JP4726010B2 - マスクブランク及びフォトマスク - Google Patents

Description

本発明は、マスクブランク及びフォトマスク特に、ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク（フォトマスク用のブランク）、係るマスクブランクを用いて製造されたフォトマスク（転写マスク）等に関する。

近年、大型ＦＰＤ用マスクの分野において、半透光性領域（いわゆるグレートーン部）
を有するグレートーンマスクを用いてマスク枚数を削減する試みがなされている（非特許
文献１）。
ここで、グレートーンマスクは、図５（１）及び図６（１）に示すように、透明基板上
に、遮光部１と、透過部２と、半透光性領域であるグレートーン部３とを有する。グレー
トーン部３は、透過量を調整する機能を有し、例えば、図５（１）に示すようにグレート
ーンマスク用半透光性膜（ハーフ透光性膜）３ａ’を形成した領域、あるいは、図６（１
）に示すようにグレートーンパターン（グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光
機の解像限界以下の微細遮光パターン３ａ及び微細透過部３ｂ）を形成した領域であって、これらの領域を透過する光の透過量を低減しこの領域による照射量を低減して、係る領
域に対応するフォトレジストの現像後の膜減りした膜厚を所望の値に制御することを目的
として形成される。
大型グレートーンマスクを、ミラープロジェクション方式やレンズを使ったレンズ方式
の大型露光装置に搭載して使用する場合、グレートーン部３を通過した露光光は全体とし
て露光量が足りなくなるため、このグレートーン部３を介して露光したポジ型フォトレジ
ストは膜厚が薄くなるだけで基板上に残る。つまり、レジストは露光量の違いによって通
常の遮光部１に対応する部分とグレートーン部３に対応する部分で現像液に対する溶解性
に差ができるため、現像後のレジスト形状は、図５（２）及び図６（２）に示すように、
通常の遮光部１に対応する部分１’が例えば約１μｍ、グレートーン部３に対応する部分
３’が例えば約０．４〜０．５μｍ、透過部２に対応する部分はレジストのない部分２’
となる。そして、レジストのない部分２’で被加工基板の第１のエッチングを行い、グレ
ートーン部３に対応する薄い部分３’のレジストをアッシング等によって除去しこの部分
で第２のエッチングを行うことによって、１枚のマスクで従来のマスク２枚分の工程を行
い、マスク枚数を削減する。
月刊ＦＰＤ Intelligence、p.31-35、１９９９年５月 「フォトマスク技術のはなし」、田辺功、法元盛久、竹花洋著、工 業調査会刊、「第４章ＬＣＤ用フォトマスクの実際」p.151-180

ところで、マイクロプロセッサ、半導体メモリ、システムＬＳＩなどの半導体ディバイ
スを製造するためのＬＳＩ用マスクは、最大でも６インチ角程度と相対的に小型であって、ステッパ（ショット−ステップ露光）方式による縮小投影露光装置に搭載されて使用さ
れることが多い。係るＬＳＩ用マスクでは、被転写基板としてシリコンウエハを使用し、
最終形態として多数のチップに切断されて使用される。係るＬＳＩ用マスクでは、露光波
長で決定される解像限界を打破すべく、露光波長の短波長化が図られている。ここで、Ｌ
ＳＩ用マスクでは、レンズ系による色収差排除及びそれによる解像性向上の観点から、単
色の露光光（単一波長の露光光）が使用される。このＬＳＩ用マスクについての単色の露光波長の短波長化は、超高圧水銀灯のｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）へと進行してきている。また、ＬＳＩ用マスク上に形成されるマスクパターンの最小線幅は０．２６μｍ程度（ウエハ上に形成されるパターンの最小線幅は０．０７μｍ程度）を実現している。
これに対し、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用大型マスクを、ミラープロジェ
クション（スキャニング露光方式による、等倍投影露光）方式の露光装置に搭載して使用
する場合、（１）反射光学系だけでマスクを介した露光が行われるので、ＬＳＩ用マスク
の如きレンズ系の介在に基づき生じる色収差は問題とならないこと、及び、（２）現状で
は多色波露光（複数の波長を持つ多波長露光）の影響（透過光や反射光に基づく干渉や、色収差の影響など）を検討するよりも、単色波露光（単一波長露光）に比べ大きな露光光強度を確保した方が総合的な生産面から有利であることから、またレンズ方式の大型露光装置に搭載して使用する場合上記（２）に記載したことなどから、超高圧水銀灯のｉ線〜ｇ線の広い波長帯域を利用し多色波露光を実施している。

また、ＦＰＤ用大型マスクブランクでは、基板サイズが大きい分、基板サイズが小さい
場合に比べ、製造原理上の限界面（製造方法や製造装置に由来する限界面）の要因、並び
に製造条件の変動（プロセス変動）の要因に基づき、面内及び基板間において諸特性（膜
組成、膜質、透過率、反射率、光学濃度、エッチング特性、その他光学特性、膜厚など）
のばらつきが生じやすく、このため面内及び基板間の諸特性が均一なものを大量に作りづ
らい、といった特色がある。このような特色は、ＦＰＤの更なる大型化・高精細化に伴い
増長される傾向にある。
ここで、面内及び基板間において諸特性のばらつきが大きい場合、以下の不都合がある。
（１）諸特性のばらつきが大きい製品は、ばらつきが大きい点において高品質とは言えず、性能面でも良いとは言えない。
（２）諸特性のばらつきが大きいと、規格内に収めるのが大変で、規格内に収まるものを
大量に製造するのが難しく、つくりずらい。
（３）諸特性のばらつきが大きいため、規格外のものが出てしまい、生産性（歩留まり）
が悪い。
（４）諸特性のばらつきが大きいと、それにあわせて規格も緩くする必要がある。したが
って、高規格化を追求できず、高規格化に対応しずらい。

さらに、ＦＰＤ用大型マスクに形成されるパターンの最小線幅は１μｍ程度以下、被転
写用大型ガラス基板上に形成されるパターンの最小線幅は共に２〜３μｍ程度であり、最
先端ＬＳＩの最小線幅に比べ大きい。しかし、ＦＰＤは、大面積のままで１つのＦＰＤ製
品として使用され、ＬＳＩに比べ最終形態が大面積であり、多数の素子のすべてが機能す
ることが必要である。従って全ての素子が機能することを阻害する欠陥及び阻害する可能
性があると考えられる規格外の欠陥は許容されない。このように、ＦＰＤ製品では、大面
積で欠陥がないことを実現する必要があるが、ＦＰＤ用大型マスクブランクでの面内及び
基板間において諸特性のばらつきが大きい場合、ＦＰＤ用大型マスク並びに大面積ＦＰＤ
製品についての高品質化や歩留まり向上等を実現することは難しいといった特色がある。
このような特色は、ＦＰＤの更なる大型化・高精細化に伴い増長される傾向にある。

以上のように、ＦＰＤ用大型マスクでは、マスクの使用環境の相違やマスクサイズの相
違等に基づき、ＬＳＩ用マスクでは要求されない（即ち検討する必要のない）特性が、要
求される（即ち検討する必要がある）と言える。
このようなマスクの使用環境の相違等に基づき生ずるＦＰＤ用大型マスク特有の要求特
性に関し、本発明者は、多色波露光に着目した。
さて、複数の波長による露光（多色波露光）処理の利点は、露光光強度が、単一波長による露光（単色波露光）の場合に比べて大きくできることである。例えば、ｉ線のみ、又はｇ線のみの単色波露光に比べて、ｈ線を含みｉ線からｇ線に亘る波長帯域の光で露光を行うほうが、露光光強度は大きい。このため、デバイスの生産性を向上させることができる。
例えば、ＦＰＤデバイス等の大型のディスプレイデバイスは、等倍露光法を利用して製造される場合が多い。ＬＳＩデバイス等の製造で使われている縮小露光法に比べて等倍露光法では、デバイス面に照射される露光光の入射強度が小さいので、複数の波長を利用することで、デバイス面に照射される露光光の入射強度を補える利点が得られる。
他方で、複数の波長を利用して露光処理する場合、露光光強度が大きいため、マスク表面の反射率を十分に抑制しておく必要が生じた。
それは、デバイス面に照射された露光光の一部が反射され、デバイス面側からマスク表面に入射した光（デバイス面側からの戻り光）が、マスク表面で反射される反射光も複数の波長を有する光となり、その光が再度、露光光とともにデバイス面に入射してしまうので、適切なパターニングが阻害されるからである。
例えば、ＦＰＤデバイス等の大型のディスプレイデバイスでは、大面積であるため、とりわけ面内に亘って均一に露光処理することが要求されるが、複数の波長を利用した複数波長露光では、反射光の光強度が大きく、十分に抑制することが困難であるため、高品質な製品（例えば、ＦＰＤデバイス）を供給する上での阻害要因となっていた。
また、グレートーンマスクの場合では、グレートーン部と遮光部の２箇所によるデバイス側の戻り光によるマスク表面の反射光がデバイス側に入射してしまうため、製造上の困難を引き起こす場合もある。
本願の目的は、多色波露光に伴う問題点を見出し、対応策を案出することにある。

本発明者の研究に基づくと、これらの課題は、露光処理に利用される露光光の波長帯域に渡ってマスク表面の反射率が広帯域で抑制されたマスクであれば解決できることが判明した。
また、本発明者の研究に基づくと、透光性基板上に遮光機能を有する下層部と、この下層部の上に形成された反射防止機能を有する上層部とが積層されたマスクであって、前記下層部と前記上層部とに隣接する部分の組成が、前記下層部から前記上層部に向かって連続的に遷移する組成傾斜を有していると、これらの課題の解決に好ましいことが判明した。
また、本発明者の研究に基づくと、このような組成傾斜構造は、遮光機能を有する下層部と、この下層部の上に反射防止機能を有する上層部とを形成する場合に、インラインスパッタリング法等を利用して下層部から上層部にわたって連続形成処理することにより好適に形成できることがわかった。
さらに、本発明者は、ＦＰＤ用大型マスクに特有の多色波露光に着目し、この多色波露光に適したＦＰＤ用大型マスクに特有の要求特性について研究を行った。
その結果、以下のことが判明した。
（１）露光光源である超高圧水銀灯から放射されるｉ線，ｈ線，ｇ線の露光光強度（相対
強度）はほぼ等しい。より詳しくはｉ線，ｈ線，ｇ線の露光光強度（相対強度）はほぼ等
しいが、両端のｉ線，ｇ線の強度に比べ中央のｈ線の強度がやや低い（図１参照）。
つまり相対強度的にはｉ線，ｈ線，ｇ線はいずれも同等に重要視する必要があり、マス
クを介した露光時に相対強度に応じて発現される作用、例えば反射防止膜による膜面反射
率など、についてはいずれも同等に重要視する必要があると考えられる。
ここで、ｉ線，ｈ線，ｇ線の相対強度に応じて発現される作用のうち、反射防止膜の膜面反射率について考えると、ある膜厚の反射防止膜による膜面反射率Ｒの分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）は波長λの関数であり、Ｒ＝ｆ（λ）で表される。この膜面反射率Ｒの分光曲線は、主として、膜材料、膜組成、膜質、製造条件、製造装置等で決定される。一方で、膜面反射率Ｒは、波長（λ／４）及び膜厚と関係し、これらの変化に応じて変化する。
また、膜面反射率Ｒに関しては、一定値以下であれば反射防止の性能上及び規格上は問
題ない。したがって、ｉ線〜ｇ線の波長帯域で膜面反射率Ｒの分光曲線の変動幅（各波長における反射率の最大反射率と最小反射率の差）が大きくても（分光曲線のカーブがきつくても）、ｉ線〜ｇ線の波長帯域内における膜面反射率Ｒの最大値が一定以下であれば反射防止の性能的には問題ない。
しかしながら、ｉ線，ｈ線，ｇ線の露光光強度はほぼ等しいことを考慮すると、ｉ線，
ｈ線，ｇ線のいずれに対してもほぼ同等の膜面低反射率（低い膜面反射率）を実現できることが好ましいと考えられることがわかった。
（２）ｉ線，ｈ線，ｇ線に対しほぼ同等の膜面反射率（例えばｉ線、ｈ線、ｇ線における各反射率の相互の差異が１％未満）を有する膜は、実際に製造可能であることがわかった。
（３）多色波露光で使用される大型ＦＰＤ用マスクにおいて、相対強度的にほぼ同等であ
るｉ線，ｈ線，ｇ線に対しほぼ同等の膜面反射率を有する膜を実際にマスクブランク及び
マスクに適用することによって、係る変動幅が大きな膜を適用した場合に比べ、面内及び
基板間における膜面反射率が均一なものを大量に作りやすく、従ってマスクブランクの高
品質化及び歩留まり向上等に寄与でき、ひいては、大面積ＦＰＤ製品についての高品質化
や歩留まり向上等に寄与できることががわかった。
（４）上記（１）、（３）と関連して、例えば図３に示すように、少なくともｉ線，ｈ線，ｇ線に対しほぼ同等の膜面反射率を有するように光学設計され作製された膜面反射率の
変動幅が小さな膜（例えば変動幅が１％未満）、好ましくはｉ線〜ｇ線を含むより広い波長帯域で膜面反射率の変動幅が小さな膜（例えば波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに渡る波長帯域において膜面反射率の変動幅が２％未満に光学設計され作製された膜）、である場合は、製造条件の変動（プロセス変動）や、これに伴う膜組成の変動や膜厚の変動など、に対して、分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）が上下左右にシフトしたしても、これによって分光反射率（各波長における反射率）が大きく変動することがなく、分光反射率（各波長における反射率）の均一性が良い。したがって、分光反射率（各波長における反射率）の均一性が良いものを大量に製造しやすく、また規格ｋ内に収まるマスクブランクやマスクを歩留まり良く大量に製造しやすいことがわかった。
これに対し、例えば図３に示すように、上記波長帯域において分光反射率（各波長における反射率）の変動幅Ｈ’が大きいと、ほんの少しの製造条件の変動（プロセス変動）や、これに伴う膜組成の変動や膜厚の変動など、に対して、分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）が上下左右にシフトしてしまい、これによって分光反射率（各波長における反射率）が大きく変動してしまうので、分光反射率（各波長における反射率）の均一性が悪くなり、また分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）のシフトによって規格ｋ外となってしまう割合も増えるので製造しにくく生産性も良くない。したがって、現実には、変動幅Ｈが小さい場合に比べ、規格ｋを緩くしないと生産性良く製造できないことがわかった。
（５）上述したように、ｉ線〜ｇ線の波長帯域で膜面反射率Ｒの分光曲線の変動幅が大きくても、ｉ線〜ｇ線の波長帯域内における膜面反射率Ｒの最大値が一定以下であれば反射防止の性能的には問題ない。しかしながら、例えば図４に示すように、上記波長帯域における分光反射率（各波長における反射率）の変動幅が小さく、上記波長帯域に亘る規格ｋ、ｋ’内に収まる（上限・下限の規格値ｋ、ｋ’で波長帯域管理できる）場合は、係る変動幅が大きい場合に比べ、同一の膜が製造されているかどうかの一つの判断基準となるので好ましいことがわかった。
（６）尚、上記（２）と関連して、ｉ線，ｈ線，ｇ線に対しほぼ同等の膜面反射率有する
膜は、実際に製造可能であること、を見出す課程おいて、以下のことがわかった。
（ｉ）クロム酸化膜系（例えばＣｒＯ膜単層など）の反射防止膜だと、反射防止膜として機能を持たせるには膜中にＯを含むため（膜中のＯが多いため）、ｉ線〜ｇ線の波長帯域、更には係る波長帯域を含むより広い波長帯域で基本的に分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）のカーブがきつく、又は、分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）において最小反射率となる波長帯域の幅が小さくなり、分光反射率（各波長における反射率）の変動幅が大きくなる傾向があることが判明した。
ここで、クロム酸化膜系（例えばＣｒＯ膜など）の反射防止膜を多層とすることによっ
て、上記波長帯域における分光反射率（各波長における反射率）の変動幅が小さくすることも考えられるが、このように多層とするとプロセスが複雑となると共に膜欠陥の増加する。
（ｉｉ）クロム酸化膜系の反射防止膜に比べ、クロム酸窒化膜系（例えばＣｒＯＮ膜）の反射防止膜では、ｉ線〜ｇ線の波長帯域、更には係る波長帯域を含むより広い波長帯域で基本的に分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）のカーブが緩やかでフラットではあるが、マスクブランク並びにＦＰＤ自体の高品質化やより均一なもの（規格の厳しいもの）を大量に製造しやすくするなどの目的達成のためには、どのようなクロム酸窒化膜系の反射防止膜であっても係る目的の達成に適しているわけではなく、しかもクロム酸窒化膜系の反射防止膜の下層がどのような遮光性膜であっても係る目的の達成に適しているわけではない。したがって、係る目的の達成に適した所定の条件を満たすクロム酸窒化膜系の反射防止膜及び遮光性膜を見つけ出し使用する必要があることが判明した。つまり、膜材料が同じクロム酸窒化膜系であっても、膜組成の調整、製造条件、製造装置等の選定及び制御、これらによる膜質の制御、遮光性膜の材料等、ボトムピークの位置、膜構成の相違、などの相違によって所定の条件を満たす場合と満たさない場合があることが判明した。

本発明方法は、以下の構成を有する。
（構成１）透光性基板上に、遮光機能を有する下層部と反射防止機能を有する上層部とで
少なくとも構成される遮光性膜、を有するマスクブランクであって、
前記遮光性膜は、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域
において、膜面反射率の変動幅が１％未満の範囲内となるように制御された膜であること
を特徴とするＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
（構成２）前記遮光性膜は、前記膜面反射率が最小となる最小反射率が３８０ｎｍ〜４３
０ｎｍの波長範囲となるように制御された膜であることを特徴とする構成１に記載のＦＰ
Ｄデバイスを製造するためのマスクブランク。
（構成３）前記遮光性膜は、遮光機能を有する炭化クロム系の下層部と反射防止機能を有
する酸窒化クロム系の上層部とで構成され、前記下層部及び上層部は上記要件を満たすべ
く光学設計され、作製されていることを特徴とする構成１又は２に記載のＦＰＤデバイス
を製造するためのマスクブランク。
（構成４）前記遮光性膜は、窒化クロム系の下地層と、遮光機能を有する炭化クロム系の
下層部と、反射防止機能を有する酸窒化クロム系の上層部とで構成され、前記下地層、下
層部及び上層部は上記要件を満たすべく光学設計され、作製されていることを特徴とする
構成１又は２に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
（構成５）透光性基板と、この基板の上に形成された遮光機能を有する下層部と、この下層部の上に形成された反射防止機能を有する上層部とが積層されたマスクブランクにおいて、前記マスクブランクは、前記下層部及び前記上層部がパターニング処理されてフォトマスクとなされた後、デバイスを製造する際に、複数の波長を含む露光光により露光処理されるフォトマスク用のマスクブランクであって、前記マスクブランクの反射率曲線は、光の波長に対して下に凸の曲線を描くよう構成され、前記反射率曲線の最小反射率部が前記露光光に対応する波長帯域内となるべく構成したことを特徴とするマスクブランク。
（構成６）構成５に記載のマスクブランクであって、ｉ線波長以上ｇ線波長以内の波長帯域で反射率が最小となることを特徴とするマスクブランク。
（構成７）構成５又は構成６に記載のマスクブランクであって、実質的にｈ線波長で反射率が最小となることを特徴とするマスクブランク。
（構成８）構成５乃至構成７の何れか１項に記載のマスクブランクであって、前記露光光に対応する波長帯域における最大反射率が１３％を超えないことを特徴とするマスクブランク。
（構成９）構成５乃至構成８の何れか１項に記載のマスクブランクであって、等倍露光処理する露光機に対応するフォトマスク用のマスクブランク。
（構成１０）構成１乃至４記載のマスクブランクを用いて製造されたことを特徴とするＦＰＤデバイスを製造するためのフォトマスク。
（構成１１）構成５乃至構成９の何れか１項に記載のマスクブランクを用いて製造されたことを特徴とするフォトマスク。

本発明によれば、多色波露光に適したＦＰＤ用大型マスク及びマスクブランクを提供で
きる。

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に係るＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクにおいて、
遮光機能を有する下層部と反射防止機能を有する上層部とで少なくとも構成される遮光
性膜は、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域において、
膜面反射率の変動幅が１％未満の範囲内となるように制御された膜であることを特徴とす
る（構成１）。
本発明において、上記要件を満たす遮光性膜は、上記要件を満たす可能性があると思わ
れる（上記要件を満たすのに適した）膜材料を選択した上で、更に膜組成の調整、製造条
件、製造装置等の選定及び制御、これらによる膜質の制御、遮光性膜の材料等、ボトムピ
ークの位置、膜構成、などによって上記要件を満たすことが可能であることを確認して得
られる。尚、膜材料が同じであっても、膜組成の調整、製造条件、製造装置等の選定及び
制御、これらによる膜質の制御、遮光性膜の材料等、ボトムピーク（分光曲線（反射率曲線、分光反射率線）の最小反射率部）の位置、膜構成の相違、などの相違によって上記要件を満たすものと満たさないものがある。
本発明において、前記遮光性膜は、上記のような状況の下で、超高圧水銀灯から放射さ
れる少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域において、膜面反射率の変動幅が１％未満の
範囲内にあり、ｉ線，ｈ線，ｇ線に対する膜面反射率が波長によらずほぼ同等となるよう
に、光学設計され、作製された膜である。
尚、本発明において、遮光機能を有する下層部は、遮光性能が高い部分であって要求さ
れる遮光性能の大部分又は全部を発現させる部分である。また、反射防止機能を有する上
層部は、遮光機能を有する下層部の上に形成され、遮光機能を有する下層部の反射率を低
減させ、反射防止機能を発現させる部分である。

本発明に係るＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクにおいて、前
記遮光性膜は、前記膜面反射率が最小となる最小反射率が３８０ｎｍ〜４３０ｎｍの波長
範囲となるように制御された膜であることが好ましい（構成２）。
この理由は、膜面反射率が最小となる最小反射率（即ちボトムピークの位置）が３８０
ｎｍ〜４３０ｎｍの波長範囲内に存在するように制御された膜は、プロセス変動に伴う分
光曲線の上下左右方向のシフトに対し分光反射率（各波長における反射率）が大きく変動することが少なく、分光反射率（各波長における反射率）の均一性が良いからである。また、遮光性膜の成膜中の製造条件（成膜条件）が変動した場合であっても、これによって分光反射率（各波長における反射率）が変化することが少なく、規格内に収まるマスクブランクやマスクを歩留まり良く製造することができる。

本発明に係るＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクにおいて、前
記遮光性膜は、遮光機能を有する炭化クロム系（クロムと炭素を含む材料系）の下層部と反射防止機能を有する酸窒化クロム系（クロムと酸素と窒素を含む材料系）の上層部とで構成され、前記下層部及び上層部は上記要件を満たすべく光学設計され、作製されていることが好ましい（構成３）。
この理由は、これらの材料系からなる膜（例えばＣｒＣ遮光性層（下層部）＼ＣｒＯＮ
反射防止層（上層部）からなる膜等）は、他の材料系の膜に比べ、膜組成の調整、製造条
件、製造装置等の選定及び制御、これらによる膜質の制御、遮光性膜の材料等、ボトムピ
ークの位置、膜構成、などによって、上記要件即ちｉ線〜ｇ線の波長帯域で膜面反射率の変動幅１％未満の範囲内にあること、を満たすものが得られやすいからである。
更に、これらの材料系からなる膜（例えばＣｒＣ遮光性層（下層部）＼ＣｒＯＮ反射防
止層（上層部）からなる膜等）は、他の材料系の膜に比べ、膜組成の調整、製造条件、製
造装置等の選定及び制御、これらによる膜質の制御、遮光性膜の材料等、ボトムピークの
位置、膜構成、などによって、波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに渡る波長帯域において、膜
面反射率の変動幅が２％未満の範囲内となるように制御された膜が得られやすく、これに
よって、プロセス変動に伴う分光曲線の左右方向のシフトに対し分光反射率（各波長における反射率）が大きく変動することがなく、分光反射率（各波長における反射率）の均一性が良い。これに対し、例えばｉ線〜ｇ線を含む波長帯域で膜面反射率の変動幅が小さくてもその両端の波長帯域で急峻に分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）が上昇する場合、分光曲線（分光反射率線）が左右方向に少しずれただけで規格外となることが考えられる。
尚、これらの材料系からなる膜（例えばＣｒＣ遮光性層（下層部）＼ＣｒＯＮ反射防止
層（上層部）からなる膜等）は、膜組成の調整、製造条件、製造装置等の選定及び制御、
これらによる膜質の制御、遮光性膜の材料等、ボトムピークの位置、膜構成、などによっ
て、図２のＡ線、Ｃ線の如く、膜面反射率のボトムピークをｉ線〜ｇ線の波長帯域のほぼ中心であるｈ線（４０５ｎｍ）付近の４００±１０ｎｍに合わせ込んで作製することが可能であり、これによって、プロセス変動に伴う分光曲線の上下左右方向のシフトに対し分光反射率（各波長における反射率）が大きく変動することがなく、分光反射率（各波長における反射率）の均一性が良い膜を得ることが可能である。

本発明に係るＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクにおいては、
前記遮光性膜は、窒化クロム系（クロムと窒素を含む材料系）の下地層と、遮光機能を有する炭化クロム系（クロムと炭素を含む材料系）の下層部と、反射防止機能を有する酸窒化クロム系（クロムと酸素と窒素を含む材料系）の上層部とで構成され、前記下地層、下層部及び上層部は上記要件を満たすべく光学設計され、作製されていることが好ましい（構成４）。
この理由は、これらの材料系からなる膜（例えばＣｒＮ下地層＼ＣｒＣ遮光性層（下層
部）＼ＣｒＯＮ反射防止層（上層部）からなる膜等）では、下地層を含めインライン型ス
パッタリング装置によって連続的に形成することによって、膜面反射率の分光曲線が微妙
に変化し、これによって、図２のＡ線の如く、（１）膜面反射率のボトムピークがｉ線〜ｇ線の波長帯域のほぼ中心であるｈ線（４０５ｎｍ）付近にあり、（２）ボトムピークを中心としてほぼ左右対称の膜面反射率の分光曲線が得られ、（３）しかもｉ線からｇ線に渡る波長帯域において膜面反射率の最大値が１２％以下である分光曲線が得られるからである。これらによって、プロセス変動に伴う分光曲線の上下左右方向のシフトに対し分光反射率（各波長における反射率）の変動が更に小さく、分光反射率（各波長における反射率）の均一性が更に良い膜を得ることが可能となる。また、インライン型スパッタリング装置によって連続的に成膜されたＣｒＮ下地層＼ＣｒＣ遮光性層（下層部）＼ＣｒＯＮ反射防止層（上層部）からなる膜では、各膜の表面に酸化層が形成されないので、光学特性（反射率等）を厳密に制御しやすくなる。

本発明において、超高圧水銀灯としては、例えば図１に示す特性を有するものが例示さ
れるが、本発明はこれに限定されない。
また、透光性基板としては、合成石英、ソーダライムガラス、無アルカリガラスなどの
基板が挙げられる。

本発明において、ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクとしては、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイなどのＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク及びマスクが挙げられる。
ここで、ＬＣＤ製造用マスクには、ＬＣＤの製造に必要なすべてのマスクが含まれ、例
えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、特にＴＦＴチャンネル部やコンタクトホール部、低
温ポリシリコンＴＦＴ、カラーフィルタ、反射板（ブラックマトリクス）、などを形成す
るためのマスクが含まれる。他の表示ディバイス製造用マスクには、有機ＥＬ（エレクト
ロルミネッセンス）ディスプレイ、プラズマディスプレイなどの製造に必要なすべてのマ
スクが含まれる。

また、本発明に係るマスクブランク及びマスクにおいて、透光性基板と、この透光性基板の上に形成された遮光機能を有する下層部と、この下層部の上に形成された反射防止機能を有する上層部とが形成されたマスクブランクは、前記下層部及び前記上層部がパターニング処理されてフォトマスクとなされた後、デバイスを製造する際に、複数の波長を含む露光光により露光処理されるフォトマスク用のマスクブランクであって、マスクブランクの反射率曲線は、光の波長に対して下に凸の曲線を描くように構成され、前記反射率曲線の最小反射率部が前記露光光に対応する波長帯域内となるように構成されたことを特徴とする（構成５）。
ここで、最小反射率部とは、マスクブランクの反射率曲線において、最も小さい反射率(最小反射率)から０．５％高い反射率までの領域を言う。この反射率曲線の最小反射率部が露光光に対応する波長帯域内となるようにすることにより、遮光性膜の成膜中の製造条件（成膜条件）が変動した場合であっても、これによって分光反射率（各波長における反射率）が変化することが少なく、規格内に収まるマスクブランクやマスクを歩留まり良く製造することができる。また、このように制御された膜は、プロセス変動に伴う反射率曲線の上下左右方向のシフトに対し分光反射率（各波長における反射率）が大きく変動することが少なく、分光反射率（各波長における反射率）の均一性がよい。マスクブランク、マスク表面の反射率が広波長帯域で抑制されることになるので、露光処理によりデバイスを作製する際に、適切なパターニングが阻害されることがない。
また、本発明に係るマスクブランク及びマスクは、ｉ線波長（３６５ｎｍ）以上ｇ線波長（４３６ｎｍ）以下の波長帯域で反射率が最小となる構成にする（構成６）ことが好ましく、さらに好ましくは、実質的にｈ線波長（４０５ｎｍ）でマスクブランクの反射率が最小となる構成にする（構成７）ことが望ましい。ここで、実質的にｈ線波長とは、４０５ｎｍ±１０ｎｍの波長帯域をいう。
また、本発明に係るマスクブランク及びマスクは、露光光に対する波長帯域における最大反射率が１３％を超えない（構成８）ことで、より露光処理によりデバイスを作製する際に、適切なパターニングを行うことができる。好ましくは、露光光に対する波長帯域（具体的には、ｉ線波長からｇ線波長）における最大反射率が１２％以下、さらに好ましくは、１１．５％以下、さらに好ましくは、１１％以下が望ましい。
また、本発明のマスクブランク及びマスクは、等倍露光処理する露光機に対応するマスクブランク、フォトマスク（構成９）として好適である。
また、本発明に係るマスクブランク及びマスクは、透光性基板上に遮光機能を有する下層部と、この下層部の上方に反射防止機能を有する上層部とを構成したマスクブランクであって、前記下層部と前記上層部とに隣接する部分の組成が、前記下層部から前記上層部に向かって連続的に遷移する組成傾斜を有していることが好適である。
また、前記上層部と前記下層部の主成分を同一の元素とし、添加元素の含有量を膜厚方向に連続的に遷移させた組成傾斜を有する構成がさらに好適である。例えば、前記主成分の元素としては、金属元素とすることができる。金属元素としては、クロムやタンタルなどの遷移金属が挙げられるが、中でもクロムが好適である。また、添加元素としては、反射防止機能を有する元素が挙げられ、中でも窒素、又は酸素が好適である。好ましい態様としては、例えば、下層部はクロムを主成分として構成し、上層部はクロムと、窒素及び／又は酸素を含む材料で構成し、前記下層部と前記上層部の境界部分において、窒素及び／又は酸素の含有量が膜厚方向で連続的に増加する構成を有するマスクブランク、マスクが望ましい。
また、本発明に係るマスクブランク及び、マスクは、照明光学系が反射光学式に構成された露光装置に対応するマスクブランク、マスクとして好適である。
また、本発明に係るマスクブランク及び、マスクは、３３０ｍｍ×４５０ｍｍ矩形以上の大型マスク、及びこのマスクに対応する大型マスクブランクとして好適である。このような大型マスクの用途としては、ディスプレイデバイス製造用マスク、例えば、ＦＰＤデバイス製造用フォトマスクなどを挙げることができる。
また、本発明は、グレートーンマスクに対応するマスクブランクとして好適である。

本発明に係るＦＰＤデバイスを製造するためのフォトマスクは、上記本発明に係るＦＰ
Ｄデバイスを製造するためのマスクブランクを用いて製造されることを特徴とする（構成１０、構成１１）。

以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
大型ガラス基板（合成石英（ＱＺ）１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）上
に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、下地層と、遮光機能を有する下層部と、反射防止機能を有する上層部とで構成される遮光性膜の成膜を行った。成膜は、大型イ
ンラインスパッタリング装置内に連続して配置された各スペース（スパッタ室）にＣｒタ
ーゲットを各々配置し、まずＡｒガスとＮ_２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＮ層（
ガラスに対する付着力増強を目的とした下地層）を１５０オングストローム、次いでＡｒ
ガスとＣＨ_４ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＣ層（遮光機能を有する下層部）を６
５０オングストローム、次いでＡｒガスとＮＯガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯＮ
層（反射防止機能を有する上層部）を２５０オングストローム、連続成膜して、マスクブ
ランクを作製した。尚、各膜はそれぞれ組成傾斜膜であった。また、ＣｒＣ層（遮光機能
を有する下層部）は、ＣｒＮ下地層やＣｒＯＮ層（反射防止機能を有する上層部）の成膜
の際に使用したＮ_２ガスやＮＯガスによりＮ（窒素）が含まれており、上記下地層、Ｃｒ
Ｃ層（遮光機能を有する下層部）、ＣｒＯＮ層（反射防止機能を有する上層部）の全てに
ＣｒとＮが含まれていた。
上記試料の分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）を図２のＡに示す。尚、分光反射率は分光反射率計により測定した。
図２に示す分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）Ａにおいては、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域において、膜面反射率の変動幅が１％（０．８％）未満の範囲内であった。詳しくは、膜面反射率の変動幅が０．８％で、１％未満の範囲内に収まっていた。また、係る波長帯域における膜面反射率の最大値は１２．０％以下であった。
また、図２に示す分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）Ａにおいては、波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに渡る波長帯域においては、膜面反射率の変動幅は２％（１．８％）未満の範囲内であった。詳しくは、膜面反射率の変動幅が１．８％で、２％未満の範囲内に収まっていた。また、係る波長帯域における膜面反射率の最大値は１２．８％であった。
複数枚（基板間：１００枚）について面内（均等９箇所）について同様に調べたところ、いずれも上記膜面反射率の変動幅の範囲内にあること確認された。

（実施例２）
大型ガラス基板（合成石英（ＱＺ）１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）上
に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、下地層と、遮光機能を有する下層部と、反射防止機能を有する上層部とで構成される遮光性膜の成膜を行った。成膜は、大型イ
ンラインスパッタリング装置内に連続して配置された各スペース（スパッタ室）にＣｒタ
ーゲットを各々配置し、まずＡｒガスとＮ_２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＮ層（
ガラスに対する付着力増強を目的とした下地層）を１５０オングストローム、次いでＡｒ
ガスとＣＨ_４ガスとＨｅガスをスパッタリングガスとしてＣｒＣ層（遮光機能を有する下
層部）を６３０オングストローム、次いでＡｒガスとＮＯガスをスパッタリングガスとし
てＣｒＯＮ層（反射防止機能を有する上層部）を２５０オングストローム、連続成膜して、マスクブランクを作製した。尚、各膜はそれぞれ組成傾斜膜であった。また、ＣｒＣ層
（遮光機能を有する下層部）は、ＣｒＮ下地層やＣｒＯＮ層（反射防止機能を有する上層
部）の成膜の際に使用したＮ_２ガスやＮＯガスによりＮ（窒素）が含まれており、上記下
地層、ＣｒＣ層（遮光機能を有する下層部）、ＣｒＯＮ層（反射防止機能を有する上層部
）の全てにＣｒとＮが含まれていた。また、ＣｒＣ層（遮光機能を有する下層部）は、Ｈ
ｅを含む層であった。
上記試料の分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）を図２のＢに示す。尚、分光反射率は分光反射率計により測定した。
図２に示す分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）Ｂにおいては、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域において、膜面反射率の変動幅が１％（０．８％）未満の範囲内であった。詳しくは、膜面反射率の変動幅が０．８％で、１％未満の範囲内に収まっていた。また、係る波長帯域における膜面反射率の最大値は１２．７％であった。
また、図２に示す分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）Ｂにおいては、波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに渡る波長帯域においては、膜面反射率の変動幅は２％（１．３％）未満の範囲内であった。詳しくは、膜面反射率の変動幅が１．３％で、２％未満の範囲内に収まっていた。また、係る波長帯域における膜面反射率の最大値は１３．２％であった。
複数枚（基板間：１００枚）について面内（均等９箇所）について同様に調べたところ、いずれも上記膜面反射率の変動幅の範囲内にあること確認された。

（実施例３）
大型ガラス基板（合成石英（ＱＺ）１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）上
に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、遮光機能を有する下層部と、反射防止
機能を有する上層部とで構成される遮光性膜の成膜を行った。成膜は、大型インラインス
パッタリング装置内に連続して配置された各スペース（スパッタ室）にＣｒターゲットを
各々配置し、まずＡｒガスとＣＨ_４ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＣ層（遮光機能
を有する下層部）を５００オングストローム、次いでＡｒガスとＮＯガスをスパッタリン
グガスとしてＣｒＯＮ層（反射防止機能を有する上層部）を４５０オングストローム、連
続成膜して、マスクブランクを作製した。尚、各膜はそれぞれ組成傾斜膜であった。また、ＣｒＣ層（遮光機能を有する下層部）は、ＣｒＯＮ層（反射防止機能を有する上層部）
の成膜の際に使用したＮＯガスによりＮ（窒素）が含まれており、上記ＣｒＣ層（遮光機
能を有する下層部）、ＣｒＯＮ層（反射防止機能を有する上層部）の双方にＣｒとＮが含
まれていた。
上記試料の分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）を図２のＣに示す。尚、分光反射率は分光反射率計により測定した。
図２に示す分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）Ｃにおいては、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域において、膜面反射率の変動幅が１％（０．３％）未満の範囲内であった。詳しくは、膜面反射率の変動幅が０．３％で、１％未満の範囲内に収まっていた。また、係る波長帯域における膜面反射率の最大値は１２．２％であった。
また、図２に示す分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）Ｃにおいては、波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに渡る波長帯域においては、膜面反射率の変動幅は２％（０．７％）未満の範囲内であった。詳しくは、膜面反射率の変動幅が０．７％で、１％未満の範囲内に収まっていた。また、係る波長帯域における膜面反射率の最大値は１２．６％であった。
複数枚（基板間：１００枚）について面内（均等９箇所）について同様に調べたところ、いずれも上記膜面反射率の変動幅の範囲内にあること確認された。

（比較例１）
大型ガラス基板（合成石英（ＱＺ）１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）上
に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、下地膜、遮光性膜及び反射防止膜の成
膜を行った。成膜は、大型インラインスパッタリング装置内に連続して配置された各スペ
ース（スパッタ室）にＣｒターゲットを各々配置し、まずＡｒガスとＣＯ_２ガスをスパッ
タリングガスとしてＣｒＯ膜（ガラス面反射防止膜）を３００オングストローム、次いで
ＡｒガスをスパッタリングガスとしてＣｒ膜（遮光性膜）を９５０オングストローム、次
いでＡｒガスとＣＯ_２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯ膜（膜面反射防止膜）を３
００オングストローム、連続成膜して、マスクブランクを作製した。
上記試料の分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）を図２のＤに示す。尚、分光反射率は分光反射率計により測定した。
図２に示す分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）Ｄにおいては、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域において、膜面反射率の変動幅は２％超（２．３％）であった。詳しくは、膜面反射率の変動幅が２．３％で、２％を超えていた。また、係る波長帯域における膜面反射率の最大値は１３．６％であった。
また、図２に示す分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）Ｄにおいては、波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに渡る波長帯域において、膜面反射率の変動幅は３％超（３．３％）であった。詳しくは、膜面反射率の変動幅が３．３％で、３％を超えていた。また、係る波長帯域における膜面反射率の最大値は１４．５７％であった。
複数枚（基板間：１００枚）について面内（均等９箇所）について同様に調べたところ、ほんの少しのプロセス変動で、分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）Ｃが上下左右にシフトしてしまい、これによって膜面反射率が大きく変動してしまうことがわかった。

（実施例４）
大型ガラス基板（合成石英（ＱＺ）１０ｍｍ厚、サイズ８５０ｍｍ×１２００ｍｍ）上に、大型インラインスパッタリング装置を使用し、下地膜と、遮光機能を有する下層部、反射防止機能を有する上層部とで構成される遮光性膜の成膜を行った。成膜は、大型インラインスパッタリング装置内に連続して配置された各スペース（スパッタ室）にＣｒターゲットを各々配置し、まずＡｒとＮ_２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＮ層（ガラスに対する付着力増強を目的とした下地層）を１５０オングストローム、次いで、ＡｒとＣＨ_４ガスとＮ_２ガスをスパッタリングガスとしてＣｒＣＮ層（遮光機能を有する下層部）を６２０オングストローム、次いで、ＡｒガスとＮＯガスをスパッタリングガスとしてＣｒＯＮ層（反射防止機能を有する上層部）を２３０オングストローム、連続成膜して、マスクブランクを作製した。得られた膜について、オージエ電子分光法により遮光性膜の膜厚方向の組成分析を行った。その結果を図７に示す。図７のとおり、下層部のＣｒＣＮ層と上層部のＣｒＯＮ層の境界において、遮光膜の表面方向に連続的に酸素及び窒素が増加した組成傾斜膜となっていた。また、下地層、下層部、上層部に亘って、遮光性膜を構成するクロム、炭素、酸素、窒素が膜厚方向の連続的に遷移した組成傾斜膜となっていた。さらに、下地層、下層部、上層部の全てにクロムと窒素が含まれている膜であった。
この遮光性膜の膜表面の反射率を分光反射率計により測定したところ、超高圧水銀灯（超高圧水銀ランプ）から放射される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長帯域において、膜面反射率の変動幅が０．８％であり、１％未満の範囲内であった。また、上述の実施例１から３と同様に、反射率が最小となる最小反射率部は、ほぼｈ線（４０５ｎｍ）付近であった。また、係る波長帯域における膜面反射率の最大値は、１１．０％以下であった。さらに、波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍにわたる波長帯域においては、膜面反射率の変動幅は、１．５％で、２％未満の範囲内であった。また、係る波長帯域における膜面反射率の最大値は、１１．７％であった。
複数枚（基板間：１００枚）について面内（均等９箇所）について同様に調べたところ、いずれも上記膜面反射率の変動幅の範囲内にあることを確認された。

（マスクの作製）
上記実施例１から実施例４及び比較例１で作製したマスクブランクを用い、遮光性膜のパターニングを行って、ＦＰＤ用大型マスクを作製した。
この結果、実施例１から実施例４の膜を使用した場合は、比較例１の膜を使用した場合に比べ、マスクの高品質化並びに歩留まり向上等に有益であることが確認された。

以上、好ましい実施例を掲げて本発明を説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではない。

露光光源である超高圧水銀灯の分光分布を示す図である。 実施例１〜３及び比較例１で作成した反射防止機能を有する遮光性膜の分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）を示す図である。 反射防止機能を有する遮光性膜の分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）の態様を説明するための図である。 反射防止機能を有する遮光性膜の分光曲線（分光反射率線、反射率曲線）の好ましい態様を説明するた めの図である。 半透光性膜を有するグレートーンマスクを説明するための図であり、（１） は部分平面図、（２）は部分断面図である。 解像限界以下の微細遮光パターンを有するグレートーンマスクを説明するた めの図であり、（１）は部分平面図、（２）は部分断面図である。 実施例４の遮光性膜をオージエ電子分光法により膜の深さ方向における組成分析を行った結果を示す図である。

符号の説明

１ 遮光部
２ 透過部
３ グレートーン部
３ａ 微細遮光パターン
３ｂ 微細透過部
３ａ’ 半透光性膜

Claims (13)

1. 透光性基板上に、遮光機能を有する下層部と、反射防止機能を有する上層部とを積層した構造の遮光性膜、を有するマスクブランクであって、
   前記遮光性膜の下層部と上層部が隣接する部分は、前記下層部から前記上層部に向かって組成傾斜しており、
   前記遮光性膜は、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長帯域において、膜面反射率の変動幅が１％未満の範囲内となるように制御された膜であることを特徴とするＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
2. 前記遮光性膜は、前記膜面反射率が最小となる最小反射率が３８０ｎｍ〜４３０ｎｍの
   波長範囲となるように制御された膜であることを特徴とする請求項１に記載のＦＰＤデバ
   イスを製造するためのマスクブランク。
3. 前記遮光性膜は、遮光機能を有する炭化クロム系の下層部と反射防止機能を有する酸窒
   化クロム系の上層部とで構成され、前記下層部及び上層部は上記要件を満たすべく光学設
   計され、作製されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のＦＰＤデバイスを製造
   するためのマスクブランク。
4. 前記遮光性膜は、窒化クロム系の下地層と、遮光機能を有する炭化クロム系の下層部と
   、反射防止機能を有する酸窒化クロム系の上層部とで構成され、前記下地層、下層部及び
   上層部は上記要件を満たすべく光学設計され、作製されていることを特徴とする請求項１
   又は２に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
5. 前記下層部は、クロムを主成分とする材料からなり、
   前記上層部はクロムと窒素または酸素を含む材料からなり、
   前記下層部と前記上層部の境界部分は、遮光膜の表面方向に向かって窒素または酸素の含有量が連続的に増加する組成傾斜を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
6. 前記遮光性膜は、インラインスパッタリング法を用い、下層部から上層部にわたって連続処理によって形成されたものであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
7. 前記遮光性膜は、波長３５０ｎｍから４５０ｎｍにわたる波長帯域において、膜面反射率の変動幅が２％未満の範囲内になるように制御された膜であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
8. 前記遮光性膜の下層部及び上層部がパターニング処理されてフォトマスクとなされた後、デバイスを製造する際に、超高圧水銀灯から放射される光により露光処理されるフォトマスク用のマスクブランクであって、
   前記遮光性膜の反射率曲線は、超高圧水銀灯から放射される光の波長に対して下に凸の曲線を描くよう構成され、前記反射率曲線の最小反射率部が前記光に対応する波長帯域内となるべく構成したことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
9. 前記遮光性膜は、ｉ線からｇ線にわたる波長帯域で反射率が最小となることを特徴とする請求項８に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
10. 前記遮光性膜は、実質的にｈ線波長で反射率が最小となることを特徴とする請求項８又は９に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
11. 前記遮光性膜は、ｉ線からｇ線にわたる波長帯域における最大反射率が１３％を超えないことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
12. 等倍露光処理する露光機に対応するフォトマスク用のマスクブランクであることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
13. 請求項１乃至１２の何れか１項に記載のマスクブランクを用いて製造されたことを特徴とするＦＰＤデバイスを製造するためのフォトマスク。
    

Images