JPS6252850B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6252850B2 JPS6252850B2 JP12507280A JP12507280A JPS6252850B2 JP S6252850 B2 JPS6252850 B2 JP S6252850B2 JP 12507280 A JP12507280 A JP 12507280A JP 12507280 A JP12507280 A JP 12507280A JP S6252850 B2 JPS6252850 B2 JP S6252850B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- electron beam
- light
- thin film
- mask
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
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- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスク製作法とくにサブミクロンのマ
スク製作法に関するものである。
スク製作法に関するものである。
Si―超LSIの開発やマイクロ波デバイスの高性
能化が進むにつれてパターンの微細化が必要とな
り、高精度で微細なパターンのホトマスクが要求
されている。とくに１μｍ以下のパターンを描画
するためには電子ビーム露光装置が用いられる。
能化が進むにつれてパターンの微細化が必要とな
り、高精度で微細なパターンのホトマスクが要求
されている。とくに１μｍ以下のパターンを描画
するためには電子ビーム露光装置が用いられる。
電子ビーム露光装置を用いてサブミクロンパタ
ーンを描画する場合、パターン精度の向上と描画
時間の短縮が大きな問題である。サブミクロンパ
ターン描画においてはパターン精度を確保するた
めに、通常径の細い電子ビームが用いられるが、
このことによつて描画時間は増大する。たとえば
ビーム径を1/2にすれば描画時間は４倍になる。
また、描画時間が増大した場合、同一パターン描
画中における電子ビームの変動幅がより大きくな
ることになり、パターン精度の低下がもたらされ
る。
ーンを描画する場合、パターン精度の向上と描画
時間の短縮が大きな問題である。サブミクロンパ
ターン描画においてはパターン精度を確保するた
めに、通常径の細い電子ビームが用いられるが、
このことによつて描画時間は増大する。たとえば
ビーム径を1/2にすれば描画時間は４倍になる。
また、描画時間が増大した場合、同一パターン描
画中における電子ビームの変動幅がより大きくな
ることになり、パターン精度の低下がもたらされ
る。
本発明は、上記問題点を解決するものであり、
基板上に形成した遮光性薄膜を選択的に除去し、
同遮光性薄膜を所定寸法以上の第１の図形として
残す第１段階の処理工程と、同処理工程を経た基
板上にフオトレジスト膜を形成したのち、第１の
図形として残された前記遮光性薄膜の一部上を電
子ビームで走査し、その反射電子を検出して位置
合せを行い、さらに電子ビームで前記遮光性薄膜
上のフオトレジスト膜に前記所定寸法に満たない
第２の図形を描画し、こののち、現像、食刻およ
びレジスト膜除去の処理を施し、第１の図形とし
て残された前記遮光性薄膜の一部をさらに除去す
る第２段階の処理工程を経てマスクパターンを形
成することを特徴とするマスク製作方法である。
基板上に形成した遮光性薄膜を選択的に除去し、
同遮光性薄膜を所定寸法以上の第１の図形として
残す第１段階の処理工程と、同処理工程を経た基
板上にフオトレジスト膜を形成したのち、第１の
図形として残された前記遮光性薄膜の一部上を電
子ビームで走査し、その反射電子を検出して位置
合せを行い、さらに電子ビームで前記遮光性薄膜
上のフオトレジスト膜に前記所定寸法に満たない
第２の図形を描画し、こののち、現像、食刻およ
びレジスト膜除去の処理を施し、第１の図形とし
て残された前記遮光性薄膜の一部をさらに除去す
る第２段階の処理工程を経てマスクパターンを形
成することを特徴とするマスク製作方法である。
本発明によれば、電子ビーム露光にともなう描
画時間の短縮を図ることができ、かつ時間短縮に
ともない装置のドリフトが安定化されることによ
りパターンの精度を向上させることができる。
画時間の短縮を図ることができ、かつ時間短縮に
ともない装置のドリフトが安定化されることによ
りパターンの精度を向上させることができる。
以下に図面にもとづいて本発明の実施例につい
て説明する。本発明の方法ではマスクパターンの
中で大きなパターン（たとえば１μｍ以上）を第
１段階で描画し、こののち小さなパターン（たと
えば１μｍ以下）を第２段階で描画することが行
われる。先ず第１図で示すようにガラス基板１に
クロム（Cr）膜を被着したCr乾板にレジストを
塗付した後、パタンゼネレータまたは描画時間の
速い電子ビーム露光装置を用いて大きなパターン
を描画し、現像、エツチング、レジスト除去の処
理を経てマスクパターンの一部３を形成する。す
なわち、第１段階でマスクパターン部３のクロム
膜が除去される。なおこの際同時に重ね合せ用の
Ｌ字型パターン４も形成しておく。
て説明する。本発明の方法ではマスクパターンの
中で大きなパターン（たとえば１μｍ以上）を第
１段階で描画し、こののち小さなパターン（たと
えば１μｍ以下）を第２段階で描画することが行
われる。先ず第１図で示すようにガラス基板１に
クロム（Cr）膜を被着したCr乾板にレジストを
塗付した後、パタンゼネレータまたは描画時間の
速い電子ビーム露光装置を用いて大きなパターン
を描画し、現像、エツチング、レジスト除去の処
理を経てマスクパターンの一部３を形成する。す
なわち、第１段階でマスクパターン部３のクロム
膜が除去される。なおこの際同時に重ね合せ用の
Ｌ字型パターン４も形成しておく。
つぎに第２段階として再度レジストを塗付し、
第２図で示すように高解像度の電子ビーム露光装
置を用いて、重ね合せ用のＬ字型パターン４を電
子ビームを５で示すように走査して反射電子にて
マークの検出を行い位置合せしながら小さなパタ
ーンすなわちサブミクロンのパターンを描画す
る。エツチング、レジスト除去工程を経て小さな
マスクパターン部６を形成しマスクを完成させ
る。
第２図で示すように高解像度の電子ビーム露光装
置を用いて、重ね合せ用のＬ字型パターン４を電
子ビームを５で示すように走査して反射電子にて
マークの検出を行い位置合せしながら小さなパタ
ーンすなわちサブミクロンのパターンを描画す
る。エツチング、レジスト除去工程を経て小さな
マスクパターン部６を形成しマスクを完成させ
る。
以上の過程を経てマスクを製作する本発明の方
法によれば、描画速度の遅い、高解像度の電子ビ
ーム露光装置の使用がサブミクロンパターン部の
描画時のみに限定され、大きなパターン部は描画
速度の速い装置を用いて描画され、したがつてパ
ターン全体の描画時間が著しく短縮される。しか
も描画時間の短縮にともない、電子ビームのドリ
フトも小さくなるので描画されるパターンの精度
が向上する。
法によれば、描画速度の遅い、高解像度の電子ビ
ーム露光装置の使用がサブミクロンパターン部の
描画時のみに限定され、大きなパターン部は描画
速度の速い装置を用いて描画され、したがつてパ
ターン全体の描画時間が著しく短縮される。しか
も描画時間の短縮にともない、電子ビームのドリ
フトも小さくなるので描画されるパターンの精度
が向上する。
なお、マスク基板としてガラス基板が使用さ
れ、このガラス基板上を電子ビームで走査する場
合には静電荷のチヤージアツプの問題が生じる
が、遮光性薄膜に導電性があり、第１段階で遮光
性薄膜がすべてつながつている形状にマスのパタ
ーンが形成される場合は、マスク基板がガラス基
板であつてもチヤージアツプの問題は発生しな
い。また第１段階で遮光性膜が孤立して残る形状
にマスクパターンが形成される場合は、透明導電
性膜つきのマスクの基板を用いることによりチヤ
ージアツプの影響を避けることができる。
れ、このガラス基板上を電子ビームで走査する場
合には静電荷のチヤージアツプの問題が生じる
が、遮光性薄膜に導電性があり、第１段階で遮光
性薄膜がすべてつながつている形状にマスのパタ
ーンが形成される場合は、マスク基板がガラス基
板であつてもチヤージアツプの問題は発生しな
い。また第１段階で遮光性膜が孤立して残る形状
にマスクパターンが形成される場合は、透明導電
性膜つきのマスクの基板を用いることによりチヤ
ージアツプの影響を避けることができる。
以上に説明したように、本発明は、第１段階と
して基板上に所定図形の遮光性薄膜を形成し、第
２段階として、前記基板にレジストを塗付後、前
記所定図形の一部を電子ビームで走査してその反
射電子を検出することにより位置合せを行い、電
子ビームにより図形を描画し、現像、エツチン
グ、レジスト除去工程により、前記基板上に前記
所定図形の一部を除去した遮光性薄膜を形成する
ことを特長とするマスク製作法であつて、本発明
によれば、マスクパターン製作時の電子ビーム描
画時間の短縮とパターン精度の向上を図ることが
可能である。
して基板上に所定図形の遮光性薄膜を形成し、第
２段階として、前記基板にレジストを塗付後、前
記所定図形の一部を電子ビームで走査してその反
射電子を検出することにより位置合せを行い、電
子ビームにより図形を描画し、現像、エツチン
グ、レジスト除去工程により、前記基板上に前記
所定図形の一部を除去した遮光性薄膜を形成する
ことを特長とするマスク製作法であつて、本発明
によれば、マスクパターン製作時の電子ビーム描
画時間の短縮とパターン精度の向上を図ることが
可能である。
第１図ａおよびｂは本発明の一実施例の方法の
第１段階の工程で描画されたマスクパターンの状
態を示す平面図および―′線断面図、第２図
ａおよびｂは同方法の第２段階で描画されたマス
クパターンの状態を示す平面図および―′線
断面図である。 １……ガラス基板、２……クロム膜、３……大
面積のパターン部、４……位置合せ用のマーク、
５……電子ビームによる合せマークの走査、６…
…小面積のパターン部。
第１段階の工程で描画されたマスクパターンの状
態を示す平面図および―′線断面図、第２図
ａおよびｂは同方法の第２段階で描画されたマス
クパターンの状態を示す平面図および―′線
断面図である。 １……ガラス基板、２……クロム膜、３……大
面積のパターン部、４……位置合せ用のマーク、
５……電子ビームによる合せマークの走査、６…
…小面積のパターン部。
Claims (1)
- １ 基板上に形成した遮光性薄膜を高速の電子ビ
ーム露光装置を用いた電子ビーム露光処理で選択
的に除去し、同遮光性薄膜を寸法が１μｍ以上の
第１の図形として残す第１段階の処理工程と、同
処理工程を経た基板上にフオトレジスト膜を形成
したのち、前記第１の図形として残された前記遮
光性薄膜の一部上を電子ビームで走査し、その反
射電子を検出して位置合せを行い、さらに電子ビ
ームで前記遮光性薄膜上のフオトレジスト膜に寸
法が１μｍに満たない第２の図形を描画し、この
のち、現像、食刻およびレジスト膜除去の処理を
施し前記第１の図形として残された前記遮光性薄
膜の一部をさらに除去する第２段階の処理工程を
経てマスクパターンを形成することを特徴とする
マスク製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12507280A JPS5748731A (en) | 1980-09-08 | 1980-09-08 | Manufacture of mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12507280A JPS5748731A (en) | 1980-09-08 | 1980-09-08 | Manufacture of mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5748731A JPS5748731A (en) | 1982-03-20 |
| JPS6252850B2 true JPS6252850B2 (ja) | 1987-11-07 |
Family
ID=14901121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12507280A Granted JPS5748731A (en) | 1980-09-08 | 1980-09-08 | Manufacture of mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5748731A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02968A (ja) * | 1988-06-08 | 1990-01-05 | Fujitsu Ltd | フォトマスク |
| JP3784136B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2006-06-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 投影露光装置および投影露光方法 |
-
1980
- 1980-09-08 JP JP12507280A patent/JPS5748731A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5748731A (en) | 1982-03-20 |
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