KR100651117B1

KR100651117B1 - 포토마스크　블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법

Info

Publication number: KR100651117B1
Application number: KR1020020007675A
Authority: KR
Inventors: 쯔또무 시나가와; 다모쯔 마루야마; 히데오 가네꼬; 미끼오 고지마; 유끼오 이나즈끼; 사또시 오까자끼
Original assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2001-02-13
Filing date: 2002-02-09
Publication date: 2006-11-29
Also published as: US6733930B2; EP1241524A2; US20020136966A1; EP1241524A3; JP2002244274A; TW525037B; KR20020070791A; EP1241524B1

Abstract

본 발명은 투광성 기판상에 한층 이상의 크롬계 차광막과 한층 이상의 크롬계 반사 방지막을 갖는 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기 차광막 및 반사 방지막이 산소, 질소, 탄소를 포함하는 크롬계 막으로 형성되어 있고, 또한 탄소의 함유량을 표면측으로부터 투광성 기판을 향해서 단계적으로 또는 연속적으로 저하시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크에 관한 것이다.

본 발명에 의하면, 용이하게 에칭 속도를 제어할 수 있고 수직인 단면 형상을 제공하는 포토마스크 블랭크를 얻을 수 있으며, 또한 막질이 균일한 고품질의 포토마스크 블랭크 및 포토마스크를 얻을 수 있고, 한층 더 반도체 집적 회로의 미세화, 고집적화에 대응할 수가 있다.

포토마스크 블랭크, 포토마스크, 차광막, 반사 방지막, 에칭 속도, 크롬 산화질화탄화물

Description

포토마스크　블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법 {Photomask Blank, Photomask and Method of Manufacture}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 관한 포토마스크 블랭크의 단면도이다.

도 2는 동 포토마스크의 단면도이다.

도 3은 포토마스크의 제조 방법을 나타낸 설명도이고, (A)는 레지스트막을 형성한 상태, (B)는 레지스트막을 패터닝한 상태, (C)는 건식 에칭 또는 습식 에칭을 행한 상태, (D)는 레지스트막을 제거한 상태의 개략도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1, 11: 투광성 기판

2, 12: 차광막

3, 13: 반사 방지막

14: 레지스트막

본 발명은, 반도체 집적 회로 및 고밀도 집적 회로 등의 제조 공정에서 사용되는 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법에 관한 것이다.

LSI, VLSI 등의 고밀도 반도체 집적 회로나 CCD (전하 결합 소자), LCD (액정 표시 소자)용의 칼라 필터 및 자기 헤드 등의 미세 가공에는, 포토마스크를 사용한 포토리소그래피 기술이 사용되고, 이 포토마스크를 제작하기 위해서 포토마스크 블랭크가 사용되고 있다.

이 포토마스크 블랭크로서는, 통상 석영 유리 등의 투광성 기판상에 크롬으로 이루어지는 차광막을 설치한 것이 사용되고 있다. 차광막의 재료로서는 일반적으로 크롬막이 사용되고 있고, 또한 차광막의 제조 방법으로서는 스퍼터링법, 진공 증착법 등이 이용되고 있다.

이 경우, 차광막으로서 사용하는 크롬막의 표면에는 광의 반사를 방지하기 위해서 CrO를 형성함과 동시에 기판측에도 반사 방지막을 형성한 다층 구조의 포토마스크 블랭크가 있다.

그런데 이 다층 구조막 마스크는, 상기와 같이 웨이퍼상으로의 패턴 베이킹에 있어서 노광 허용도가 넓다는 등의 이점이 있는 반면, 그 자체가 마스크로서의 화상 형성시에 단층형 크롬 마스크와 비교하여 화상 품질이나 내구성에 우수한 것을 제작하기 어렵다는 문제점을 갖고 있다.

이 문제는, 구체적으로는 그 다층 구조의 차광막을 공지의 리소그래피법에 의해 에칭하여 패터닝함에 있어서, 크롬계 차광막 및 크롬계 반사 방지막의 에칭 속도가 다른 것에 기인하여 양층간의 단면 형상에 단차가 생기게 된다.

한편, 에칭 속도가 막의 도중에서 크게 변화하기 때문에 막 전체가 불균일하게 에칭되기 쉽고, 이 때문에 화상의 선명함이 손상되고, 패턴 주위에 차양이 생길 문제가 있다.

이에 대하여 이러한 문제점을 해결하기 위해서, 질소를 포함하는 크롬 차광층의 질화도를 연속적으로 변화시키는 포토마스크 블랭크가 일본 특허 공고 소 62-27386호 공보에, 탄소를 포함하는 크롬 차광층의 탄화도를 연속적으로 변화시키는 포토마스크블랭크가 일본 특허 공고 소 62-37386호 공보에, 산화 크롬과 질화 크롬의 조성비를 변화시키는 포토마스크 블랭크가 일본 특허 공고 소 61-46821호 공보에 각각 제안되고 있다. 또한 크롬 탄화물, 크롬 질화물 및 크롬 산화물을 포함하는 반사 방지막의 산화도를 연속적으로 변화시키는 포토마스크 블랭크가 일본 특허 공개 평 4-9847호 공보에 제안되고 있다.

이와 같이 종래의 포토마스크 블랭크를 재료로서, 그 차광막 및 반사 방지막을 선택적으로 제거하고, 차광막 패턴 및 반사 방지막 패턴을 포함하는 저반사 차광막 패턴을 갖는 포토마스크를 제작하면 사이드 에칭 속도의 제어는 가능하지만 상기 차광막 및 반사 방지막을 막 형성할 때, 크롬에 산소를 첨가하거나 산소를 함유하는 크롬을 차광막의 위에 형성하거나 산소원으로서 산소 가스를 막 형성 챔버에 도입하는 것이 행하여지고 있지만 산소 가스를 산소원으로서 사용하면 투과율, 반사율, 굴절율 등의 광학 특성이 기판면 내에서 불균일해지기 쉽다는 문제가 있었다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 차광막과 반사 방지막과의 에칭 속도차에 기인하는 단면 형상의 악화를 저지하고 또한 막질이 균일한 고품질 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자는, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 크롬 산화질화탄화물을 막 형성할 때, 크롬 또는 산소, 질소, 탄소의 1종 이상을 포함하는 크롬을 타겟으로 사용하고, 적어도 이산화탄소 가스와 질소 함유 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터링 가스를 사용하여 반응성 스퍼터링을 행함으로써 기판 내의 광학적 특성의 균일성이 향상됨과 동시에 크롬계 막의 막 형성시에도 제어하기 쉽고 안정적으로 양산할 수 있고, 특히 크롬 산화질화탄화물로 형성한 고품질 크롬계 막을 얻을 수 있고, 또한 상기 크롬 산화질화탄화물 중의 탄소 원자의 농도를 표면으로부터 투명 기판을 향함에 따라서 단계적 또는 연속적으로 낮게 함으로써, 에칭 속도를 제어할 수 있고, 종래의 문제점을 효과적으로 해결할 수 있다는 것을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명은, 하기의 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조 방법을 제공하는 것이다.

<청구항 1>

투광성 기판상에 한층 이상의 크롬계 차광막과 한층 이상의 크롬계 반사 방지막을 갖는 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기 차광막 및 반사 방지막이 산소, 질소, 탄소를 포함하는 크롬계 막으로부터 형성되어 있고, 또한 탄소의 함유량을 표면측으로부터 투광성 기판을 향해 단계적으로 또는 연속적으로 저하시켜 이루어지 는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.

<청구항 2>

제１항에　있어서，상기 크롬계 차광막　또는 상기 크롬계 반사 방지막이 크롬 산화질화탄화물인 포토마스크 블랭크.

<청구항 3>

제1항 또는 제2항에 기재된 포토마스크 블랭크를 리소그래피법에 의해 패턴형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.

<청구항 4>

투광성 기판상에 한층 이상의 크롬계 차광막과 한층 이상의 크롬계 반사 방지막을 갖는 포토마스크 블랭크의 제조 방법에 있어서, 상기 차광막 및 반사 방지막을, 타겟으로서 크롬　또는 산소, 질소, 탄소의 1 종 이상을 포함하는 크롬을 사용함과 동시에, 적어도 이산화탄소 가스와 질소 함유 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터링 가스를 사용하여 반응성 스퍼터링을 행하고, 또한 탄소의 함유량을 표면측으로부터 투광성 기판을 향해서 단계적 또는 연속적으로 저하시키도록 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.

<청구항 5>

제４항에　있어서, 상기 크롬계 차광막 또는 상기 크롬계 반사 방지막이 크롬 산화질화탄화물인 포토마스크 블랭크의 제조 방법.

<청구항 6>

제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 크롬계 차광막 및 크롬계 반사 방지막의 크롬 산화질화탄화물 중의 탄소의 함유량을 제어하는 수단으로서, 스퍼터링 가스 중의 이산화탄소 가스의 비율을 변화시키도록 한 포토마스크 블랭크의 제조 방법.

<청구항 7>

제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 포토마스크 블랭크에 대하여 리소그래피법에 의해 패터닝을 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.

본 발명에 의하면, 반응성 스퍼터링법으로 크롬계의 산화막을 투광성 기판상에 형성할 때, 산소원으로서 이산화탄소 가스를 사용함으로써 이 이산화탄소는 산소보다 반응성이 낮기 때문에, 챔버 내에 광범위하게 균일하게 가스가 들어갈 수 있고, 막 형성되는 크롬계 막의 막질이 균일해 진다. 또한 크롬막 중의 탄소의 함유량을 표면측으로부터 투광성 기판을 향함에 따라 작게 함으로써, 패턴의 단면 형상이 투광성 기판에 대하여 수직으로 단차가 없는 것이 되고, 또한 반도체 집적 회로 장치에 있어서의 고집적화, 미세화에 충분히 대응할 수가 있는 것이다.

산소원으로서 이산화탄소 가스를 사용하여 스퍼터링 막 형성함으로써, 기판면 내의 광학적 특성의 불균일성을 작게 할 수 있는 것은, 이하의 이유에 의한 것으로 생각된다. 즉, 산소 가스 등의 반응성 가스를 넣으면 가스 유입구에 가까운 부분으로부터 순차 산소가 취입되어 크롬계 박막의 산화도가 높아진다. 산소가 타겟의 외측으로부터 공급되어 있을 때는 타겟의 외측에 해당하는 부분으로부터 산소가 소비되어 내측을 향할수록 산소 농도가 낮아지기 때문에, 결과로서 챔버의 중심으로부터 외측으로 갈수록 산화도가 높아지고 반사율 등의 광학적 정수에 분포가 생기기 때문이다.

이에 대하여, 본 발명에서는 산소원으로서 반응성이 낮은 이산화탄소 가스를 사용하여 반응성 스퍼터링을 행하기 때문에, 이산화탄산 가스가 플라즈마에 의해서 활성화하기까지는 소비되지 않고 균일하게 챔버 내에 퍼지기 쉬워지며, 막의 산화도의 균일성이 높아진다. 결과로서 기판 내의 광학적 특성의 분포가 비약적으로 향상됨과 동시에 스퍼터링 가스로서 불활성 가스와 이산화탄소 가스를 동시에 사용하는 것, 및 그 혼합비를 적절하게 조정함으로써 막질을 제어할 수 있는 것이다.

또한 크롬 산화질화탄화물 중의 탄소의 함유량을 표면으로부터 투광성 기판을 향하여 단계적 또는 연속적으로 낮게 함으로써, 표면측의 에칭 속도는 느리고, 투광성 기판측은 에칭 속도를 빠르게할 수 있게 되고 패턴의 단면 형상이 투광성 기판에 대하여 수직으로 단차가 없는 것이 되어, 패턴 전사 정밀도가 비약적으로 향상된다.

이 경우, 탄소 함유량의 조정은, 스퍼터링 가스로서 사용하는 불활성 가스와 이산화탄소 가스의 혼합비를 단계적 또는 연속적으로 변화시킴으로써, 쉽게 행할 수가 있다.

이하, 본 발명에 대하여 더욱 자세히 설명한다.

본 발명의 포토마스크 블랭크는, 도 1에 나타낸 것과 같이, 석영, CaF₂ 등의 노광 광이 투과하는 기판 (1)상에, 타겟으로서 크롬 또는 산소, 질소, 탄소의 1종 이상을 포함하는 크롬을 사용함과 함께, 적어도 이산화탄소 가스와 질소 함유 가스 와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터링 가스를 사용하여 반응성 스퍼터링법에 의해 탄소 함유량이 낮은 크롬계 막을 막 형성함으로써 얻어진 크롬계 차광막 (2), 특히 크롬 산화질화탄화물막 (CrONC 막)을 포함하는 크롬계 막 (2)를 막 형성하여 이루어지는 것이다. 또한 그 크롬계 차광막 (2)의 위에 탄소 함유량이 높은 크롬계 막을 막 형성함으로써 얻어진 크롬계 반사 방지막 (3), 특히 크롬 산화질화탄화물막 (CrONC 막)을 포함하는 크롬계 막 (3)을 막 형성하여 이루어지는 것이다.

이 경우, 하층의 크롬계 차광막에 있어서, 그 조성은 Cr 50 내지 90 원자％, 특히 60 내지 80 원자％, C 2 내지 15 원자％, 특히 3 내지 7 원자％, O 10 내지 30 원자％, 특히 12 내지 20 원자％, N 2 내지 20 원자％, 특히 5 내지 15 원자％인 것이 바람직하다. 한편, 상층의 크롬계 반사 방지막에 있어서, 그 조성은 Cr 20 내지 60 원자％, 특히 35 내지 50 원자％, C 5 내지 30 원자％, 특히 6 내지 15원자％, O 20 내지 55 원자％, 특히 25 내지 50 원자％, N 5 내지 25 원자％, 특히 10 내지 20 원자％인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서는, 탄소의 함유량이 상기 차광막 및 반사 방지막을 포함하는 막 구조에 있어서의 표면측으로부터 차광성 기판을 향하여 단계적 또는 연속적으로 저하되고 있는 것이다. 그 형태로서는 차광막 및 반사 방지막의 막 조성이 각각 일정하고, 상층의 반사 방지막의 탄소 함유량이 하층의 차광막의 탄소 함유량보다 많은 구성 (바람직하게는 하층의 차광막의 탄소 함유량이 반사 방지막의 탄소 함유량에 대하여 3 내지 15 원자％, 특히 3 내지 8 원자％ 낮은 구성), 또는 이 경우, 상층의 반사 방지막의 최소 탄소 함유량보다 하층의 차광막의 최대 탄소 함유 량쪽이 적은 상태를 가지며, 또한 상층의 반사 방지막 및 하층의 차광막 중 어느 한쪽 또는 양쪽이, 탄소 함유량이 표면측에서 많고, 기판측에서 적은 구성으로 할 수 있다.

본 발명의 크롬계 차광막 및 크롬계 반사 방지막의 막 형성 방법으로서는, 반응성 스퍼터링법이 이용되고, 이 때의 타겟으로는 크롬을 사용한다. 이 경우, 산소, 질소, 탄소 중 어느 하나, 또는 이들을 조합한 것을 크롬에 첨가한 타겟을 사용할 수 있다.

본 발명에 있어서, 스퍼터링 방식은 직류 전원을 사용한 것일 수도 고주파 전원을 사용한 것일 수도 있으며, 또한 마그네트론 스퍼터링 방식일 수도 , 컨벤셔널 방식일 수도 있다.

스퍼터링 가스의 조성은, 적어도 아르곤, 크립톤 등의 불활성 가스와 이산화탄소 가스와 질소 함유 가스로 이루어진다. 유량비는 사용하는 장치에 따라 다르고, 일률적으로 규정할 수 없지만 통상, 불활성 가스:이산화탄소 가스=1:0.05 내지 1 (몰비)로 기판측으로부터 순차 이산화탄소 가스의 혼합비를 증가함으로써 막 조성 중의 탄소 함유량을 두께 방향으로 단계적 또는 연속적으로 변화시킬 수 있다. 또한 불활성 가스 및 이산화탄소 가스 이외에, 질소 함유 가스 (질소 가스, 각종 산화질화 가스 등의 질소 공급 가스)를, 막 형성되는 크롬계 막이 소망하는 CrONC의 조성을 갖도록 적절하게 첨가한다.

이와 같이 하여 얻어지는 본 발명의 포토마스크 블랭크를 리소그래피법에 의해 패턴 형성함으로써, 도 2에 나타내는 것과 같은 CrOCN층의 2층의 포토마스크를 얻을 수 있다. 이 경우, 단면 형상이 투광성 기판에 대하여 수직인 정밀도가 높은 패턴 형성이 가능해진다.

본 발명의 포토마스크 블랭크를 사용하여 포토마스크를 제조할 경우에는, 도 3(A)에 나타낸 것과 같이, 상기한 바와 같이 하여 기판 (11)상에 탄소 농도가 낮은 CrCON층 (12)를 형성하고, 그 CrCON층 (12)의 위에 탄소 농도가 높은 CrCON층 (13)을 형성한 후, 레지스트막 (14)를 형성하고, 도 3(B)에 나타낸 바와 같이 레지스트막 (14)를 패터닝하고, 또한 도 3(C)에 나타낸 바와 같이 CrCON층 (12) 및 CrCON 층 (13)을 건식 에칭 또는 습식 에칭한 후, 도 3(D)에 나타낸 바와 같이, 레지스트막 (14)를 박리하는 방법을 채용할 수 있다. 이 경우, 레지스트막의 도포, 패터닝 (노광, 현상), 건식 에칭 또는 습식 에칭, 레지스트막의 제거는 공지된 방법에 의해 행할 수 있다.

또한 본 발명에 있어서, 크롬계 막은 CrCON의 차광막의 막면측과 투명 기판측의 양면에 반사 방지막으로서 CrCON 막을 형성한 3층막으로 할 수도 있다. 또한 노광 파장의 위상을 변화시키는 위상 쉬프터막을 조합할 수도 있다. 또한 투과형 마스크 뿐만이 아니라, 반사형 마스크에도 적용할 수 있다.

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만 본 발명은 하기 실시예에 제한되는 것이 아니다.

<실시예 1>

표면 및 이면을 정밀 연마한 15.24 cm(6 인치) 석영 유리 기판상에 금속 크 롬을 타겟으로 하여, 스퍼터링 가스로서 Ar 78 몰％, CO₂5 몰％, N₂17 몰％의 혼합 가스 분위기 중, 방전중의 가스압 0.2 Pa, 250 W, DC 스퍼터링법으로 CrCON 막을 70 nm 막 형성하였다. 이 CrCON 막의 조성을 ESCA에 의해 분석한 결과, Cr이 76 원자％, C가 3 원자％, O가 16 원자％, N이 5 원자％ 포함되어 있었다. 이어서 스퍼터링 가스로서 Ar 53 몰％, CO₂27 몰％, N₂20 몰％의 혼합 가스 분위기 중에서 CrCON 막을 30 nm 막 형성하였다. 이 CrCON 막의 조성을 ESCA에 의해 분석한 결과, Cr이 44 원자％, C가 9 원자％, O가 34 원자％, N이 13 원자％ 포함되어 있었다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

얻어진 최외측 표면의 CrCON 막에 대해서, 광학 특성으로서 436 nm의 파장에서의 반사율을 나노메트릭스사 제조의 나노스펙을 사용하여, 반사율을 5 mm 간격으로 하였더니 하기 수학식으로 표시되는 편차 D는 0.032이었다.

(max-min)/(max+min)=D

식 중에서, max는 반사율의 측정치의 최대치, min은 반사율의 최소치를 나타낸다.

<비교예 1>

표면 및 이면을 정밀 연마한 15.24 cm(6 인치) 석영 유리 기판상 금속 크롬을 타겟으로 하고 스퍼터링 가스로서 Ar 73 몰％, CH₄5 몰％, O₂ 5 몰％, N₂17 몰％의 혼합 가스 분위기 중, 방전 중의 가스압 0.2 Pa, 250 W, DC 스퍼터링법으로 CrCON 막을 70 nm 막 형성하였다. 이 CrCON 막의 조성을 ESCA에 의해 분석하였더니 Cr이 75 원자％, C가 8 원자％, O가 12 원자％, N이 5 원자％ 포함되어 있었다. 계속해서 스퍼터링 가스로서 Ar 40 몰％, CH₄20 몰％, O₂20 몰％, N₂20 몰％의 혼합 가스 분위기 중에서 CrCON 막을 30 nm 막 형성하였다. 이 CrCON 막의 조성을 ESCA에 의해 분석한 결과, Cr이 42 원자％, C가 5 원자％, O가 30 원자％, N이 23 원자％ 포함되어 있었다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

얻어진 최외측 표면의 CrCON 막에 대해서, 광학 특성으로서 436 nm의 파장에서의 반사율을 나노메트릭스사 제조의 나노스펙을 사용하여, 반사율을 5 mm 간격으로 하였더니 편차가 0.23이었다.

		실시예 1				비교예 1
		막조성(원자%)				막조성(원자%)
		Cr	C	O	N	Cr	C	O	N
차광막	CrCON	76	3	16	5	75	8	12	5
반사 방지막	CrCON	44	9	34	13	42	5	30	23
450 nm에서의 반사율의 불균일		0.032				0.23

상기 실시예 및 비교예 1에서 막 형성한 포토마스크 블랭크를 에칭 처리하고, 단면 형상을 비교 관찰하였더니, 기판에 가까운 막의 탄소 함유량이 작은 쪽이 경사각도가 수직에 가깝고, 바람직한 형상이 얻어지고, 또한 이산화탄소 가스를 사용한 쪽이 단면 형상은 매끄러웠다.

본 발명에 의하면 용이하게 에칭 속도를 제어할 수 있고, 수직인 단면 형상을 제공하는 포토마스크 블랭크를 얻을 수 있으며, 또한 막질이 균일한 고품질의 포토마스크 블랭크 및 포토마스크를 얻을 수 있으며 또한 반도체 집적 회로의 미세 화, 고집적화에 대응할 수가 있다.

Claims

삭제
투광성 기판상에 한층 이상의 크롬계 차광막과 한층 이상의 크롬계 반사 방지막을 갖는 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기　차광막 및 반사 방지막이 산소, 질소, 탄소를 포함하는 크롬계 막으로 형성되어 있고, 상기 크롬계 차광막 또는 상기 크롬계 반사 방지막이 크롬　산화질화탄화물이며, 또한 상기 차광막과 반사 방지막을 일체로 하여 보았을 때 탄소의 함유량을 표면측으로부터 투광성 기판을 향해 단계적으로 또는 연속적으로 저하시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크.
제2항에 기재된 포토마스크 블랭크를 리소그래피법에 의해 패턴　형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
삭제
투광성 기판상에 한층 이상의 크롬계 차광막과 한층 이상의 크롬계 반사 방지막을 갖는 포토마스크 블랭크의 제조 방법에 있어서, 상기 차광막 및 반사 방지막을, 타겟으로서 크롬 또는 산소, 질소, 탄소의 1 종 이상을 포함하는 크롬을 사용함과 동시에, 적어도 이산화탄소 가스와 질소 함유 가스와 불활성 가스를 포함하는 스퍼터링 가스를 사용하여 반응성 스퍼터링을 행하고, 또한 상기 차광막과 반사 방지막을 일체로 하여 보았을 때 탄소의 함유량을 표면측으로부터 투광성 기판을 향해서 단계적 또는 연속적으로 저하시키도록 형성하며, 상기 크롬계　차광막　또는 상기 크롬계 반사 방지막이 크롬 산화질화탄화물인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
제5항에 있어서, 상기 크롬계 차광막 및 크롬계 반사 방지막의 크롬 산화질화탄화물 중의 탄소의 함유량을 제어하는 수단으로서, 스퍼터링 가스 중의 이산화탄소 가스의 비율을 변화시키도록 한 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
제5항 또는 제6항에 기재된 방법에 의해 제조된 포토마스크 블랭크에 대하여 리소그래피법에 의해 패터닝을 행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.