JPS63173051A - ハ−ドブランクス - Google Patents
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- JPS63173051A JPS63173051A JP62005421A JP542187A JPS63173051A JP S63173051 A JPS63173051 A JP S63173051A JP 62005421 A JP62005421 A JP 62005421A JP 542187 A JP542187 A JP 542187A JP S63173051 A JPS63173051 A JP S63173051A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電子ビーム（ＥＢ）露光用のレジストは、分子構造内に
塩素（ＣＩ）を含むものが多く、従来の透明基板、例え
ば石英ガラス基板上に無機物、例えばクロム（Ｃｒ）よ
りなる遮光膜のみを被着したハードブランクス上にこの
ようなレジストを塗布して暫く保存すると、Ｃｒ膜はＣ
Ｉと反応し、その結果レジスト剥離の際にアルカリ溶液
や強酸溶液でエツチングされてＣｒ膜にピンホールが多
数発生する。そこで上記反応の阻止膜として高融点金属
のシリサイド膜をＣｒ膜上に被着したハードブランクス
を提起し、上記障害を防止する。
塩素（ＣＩ）を含むものが多く、従来の透明基板、例え
ば石英ガラス基板上に無機物、例えばクロム（Ｃｒ）よ
りなる遮光膜のみを被着したハードブランクス上にこの
ようなレジストを塗布して暫く保存すると、Ｃｒ膜はＣ
Ｉと反応し、その結果レジスト剥離の際にアルカリ溶液
や強酸溶液でエツチングされてＣｒ膜にピンホールが多
数発生する。そこで上記反応の阻止膜として高融点金属
のシリサイド膜をＣｒ膜上に被着したハードブランクス
を提起し、上記障害を防止する。
本発明は耐蝕性を向上したハードブランクスの構造に関
する。
する。
ＥＢ露光により半導体デバイス製造等に用いるハードマ
スクを作成する際、その素材として透明石英ガラス基板
全面に遮光膜としてＣｒ膜を被着したハードブランクス
が多（用いられている。
スクを作成する際、その素材として透明石英ガラス基板
全面に遮光膜としてＣｒ膜を被着したハードブランクス
が多（用いられている。
ＥＢ露光用のレジスト、特にアクリル系のものは分子間
にＣＩを含んでいるものが多い。
にＣＩを含んでいるものが多い。
このような分子間にＣＩを含むレジスト（例えば、ポジ
型では東しのＥＢＲ−９、ネガ型では東洋ソーダのＣＭ
Ｓ等）を従来のＣｒハードブランクスに塗布し保存する
と、保存状態によってＣｒメタルはレジスト中のＣＩと
化学反応を起こし、レジスト剥離の際にエツチングされ
ることがある。
型では東しのＥＢＲ−９、ネガ型では東洋ソーダのＣＭ
Ｓ等）を従来のＣｒハードブランクスに塗布し保存する
と、保存状態によってＣｒメタルはレジスト中のＣＩと
化学反応を起こし、レジスト剥離の際にエツチングされ
ることがある。
通常のりソゲラフイエ程では、ハードブランクスにレジ
ストを塗布し、現像、エツチング後、アルカリ溶液 （
５％ＮａＯＨ，２５℃）でレジスト剥離を行う。
ストを塗布し、現像、エツチング後、アルカリ溶液 （
５％ＮａＯＨ，２５℃）でレジスト剥離を行う。
この際、通常レジストを使用した場合は、Ｃｒ膜はアル
カリ溶液とは殆ど反応せず、濃硫酸にも耐えることがで
きる。
カリ溶液とは殆ど反応せず、濃硫酸にも耐えることがで
きる。
これに対して、ＣＩを含むレジストを使用した場合は、
Ｃｒ膜はアルカリ溶液でエツチングされてピンホールが
多数発生することがある。
Ｃｒ膜はアルカリ溶液でエツチングされてピンホールが
多数発生することがある。
第２図（１１、（２）はレジスト塗布と、露光、現像工
程を説明する従来のハードブランクスの断面図である。
程を説明する従来のハードブランクスの断面図である。
第２図（１）において、石英ガラス基板１上にＣｒ膜２
を被着した従来のハードブランクスに、レジスト４とし
て、例えば、ＥＢＲ−９を被着し、４０℃で２週間以上
保存する。
を被着した従来のハードブランクスに、レジスト４とし
て、例えば、ＥＢＲ−９を被着し、４０℃で２週間以上
保存する。
第２図（２）において、レジスト４を露光後、有機現像
、ドライエツチングを行い、アルカリ溶液や強酸でレジ
スト剥離を行うと、Ｃｒ膜がアルカリ溶液でエツチング
されてピンホールが多発する。
、ドライエツチングを行い、アルカリ溶液や強酸でレジ
スト剥離を行うと、Ｃｒ膜がアルカリ溶液でエツチング
されてピンホールが多発する。
これは、保存中にＣｒ膜がレジストに含まれるＣＩと反
応し、アルカリ溶液に溶解する物質を生成したためと考
えられる。
応し、アルカリ溶液に溶解する物質を生成したためと考
えられる。
ＥＢ露光工程でＣＩを含むレジストを使用した場合は、
レジスト剥離の際Ｃｒ膜がアルカリ溶液でエツチングさ
れてピンホールが多発する場合がある。
レジスト剥離の際Ｃｒ膜がアルカリ溶液でエツチングさ
れてピンホールが多発する場合がある。
上記問題点の解決は、透明基板上に無機物よりなる遮光
膜と、該遮光膜より厚さの薄い高融点金属のシリサイド
膜とを順次被着してなるハードブランクスにより達成さ
れる。
膜と、該遮光膜より厚さの薄い高融点金属のシリサイド
膜とを順次被着してなるハードブランクスにより達成さ
れる。
本発明はＣｒ膜の加工性を失わず、耐蝕性を増すために
厚さ約５００人のＣｒ膜の表面に厚さ約１００人の高融
点金属のシリサイド膜を被着したものである。
厚さ約５００人のＣｒ膜の表面に厚さ約１００人の高融
点金属のシリサイド膜を被着したものである。
高融点金属のシリサイド膜は耐蝕性に優れ、レジストと
化学反応を起こさない。
化学反応を起こさない。
高融点金属のシリサイドとして、モリブデンシリサイド
（ＭｏＳｉ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、チ
タンシリサイド（ＴｉＳｉ）等がある。
（ＭｏＳｉ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、チ
タンシリサイド（ＴｉＳｉ）等がある。
遮光膜をパターニングする際のエツチングは、ドライエ
ツチングを用い、エツチング条件を変えることにより、
Ｃｒ膜と高融点金属のシリサイド膜を、互いに選択的に
エツチングすることが可能となる。
ツチングを用い、エツチング条件を変えることにより、
Ｃｒ膜と高融点金属のシリサイド膜を、互いに選択的に
エツチングすることが可能となる。
さらに、高融点金属のシリサイド膜をドライエツチング
し、Ｃｒはウェットエツチングすることも可能である。
し、Ｃｒはウェットエツチングすることも可能である。
第１図（１１〜（３）はレジスト塗布と、露光、現像工
程を説明する本発明のハードブランクスの断面図である
。
程を説明する本発明のハードブランクスの断面図である
。
第１図（１）において、石英ガラス基板１上に厚さ５０
０〜６００人のＣｒ膜２を被着し、さらにその上にスパ
ッタ法等により高融点金属のシリサイド膜として厚さ１
００人のＭｏＳ ｉ膜３を被着した本発明のハードブラ
ンクスに、レジスト４として、例えばＥＢＲ−９を厚さ
５０００〜１００００人被着し、４０℃で２か月収上保
存する。
０〜６００人のＣｒ膜２を被着し、さらにその上にスパ
ッタ法等により高融点金属のシリサイド膜として厚さ１
００人のＭｏＳ ｉ膜３を被着した本発明のハードブラ
ンクスに、レジスト４として、例えばＥＢＲ−９を厚さ
５０００〜１００００人被着し、４０℃で２か月収上保
存する。
第１図（２）において、レジスト４を露光後、有機溶剤
で現像して、バターニングする。
で現像して、バターニングする。
つぎに、レジストパターンをマスクにしてＭｏＳ ｉ膜
３のドライエツチングを行う。
３のドライエツチングを行う。
ＭｏＳ ｉのドライエツチング条件は、エツチングガス
としてＣＣｌ４と０□（ＣＣｌ４ ： Ｏ□＝４ ：
１）を用い、これを０．１〜０．０５ Ｔｏｒｒに減圧
して、周波数１３．５６ ＭＨｚの電力を基板光たり３
５〇−印加して行う。
としてＣＣｌ４と０□（ＣＣｌ４ ： Ｏ□＝４ ：
１）を用い、これを０．１〜０．０５ Ｔｏｒｒに減圧
して、周波数１３．５６ ＭＨｚの電力を基板光たり３
５〇−印加して行う。
第１図（３）において、レジストパターンとＭｏＳｉパ
ターンをマスクにしてＣｒ膜２のドライエツチングを行
う。
ターンをマスクにしてＣｒ膜２のドライエツチングを行
う。
Ｃｒのドライエツチング条件は、エッチングガスとして
ＣＣ１，とＯｔ （ＣＣｌ４ ： Ｏ□＝１ ： １）
を用い、これを０．３〜０．６ Ｔｏｒｒに減圧して、
周波数１３．５６ Ｍｌ（ｚの電力を基板光たり３５０
Ｗ印加して行う。
ＣＣ１，とＯｔ （ＣＣｌ４ ： Ｏ□＝１ ： １）
を用い、これを０．３〜０．６ Ｔｏｒｒに減圧して、
周波数１３．５６ Ｍｌ（ｚの電力を基板光たり３５０
Ｗ印加して行う。
また、Ｃｒはウェットエツチングを行ってもよい。
この場合のエッチャントは通常の硝酸第２セリウムアン
モンと過塩素酸の水溶液である。
モンと過塩素酸の水溶液である。
本発明のハードブランクスを用いた場合は、レジスト被
着後２か月収上の保存でも変化は起こらず、以上の工程
を用いてパターニングの加工性も問題はない。
着後２か月収上の保存でも変化は起こらず、以上の工程
を用いてパターニングの加工性も問題はない。
以上説明したように本発明によれば、レジスト被着後の
保存状態に関係しないで、アルカリ溶液や強酸によるレ
ジスト剥離、洗浄により遮光膜にピンホールは発生しな
い。
保存状態に関係しないで、アルカリ溶液や強酸によるレ
ジスト剥離、洗浄により遮光膜にピンホールは発生しな
い。
また、本発明の構造は遮光膜のパターニング加工性能を
阻害しない。
阻害しない。
さらに、遮光膜はＣｒが主であるため、従来のブランク
スと同様に、遮光膜をウェットエツチングにより全面除
去して高価な石英ガラス基板の再利用も容易である。
スと同様に、遮光膜をウェットエツチングにより全面除
去して高価な石英ガラス基板の再利用も容易である。
第１図（１）〜（３）はレジスト塗布と、露光、現像工
程を説明する本発明のハードブランクスの断面図、第２
図（１）、（２）はレジスト塗布と、露光、現像工程を
説明する従来のハードブランクスの断面図である。 図において、 １は石英ガラス基板、 ２は遮光膜でＣｒ膜、 ３は高融点金属のシリサイド膜でＭｏＳ ｉ膜、４はレ
ジスト ＄１図
程を説明する本発明のハードブランクスの断面図、第２
図（１）、（２）はレジスト塗布と、露光、現像工程を
説明する従来のハードブランクスの断面図である。 図において、 １は石英ガラス基板、 ２は遮光膜でＣｒ膜、 ３は高融点金属のシリサイド膜でＭｏＳ ｉ膜、４はレ
ジスト ＄１図
Claims (1)
- 透明基板上に無機物よりなる遮光膜と、該遮光膜より厚
さの薄い高融点金属のシリサイド膜とを順次被着してな
ることを特徴とするハードブランクス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62005421A JPS63173051A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ハ−ドブランクス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62005421A JPS63173051A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ハ−ドブランクス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63173051A true JPS63173051A (ja) | 1988-07-16 |
Family
ID=11610695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62005421A Pending JPS63173051A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ハ−ドブランクス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63173051A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002251000A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクブランクス及び半導体装置の製造方法 |
| JP2005062884A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | ブランクフォトマスク及びそれを使用したフォトマスクの製造方法 |
| JP2006287236A (ja) * | 2006-04-07 | 2006-10-19 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
| JP2007041599A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Applied Materials Inc | フォトマスク製造におけるプロセス集積のためのクラスターツールおよび方法 |
| JP2009069677A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Hoya Corp | マスクブランク及びマスクの製造方法 |
| JP2011090343A (ja) * | 2011-02-04 | 2011-05-06 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP62005421A patent/JPS63173051A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002251000A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクブランクス及び半導体装置の製造方法 |
| JP2005062884A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | ブランクフォトマスク及びそれを使用したフォトマスクの製造方法 |
| JP2007041599A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Applied Materials Inc | フォトマスク製造におけるプロセス集積のためのクラスターツールおよび方法 |
| JP2006287236A (ja) * | 2006-04-07 | 2006-10-19 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
| JP2009069677A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Hoya Corp | マスクブランク及びマスクの製造方法 |
| US8367276B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-02-05 | Hoya Corporation | Mask blank and method of manufacturing mask |
| JP2011090343A (ja) * | 2011-02-04 | 2011-05-06 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
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