JPH0442155A - フォトマスクブランク及びフォトマスク - Google Patents
フォトマスクブランク及びフォトマスクInfo
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- JPH0442155A JPH0442155A JP2149361A JP14936190A JPH0442155A JP H0442155 A JPH0442155 A JP H0442155A JP 2149361 A JP2149361 A JP 2149361A JP 14936190 A JP14936190 A JP 14936190A JP H0442155 A JPH0442155 A JP H0442155A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体集積回路の製造に使用されるフォトマ
スクおよびフォトマスクブランクに関するものである。
スクおよびフォトマスクブランクに関するものである。
〈従来の技術〉
フォトマスクおよびフォトマスクブランクに用いられる
材料は、透明基板として、ガラスおよび熔融石英ガラス
が主に用いられている。その透明基板上に、Ｃｒ等から
成る金属薄膜が形成されたノ＼−ドマスクが広く用いら
れている。
材料は、透明基板として、ガラスおよび熔融石英ガラス
が主に用いられている。その透明基板上に、Ｃｒ等から
成る金属薄膜が形成されたノ＼−ドマスクが広く用いら
れている。
その金属薄膜をパターン化する手段として、ウェットエ
ンチングおよびドライエツチングが用いられているが、
ウェットエンチングには、主に、Ｃｒ系の金属薄膜が用
いられ、ドライエソングには、Ｗ Ｔａ、 Ｍｏ、ま
たは門０５ＩＸ （モリフ゛デンシリサイド）からな
る遮光性薄膜が用いれている。
ンチングおよびドライエツチングが用いられているが、
ウェットエンチングには、主に、Ｃｒ系の金属薄膜が用
いられ、ドライエソングには、Ｗ Ｔａ、 Ｍｏ、ま
たは門０５ＩＸ （モリフ゛デンシリサイド）からな
る遮光性薄膜が用いれている。
これらの薄膜が透明基板上に形成されたフォトマスクブ
ランクに、スピンコード法により、電子ビームレジスト
などをコートとし、適切な乾燥を行ったものを、電子ビ
ーム露光装置などによって、必要なパターンを露光し、
現象を行う事によって、フォトマスクブランク上に、エ
ンチングマスクとしてのレジストパターンが形成される
。次に、ドライエツチング装置などによって、露出して
いる金属薄膜をエツチング除去し、レジストを剥離する
事により、フォトマスクが完成する。
ランクに、スピンコード法により、電子ビームレジスト
などをコートとし、適切な乾燥を行ったものを、電子ビ
ーム露光装置などによって、必要なパターンを露光し、
現象を行う事によって、フォトマスクブランク上に、エ
ンチングマスクとしてのレジストパターンが形成される
。次に、ドライエツチング装置などによって、露出して
いる金属薄膜をエツチング除去し、レジストを剥離する
事により、フォトマスクが完成する。
〈発明が解決使用とする課題〉
フォトマスクブランクをエツチング加工し、フォトマス
クを製造する工程において、エツチング終了間際に於い
て、部分的に、残っている遮光性薄膜の厚さが厚い部分
が生しる。これは、ウェットエンチング、ドライエツチ
ング共に起こる現象である。この事により、既にエツチ
ングが完了している部分をオーバーエンチングにする事
により、エツチングの遅い部分をエツチング除去し、１
枚のフォトマスクのエツチング加工を完了している。
クを製造する工程において、エツチング終了間際に於い
て、部分的に、残っている遮光性薄膜の厚さが厚い部分
が生しる。これは、ウェットエンチング、ドライエツチ
ング共に起こる現象である。この事により、既にエツチ
ングが完了している部分をオーバーエンチングにする事
により、エツチングの遅い部分をエツチング除去し、１
枚のフォトマスクのエツチング加工を完了している。
従って、オーバーエツチングを受けた部分は、オーバー
エツチングが少い部分に比べ、寸法が異る。
エツチングが少い部分に比べ、寸法が異る。
これがエツチングによる寸法バラツキを起す原因となっ
ている。
ている。
上述の原因に対して、エツチングのばらつきの少ないフ
ォトマスクならびに、それが可能なフォトマスクを徒供
しようというものである。
ォトマスクならびに、それが可能なフォトマスクを徒供
しようというものである。
〈課題を解決するための手段〉
上述の課題に対し、透明基板上に形成される高度に酸化
、窒化、炭化がなされた第一の高融点金属化合物層と、
この第一の高融点金属化合物層の上に形成される第一の
高融点金属化合物層より酸化、窒化、炭化、弗化度が低
い第二の高融点金属化合物層と、この第二の高融点金属
化合物層の上に形成される、第二の高融点金属化合物層
より、酸化、窒化、炭化、弗化度が低い第三の高融点金
属化合物層と、この第三の高融点金属化合物層の上に形
成される第二の高融点金属化合物層と同程度に、酸化、
窒化、炭化がなされた第四の高融点金属化合物層、とか
ら成るフォトマスク並びにフォトマスクブランクの構造
を以て解決するものである。
、窒化、炭化がなされた第一の高融点金属化合物層と、
この第一の高融点金属化合物層の上に形成される第一の
高融点金属化合物層より酸化、窒化、炭化、弗化度が低
い第二の高融点金属化合物層と、この第二の高融点金属
化合物層の上に形成される、第二の高融点金属化合物層
より、酸化、窒化、炭化、弗化度が低い第三の高融点金
属化合物層と、この第三の高融点金属化合物層の上に形
成される第二の高融点金属化合物層と同程度に、酸化、
窒化、炭化がなされた第四の高融点金属化合物層、とか
ら成るフォトマスク並びにフォトマスクブランクの構造
を以て解決するものである。
特にこの内効果が顕著である構造として、第一の高融点
金属化合物層、第二の高融点金属化合物層、第三の高融
点金属化合物層及び高融点金属化合物層が、各々Ｗ、門
ｏ、 Ｔａ、 Ｔｉ、 Ｃｒのうち、少くとも一つを土
成分とするフォトマスク並びにフォトマスクブランクの
構造がある。
金属化合物層、第二の高融点金属化合物層、第三の高融
点金属化合物層及び高融点金属化合物層が、各々Ｗ、門
ｏ、 Ｔａ、 Ｔｉ、 Ｃｒのうち、少くとも一つを土
成分とするフォトマスク並びにフォトマスクブランクの
構造がある。
〈作用〉
本発明によるフォトマスクブランク及びフォトマスクで
は、第１層は高度に酸化された金属層である。この層は
、酸累が５０ａｔ％以上の層であり、光吸収は著しく少
さく、エツチングレートは、純金属層より遅い。光吸収
係αは、光学４度ＯＤより、○Ｄ ＝ −ｌｏｇ（ＥＸ
Ｐ（−ａ ｄ ）） （但しα、光吸収係数、ｄ：薄膜
（μｒｒ＋ ｊ ）で定義される。αは、この場合、約
５ （１／ ｔｔ ｍ ）程度である。従って厚さ２０
０人程度では、光透過率にほとんど影響しない。
は、第１層は高度に酸化された金属層である。この層は
、酸累が５０ａｔ％以上の層であり、光吸収は著しく少
さく、エツチングレートは、純金属層より遅い。光吸収
係αは、光学４度ＯＤより、○Ｄ ＝ −ｌｏｇ（ＥＸ
Ｐ（−ａ ｄ ）） （但しα、光吸収係数、ｄ：薄膜
（μｒｒ＋ ｊ ）で定義される。αは、この場合、約
５ （１／ ｔｔ ｍ ）程度である。従って厚さ２０
０人程度では、光透過率にほとんど影響しない。
この層を第１層として形成する事により、ガラス表面等
の表面状態の不均一性が緩和される。第２層及び第４層
は、反射防止層であり、第３層は、遮光層である。
の表面状態の不均一性が緩和される。第２層及び第４層
は、反射防止層であり、第３層は、遮光層である。
この様な構造なので、高度に酸化された透明性の高い、
金属酸化層上に形成する事になるので、両面低反射構造
の３層構造を持つ事ができる。且つ、ガラス基板との密
着性も良好になる。
金属酸化層上に形成する事になるので、両面低反射構造
の３層構造を持つ事ができる。且つ、ガラス基板との密
着性も良好になる。
また、各々が、同種の金属をもとにした酸化層であるの
で、ガラス表面、等の不均一性により影響を受ける事無
く、均一にドライエツチングを行う事ができる。
で、ガラス表面、等の不均一性により影響を受ける事無
く、均一にドライエツチングを行う事ができる。
また、密着層が高度に酸化された層である為、ガラス基
板との密着性も良好になる。
板との密着性も良好になる。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例を、金属材料にＭＯを用いた場
合について説明する。
合について説明する。
まず第１図にフォトマスクブランク断面構造について示
した。石英ガラス等の透明基板（１）上に、高度に酸化
されたＷ層（２）がスパッタリング法、等により５０〜
２００人の厚さで形成されている。
した。石英ガラス等の透明基板（１）上に、高度に酸化
されたＷ層（２）がスパッタリング法、等により５０〜
２００人の厚さで形成されている。
この高度に酸化されたＷ層（２）の膜は、酸素を５０ａ
ｔ％以上含んだ層であるが、その他に、Ｎ、 Ｃのい
ずれか、あるいはすべてを含んでいても良い。
ｔ％以上含んだ層であるが、その他に、Ｎ、 Ｃのい
ずれか、あるいはすべてを含んでいても良い。
その場合、○の濃度は低下しても良いが、光吸収係αが
５〜１０（１層μｍ）程度である必要がある。その上に
中度に酸化されたＷ層（３ａ）の膜をスパッタリング等
により、５０〜２００人の厚さで形成する。この中度に
酸化されたＷ層（３ａ）の膜中の酸度濃度は、約３０〜
５０ａｔ％で、膜厚は、ガラス側の反射率を例えば３６
５ｎｍの波長で１５％以下にする様に、高度に酸化され
たＷ Ｆｆ （２）および中度に酸化されたＷ層（３ａ
）の各々を決めれば良い。
５〜１０（１層μｍ）程度である必要がある。その上に
中度に酸化されたＷ層（３ａ）の膜をスパッタリング等
により、５０〜２００人の厚さで形成する。この中度に
酸化されたＷ層（３ａ）の膜中の酸度濃度は、約３０〜
５０ａｔ％で、膜厚は、ガラス側の反射率を例えば３６
５ｎｍの波長で１５％以下にする様に、高度に酸化され
たＷ Ｆｆ （２）および中度に酸化されたＷ層（３ａ
）の各々を決めれば良い。
高度に酸化されたＷ層（２）と同様、Ｎ、Ｃのいずれか
、あるいはすべてを含んでいても良い。
、あるいはすべてを含んでいても良い。
更にその上に、低度に酸化されたＷ層（４）をスパッタ
リング等で４００〜１５００人形成する。この層は、酸
化されていなくても良く、０．Ｎ、Ｃの少くとも一成分
が含まれ、エツチング速度が５００〜１０００人／分に
なるように調整されていれば良い、ＷＮχの場合、Ｎが
〜２０ａｔ％で１０００人／ｓｉｎ程度のエツチング速
度が可能である。
リング等で４００〜１５００人形成する。この層は、酸
化されていなくても良く、０．Ｎ、Ｃの少くとも一成分
が含まれ、エツチング速度が５００〜１０００人／分に
なるように調整されていれば良い、ＷＮχの場合、Ｎが
〜２０ａｔ％で１０００人／ｓｉｎ程度のエツチング速
度が可能である。
ＷＯｘでは０が〜）Ｑａｔ％で同等のユンチレートにな
る。
る。
更に、反射防止層として、膜中度に酸化されたＭｏ層で
あるＷＯ２層（３ｂ）をスパッタリング等で２００〜３
００人の厚さで形成する。その結果、Ｗ：Ｏ：Ｎなる組
成で約２５０人の厚さ、０が３Ｑａｔ％、Ｎが１５ａ【
％で反射率は〜１０％となるが、更にＣを数ａｔ％加え
る事により安定して低反射率が得られる。
あるＷＯ２層（３ｂ）をスパッタリング等で２００〜３
００人の厚さで形成する。その結果、Ｗ：Ｏ：Ｎなる組
成で約２５０人の厚さ、０が３Ｑａｔ％、Ｎが１５ａ【
％で反射率は〜１０％となるが、更にＣを数ａｔ％加え
る事により安定して低反射率が得られる。
この様にして得たフォトマスクブランク上に、ＥＢレジ
ストもしくはＰＢＳをコーティングし、通常の工程でパ
ターニングし、平行平板型のドライエツチング装置にて
、ＣＦ４ １９０ｓｃｃｍ、ＯｚｌＤｓｃｃｍ、全ガス
圧０．３Ｔｏｒｒ、 電極間距Ｈ８ｃ ｍ、投入電力３
５０Ｗにてドライエツチングを行った。中度に酸化され
たＷｊ！（３ａ）で２００人、中度に酸化されたＷ層（
３ｂ）で３００人、低度に酸化されたＷ層（４）で６０
０人、高度に酸化されたＨＯ層（２）で１００人で、全
体として、光学濃度０Ｄ＝２．８、全膜厚１２００人が
１分３０秒でエツチングされた。また、その面内のエツ
チングのバラツキは２秒以内であった。こ・れは、従来
のドライエツチング用ブランクが２０〜３０秒のバラツ
キを持っているのに対し、著しく改善された事を示して
いる。
ストもしくはＰＢＳをコーティングし、通常の工程でパ
ターニングし、平行平板型のドライエツチング装置にて
、ＣＦ４ １９０ｓｃｃｍ、ＯｚｌＤｓｃｃｍ、全ガス
圧０．３Ｔｏｒｒ、 電極間距Ｈ８ｃ ｍ、投入電力３
５０Ｗにてドライエツチングを行った。中度に酸化され
たＷｊ！（３ａ）で２００人、中度に酸化されたＷ層（
３ｂ）で３００人、低度に酸化されたＷ層（４）で６０
０人、高度に酸化されたＨＯ層（２）で１００人で、全
体として、光学濃度０Ｄ＝２．８、全膜厚１２００人が
１分３０秒でエツチングされた。また、その面内のエツ
チングのバラツキは２秒以内であった。こ・れは、従来
のドライエツチング用ブランクが２０〜３０秒のバラツ
キを持っているのに対し、著しく改善された事を示して
いる。
〈発明の効果〉
この結果、両面低反射構造の３層は、ガラス表面、等の
不均一性による影響が少ない、均一にドライエツチング
を行う事ができる。
不均一性による影響が少ない、均一にドライエツチング
を行う事ができる。
且つ、ガラス基板との密着性も良好になる。
第１図は、本発明の一実施例を示すフォトマスクブラン
クの断面図、第２図は、同エツチング後のフォトマスク
の断面図である。 １：透明基板 ２：高度に酸化されたＷ層 ３ａ、３ｂ＋中度に酸化されたＷ層 ４；低度に酸化されたＷ層 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫
クの断面図、第２図は、同エツチング後のフォトマスク
の断面図である。 １：透明基板 ２：高度に酸化されたＷ層 ３ａ、３ｂ＋中度に酸化されたＷ層 ４；低度に酸化されたＷ層 特 許 出 願 人 凸版印刷株式会社 代表者 鈴木和夫
Claims (4)
- （１）透明基板上に形成される高度に酸化、窒化、炭化
がなされた第一の高融点金属化合物層と、この第一の高
融点金属化合物層の上に形成される第一の高融点金属化
合物層より酸化、窒化、炭化、弗化度が低い第二の高融
点金属化合物層と、この第二の高融点金属化合物層の上
に形成される、第二の高融点金属化合物層より、酸化、
窒化、炭化、弗化度が低い第三の高融点金属化合物層と
、この第三の高融点金属化合物層の上に形成される第二
の高融点金属化合物層と同程度に、酸化、窒化、炭化が
なされた第四の高融点金属化合物層、とから成る、フォ
トマスクブランク。 - （２）第一の高融点金属化合物層、第二の高融点金属化
合物層、第三の高融点金属化合物層及び第四の高融点金
属化合物層が、各々Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒのうち
、少くとも一つを主成分とする事を特徴とする、第一項
記載のフォトマスクブランク。 - （３）透明基板上に形成される高度に酸化、窒化、炭化
がなされた第一の高融点金属化合物層とこの第一の高融
点金属化合物層の上に形成される第一の高融点金属化合
物層より酸化、窒化、炭化、弗化度が低い第二の高融点
金属化合物層と、この第二の高融点金属化合物層の上に
形成される、第二の高融点金属化合物層より、酸化、窒
化、炭化、弗化度が低い第三の高融点金属化合物層と、
この第三の高融点金属化合物層の上に形成される第二の
高融点金属化合物層と同程度に、酸化、窒化、炭化がな
された第四の高融点金属化合物層、とから成る、フォト
マスク。 - （４）第一の高融点金属化合物層、第二の高融点金属化
合物層、第三の高融点金属化合物層及び第四の高融点金
属化合物層が、各々Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒのうち
、少くとも一つを主成分とする事を特徴とする、第三項
記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149361A JPH0442155A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149361A JPH0442155A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442155A true JPH0442155A (ja) | 1992-02-12 |
Family
ID=15473455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149361A Pending JPH0442155A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442155A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002244274A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2149361A patent/JPH0442155A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002244274A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 |
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