TWI470342B - 相位移光罩的製造方法、平面顯示器的製造方法、及相位移光罩 - Google Patents

相位移光罩的製造方法、平面顯示器的製造方法、及相位移光罩 Download PDF

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Description

相位移光罩的製造方法、平面顯示器的製造方法、及相位移光罩
本發明係有關於一種能夠形成微細且高精確度的曝光圖案之相位移光罩的製造方法、平面顯示器的製造方法、及相位移光罩。
近來，在平面顯示器，藉由提升圖案的精確度而使線寬尺寸更微細，來達成大幅度提升影像品質。光罩的線寬精確度、轉印側之基板的線寬精確度變為更微細時，在曝光時之光罩與基板的間隙變為更小。因為在平板所使用的玻璃基板變為大於300mm以上的大尺寸，有玻璃基板的起伏或表面粗糙度變大，或是容易受到焦點深度的影響之狀況。
因為玻璃基板係大型尺寸，故平面顯示器的曝光係使用g射線(436nm)、h射線(405nm)、i射線(365nm)的複合波長，並使用等倍接近式曝光法(例如參照專利文獻1)。
另一方面，在半導體，係使用半色調型相位移光罩作為達成用以進一步微細化之手法，其係利用ArF(193nm)的單一波長來進行圖案化(例如參照專利文獻2)。依照該方法，藉由相位在193nm成為180°來設定光強度成為零之位置而能夠提升圖案化精確度。又，藉由光強度具有成為零的位置，能夠將焦點深度設定為較大，能夠謀求提升曝光條件的緩和或圖案化的產率。
[先前技術文獻]
[先前技術]
[專利文獻1]特開2007-271720號公報(段落[0031])
[專利文獻2]特開2006-78953號公報(段落[0002]、[0005])
近年來，伴隨著平面顯示器的配線圖案的微細化，對製造平面顯示器所使用的光罩之微細的線寬精確度要求亦逐漸提高。但是只對光罩的微細化之曝光條件、顯像條件等進行研討已逐漸難以因應，開始要求一種用以達成進一步微細化之新技術。
鑒於以上情形，本發明之目的係提供一種能夠形成微細且高精確度的曝光圖案之相位移光罩的製造方法、平面顯示器的製造方法、及相位移光罩。
為了達成上述目的，本發明的一形態之相位移光罩的製造方法係包含將透明基板上的遮光層圖案化之製程。能夠以在上述透明基板上被覆上述遮光層的方式形成相位移層。上述相位移層能夠藉由在含有40%以上、90%以下的氮化性氣體及10%以上、35%以下的氧化性氣體之混合氣體的環境下，濺鍍鉻系材料的靶材來形成。上述相位移層係以使其可對於300nm以上、500nm以下的波長區域之任一光線具有180°的相位差之厚度來形成。所形成的上述相位移層係被圖案化成為預定形狀。
又，為了達成上述目的，本發明的一形態之相位移光罩的製造方法係包含在基板上形成光阻層之製程。在接近 上述光阻層配置有相位移光罩。上述相位移光罩具有相位移層，該相位移層係由使其可對於300nm以上、500nm以下的波長區域之任一光線具有180°的相位差之氧化氮化鉻系材料所構成。上述光阻層係藉由對上述相位移光罩照射上述300nm以上、500nm以下的複合波長之光線而被曝光。
而且，為了達成上述目的，本發明的一形態之相位移光罩係具備透明基板、遮光層及相位移層。上述遮光層係形成於上述透明基板上。上述相位移層係形成於上述遮光層的周圍，並由使其可對於300nm以上、500nm以下的複合波長區域之任一光線具有180°的相位差之氧化氮化鉻系材料所構成。
在本發明的一實施形態之相位移光罩的製造方法，係包含將透明基板上的遮光層圖案化之製程。在上述透明基板上以被覆上述遮光層的方式形成相位移層。上述相位移層係在含有40%以上、90%以下的氮化性氣體及10%以上、35%以下的氧化性氣體之混合氣體的環境下，濺鍍鉻系材料的靶材來形成。上述相位移層係以使其可對於300nm以上、500nm以下的波長區域之任一光線具有180°的相位差之厚度來形成。所形成的上述相位移層係被圖案化成為預定圖案。
藉由上述方法所製造的相位移光罩係具有使其可對於300nm以上、500nm以下的波長區域之任一光線具有180°的相位差之相位移層。因此，使用該相位移光罩時，藉由將上述波長區域的光線作為曝光光線，利用相位的反轉作用來形成光強度成為最小的區域，而能夠使曝光圖案更鮮明。利用此種相位移效果，圖案精確度大幅度地提升，能 夠形成微細且高精確度的圖案。藉由使用使在上述波長範圍之不同波長的光線(例如g射線(436nm)、h射線(405nm)、i射線(365nm))複合化之曝光技術，上述效果更顯著。
藉由使用氧化氮化鉻系材料構成上述相位移層，能夠安定地形成具有所需要折射率之濺鍍膜。氮化性氣體小於40%時，無法抑制靶材的氧化而難以安定地濺鍍。又，氮化性氣體大於90%時，膜中的氧濃度太低而難以得到所需要折射率。另一方面，氧化性氣體小於10%時，膜中的氧濃度太低而無法得到所需要折射率。又，氧化性氣體大於35%時，無法抑制靶材的氧化而難以安定地濺鍍。藉由在上述條件的混合氣體環境成膜，能夠得到例如i射線的透射率為1~20%之相位移層。
上述相位移層的厚度可設為使其可對於i射線具有大約180°的相位差之厚度。
不受此限定，亦能夠以使其可對於h射線或g射線具有大約180°的相位差之厚度來形成上述相位移層。
在此，所謂「大約180°」係意味著180°或接近180°，例如180°±10°以下。
上述相位移層的厚度可設為可使賦予i射線的相位差與賦予g射線的相位差之差異為40°以下之厚度。
藉此，藉由對於各波長光線可得到一定的相位移效果，能夠確保形成微細且高精確度的圖案。
上述混合氣體亦可更含有惰性氣體。
藉此，電漿能夠安定地形成。又，能夠容易地調整氮化性氣體及氧化性氣體的濃度。
在本發明的一實施形態之平面顯示器的製造方法，係 包含在基板上形成光阻層之製程。在接近上述光阻層配置有相位移光罩。上述相位移光罩具有相位移層，該相位移層係由使其可對於300nm以上、500nm以下的複合波長區域之任一光線具有180°的相位差之氧化氮化鉻系材料所構成。上述光阻層係藉由對上述相位移光罩照射上述300nm以上、500nm以下的複合波長之光線而被曝光。
上述相位移光罩係具有使其可對於300nm以上、500nm以下的波長區域之任一光線具有180°的相位差之相位移層。因此，藉由上述製造方法時，基於使用上述波長區域的光線之相位移效果，能夠謀求提升圖案精確度，能夠形成微細且高精確度之圖案。藉此，能夠製造高畫質的平面顯示器。
作為上述複合波長的光線，例如可使用g射線(436nm)、h射線(405nm)、i射線(365nm)。
在本發明的一實施形態之相位移光罩係具備透明基板、遮光層及相位移層。上述遮光層係形成於上述透明基板上。上述相位移層係形成於上述遮光層的周圍，並由使其可對於300nm以上、500nm以下的複合波長區域之任一光線具有180°的相位差之氧化氮化鉻系材料所構成。
藉由上述相位移光罩，基於使用上述波長區域的光線之相位移效果，能夠謀求提升圖案精確度，能夠形成微細且高精確度之圖案。藉由使用在上述波長範圍使不同波長的光線(例如g射線(436nm)、h射線(405nm)、i射線(365nm))複合化之曝光技術，上述效果更顯著。
上述相位移層的厚度能夠設為可使賦予i射線的相位差與賦予g射線的相位差之差異為40°以下之厚度。
藉此，藉由對於各波長光線能夠得到一定的相位移效果，能夠確保形成微細且高精確度的圖案。
以下，邊參照圖式邊說明本發明的實施形態。
(第1實施形態)
圖1係說明本發明的一實施形態之相位移光罩的製造方法之製程圖。本實施形態的相位移光罩係作為例如對平面顯示器用玻璃基板之圖案化用光罩而構成。如後述，在使用該光罩之玻璃基板的圖案化上，能夠使用i射線、h射線及g射線的複合波長作為曝光光線。
首先，在透明基板10上形成遮光層11(圖1(A))。
作為透明基板10，可使用透明性及光學等方向性優良的材料，例如可使用石英玻璃基板。透明基板10的大小係沒有特別限制，可按照使用該光罩來進行曝光的基板(例如平面顯示器用基板、半導體基板)而適當地選定。在本實施形態，係使用一邊為300mm以上的矩形基板，更詳言之，係使用縱向450mm、橫向550mm、厚度8mm的石英基板。
又，藉由研磨透明基板10的表面來使透明基板10的表面粗糙度降低。透明基板10的表面粗糙度係例如可以是50μm以下。藉此，光罩的焦點深度變深，能夠對形成微細且高精確度的圖案有重大的貢獻。
遮光層11係由金屬鉻或鉻化合物(以下亦稱為鉻系材料)所構成，但是不受此限定，金屬矽化合物系材料(例如MoSi、TaSi、TiSi、WSi)或該等的氧化物、氮化物、氧氮化物亦能夠應用。遮光層11的厚度係沒有特別限制，只要是 能夠得到預定以上的光學濃度之厚度(例如800~2000Å)即可。成膜方法能夠應用電子射線蒸鍍法、雷射蒸鍍法、原子層成膜法(ALD法)、離子輔助濺鍍法等，特別是大型基板的情況下，採用DC濺鍍法能夠進行膜厚度均勻性優良之成膜。
隨後，在透光層11上形成光阻層12(圖1(B))。光阻層12可以是正型亦可以是負型。可使用液狀光阻作為光阻層12，亦可使用乾式薄膜光阻。
接著，藉由將光阻層12進行曝光或顯像，而在遮光層11上形成光阻圖案12P1(圖1(C))。光阻圖案12P1係作為遮光層11的蝕刻光罩之功能，能夠按照遮光層11的蝕刻圖案來決定適當的形狀。
接著，將遮光層11蝕刻成為預定圖案。藉此，能夠在透明基板10上形成被圖案化成為預定形狀之遮光層11P1(圖1(D))。
遮光層11的蝕刻製程能夠應用濕式蝕刻或乾式蝕刻，特別是透明基板10係大型時，藉由採用乾式蝕刻法，能夠實現面內均勻性高的蝕刻處理。
遮光層11的蝕刻液能夠適當地選擇，遮光層11係鉻系材料時，例如能夠使用硝酸鈰銨及過氯酸的水溶液。因為該蝕刻液係與玻璃基板的選擇比高，在遮光層11的圖案化時，能夠保護透明基板10。另一方面，遮光層11係由金屬矽化物系材料所構成時，蝕刻液例如可使用氟化氫銨。
遮光層11P1的圖案化後，係除去光阻圖案12P1(圖1(E))。除去光阻圖案12P1係例如可使用氫氧化鈉水溶液。
隨後，形成相位移層13。相位移層13係以遮光層11P1 被覆透明基板10上的方式形成(圖1(F))。
作為相位移層13的成膜方法，能夠應用電子射線(EB)蒸鍍法、雷射蒸鍍法、原子層成膜(ALD)法、離子輔助濺鍍法等，特別是大型基板的情況下，採用DC濺鍍法能夠進行膜厚度均勻性優良之成膜。又，不受DC濺鍍法限定，亦能夠應用AC濺鍍法或RF濺鍍法。
相位移層13係由鉻系材料所構成。特別是本實施形態，相位移層13係由氧化氮化鉻所構成。若採用鉻系材料，特別是在大型基板上，能夠得到良好的圖案化性。又，不受鉻系材料限定，亦可使用例如MoSi、TaSi、WSi、CrSi、NiSi、CoSi、ZrSi、NbSi、TiSi或該等的化合物等的金屬矽化物系材料。而且，亦可使用Al、Ti、Ni或該等的化合物等。
使用濺鍍法形成由氧化氮化鉻所構成之相位移層13時，能夠使用氮化性氣體及氧化性氣體的混合氣體或惰性氣體、氮化性氣體及氧化性氣體的混合氣體作為製程氣體，成膜壓力係例如可以是0.1Pa~0.5Pa。
氧化性氣體方面係包含CO、CO2 、NO、N2 O、NO2 、O2 等。在氮化性氣體方面係包含NO、N2 O、NO2 、N2 等。作為惰性氣體，係使用Ar、He、Xe等，典型地，係使用Ar。又，在上述混合氣體亦可更包含CH4 等的碳化性氣體。
混合氣體中的氮化性氣體及氧化性氣體的流量(濃度)，就決定相位移層13的光學性質(透射率、折射率等)而言係重要的參數。在本實施形態，能夠以氮化性氣體濃度為40%以上、90%以下且氧化性氣體的濃度為10%以上、35%以下的條件來調整混合氣體。藉由調整氣體條件，能夠 將相位移層13的折射率、透射率、反射率、厚度等最佳化。
氮化性氣體小於40%時，無法抑制靶材的氧化而難以安定地濺鍍。又，氮化性氣體大於90%時，膜中的氧濃度太低而難以得到所需要的折射率。另一方面，氧化性氣體小於10%時，膜中的氧濃度太低而難以得到所需要的折射率。又，氧化性氣體大於35%時，無法抑制靶材的氧化而難以安定地濺鍍。
相位移層13的厚度可設為使其可對於300nm以上、500nm以下的波長區域之任一光線具有180°的相位差之厚度。被賦予180°的相位差之光線，藉由相位反轉且藉由與未透射相位移層13的光線之干擾作用，能夠消滅該光線的強度。藉由此種相位移效果，因為能夠形成光強度成為最小(例如零)的區域，曝光圖案變為鮮明，能夠高精細度地形成微細圖案。
在本實施形態，上述波長區域的光線係i射線(365nm)、h射線(405nm)、g射線(436nm)的複合光(多色光)，能夠以可對於目標波長的光線賦予180°的相位差之厚度來形成相位移層13。上述目標波長的光線可以是i射線、h射線及g射線之任一者，亦可以是該等以外的波長區域之光線。須加以反轉相位的光線之波長越短時，越能夠形成微細的圖案。
在本實施形態，能夠以使賦予i射線的相位差與賦予g射線的相位差之差異為40°以下之厚度來形成相位移層13。藉此，對於各波長的光線能夠得到一定的相位移效果。例如能夠以對於上述複合波長中之中間波長區域亦即h射線賦予大約180°(180°±10°)的相位差之膜厚度來形成相位 移層13。藉此，因為對於i射線及g射線的任一者亦能夠賦予接近180°的相位差，對各自的光線均能夠得到同樣的相位移效果。
相位移層13的膜厚度以在透明基板10的面內均勻為佳。在本實施形態，係對於g射線、h射線及i射線的各自單一波長光線，以基板面內之位相差的差分為20°以下的膜厚差來形成相位移層13。該相位差的差分大於20°時，由於在複合波長之光強度重疊效果，會使光強度的強弱變小，致使圖案精確度低落。藉由使上述相位差的差分在15°以下、進而10°以下，能夠謀求進一步提升圖案精確度。
相位移層13的透射率係例如對於i射線可以是1%以上、20%以下的範圍。透射率小於1%時，因為難以得到充分的相位移效果，致使高精確度地將微細的圖案曝光變為困難。又，透射率大於20%時，成膜速度低落，致使生產性變差。在上述範圍，透射率可以進而是2%以上、15%以下的範圍。而且，在上述範圍，透射率可以是3%以上、10%以下的範圍。
相位移層13的反射率係例如40%以下。藉此，使用該相位移光罩之被處理基板(平面顯示器或半導體基板)在圖案化時，不容易形成疊影圖案(ghost pattern)而能夠確保良好的圖案精確度。
相位移層13的透射率及反射率能夠藉由成膜時的氣體條件而任意地調整。依照上述的混合氣體條件，能夠得到i射線為1%以上、20%以下的透射率及40%以下的反射率。
相位移層13的厚度能夠在可得到上述的光學特性之範圍而適當地設定，換言之，藉由將相位移層13的厚度最佳 化，能夠得到上述的光學特性。例如採用上述條件能夠得到上述光學特性之相位移層13的膜厚度係例如100nm以上、130nm以下。在該範圍，相位移層13的膜厚度可以進而是110nm以上、125nm以下的範圍。
舉出一個例子，在將濺鍍成膜時的混合氣體的流量比設為Ar：N2 ：CO2 =2.5：6：1.5，且將膜厚度設為114nm時，能夠使i射線之透射率為5.5%，i射線之相位差為173°，並使g射線之相位差為146°。又，將混合氣體的流量比設為Ar：N2 ：CO2 =2：7：1，且將膜厚度設為120nm時，能夠使i射線之透射率為4.8%，i射線之相位差為185°，並使g射線之相位差為153°。
圖2係顯示相位移層13成膜時的成膜條件與各波長成分的相位差與i射線的透射率的關係之實驗結果。本例係使用N2 作為氮化性氣體，使用CO2 作為氧化性氣體及使用Ar作為惰性氣體。成膜壓力為0.2Pa。
如圖2所示，在含有40%以上、90%以下的氮化性氣體及10%以上、35%以下的氧化性氣體之混合氣體的條件(試樣No.1~5)，在300nm以上、500nm以下的波長區域可具有180°的相位差。又，藉由以對於i射線能夠賦予180°±10°的相位差之厚度來形成相位移層，能夠將i射線與g射線之間的相位差之差異抑制為40°(30°)以下。而且，能夠將i射線的透射率抑制為1%以上、10%以下。
相對於此，在氮化性氣體為大於90%且氧化性氣體為小於10%的條件(試樣No.6)下，膜的氧化度小，即便增加膜厚度亦無法得到必要的相位差及透射率。又，在氧化性氣體大於35%的條件(試樣No.7)及只有氧化性氣體的環境 條件(試樣No.8)下，膜的氧化度變為太大而無法得到必要的相位差，且無法抑制透射率的上升。而且在該等條件下，由於靶材表面的氧化進展，成膜率變低而無法得到充分的膜厚度。
接著，在相位移層13上形成光阻層14(圖1(G))。光阻層14可以是正型亦可以是負型。光阻層14可使用液狀光阻。
隨後，藉由將光阻層14曝光及顯像，能夠在相位移層13上形成光阻圖案14P1(圖1(H))。光阻圖案14P1係作為相位移層13的蝕刻光罩之功能，能夠按照相位移層13的蝕刻圖案來決定適當的形狀。
接著，將相位移層13蝕刻成為預定的圖案形狀。藉此，能夠在透明基板10上，形成被圖案化成為預定形狀之相位移層13P1(圖1(I))。
相位移層13的蝕刻製程能夠應用濕式蝕刻法或乾式蝕刻法，特別是透明基板10係大型時，藉由採用濕式蝕刻法，能夠實現面內均勻性高的蝕刻處理。
相位移層13的蝕刻液能夠適當地選擇，在本實施形態，能夠使用硝酸鈰銨及過氯酸的水溶液。因為該蝕刻液係與玻璃基板的選擇比高，在相位移層13的圖案化時能夠保護透明基板10。
在相位移層13的圖案化後，係除去光阻圖案14P1(圖1(J))。除去光阻圖案14P1係例如能使用氫氧化鈉水溶液。
如上述進行，能夠製造本實施形態之相位移光罩1。藉由本實施形態的相位移光罩1，能夠在遮光層11P1的周圍，形成上述構成的相位移層13P1。藉此，在對使用300nm 以上、500nm以下的波長區域的光線之被曝光基板形成曝光圖案時，能夠謀求提升基於相位移效果之圖案精確度，而可形成微細且高精確度的圖案。特別是依照本實施形態，藉由使用在上述波長範圍使不同波長的光線(g射線、h射線及i射線)複合化之曝光技術，變為更顯著。
以下，說明本實施形態之使用相位移光罩1之平面顯示器的製造方法。
首先，在形成有絕緣層及配線層之玻璃基板的表面形成光阻層。光阻層的形成係例如可使用旋轉塗布器。光阻層係施加加熱處理(烘烤)後，施行使用相位移光罩1之曝光處理。在曝光製程，係在接近光阻層配置相位移光罩1。然後，隔著相位移光罩1對基板表面照射300nm以上、500nm以下的複合波長。在本實施形態，上述波長的光線能夠使用g射線、h射線及i射線。藉此，能夠將對應相位移光罩1的光罩圖案而成之曝光圖案轉印至光阻層。
依照本實施形態，相位移光罩1係具有使其可對於300nm以上、500nm以下的波長區域之任一光線具有180°的相位差之相位移層13P1。因此，依照上述製造方法，藉由使用上述波長區域的光線，能夠謀求基於相位差效果之提升圖案精確度，並且因為加深焦點深度，能夠形成微細且高精確度的圖案。藉此，能夠製造高畫質的平面顯示器。
依照本發明者等的實驗，使用未具有該相位移層的光罩而曝光時，對於目標線寬(2μm)會產生30%以上的圖案寬偏移，但是使用本實施形態的相位移光罩而曝光時，確認能夠將偏移抑制為7%左右。
(第2實施形態)
圖3係說明本發明的第2實施形態的相位移光罩的製造方法之製程圖。又，在圖3，對與圖1對應部分係附加同一符號，並省略其詳細的說明。
本實施形態的相位移光罩2(圖3(j))係在周邊部具有位置對準用之對準標記，且該對準標記係使用遮光層11P2形成。以下，說明相位移光罩2的製造方法。
首先，在透明基板10上形成遮光層11((圖3(A))。隨後，在遮光層11上形成光阻層12(圖3))。光阻層12可以是正型亦可以是負型。隨後，藉由將光阻層12曝光及顯像，而能夠在遮光層11上形成光阻圖案12P2(圖3(C))。
光阻圖案12P2係作為遮光層11的蝕刻光罩之功能，能夠按照遮光層11的蝕刻圖案來決定適當的形狀。圖3(C)係顯示為了在透明基板10的周緣預定範圍內使遮光層殘存而形成光阻圖案12P2之例子。
接著，將遮光層11蝕刻成為預定的圖案形狀。藉此，能夠在透明基板10上，形成被圖案化成為預定形狀之遮光層11P2(圖3(D))。遮光層11P2的圖案化後，除去光阻圖案12P2(圖3(E))。光阻圖案12P2的除去係例如可使用氫氧化鈉水溶液。
隨後，形成相位移層13。相位移層13係在透明基板10上以被覆遮光層11P2的方式形成(圖3(F))。相位移層13係由氧化氮化鉻系材料所構成，且使用DC濺鍍法成膜。此時能夠使用氮化性氣體及氧化性氣體之混合氣體或惰性氣體、氮化性氣體及氧化性氣體的混合氣體作為製程氣體。相位移層13係使用與上述第1實施形態同樣的成膜條件形成。
接著，在相位移層13上形成光阻層14((圖3(G))。隨後，藉由將光阻層14曝光及顯像，而能夠在相位移層13上形成光阻圖案14P2(圖3(H))。光阻圖案14P2係作為相位移層13的蝕刻光罩之功能，能夠按照相位移層13的蝕刻圖案來決定適當的形狀。
接著，將相位移層13蝕刻成為預定的圖案形狀。藉此，能夠在透明基板10上，形成被圖案化成為預定形狀之相位移層13P2(圖3(I))。在相位移層13P2的圖案化後，係除去光阻圖案14P2(圖3(J))。除去光阻圖案14P2係例如能使用氫氧化鈉水溶液。
如以上進行，能夠製造本實施形態之相位移光罩2。藉由本實施形態的相位移光罩2，因為對準標記能夠以遮光層11P2形成，光學性辨識對準標記變為容易，能夠高精確度地對準位置。本實施形態能夠與上述的第1實施形態組合而實施。
又，相位移層13能夠使其作為半色調(半透射層)之功能。此時，能夠使透過與未透過相位移層13的光線具有曝光量差異。
以上，說明了本發明的實施形態，當然，本發明不受此限定，基於本發明的技術思想能夠進行各種變形。
例如在以上的實施形態，係在遮光層的圖案化後進行相位移層的成膜及圖案化，但是不受此限定，亦可以在相位移層的成膜及圖案化後，進行遮光層的成膜及圖案化。亦即，能夠變更遮光層及相位移層的積層順序。
又，在以上的實施形態，係將遮光層11在透明基板10的全面成膜後，藉由將必要部位蝕刻來形成遮光層11P1、 11P2，但是亦可以形成遮光層11P1、11P2的形成區域為開口之光阻圖案後，形成遮光層11來代替。形成遮光層11後，藉由除去上述光阻圖案而能夠在必要區域形成遮光層11P1、11P2(剝離法)。
1、2‧‧‧相位移光罩
10‧‧‧透明基板
11、11P1、11P2‧‧‧遮光層
12‧‧‧光阻層
12P1、12P2‧‧‧光阻圖案
13、13P1、13P2‧‧‧相位移層
14‧‧‧光阻層
14P1、14P2‧‧‧光阻圖案
圖1係說明本發明的第1實施態樣之相位移光罩的製造方法之製程圖。
圖2係顯示上述相位移光罩的相位移層的成膜條件與光學特性的關係之實驗結果。
圖3係說明本發明的第2實施態樣之相位移光罩的製造方法之製程圖。
10‧‧‧透明基板
11、11P1‧‧‧遮光層
12‧‧‧光阻層
12P1‧‧‧光阻圖案
13、13P1‧‧‧相位移層
14‧‧‧光阻層
14P1‧‧‧光阻圖案

Claims (8)

  1. 一種相位移光罩的製造方法，其係包含：將透明基板上的遮光層圖案化；藉由在含有49.4%以上、86.2%以下的N2 氣體及10%以上、35%以下的CO2 氣體之混合氣體的環境下濺鍍鉻系材料的靶材，以被覆前述遮光層的方式且以賦予i射線的相位差與賦予g射線的相位差之差異為40°以下之膜厚度在前述透明基板上形成由對於300nm以上、500nm以下的波長區域之任一光線可具有180°±10°的相位差之氧化氮化碳化鉻系材料所構成的相位移層；及將前述相位移層圖案化。
  2. 如申請專利範圍第1項之相位移光罩的製造方法，其中形成前述相位移層之製程係以對於i射線具有180°±10°的相位差之膜厚度來形成前述相位移層。
  3. 如申請專利範圍第1項之相位移光罩的製造方法，其中形成前述相位移層之製程係以對於h射線具有180°±10°的相位差之膜厚度來形成前述相位移層。
  4. 如申請專利範圍第1項之相位移光罩的製造方法，其中前述混合氣體係更含有惰性氣體。
  5. 一種平面顯示器的製造方法，其係包含：在基板上形成光阻層；在接近前述光阻層配置相位移光罩，該相位移光罩具有相位移層，該相位移層係藉由在含有49.4%以上、86.2%以下的N2 氣體及10%以上、35%以下的CO2 氣體之混合氣體的環境下濺鍍鉻系材料的靶材而形成，並以賦予i射線的相位差與賦予g射線的相位差之差異為40°以下之膜 厚度且由對於300nm以上、500nm以下的波長區域之任一光線可具有180°±10°的相位差之氧化氮化碳化鉻系材料所構成；及藉由對上述相位移光罩照射前述300nm以上、500nm以下的複合波長之光線來將前述光阻層曝光。
  6. 如申請專利範圍第5項之平面顯示器的製造方法，其中在將前述光阻層曝光之製程，係使用g射線、h射線及i射線的複合曝光光線。
  7. 一種相位移光罩，其係具備：透明基板；遮光層，其係形成於前述透明基板上；及相位移層，其係形成於前述遮光層的周圍，並藉由在含有49.4%以上、86.2%以下的N2 氣體及10%以上、35%以下的CO2 氣體之混合氣體的環境下濺鍍鉻系材料的靶材而形成，並以賦予i射線的相位差與賦予g射線的相位差之差異為40°以下之膜厚度且由對於300nm以上、500nm以下的複合波長區域之任一光線可具有180°±10°的相位差之氧化氮化碳化鉻系材料所構成。
  8. 如申請專利範圍第7項之相位移光罩，其中前述複合波長區域的光線係g射線、h射線及i射線的複合光線。
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