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
4. 투명 기판에 적어도 차광 패턴, 반투과 패턴, 투과 패턴을 갖는 FPD(Flat Pannel Display)용 그레이톤 포토마스크의 제조방법으로서,

   상기 투명 기판 상에 365nm 파장의 노광광에 대하여 0~±100°의 위상 변화를 갖는 반투과막, 차광막 및 상기 투과 패턴의 형성 부분을 노출시키는 1차 포토레지스트 패턴을 순차적으로 형성하는 단계;

   상기 노출된 차광막, 반투과막을 식각하여 투과 패턴을 형성하는 단계;

   상기 노출된 상기 투과 패턴 부분의 상기 투명 기판 부분 및 상기 차광 패턴 부분을 덮음과 아울러 상기 반투과 패턴의 형성 부분의 상기 반투과막을 노출시키는 2차 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및

   상기 노출된 차광막을 식각하여 상기 반투과 패턴 및 차광 패턴을 형성하는 단계;를 포함하며,

   상기 1차 및 2차 포토레지스트 패턴은 365nm의 파장을 주 노광광으로 이용하여 노광하고, 상기 반투과막은 i-line(365nm), h-line(405nm), g-line(436nm)에 대하여 투과율 편차가 5%이하를 만족하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
5. 투명 기판에 적어도 차광 패턴, 반투과 패턴, 투과 패턴을 갖는 FPD(Flat Pannel Display)용 그레이톤 포토마스크의 제조방법으로서,

   상기 투명 기판 상에 차광막 및 상기 반투과 패턴의 형성 부분을 노출시키는1차 포토레지스트 패턴을 순차적으로 형성하는 단계;

   상기 노출된 상기 차광막 부분을 식각하여 제거하는 단계;

   상기 반투과 패턴의 형성 부분의 상기 투명 기판 부분 및 상기 차광막을 덮도록 365nm 파장의 노광광에 대하여 0~±100°의 위상 변화를 갖는 반투과막을 형성하는 단계;

   상기 반투과막 상에 상기 투과 패턴의 형성 부분이 노출되도록 2차 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;

   상기 노출된 부분의 상기 반투과막 및 차광막을 식각하여 상기 차광 패턴, 반투과 패턴 및 투과 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하며,

   상기 1차 및 2차 포토레지스트 패턴은 365nm의 파장을 주 노광광으로 이용하여 노광하고, 상기 반투과막은 i-line(365nm), h-line(405nm), g-line(436nm)에 대하여 투과율 편차가 5%이하를 만족하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
6. 제 1 항 또는 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 반투과막은 상기 차광막과 차광막 식각 물질에 대하여 3 이상의 식각 선택비를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
7. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 그레이톤 블랭크 마스크는 위치 정렬 패턴을 포함하며, 상기 위치 정렬 패턴이 형성되는 영역에는 상기 반투과막을 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
8. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 반투과막은 그레이톤 포토마스크 패턴 검사 파장에서 5 ~ 70%의 전면(Front Side) 반사율을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
9. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 그레이톤 블랭크 마스크는 상기 차광막 상에 형성된 반사방지막을 더 포함하며, 상기 반투과막은 상기 차광막 또는 상기 반사방지막과 그레이톤 포토 마스크 패턴 검사 파장에서 5 ~ 60%의 반사율 차이를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
10. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 반투과막은 비정질 구조를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
11. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 반투과막은 탄탈륨(Ta), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 실리콘(Si), 니켈(Ni), 카드늄(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 게르마늄(Ge) 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 반투과막은 상기 물질들 외에 산소(O), 질소(N), 보론(B), 불소(F), 염소(Cl), 수소(H) 성분 중 어느 하나 이상을 더 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
13. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 반투과막 적층 전 또는 후에 80 ~ 800℃ 온도에서 0 내지 60분간 열처리 하는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
14. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 투명 기판, 차광막 또는 반투과막 상에 식각저지막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 그레이톤 포토마스크의 제조방법.
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