JPH07230162A - ホトプレートの製造方法 - Google Patents
ホトプレートの製造方法Info
- Publication number
- JPH07230162A JPH07230162A JP2043494A JP2043494A JPH07230162A JP H07230162 A JPH07230162 A JP H07230162A JP 2043494 A JP2043494 A JP 2043494A JP 2043494 A JP2043494 A JP 2043494A JP H07230162 A JPH07230162 A JP H07230162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- shielding film
- film
- pattern
- metal light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ホトプレートの製造方法に関し、発塵の少な
い製造方法の実用化を目的とする。 【構成】 石英基板１の上に金属遮光膜を形成した後、
この石英基板１の周辺領域でパターン形成を行なわない
領域に剥離が可能な突起２を設け、レジストをスピンコ
ートして突起２の存在により金属遮光膜が局所的に露出
しているレジスト膜３を作り、露出している金属遮光膜
をアースに接続した後、レジスト膜３に電子ビームを照
射してパターンの描画を行なうことを特徴としてホトマ
スクを形成する。
い製造方法の実用化を目的とする。 【構成】 石英基板１の上に金属遮光膜を形成した後、
この石英基板１の周辺領域でパターン形成を行なわない
領域に剥離が可能な突起２を設け、レジストをスピンコ
ートして突起２の存在により金属遮光膜が局所的に露出
しているレジスト膜３を作り、露出している金属遮光膜
をアースに接続した後、レジスト膜３に電子ビームを照
射してパターンの描画を行なうことを特徴としてホトマ
スクを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発塵の少ないホトプレー
トの製造方法に関する。大量の情報を迅速に処理する必
要から情報処理装置の進歩は著しく、この装置の主体を
構成する半導体装置は単位素子の小形化による大容量化
が行なわれてＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されており、更
にＵＬＳＩが実用化されつゝある。
トの製造方法に関する。大量の情報を迅速に処理する必
要から情報処理装置の進歩は著しく、この装置の主体を
構成する半導体装置は単位素子の小形化による大容量化
が行なわれてＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されており、更
にＵＬＳＩが実用化されつゝある。
【０００２】こゝで、これらの集積回路はシリコン（S
i) 単結晶からなる半導体基板（ウエハ) を用いて作ら
れており、半導体装置の大容量化と共に半導体基板の大
きさも増加し、直径が６インチのものまで作られてい
る。そして、集積回路で代表される半導体装置は厚さが
約500 μm と薄い半導体基板の上に薄膜形成技術, 写真
蝕刻技術( ホトリソグラフィまたは電子線リソグラフ
ィ),不純物原子注入技術などを用いて作られている。
i) 単結晶からなる半導体基板（ウエハ) を用いて作ら
れており、半導体装置の大容量化と共に半導体基板の大
きさも増加し、直径が６インチのものまで作られてい
る。そして、集積回路で代表される半導体装置は厚さが
約500 μm と薄い半導体基板の上に薄膜形成技術, 写真
蝕刻技術( ホトリソグラフィまたは電子線リソグラフ
ィ),不純物原子注入技術などを用いて作られている。
【０００３】さて、写真蝕刻技術は被処理基板にレジス
トを被覆し、これに電子線や紫外線を選択的に照射し、
ポジ型のレジストを使用する場合は感光領域が現像液に
易溶性となり、また、ネガ型のレジストを使用する場合
は難溶性となるのを利用してレジストパターンを作り、
このレジストパターンをマスクとして被処理基板をドラ
イエッチングまたはウエットエッチングして微細パター
ンを形成する技術であるが、光源として紫外線を使用す
る場合にはレジストの選択露光を行なうためにホトマス
クやレチクルの使用が必要である。本発明はこのホトマ
スクやレチクルの製造に用いられるホトプレートの製造
方法に関するものである。
トを被覆し、これに電子線や紫外線を選択的に照射し、
ポジ型のレジストを使用する場合は感光領域が現像液に
易溶性となり、また、ネガ型のレジストを使用する場合
は難溶性となるのを利用してレジストパターンを作り、
このレジストパターンをマスクとして被処理基板をドラ
イエッチングまたはウエットエッチングして微細パター
ンを形成する技術であるが、光源として紫外線を使用す
る場合にはレジストの選択露光を行なうためにホトマス
クやレチクルの使用が必要である。本発明はこのホトマ
スクやレチクルの製造に用いられるホトプレートの製造
方法に関するものである。
【０００４】
【従来の技術】大きさが５インチで厚さが0.09インチの
透明石英基板よりなるホトプレートについて従来の製法
を説明すると次のようになる。
透明石英基板よりなるホトプレートについて従来の製法
を説明すると次のようになる。
【０００５】すなわち、石英基板上にスパッタ法により
クローム(Cr)を600 〜900 Åの厚さに形成した後、酸素
(O2)を導入して420nm の波長で反射率が10％以下になる
ように酸化クローム(CrOx ) を付けて金属遮光膜を作
り、次に、スピンナを用い、この基板上に電子線用レジ
ストを被覆した後、この基板を電子ビーム露光装置にセ
ットし、電子ビームを走査してパターンの描画を行い、
次に現像してレジストパターンの形成が行なわれてい
る。
クローム(Cr)を600 〜900 Åの厚さに形成した後、酸素
(O2)を導入して420nm の波長で反射率が10％以下になる
ように酸化クローム(CrOx ) を付けて金属遮光膜を作
り、次に、スピンナを用い、この基板上に電子線用レジ
ストを被覆した後、この基板を電子ビーム露光装置にセ
ットし、電子ビームを走査してパターンの描画を行い、
次に現像してレジストパターンの形成が行なわれてい
る。
【０００６】こゝで、電子ビーム露光を行なう理由は優
れた解像力が得られるからである。すなわち、光源とし
て例えば波長が500 μm の光を使用する場合、0.5 μm
の解像力が理論的な限界となる。一方、電子ビームの波
長は加速電圧に反比例するが、光の波長の４桁以上も短
いために優れた解像力を得ることができる。
れた解像力が得られるからである。すなわち、光源とし
て例えば波長が500 μm の光を使用する場合、0.5 μm
の解像力が理論的な限界となる。一方、電子ビームの波
長は加速電圧に反比例するが、光の波長の４桁以上も短
いために優れた解像力を得ることができる。
【０００７】然し、電子は負の電荷を有しており、一
方、レジストは絶縁物であるためにレジスト内での電子
の停滞，基板面での反射などによりチャージアップし、
それによる干渉のために高い解像力を得ることができな
い。そこで、これを避けるために金属遮光膜をアースに
接続してチャージアップを無くしている。
方、レジストは絶縁物であるためにレジスト内での電子
の停滞，基板面での反射などによりチャージアップし、
それによる干渉のために高い解像力を得ることができな
い。そこで、これを避けるために金属遮光膜をアースに
接続してチャージアップを無くしている。
【０００８】そこで、当初はレジストを被覆した後、基
板端部のレジストを削りとり、金属遮光膜を露出させて
後、この金属遮光膜をアースしていた。然し、この削る
工程において塵埃が発生して表面品質を低下させると云
う問題があり、また、残留するレジストにより低抵抗の
アースができにくいと云う問題があった。
板端部のレジストを削りとり、金属遮光膜を露出させて
後、この金属遮光膜をアースしていた。然し、この削る
工程において塵埃が発生して表面品質を低下させると云
う問題があり、また、残留するレジストにより低抵抗の
アースができにくいと云う問題があった。
【０００９】そこで、 金属遮光膜の端部に弗素樹脂などを接触させて放置
しておき、レジストの濡れ性を悪くしてスピンコートし
ても付かないようにしておく、 金属遮光膜の端部にフルオロカーボン（フロン）な
どのガスを吹きつけて撥水性にしておき、スピンコート
しても付かないようにしておく、 金属遮光膜の端部に剥離可能な水溶性樹脂（例えば
ポリビニルアルコール）を付着しておき、レジストを塗
布した後に剥離する。 スピンナの基板押えを金属遮光膜の上まで来るよう
にし、レジスト塗布を妨げるようにして、基板押えの下
の金属遮光膜にレジストが付かないようにする。 などの対策が採られていた。
しておき、レジストの濡れ性を悪くしてスピンコートし
ても付かないようにしておく、 金属遮光膜の端部にフルオロカーボン（フロン）な
どのガスを吹きつけて撥水性にしておき、スピンコート
しても付かないようにしておく、 金属遮光膜の端部に剥離可能な水溶性樹脂（例えば
ポリビニルアルコール）を付着しておき、レジストを塗
布した後に剥離する。 スピンナの基板押えを金属遮光膜の上まで来るよう
にし、レジスト塗布を妨げるようにして、基板押えの下
の金属遮光膜にレジストが付かないようにする。 などの対策が採られていた。
【００１０】然し、とについてはレジストの付かな
い位置を精度よく決めることが困難であり、について
は樹脂を剥離する際に基板表面が汚染される危険性が大
きく、また、についても基板押えがレジストの塗布毎
に汚染されるので、これが原因で表面品質が低下すると
云う問題があった。
い位置を精度よく決めることが困難であり、について
は樹脂を剥離する際に基板表面が汚染される危険性が大
きく、また、についても基板押えがレジストの塗布毎
に汚染されるので、これが原因で表面品質が低下すると
云う問題があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ホトプレートはホトマ
スクやレチクルを製造する際の原板であり、高いパター
ン精度を必要とすることから、電子ビーム露光法により
レジストパターンの形成が行なわれている。然し、選択
露光に電子ビームを使用する場合はレジスト膜のチャー
ジアップを避けるためにレジスト膜の下にある金属遮光
膜をアースしておく必要があり、金属遮光膜の一部にレ
ジストの被覆が生じなくする工夫がなされている。
スクやレチクルを製造する際の原板であり、高いパター
ン精度を必要とすることから、電子ビーム露光法により
レジストパターンの形成が行なわれている。然し、選択
露光に電子ビームを使用する場合はレジスト膜のチャー
ジアップを避けるためにレジスト膜の下にある金属遮光
膜をアースしておく必要があり、金属遮光膜の一部にレ
ジストの被覆が生じなくする工夫がなされている。
【００１２】然し、従来の方法は位置精度が悪く、一
方、最近はチップサイズの拡大によりホトプレートの周
辺部に各種のパターンが挿入される場合が多くなり、そ
のためアースをとるべき位置も精度よく限定することが
必要となり、一方、基板表面の清浄化は不可欠である。
そこで、新しい方法の実用化が必要となった。
方、最近はチップサイズの拡大によりホトプレートの周
辺部に各種のパターンが挿入される場合が多くなり、そ
のためアースをとるべき位置も精度よく限定することが
必要となり、一方、基板表面の清浄化は不可欠である。
そこで、新しい方法の実用化が必要となった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題は石英基板上
に金属遮光膜を形成した後、この石英基板の周辺領域で
パターン形成を行なわない領域に剥離が可能な突起を設
け、レジストをスピンコートして突起の存在により金属
遮光膜が局所的に露出しているレジスト膜を作り、露出
している金属遮光膜をアースに接続した後、レジスト膜
に電子ビームを走査してパターンの描画を行なうことを
特徴としてホトプレートを形成することにより解決する
ことができる。
に金属遮光膜を形成した後、この石英基板の周辺領域で
パターン形成を行なわない領域に剥離が可能な突起を設
け、レジストをスピンコートして突起の存在により金属
遮光膜が局所的に露出しているレジスト膜を作り、露出
している金属遮光膜をアースに接続した後、レジスト膜
に電子ビームを走査してパターンの描画を行なうことを
特徴としてホトプレートを形成することにより解決する
ことができる。
【００１４】
【作用】本発明は基板をスピンナにセットしてレジスト
膜のスピンコートを行なう際に基板上に突起が存在する
と、基板の中心に対し突起の反対側にレジストの塗布さ
れない領域ができるのを利用するものである。
膜のスピンコートを行なう際に基板上に突起が存在する
と、基板の中心に対し突起の反対側にレジストの塗布さ
れない領域ができるのを利用するものである。
【００１５】図１はこれを説明する平面図であって、同
図（Ａ）に示すように例えば石英基板１の四隅みに突起
２を設け、石英基板１をスピンナの中心に位置合わせ
し、高速回転させながらレジストを滴下すると、同図
（Ｂ）に示すように遠心力によりレジストは均等な厚さ
で広まってレジスト膜３ができるものゝ、突起２が存在
する背後は死角となるためにレジストのない空白域４が
生ずる。
図（Ａ）に示すように例えば石英基板１の四隅みに突起
２を設け、石英基板１をスピンナの中心に位置合わせ
し、高速回転させながらレジストを滴下すると、同図
（Ｂ）に示すように遠心力によりレジストは均等な厚さ
で広まってレジスト膜３ができるものゝ、突起２が存在
する背後は死角となるためにレジストのない空白域４が
生ずる。
【００１６】本発明はこの現象を利用するもので、突起
２の位置を選択することにより空白域４の面積を変える
ことができ、この空白域４を接地して以後従来と同様に
して電子ビーム露光を行なうものである。
２の位置を選択することにより空白域４の面積を変える
ことができ、この空白域４を接地して以後従来と同様に
して電子ビーム露光を行なうものである。
【００１７】そして、電子ビーム露光が終わった後は突
起２を除去し、従来と同様に現像やエッチングを行なえ
ばよい。
起２を除去し、従来と同様に現像やエッチングを行なえ
ばよい。
【００１８】
【実施例】大きさが５インチ角で厚さが0.09インチの石
英基板の上にスパッタ法により約900 Åの厚さにCr膜を
形成し、O2を導入して420nm の波長で反射率が10％以下
になるように CrOx を形成した。
英基板の上にスパッタ法により約900 Åの厚さにCr膜を
形成し、O2を導入して420nm の波長で反射率が10％以下
になるように CrOx を形成した。
【００１９】次に、市販の直径が100 μm の合成樹脂球
（品名ラテックス球) ４個を図１（Ａ）に示すように四
隅みに配置し、レーザ照射により石英基板に融着させ、
円錐状の突起を形成した。
（品名ラテックス球) ４個を図１（Ａ）に示すように四
隅みに配置し、レーザ照射により石英基板に融着させ、
円錐状の突起を形成した。
【００２０】次に、この石英基板をスピンナにセット
し、基板の中心に粘度が70 cp のポジ型の電子線レジス
トを５cc滴下した後、2500 rpmの回転速度で60秒回転す
ることにより同図（Ｂ）に示すように四隅みに三角形状
の空白域ができ、プレベークした後、この内の二箇所を
接地して従来と同様に電子ビーム露光装置にセットして
パターンの描画を行なった。
し、基板の中心に粘度が70 cp のポジ型の電子線レジス
トを５cc滴下した後、2500 rpmの回転速度で60秒回転す
ることにより同図（Ｂ）に示すように四隅みに三角形状
の空白域ができ、プレベークした後、この内の二箇所を
接地して従来と同様に電子ビーム露光装置にセットして
パターンの描画を行なった。
【００２１】その結果、従来のような表面汚染がなく、
精度の高いパターン形成を行なうことができた。
精度の高いパターン形成を行なうことができた。
【００２２】
【発明の効果】本発明によればアース形成位置を位置精
度よく、また、表面汚染を生ずることなく形成すること
が可能となる。
度よく、また、表面汚染を生ずることなく形成すること
が可能となる。
【図１】 スピンコート前（Ａ）とスピンコート後
（Ｂ）の平面図である。
（Ｂ）の平面図である。
１ 石英基板 ２ 突起 ３ レジスト膜 ４ 空白域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１ Ｚ
Claims (1)
- 【請求項１】 石英基板（１）上に膜形成して得た金属
遮光膜の上にレジストを被覆し、該レジストに電子ビー
ムを走査してパターンを描画して後、現像してレジスト
パターンを作り、露出している金属遮光膜をエッチング
して得るホトプレートの製造方法において、 前記石英基板（１）上に金属遮光膜を形成した後、該石
英基板（１）の周辺領域でパターン形成を行なわない領
域に剥離が可能な突起（２）を設け、レジストをスピン
コートして前記突起（２）の存在により金属遮光膜が局
所的に露出しているレジスト膜（３）を作り、露出して
いる金属遮光膜をアースに接続した後、前記レジスト膜
（３）に電子ビームを走査してパターンの描画を行なう
ことを特徴とするホトプレートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043494A JPH07230162A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | ホトプレートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043494A JPH07230162A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | ホトプレートの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230162A true JPH07230162A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=12026944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2043494A Withdrawn JPH07230162A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | ホトプレートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07230162A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009115957A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Hoya Corp | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| WO2013186929A1 (ja) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | 株式会社ニコン | マスク保護装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
-
1994
- 1994-02-17 JP JP2043494A patent/JPH07230162A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009115957A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Hoya Corp | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| WO2013186929A1 (ja) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | 株式会社ニコン | マスク保護装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |