JP2011013283A - 位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一形態に係る位相シフトマスク1は、300nm以上500nm以下の波長領域のいずれかの光に対して180°の位相差をもたせることが可能な位相シフト層13P1を有する。これにより、上記波長領域の光を露光光として用いることで、位相の反転作用により光強度が最小となる領域を形成して、露光パターンをより鮮明にすることができる。位相シフト層13Pは、40%以上90%以下の窒化性ガス及び10%以上35%以下の酸化性ガスを含む混合ガスの雰囲気下、クロム系材料のターゲットをスパッタすることで形成される。
【選択図】図1
Description
これに限らず、h線またはg線に対して略180°の位相差をもたせることが可能な厚みで上記位相シフト層を形成してもよい。
ここで「略180°」とは、180°又は180°近傍を意味し、例えば、180°±10°以下である。
これにより、各波長光に対して一定の位相シフト効果が得られることで、微細かつ高精度なパターン形成を確保することができる。
これにより、プラズマの安定した形成が可能となる。また、窒化性ガス及び酸化性ガスの濃度を容易に調整することができる。
これにより、各波長光に対して一定の位相シフト効果が得られことで、微細かつ高精度なパターン形成を確保することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明する工程図である。本実施形態の位相シフトマスクは、例えばフラットパネルディスプレイ用ガラス基板に対するパターニング用マスクとして構成される。後述するように、当該マスクを用いたガラス基板のパターニングには、露光光にi線、h線及びg線の複合波長が用いられる。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明する工程図である。なお、図3において、図1と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
10…透明基板
11、11P1、11P2…遮光層
12P1、12P2、14P1、14P2…レジストパターン
13P1、13P2…位相シフト層
Claims (10)
- 透明基板上の遮光層をパターニングし、
40%以上90%以下の窒化性ガス及び10%以上35%以下の酸化性ガスを含む混合ガスの雰囲気下、クロム系材料のターゲットをスパッタすることで、300nm以上500nm以下の波長領域のいずれかの光に対して180°の位相差をもたせることが可能な位相シフト層を、前記遮光層を被覆するように前記透明基板上に形成し、
前記位相シフト層をパターニングする
位相シフトマスクの製造方法。 - 請求項1に記載の位相シフトマスクの製造方法であって、
前記位相シフト層を形成する工程は、i線に対して略180°の位相差をもたせる膜厚で前記位相シフト層を形成する
位相シフトマスクの製造方法。 - 請求項1に記載の位相シフトマスクの製造方法であって、
前記位相シフト層を形成する工程は、h線に対して略180°の位相差をもたせる膜厚で前記位相シフト層を形成する
位相シフトマスクの製造方法。 - 請求項2又は請求項3に記載の位相シフトマスクの製造方法であって、
前記位相シフト層を形成する工程は、i線に付与する位相差とg線に付与する位相差との差が40°以下となるような膜厚で前記位相シフト層を形成する
位相シフトマスクの製造方法。 - 請求項1に記載の位相シフトマスクの製造方法であって、
前記混合ガスは、不活性ガスをさらに含む
位相シフトマスクの製造方法。 - 基板上にフォトレジスト層を形成し、
300nm以上500nm以下の波長領域のいずれかの光に対して180°の位相差をもたせることが可能な酸化窒化クロム系材料からなる位相シフト層を有する位相シフトマスクを前記フォトレジスト層に近接して配置し、
前記300nm以上500nm以下の複合波長の光を前記位相シフトマスクに照射することで、前記フォトレジスト層を露光する
フラットパネルディスプレイの製造方法。 - 請求項6に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法であって、
前記フォトレジスト層を露光する工程では、g線、h線及びi線の複合露光光を用いる
フラットパネルディスプレイの製造方法。 - 透明基板と、
前記透明基板上に形成された遮光層と、
前記遮光層の周囲に形成され、300nm以上500nm以下の複合波長領域のいずれかの光に対して180°の位相差をもたせることが可能な酸化窒化クロム系材料からなる位相シフト層と
を具備する位相シフトマスク。 - 請求項8に記載の位相シフトマスクであって、
前記複合波長領域の光は、g線、h線及びi線の複合光である
位相シフトマスク。 - 請求項9に記載の位相シフトマスクであって、
前記位相シフト層は、i線に付与する位相差とg線に付与する位相差との差が40°以下となるような膜厚を有する
位相シフトマスク。
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