JPS58199525A - Ｘ線用マスク - Google Patents
Ｘ線用マスクInfo
- Publication number
- JPS58199525A JPS58199525A JP57081425A JP8142582A JPS58199525A JP S58199525 A JPS58199525 A JP S58199525A JP 57081425 A JP57081425 A JP 57081425A JP 8142582 A JP8142582 A JP 8142582A JP S58199525 A JPS58199525 A JP S58199525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- alignment
- ray
- film
- ray mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｘ線用マスクに関する。
Ｘ線マスクの位置合せマークを製造する方法として従来
方法の中で最も基本的なものは、マスク基板上に吸収体
パターンを形成する時に吸収体と同じ材料で、位置合せ
マークを形成するものである。この場合、吸収体金属の
ドライ加工に際し、レジスト膜が十分な耐性を持たない
ことがパターンの寸法精度低下の原因になっている。ま
た、位置合せ検出光の透過性を十分にするために、マス
ク基板をマーク部分のみ薄くするなどの複雑な工程が必
要となる。
方法の中で最も基本的なものは、マスク基板上に吸収体
パターンを形成する時に吸収体と同じ材料で、位置合せ
マークを形成するものである。この場合、吸収体金属の
ドライ加工に際し、レジスト膜が十分な耐性を持たない
ことがパターンの寸法精度低下の原因になっている。ま
た、位置合せ検出光の透過性を十分にするために、マス
ク基板をマーク部分のみ薄くするなどの複雑な工程が必
要となる。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、Ｘ線露光に
おいて、高精度なパターン位置検出を可能にするために
必要なマスクの位置合せマークを簡単な工程で製造する
ことのできるＸ線用マスク全提供することにある。
おいて、高精度なパターン位置検出を可能にするために
必要なマスクの位置合せマークを簡単な工程で製造する
ことのできるＸ線用マスク全提供することにある。
以下、本発明の詳細な説明する。
位置合せマークの材料を単層の薄いレジスト膜をマスク
にして良好に加工できる材料として、マスクの基材を利
用することに有利である。マスクの基材と同じ材料を位
置合せ部に使用すれば、位置合せ検出部の基板の厚さを
エツチングにより薄くできることから、検出精度を向上
させることができる。さらに、Ｘ線吸収体金属をマスク
基板へ埋込み被着するようにすれば、吸収体パターンと
位置合せマークの同時形成が可能となる。
にして良好に加工できる材料として、マスクの基材を利
用することに有利である。マスクの基材と同じ材料を位
置合せ部に使用すれば、位置合せ検出部の基板の厚さを
エツチングにより薄くできることから、検出精度を向上
させることができる。さらに、Ｘ線吸収体金属をマスク
基板へ埋込み被着するようにすれば、吸収体パターンと
位置合せマークの同時形成が可能となる。
本発明は、このような考えにもとづいて行なわれたもの
であって、以下、本発明の一実施例を第１図によね説明
する。第１図（ａ）の様にシリコンウ窒化膜２上にＴｉ
１を１００〜４００人の厚さに蒸着する。この時、位置
検出部を含む５〜１０＋ｍ角の領域６はあらかじめ遮へ
いしておき、Ｔｉが被着されないようにしておく。次に
周知のＣＶＤによを り、ポリシリコン膜４０．５μｍ厚に全面に被着し△ た後、さらに第１図（ｂ）の様に電子線レジスト、ＰＭ
ＭＡ５ ｋ ０．３μｍ塗布し、周知の電子線描画法に
より、位置合せマーク、および吸収体の回路パターンを
形成する。次に第１図（Ｃ）に示すように、上記ＰＭＭ
Ａ膜５をマスクとして、マイクロ波プラズマエツチング
により、上記ポリシリコン膜４をエツチングして露出部
分を除去する。この際のエツチングに用いた反応ガスは
ＳＦ６６０％、Ｈ２４％の混合ガスである。次に第１図
（ｄ）に示したように吸収体金属として、金７全メッキ
により０．５μｍの厚さに被着する。この場合、合せマ
ーク部８を含む領域には、前述した如＜ 、’ｒ ’が
蒸着されていないため、金はメッキされず、したがって
、所望の回路パターン部のみに金が埋込み被着される。
であって、以下、本発明の一実施例を第１図によね説明
する。第１図（ａ）の様にシリコンウ窒化膜２上にＴｉ
１を１００〜４００人の厚さに蒸着する。この時、位置
検出部を含む５〜１０＋ｍ角の領域６はあらかじめ遮へ
いしておき、Ｔｉが被着されないようにしておく。次に
周知のＣＶＤによを り、ポリシリコン膜４０．５μｍ厚に全面に被着し△ た後、さらに第１図（ｂ）の様に電子線レジスト、ＰＭ
ＭＡ５ ｋ ０．３μｍ塗布し、周知の電子線描画法に
より、位置合せマーク、および吸収体の回路パターンを
形成する。次に第１図（Ｃ）に示すように、上記ＰＭＭ
Ａ膜５をマスクとして、マイクロ波プラズマエツチング
により、上記ポリシリコン膜４をエツチングして露出部
分を除去する。この際のエツチングに用いた反応ガスは
ＳＦ６６０％、Ｈ２４％の混合ガスである。次に第１図
（ｄ）に示したように吸収体金属として、金７全メッキ
により０．５μｍの厚さに被着する。この場合、合せマ
ーク部８を含む領域には、前述した如＜ 、’ｒ ’が
蒸着されていないため、金はメッキされず、したがって
、所望の回路パターン部のみに金が埋込み被着される。
１
最後に第１図（ｅ）に示すように、ＰＭＭＡ膜５を除去
し、シリコン基板３を裏面から、７ツ酸／硝酸混合液に
よりエツチングして不要部を除去し、マスクとする。
し、シリコン基板３を裏面から、７ツ酸／硝酸混合液に
よりエツチングして不要部を除去し、マスクとする。
本実施例では、ポリシリコンのマイクロ波ブラ゛ ズマ
エッチングによって、マークエツジ部のコントラストが
高くとれること、また、下地のシリコン窒化膜は、光透
過率が高く、検出精度向上に効果がある。
エッチングによって、マークエツジ部のコントラストが
高くとれること、また、下地のシリコン窒化膜は、光透
過率が高く、検出精度向上に効果がある。
上記説明から明らかなように、本発明によれば、合せマ
ークがマスク基板と同一の材料ｆシリコン）からなって
いる。
ークがマスク基板と同一の材料ｆシリコン）からなって
いる。
したがって、Ｘ線マスクの吸収本パターン形成と同時に
、マスク基板材のみで構成された位置合せマークが形成
でき、検出部の基板膜厚を薄くすることができるので、
Ｘ線マスク製造の簡単化、および位置合せ精度向上に効
果がある。
、マスク基板材のみで構成された位置合せマークが形成
でき、検出部の基板膜厚を薄くすることができるので、
Ｘ線マスク製造の簡単化、および位置合せ精度向上に効
果がある。
第１図は本発明のマスクの形成法を示す工程図である。
１・□ 。
１・・・Ｔｉ膜、２・・・シリコン窒化膜、３・・・シ
リコンウェーハ、４・・・ポリシリコン膜、５・・・Ｐ
ＭＭＡ。 ７・・・金、８・・・合せマーク。
リコンウェーハ、４・・・ポリシリコン膜、５・・・Ｐ
ＭＭＡ。 ７・・・金、８・・・合せマーク。
Claims (1)
- 位置合せマークがマスク基材の材料と同一の材料から構
成されていることを特徴とするＸ線用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57081425A JPS58199525A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | Ｘ線用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57081425A JPS58199525A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | Ｘ線用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199525A true JPS58199525A (ja) | 1983-11-19 |
Family
ID=13746006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57081425A Pending JPS58199525A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | Ｘ線用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199525A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6113621A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63116425A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスク |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP57081425A patent/JPS58199525A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6113621A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63116425A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスク |
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