JPS59153A - プラズマエツチングに耐性を有するレジストマスクを形成する方法 - Google Patents
プラズマエツチングに耐性を有するレジストマスクを形成する方法Info
- Publication number
- JPS59153A JPS59153A JP58089307A JP8930783A JPS59153A JP S59153 A JPS59153 A JP S59153A JP 58089307 A JP58089307 A JP 58089307A JP 8930783 A JP8930783 A JP 8930783A JP S59153 A JPS59153 A JP S59153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- plasma etching
- resist film
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板上にある放ｍ＝１線感知レジスト フィル
ムに写真製版技術を用いてパターンを設けるステップを
含む基板上にプラズマ エツチングに耐性を有するマス
クを形成する方法に関するものである。
ムに写真製版技術を用いてパターンを設けるステップを
含む基板上にプラズマ エツチングに耐性を有するマス
クを形成する方法に関するものである。
従 来 技 術
プラズマ エツチングの技術についてはよく知られてお
り、一般に半導体装置の製造に際し使用されている。こ
れに関する参考文献としては、例えば１フイリツプス
テクニカル レビュー、Ｖｏｌ． ８８， １．９７８
／ ７９，属７／８の２００ないし２］．０ヘーシに
掲載サれているカルラ−（ Ｋａｌｔ８ｒ ）、ファン
デ ヘ＞ （ ｖａｎ ｄｅ Ｖｅｎ ）による論
文” ＩＣ技術におけるプラズマ エツチング（ Ｐｌ
ａｓｍａＢ；ｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ＩＯ ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ ）”がある。本明細書において、プラズマ
エツチングなる語句はいわゆるイオン反応エツチングを
含む広い意味で使用するものとする。
り、一般に半導体装置の製造に際し使用されている。こ
れに関する参考文献としては、例えば１フイリツプス
テクニカル レビュー、Ｖｏｌ． ８８， １．９７８
／ ７９，属７／８の２００ないし２］．０ヘーシに
掲載サれているカルラ−（ Ｋａｌｔ８ｒ ）、ファン
デ ヘ＞ （ ｖａｎ ｄｅ Ｖｅｎ ）による論
文” ＩＣ技術におけるプラズマ エツチング（ Ｐｌ
ａｓｍａＢ；ｔｃｈｉｎｇ ｉｎ ＩＯ ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ ）”がある。本明細書において、プラズマ
エツチングなる語句はいわゆるイオン反応エツチングを
含む広い意味で使用するものとする。
半導体工業に一般に使用されている放射線感知レジスト
は種々の形の放射線に感度を有する。例えば、ある種の
レジストは可視光線に感知し・また、あるレジストはＸ
線に感するが、他のレジストは、例えば、電子のような
荷電粒子のビームの形状を有する放射線に感度を有する
。したがって、適当な放射線にさらした後、適当な溶剤
で現像するステップを含むいわゆる写真製版技術を用い
て、基板−ヒにあるレジスト フィルムにパターンヲ設
け、爾後のプラズマ エツチング処理に耐えるようなマ
スクを形成することが可能となる。
は種々の形の放射線に感度を有する。例えば、ある種の
レジストは可視光線に感知し・また、あるレジストはＸ
線に感するが、他のレジストは、例えば、電子のような
荷電粒子のビームの形状を有する放射線に感度を有する
。したがって、適当な放射線にさらした後、適当な溶剤
で現像するステップを含むいわゆる写真製版技術を用い
て、基板−ヒにあるレジスト フィルムにパターンヲ設
け、爾後のプラズマ エツチング処理に耐えるようなマ
スクを形成することが可能となる。
放射＃Ｊ Ｉ＋ａ知レジストはポジティブ（＃Ｔｕ）作
用レジストまたはネガティブ（陰ＩｉｌｉＩ）作用レジ
ストに分類される。ポジティブ作用レジストを放射線に
さらした場合は、これらの露光部分は選択的に取除くこ
とができる。これは、さらされた部分は現像液内で可溶
性となり、さらされない部分は不溶性のまま保持される
ことによる。これに反して、ネガティブ作用レジストの
場合は、さらされた部分が不溶性となり、さらされない
部分が可溶性となる。一般Ｇこ、ポジティブ作用レジス
トの方がネガティブ作用レジストより良好な解像度を与
える。
用レジストまたはネガティブ（陰ＩｉｌｉＩ）作用レジ
ストに分類される。ポジティブ作用レジストを放射線に
さらした場合は、これらの露光部分は選択的に取除くこ
とができる。これは、さらされた部分は現像液内で可溶
性となり、さらされない部分は不溶性のまま保持される
ことによる。これに反して、ネガティブ作用レジストの
場合は、さらされた部分が不溶性となり、さらされない
部分が可溶性となる。一般Ｇこ、ポジティブ作用レジス
トの方がネガティブ作用レジストより良好な解像度を与
える。
したがって１これらのプラズマ エツチングに対する耐
蝕性の点では、通常ネガティブ作用レジストに劣ってい
るにも拘らず、小型化との両立性の観点もあり、半導体
工業分野においては、集積回路の製造に際して、ポジテ
ィブ作用レジスタを選択する傾向が強い。この不充分な
耐蝕性の問題に対処するため１通常は、比較的厚いレジ
スト層（標準的には、Ｏ。５ないし１μｍの範囲）を用
いて不所望の腐蝕を補償するようにしているが、残念な
ことには、レジストの厚みを大きくするにしたがって解
像度が劣化するという無点が生じてくる。
蝕性の点では、通常ネガティブ作用レジストに劣ってい
るにも拘らず、小型化との両立性の観点もあり、半導体
工業分野においては、集積回路の製造に際して、ポジテ
ィブ作用レジスタを選択する傾向が強い。この不充分な
耐蝕性の問題に対処するため１通常は、比較的厚いレジ
スト層（標準的には、Ｏ。５ないし１μｍの範囲）を用
いて不所望の腐蝕を補償するようにしているが、残念な
ことには、レジストの厚みを大きくするにしたがって解
像度が劣化するという無点が生じてくる。
高解像度の利点を保持しながら、プラズマ エラチンブ
レこ対するポジティブ レジストの耐蝕性を敗勢するた
め、各種のプラズマ エツチングシステムや新しいポジ
ティブ レジスト材料に関し種々提案がなされており、
例えば、日本国電気化学協会；固体回路和学および技術
（Ｓ０１土ｄ−８ｔａｔｅＳｏｉｅｎｏｅ ａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）、１９８０年２月号、４９１な
いし４９７ページに掲載されているハラダ カツヒロの
論文°′プラズマ エツチングに耐性を有するポジティ
ブ レジストを改善するための添加剤″において、著者
は、例えば、不純物除失剤（ラジカル スカベンジャ）
または遊離基、すなわち、１，１ジフェニル−２−ビク
リルヒドラジルおよびガルピノオキシ／１／ （ｇａｌ
ｖｉｎｏｘｙｌ ）またはプラスデック酸化防止剤、す
なわち、２゜４１６−）リタードブチルフェノールのよ
うな添加剤を含有させることにより、従来のポジティブ
レジストの耐蝕性を改善しつる旨主張している。
レこ対するポジティブ レジストの耐蝕性を敗勢するた
め、各種のプラズマ エツチングシステムや新しいポジ
ティブ レジスト材料に関し種々提案がなされており、
例えば、日本国電気化学協会；固体回路和学および技術
（Ｓ０１土ｄ−８ｔａｔｅＳｏｉｅｎｏｅ ａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）、１９８０年２月号、４９１な
いし４９７ページに掲載されているハラダ カツヒロの
論文°′プラズマ エツチングに耐性を有するポジティ
ブ レジストを改善するための添加剤″において、著者
は、例えば、不純物除失剤（ラジカル スカベンジャ）
または遊離基、すなわち、１，１ジフェニル−２−ビク
リルヒドラジルおよびガルピノオキシ／１／ （ｇａｌ
ｖｉｎｏｘｙｌ ）またはプラスデック酸化防止剤、す
なわち、２゜４１６−）リタードブチルフェノールのよ
うな添加剤を含有させることにより、従来のポジティブ
レジストの耐蝕性を改善しつる旨主張している。
しかし・残念ながら・ハラダの技術により耐蝕性を改善
する方法は、しばしば、レジストの感度のような他の重
要な特性を犠牲にするという難点がある。
する方法は、しばしば、レジストの感度のような他の重
要な特性を犠牲にするという難点がある。
基板上にある放射線感知レジスト フィルムに写真製版
技術を用いてパターンを設けるステップを含む基板上に
プラズマ エツチングに耐性を有するマスクを形成する
本発明方法によるときは、基板のパターンを設けたレジ
スト フィルム上オよび露出領域上に被覆材料層を設け
た後、熱処理を行って該ｖ積層の材料を該レジストと化
学的に反応させることにより、パターンを設けたレジス
ト フィルムの表面にプラズマ エツチングに耐性を有
する表皮部を形成させ、次いで、被梱層の反応しない材
料を取除き、パターンを設けたレジスト フィルムを該
表皮部とともに基板上のマスクとして残すようにする他
のステップを含むことを特徴とする。
技術を用いてパターンを設けるステップを含む基板上に
プラズマ エツチングに耐性を有するマスクを形成する
本発明方法によるときは、基板のパターンを設けたレジ
スト フィルム上オよび露出領域上に被覆材料層を設け
た後、熱処理を行って該ｖ積層の材料を該レジストと化
学的に反応させることにより、パターンを設けたレジス
ト フィルムの表面にプラズマ エツチングに耐性を有
する表皮部を形成させ、次いで、被梱層の反応しない材
料を取除き、パターンを設けたレジスト フィルムを該
表皮部とともに基板上のマスクとして残すようにする他
のステップを含むことを特徴とする。
本発明方法は、前述の従来技術と対比した場合・新しい
材料または新しいエツチング システムを必要とせず、
それどころか、本来半導体ＺＩ７．業でよく知られてい
る処理ステップおよび材料を使用しているに過ぎない。
材料または新しいエツチング システムを必要とせず、
それどころか、本来半導体ＺＩ７．業でよく知られてい
る処理ステップおよび材料を使用しているに過ぎない。
この方法で形成した耐蝕性表皮部はレジストベース マ
スクのプラズマ エッチ速度を顕著に減少させるので・
解像度を増大させるのに、例えば・０゜２５μｍ以下の
さらに薄いレジストを使用することができる。
スクのプラズマ エッチ速度を顕著に減少させるので・
解像度を増大させるのに、例えば・０゜２５μｍ以下の
さらに薄いレジストを使用することができる。
プラズマ エッチ速度を減少させる利点は、レジストが
ポジティブ作用レジストの場合、特に重要であるが、本
発明方法はネガティブ作用レジストの場合にも使用する
ことができる。
ポジティブ作用レジストの場合、特に重要であるが、本
発明方法はネガティブ作用レジストの場合にも使用する
ことができる。
また、パターンを設けたレジスト フィルムは基板の表
面ＦＩＪ：に形成するととも番こ、前記表面層・、。
面ＦＩＪ：に形成するととも番こ、前記表面層・、。
は被覆層と同じ材料により形成することが望ましい。こ
の場合、被薇層の反応しない材料は、本来、表面層にパ
ターンを設けるために行われるプラズマ エツチング
ステップの間に付随的に取除くことができる。
の場合、被薇層の反応しない材料は、本来、表面層にパ
ターンを設けるために行われるプラズマ エツチング
ステップの間に付随的に取除くことができる。
以下図面により本発明を説明する。
添付図は図示を明瞭にするため実物の尺度とは比例しな
い尺度で表示しである。
い尺度で表示しである。
また、以下の記述は、半導体ウェハ処理に使用される一
般の写真製版技術用として適するフォトマスクの製造に
関するものである。
般の写真製版技術用として適するフォトマスクの製造に
関するものである。
まず、例えば、一般のスパッタリング技術を用いて・ア
ルミノ珪酸塩または合成石英の基板】上に、標準的に（
）暑μｍの厚みを有するクロムＦ￥１２を析出させる。
ルミノ珪酸塩または合成石英の基板】上に、標準的に（
）暑μｍの厚みを有するクロムＦ￥１２を析出させる。
次いで、該クロム層２上に、英国特許ＧＢ ］、、 ４
４５，８４５号オヨびＣＢ １，５００，５４１号に記
載されているような交差結合ポジティブ作用レジストの
フィルムを設ける。この場合・例えば、ポリ−（メチル
メタクリレートーコーメタクリック アシッド］およ
びポリ−（メチル メタクリレートーコーメタクリロイ
ル クロライド）の混合物により形成したレジストは電
子放射線に感知するので、既知の電子ビーム写真製版技
術を用いてレジスト フィルムにパターンを設けること
ができる。このように、電子ビームにさらした後ニハ、
ｚ＜ターンを設けたレジスト フィルム８が残るような
レジスト フィルムが生成される。
４５，８４５号オヨびＣＢ １，５００，５４１号に記
載されているような交差結合ポジティブ作用レジストの
フィルムを設ける。この場合・例えば、ポリ−（メチル
メタクリレートーコーメタクリック アシッド］およ
びポリ−（メチル メタクリレートーコーメタクリロイ
ル クロライド）の混合物により形成したレジストは電
子放射線に感知するので、既知の電子ビーム写真製版技
術を用いてレジスト フィルムにパターンを設けること
ができる。このように、電子ビームにさらした後ニハ、
ｚ＜ターンを設けたレジスト フィルム８が残るような
レジスト フィルムが生成される。
次いで、５０ないし１００オングストロームの厚みを有
するクロムの被覆層を、クロムの厚さがノ・ｊターンを
設けたレジスト フィルム８にヨリマスクされていない
領域で大となるようクロム層２の露出領域およびパター
ン状レジスト８上にスパッタ析出させる。
するクロムの被覆層を、クロムの厚さがノ・ｊターンを
設けたレジスト フィルム８にヨリマスクされていない
領域で大となるようクロム層２の露出領域およびパター
ン状レジスト８上にスパッタ析出させる。
次に、約１８０ ’Ｃの潤度まで約３０分間加熱するこ
とによりレジスト上のクロムを下方にあるレジスト フ
ィルムの材料と化学的に反応させ、かくして、パターン
を設けたレジスタ フィルム３の面に表皮部５を形成さ
せる。前記表皮部５は後続のプラズマ エツチング処理
に対して耐性を育する。第２図において、この表皮部５
の境界は破線Ｇこより表示しである。
とによりレジスト上のクロムを下方にあるレジスト フ
ィルムの材料と化学的に反応させ、かくして、パターン
を設けたレジスタ フィルム３の面に表皮部５を形成さ
せる。前記表皮部５は後続のプラズマ エツチング処理
に対して耐性を育する。第２図において、この表皮部５
の境界は破線Ｇこより表示しである。
次のステップはプラズマ エツチングによりクロム層２
にパターンを設けるステップを含む。このステップにお
いて、パターンを設けたレジストフィルム８は、表皮部
５とともに、クロへ曳へ層２の下方にある部分をマスク
する働きをする。実際に、プラズマ エッチに耐性を有
する表皮部５を設けることによりマスクの耐蝕性を５倍
程度まえば、−酸化アルゴンまたは一酸化炭素のような
坦体ガス８のうち四塩化炭素１ないし＃素１を含む０．
５トル、４００ワツトのプラズマ中で１０分間エツチン
グを行うようにするを可とする。 １ｍ ４および層２
は双方ともクロムにより形成しているので・このエツチ
ング処理により層４の非反応部分を取除いた後、層２そ
れ自体をエッチするようにする。
にパターンを設けるステップを含む。このステップにお
いて、パターンを設けたレジストフィルム８は、表皮部
５とともに、クロへ曳へ層２の下方にある部分をマスク
する働きをする。実際に、プラズマ エッチに耐性を有
する表皮部５を設けることによりマスクの耐蝕性を５倍
程度まえば、−酸化アルゴンまたは一酸化炭素のような
坦体ガス８のうち四塩化炭素１ないし＃素１を含む０．
５トル、４００ワツトのプラズマ中で１０分間エツチン
グを行うようにするを可とする。 １ｍ ４および層２
は双方ともクロムにより形成しているので・このエツチ
ング処理により層４の非反応部分を取除いた後、層２そ
れ自体をエッチするようにする。
次いで１蒸気状硝酸を用いて、パターンを設けたレジス
ト フィルム８を表皮部５とともに取除き、ガラス基板
１上にパターンを設けた半透明クロム層２を含むフォト
マスクを残存させる。
ト フィルム８を表皮部５とともに取除き、ガラス基板
１上にパターンを設けた半透明クロム層２を含むフォト
マスクを残存させる。
また、上述したと同じ方法を用いて、間知の電子ビーム
画像投写技術に使用する光電陰極マスク・を製造するこ
ともできる。この場合には、基板ｌを石英により形成し
、表面層２もクロムにより形成するを可とするが、基板
のさらされた表面部分およびパターンを設けたクロム層
は、マスクが後方から紫外線を多量に浴びた際に電子源
として作動じつる沃化セシウムのような光電陰極材料で
被覆することが望ましい。
画像投写技術に使用する光電陰極マスク・を製造するこ
ともできる。この場合には、基板ｌを石英により形成し
、表面層２もクロムにより形成するを可とするが、基板
のさらされた表面部分およびパターンを設けたクロム層
は、マスクが後方から紫外線を多量に浴びた際に電子源
として作動じつる沃化セシウムのような光電陰極材料で
被覆することが望ましい。
本発明方法は半導体ウェハを処理するのに直接使用する
こともできる。この場合、基板１はそれ自体を半導体ウ
ェハにより影成し、表面層２は爾後の処理ステップに対
して半導体表面をマスクして、例えば、酸化物のような
材ｒ（の層により形成するを可とする。
こともできる。この場合、基板１はそれ自体を半導体ウ
ェハにより影成し、表面層２は爾後の処理ステップに対
して半導体表面をマスクして、例えば、酸化物のような
材ｒ（の層により形成するを可とする。
本発明は本明細書記載の実施例に限定されるものでなく
本発明は他の変形をも包含するものであるＯ 発明の要約 本発明は基板（１）上にある放射ｍ感知レジスト フィ
ルム（３）Ｑこ写真製版技術を用いてパグーンを設ける
ことにより、プラズマ エツチング処理に耐性を有する
マスクを形成する方法に関するもので、例えば、基板の
パターンを設けたフィルム上および露出表面上にクロム
の層を設けた後これを焼成し、クロムがレジストと化学
的に反応・して、パターンを設けたフィルムのまわりに
耐蝕。
本発明は他の変形をも包含するものであるＯ 発明の要約 本発明は基板（１）上にある放射ｍ感知レジスト フィ
ルム（３）Ｑこ写真製版技術を用いてパグーンを設ける
ことにより、プラズマ エツチング処理に耐性を有する
マスクを形成する方法に関するもので、例えば、基板の
パターンを設けたフィルム上および露出表面上にクロム
の層を設けた後これを焼成し、クロムがレジストと化学
的に反応・して、パターンを設けたフィルムのまわりに
耐蝕。
性表皮部（５）を形成させることによりマスクの耐蝕性
を向上させるようにしている。この方法は、例えば、ク
ロム被覆ガラス基板を用いてフォトマスクを製造するの
に使用することができ・もしくは半導体ウニ八基板上に
おける半導体ウエノ・の製造中に使用することもできる
。
を向上させるようにしている。この方法は、例えば、ク
ロム被覆ガラス基板を用いてフォトマスクを製造するの
に使用することができ・もしくは半導体ウニ八基板上に
おける半導体ウエノ・の製造中に使用することもできる
。
第１図および第２図は本発明方法を用いて基板上にプラ
ズマ エッチに耐性を有するマスクを形成する場合の各
工程を示す断面図である。 １・・・基板 ２・・・クロム層（表面層
）８・・・パターンを設けたレジスト フィルム４・・
・被覆層 ５・・・表皮部。
ズマ エッチに耐性を有するマスクを形成する場合の各
工程を示す断面図である。 １・・・基板 ２・・・クロム層（表面層
）８・・・パターンを設けたレジスト フィルム４・・
・被覆層 ５・・・表皮部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板−ヒにある放射線感知レジスト フィルムに写
真製版技術を用いてパターンを設けるステップを含む基
板上にプラズマエツチングに耐性を有するマスクを形成
する方法（こおいて、基板のパターンを設けたレジスト
フィルム上および露出領域上にＩＩ覆材料層を設けた
後、熱処理を行って該＠覆層の材料を該レジストと化学
的に反応させることにより、パターンを設けたレジスト
フィルムの表面にプラズマ エツチングに耐性を有す
る表皮部を形成させ、次いで、被覆層の反応しない材料
を取除き、パターンを設けたレジスト フィルムを該表
皮部とともに基板上のマスクとして残すようにする他の
ステップを含むことを特徴とするプラズマ エツチング
に耐性を有するレジスト マスクを形成する方法。 ２ 該放射線感知レジストをポジティブ作用レジストと
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法
。 ＆ パターンをｉけた該レジスト フィルムを基板の表
面層上に形成するとともに、該表面層を該ｖｔＷ層と同
じ材料により形成するようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項に記載の方法。 ４ 該被覆層の材料をクロムとしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の方
法。 ５ 該放射線感知レジストを交差結合ポジティブ作用共
重合体レジストにより形成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の方法。 ｆＬ ｉ放射線感知レジストをポリ−（メチルメタク
リレートーコーメタクリック アシッド）およびポリ−
（メチル メタクリレートーコーメタクリロイル クロ
ライドフの混合物により形成したことを特徴とする特許
Ｍ求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載のプラ
ズマ エツチングに耐性を有するレジストマスクを形成
する方法。 Ｉ 該レジスト フィルムの厚さを０．２５μｍより小
としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
６項のいずれかに記載のプラズマ エツチングに耐性を
有するレジストマスクを形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB08215431A GB2121197A (en) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | Plasma-etch resistant mask formation |
| GB8215431 | 1982-05-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59153A true JPS59153A (ja) | 1984-01-05 |
Family
ID=10530657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58089307A Pending JPS59153A (ja) | 1982-05-26 | 1983-05-23 | プラズマエツチングに耐性を有するレジストマスクを形成する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4600686A (ja) |
| EP (1) | EP0095209A3 (ja) |
| JP (1) | JPS59153A (ja) |
| GB (1) | GB2121197A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63249837A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Fujitsu Ltd | レジストマスクの形成方法 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4810601A (en) * | 1984-12-07 | 1989-03-07 | International Business Machines Corporation | Top imaged resists |
| WO1987003387A1 (en) * | 1985-11-27 | 1987-06-04 | Macdermid, Incorporated | Thermally stabilized photoresist images |
| US4871630A (en) * | 1986-10-28 | 1989-10-03 | International Business Machines Corporation | Mask using lithographic image size reduction |
| US4873176A (en) * | 1987-08-28 | 1989-10-10 | Shipley Company Inc. | Reticulation resistant photoresist coating |
| US4933205A (en) * | 1987-10-09 | 1990-06-12 | Duley Walter W | Laser etching of foam substrate |
| US4769257A (en) * | 1987-10-09 | 1988-09-06 | Duley Walter W | Laser etching of foam substrate |
| US4838991A (en) * | 1987-10-30 | 1989-06-13 | International Business Machines Corporation | Process for defining organic sidewall structures |
| US4972061A (en) * | 1987-12-17 | 1990-11-20 | Duley Walter W | Laser surface treatment |
| DE3913434A1 (de) * | 1989-04-24 | 1990-10-25 | Siemens Ag | Trockenwickelbares resistsystem |
| US5275920A (en) * | 1989-04-24 | 1994-01-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of dry development utilizing quinone diazide and basic polymer resist with latent image intensification through treatment with silicon-organic compound in water |
| US4968552A (en) * | 1989-10-13 | 1990-11-06 | International Business Machines Corp. | Versatile reactive ion etch barriers from polyamic acid salts |
| US7115523B2 (en) * | 2000-05-22 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching photomasks |
| US20030003374A1 (en) * | 2001-06-15 | 2003-01-02 | Applied Materials, Inc. | Etch process for photolithographic reticle manufacturing with improved etch bias |
| WO2003021659A1 (en) | 2001-09-04 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for etching metal layers on substrates |
| US6960413B2 (en) * | 2003-03-21 | 2005-11-01 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for etching photomasks |
| US7077973B2 (en) * | 2003-04-18 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for substrate orientation |
| US7521000B2 (en) * | 2003-08-28 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
| US7829243B2 (en) * | 2005-01-27 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication |
| KR100944846B1 (ko) * | 2006-10-30 | 2010-03-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 마스크 에칭 프로세스 |
| JP2015070232A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| CN106486346B (zh) * | 2015-08-27 | 2019-04-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻胶图形的形成方法 |
| US10060823B2 (en) | 2016-02-19 | 2018-08-28 | The Boeing Company | Miniaturized tuned mass damper for application to high speed wind tunnel testing |
| US10309867B2 (en) | 2016-08-15 | 2019-06-04 | The Boeing Company | Variable spring-constant tuned mass damper |
| US10533921B2 (en) | 2016-12-02 | 2020-01-14 | The Boeing Company | Tunable mass damper characterization test stand |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4125650A (en) * | 1977-08-08 | 1978-11-14 | International Business Machines Corporation | Resist image hardening process |
| US4275286A (en) * | 1978-12-04 | 1981-06-23 | Hughes Aircraft Company | Process and mask for ion beam etching of fine patterns |
| US4259369A (en) * | 1979-12-13 | 1981-03-31 | International Business Machines Corporation | Image hardening process |
| US4362598A (en) * | 1981-10-26 | 1982-12-07 | General Electric Company | Method of patterning a thick resist layer of polymeric plastic |
| US4389482A (en) * | 1981-12-14 | 1983-06-21 | International Business Machines Corporation | Process for forming photoresists with strong resistance to reactive ion etching and high sensitivity to mid- and deep UV-light |
| GB2121198A (en) * | 1982-05-26 | 1983-12-14 | Philips Electronic Associated | Plasma-etch resistant mask formation |
-
1982
- 1982-05-26 GB GB08215431A patent/GB2121197A/en not_active Withdrawn
-
1983
- 1983-05-17 EP EP83200695A patent/EP0095209A3/en not_active Withdrawn
- 1983-05-20 US US06/496,701 patent/US4600686A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-05-23 JP JP58089307A patent/JPS59153A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63249837A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Fujitsu Ltd | レジストマスクの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4600686A (en) | 1986-07-15 |
| GB2121197A (en) | 1983-12-14 |
| EP0095209A2 (en) | 1983-11-30 |
| EP0095209A3 (en) | 1985-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59153A (ja) | プラズマエツチングに耐性を有するレジストマスクを形成する方法 | |
| US4504574A (en) | Method of forming a resist mask resistant to plasma etching | |
| TWI684062B (zh) | 光罩基板（ｐｈｏｔｏｍａｓｋ ｂｌａｎｋ）、光罩之製造方法及遮罩圖案形成方法 | |
| JPS6195356A (ja) | フオトマスクブランク | |
| JP3454505B2 (ja) | レジスト組成物およびその使用 | |
| JP3471335B2 (ja) | 半導体素子の微細パターンの形成方法 | |
| US6989219B2 (en) | Hardmask/barrier layer for dry etching chrome films and improving post develop resist profiles on photomasks | |
| US6100010A (en) | Photoresist film and method for forming pattern thereof | |
| US4717625A (en) | Photomask material | |
| US4259369A (en) | Image hardening process | |
| JPS62218585A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPH0466345B2 (ja) | ||
| JP2867479B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| US4826754A (en) | Method for anisotropically hardening a protective coating for integrated circuit manufacture | |
| JPH0463349A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JPH03116147A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JP2745988B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPS59103337A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0366656B2 (ja) | ||
| JPS5836494B2 (ja) | シヤシンシヨツコクヨウホト マスクノセイゾウホウホウ | |
| JPS63202748A (ja) | フオトマスク材料 | |
| JPH0367260B2 (ja) | ||
| JPH03269533A (ja) | フォトマスクの製造方法およびそれに使用する基板 | |
| JPS58199525A (ja) | Ｘ線用マスク | |
| US20010005571A1 (en) | Single component developer for use with ghost exposure |