JPS6336660B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6336660B2 JPS6336660B2 JP17189584A JP17189584A JPS6336660B2 JP S6336660 B2 JPS6336660 B2 JP S6336660B2 JP 17189584 A JP17189584 A JP 17189584A JP 17189584 A JP17189584 A JP 17189584A JP S6336660 B2 JPS6336660 B2 JP S6336660B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- electron beam
- resist
- present
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はホトマスクに関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体素子が微細化されるにつれて、高精度で
微細なホトマスクが要求され、電子ビーム露光を
用いてマスク製作が行われている。
微細なホトマスクが要求され、電子ビーム露光を
用いてマスク製作が行われている。
第１図ａ〜ｄの工程順断面図に、従来例のホト
マスクおよびホトマスクパターン形成方法を示
す。従来例のホトマスクはガラス基板１上に厚さ
1000Åのクロム膜２を形成したものである（第１
図ａ）。このマスク基板に電子ビームレジスト
PMMA３を塗布し、電子ビーム４で露光を行う。
（第１図ｂ）。その後、現像によりレジストパター
ン５を形成する（第１図ｃ）。レジストをマスク
としてクロム膜をエツチングすることにより、ク
ロムパターン６を形成し、レジストを除去してマ
スクができあがる（第１図ｄ）。ここで問題とな
るのは、電子ビーム露光の際に、入射電子がガラ
ス基板により散乱されてレジスト中に再び入射す
るため、現像後のパターン幅精度が低下すること
である。
マスクおよびホトマスクパターン形成方法を示
す。従来例のホトマスクはガラス基板１上に厚さ
1000Åのクロム膜２を形成したものである（第１
図ａ）。このマスク基板に電子ビームレジスト
PMMA３を塗布し、電子ビーム４で露光を行う。
（第１図ｂ）。その後、現像によりレジストパター
ン５を形成する（第１図ｃ）。レジストをマスク
としてクロム膜をエツチングすることにより、ク
ロムパターン６を形成し、レジストを除去してマ
スクができあがる（第１図ｄ）。ここで問題とな
るのは、電子ビーム露光の際に、入射電子がガラ
ス基板により散乱されてレジスト中に再び入射す
るため、現像後のパターン幅精度が低下すること
である。
発明の目的
本発明は、この問題を解決し、電子ビーム露光
における後方散乱によるパターン乱れの少ない、
ホトマスクを実現するものである。
における後方散乱によるパターン乱れの少ない、
ホトマスクを実現するものである。
発明の構成
すなわち、本発明は、透明基板上の有機樹脂薄
膜上に金属パターンが形成されているホトマスク
であり、これにより、パターン精度が向上する。
膜上に金属パターンが形成されているホトマスク
であり、これにより、パターン精度が向上する。
実施例の説明
本発明の実施例を第２図の断面図に示す。初期
工程でガラス基板１上に厚さ10μｍの透明な有機
樹脂薄膜、たとえばポリイミド７を形成し、その
上に厚さ1000Åのクロム膜２が形成されている。
このような構造を用いることにより、第１図ｂ以
降と同じ工程によつてマスク形成すると、電子ビ
ーム露光のときに、基板からの後方散乱は、非常
に少なくなる。厚さ1000Åのクロム基板により散
乱を受けるが、厚さがうすいために、散乱を受け
る電子の数は少ない。また、ポリイミド７に入射
した電子が散乱をうけた結果、レジストまで戻る
ことはもとんどない。したがつて、電子ビーム露
光を用いて高い精度のパターンを形成することが
可能である。
工程でガラス基板１上に厚さ10μｍの透明な有機
樹脂薄膜、たとえばポリイミド７を形成し、その
上に厚さ1000Åのクロム膜２が形成されている。
このような構造を用いることにより、第１図ｂ以
降と同じ工程によつてマスク形成すると、電子ビ
ーム露光のときに、基板からの後方散乱は、非常
に少なくなる。厚さ1000Åのクロム基板により散
乱を受けるが、厚さがうすいために、散乱を受け
る電子の数は少ない。また、ポリイミド７に入射
した電子が散乱をうけた結果、レジストまで戻る
ことはもとんどない。したがつて、電子ビーム露
光を用いて高い精度のパターンを形成することが
可能である。
第３図に、本発明のクロムマスクと、従来のク
ロムマスクのパターン幅精度を比較した結果を示
す。本発明のクロムマスクでは、0.5μｍから10μ
ｍまでのパターン幅に対して、誤差を無視できる
ほどの高精度のパターンがえられている。
ロムマスクのパターン幅精度を比較した結果を示
す。本発明のクロムマスクでは、0.5μｍから10μ
ｍまでのパターン幅に対して、誤差を無視できる
ほどの高精度のパターンがえられている。
なお、以上の説明では、金属パターンとして、
クロムを用いたが、露光光源をしや断する材料で
あればクロム以外の金属でもよい。その場合、原
子番号の小さい材料を用いることにより、さらに
後方散乱が減少するので、パターン幅精度の向上
を図ることができる。
クロムを用いたが、露光光源をしや断する材料で
あればクロム以外の金属でもよい。その場合、原
子番号の小さい材料を用いることにより、さらに
後方散乱が減少するので、パターン幅精度の向上
を図ることができる。
発明の効果
以上に詳述したように、本発明は、透明基板上
の有機樹脂薄膜上に金属パターンが形成されてい
るホトマスクであつて、本発明を用いることによ
り、電子ビーム露光により高精度のパターンを形
成することができる。
の有機樹脂薄膜上に金属パターンが形成されてい
るホトマスクであつて、本発明を用いることによ
り、電子ビーム露光により高精度のパターンを形
成することができる。
第１図ａ〜ｄは従来例によるホトマスクの製作
工程順断面図、第２図は本発明によるホトマスク
の初期工程における断面図、第３図は本発明によ
るホトマスクのパターン幅精度を示す特性図であ
る。 １……ガラス基板、２……クロム膜、３……電
子ビームレジスト、４……電子ビーム、５……レ
ジストパターン、６……クロムパターン、７……
有機樹脂薄膜。
工程順断面図、第２図は本発明によるホトマスク
の初期工程における断面図、第３図は本発明によ
るホトマスクのパターン幅精度を示す特性図であ
る。 １……ガラス基板、２……クロム膜、３……電
子ビームレジスト、４……電子ビーム、５……レ
ジストパターン、６……クロムパターン、７……
有機樹脂薄膜。
Claims (1)
- １ 透明基板上の有機樹脂薄膜上に金属パターン
が形成されているホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171895A JPS6150152A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171895A JPS6150152A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | ホトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150152A JPS6150152A (ja) | 1986-03-12 |
| JPS6336660B2 true JPS6336660B2 (ja) | 1988-07-21 |
Family
ID=15931797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171895A Granted JPS6150152A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6150152A (ja) |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59171895A patent/JPS6150152A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6150152A (ja) | 1986-03-12 |
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