JPH07325385A - ホトレジスト膜の形成方法とホトプレート - Google Patents
ホトレジスト膜の形成方法とホトプレートInfo
- Publication number
- JPH07325385A JPH07325385A JP6118889A JP11888994A JPH07325385A JP H07325385 A JPH07325385 A JP H07325385A JP 6118889 A JP6118889 A JP 6118889A JP 11888994 A JP11888994 A JP 11888994A JP H07325385 A JPH07325385 A JP H07325385A
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- JP
- Japan
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- light
- film
- shielding film
- substrate
- photoresist
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ホトレジスト膜の形成方法とホトプレートに
関し、レジスト膜の微細片が剥離する発塵をなくす。 【構成】 本発明の第１の手段は、基板２表面に金属遮
光膜３を形成し、遮光膜３の所定領域にイオン注入によ
る疎水部７を形成し、遮光膜３の上には疎水部７ではじ
かれたホトレジスト膜８を形成させる。本発明の第２の
手段は、マスク又はレチクルを作成する原板といえるホ
トプレートにおいて、基板２表面に形成した遮光膜３の
所定領域にはイオン注入による疎水部７が設けられ、遮
光膜３の上に疎水部７ではじかれたホトレジスト膜８が
形成されてなる。
関し、レジスト膜の微細片が剥離する発塵をなくす。 【構成】 本発明の第１の手段は、基板２表面に金属遮
光膜３を形成し、遮光膜３の所定領域にイオン注入によ
る疎水部７を形成し、遮光膜３の上には疎水部７ではじ
かれたホトレジスト膜８を形成させる。本発明の第２の
手段は、マスク又はレチクルを作成する原板といえるホ
トプレートにおいて、基板２表面に形成した遮光膜３の
所定領域にはイオン注入による疎水部７が設けられ、遮
光膜３の上に疎水部７ではじかれたホトレジスト膜８が
形成されてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトレジスト膜の被着
方法と、半導体装置等の製造に使用するマスクおよびレ
チクルを作成する原板となるホトプレート、特に、ホト
レジスト膜の現像時および遮光膜のパターニング時の発
塵の低減を目的とする。
方法と、半導体装置等の製造に使用するマスクおよびレ
チクルを作成する原板となるホトプレート、特に、ホト
レジスト膜の現像時および遮光膜のパターニング時の発
塵の低減を目的とする。
【０００２】大量の情報を迅速に処理する必要から情報
処理装置の進歩は著しく、その装置の主体を構成する半
導体装置は単位素子の小形化による大容量化が行なわれ
ている。
処理装置の進歩は著しく、その装置の主体を構成する半
導体装置は単位素子の小形化による大容量化が行なわれ
ている。
【０００３】これらの集積回路は半導体基板（ウエー
ハ）を用いて作られており、半導体装置の大容量化と共
に半導体基板の大きさも増加し、直径６インチのものま
で作られている。そして、集積回路で代表される半導体
装置は、厚さが約 500μm という薄い半導体基板の上
に、薄膜形成技術, 写真蝕刻技術（ホトリソグラフィ又
は電子線リソグラフィ),不純分原子注入技術等を用いて
作られている。
ハ）を用いて作られており、半導体装置の大容量化と共
に半導体基板の大きさも増加し、直径６インチのものま
で作られている。そして、集積回路で代表される半導体
装置は、厚さが約 500μm という薄い半導体基板の上
に、薄膜形成技術, 写真蝕刻技術（ホトリソグラフィ又
は電子線リソグラフィ),不純分原子注入技術等を用いて
作られている。
【０００４】写真蝕刻技術は被処理基板にレジスト膜を
形成し、これに電子線や紫外線を選択的に照射 (露光処
理) し、ポジ型レジストを使用した場合は感光領域が現
像液に易溶性となり、ネガ型レジストを使用した場合は
感光領域が現像液に難溶性となるのを利用してレジスト
パターンを作り、このレジストパターンをマスクとして
被処理基板をエッチングして微細パターンを形成する技
術である。
形成し、これに電子線や紫外線を選択的に照射 (露光処
理) し、ポジ型レジストを使用した場合は感光領域が現
像液に易溶性となり、ネガ型レジストを使用した場合は
感光領域が現像液に難溶性となるのを利用してレジスト
パターンを作り、このレジストパターンをマスクとして
被処理基板をエッチングして微細パターンを形成する技
術である。
【０００５】かかる写真蝕刻技術において、露光処理の
光源として紫外線を使用する場合にはホトマスクやレチ
クルが必要であり、高精度のホトマスクやレチクルを作
成するため、ホトプレートの表面品質も一層の高品質が
要求されるようになった。
光源として紫外線を使用する場合にはホトマスクやレチ
クルが必要であり、高精度のホトマスクやレチクルを作
成するため、ホトプレートの表面品質も一層の高品質が
要求されるようになった。
【０００６】
【従来の技術】図２は従来のホトプレートを示す斜視図
であり、６インチ角のホトプレート１は厚さ0.25インチ
の石英等にてなる透光基板２の表面全体に、例えば金属
クローム膜を0.１μｍの厚さに形成したのち酸素を導入
して 420nmの波長で反射率が10％以下になるように酸化
クローム(CrOX ) を生成させた遮光膜３を形成させたの
ち、スピンナを用いて遮光膜３の上にホトレジスト膜４
を形成してなる。
であり、６インチ角のホトプレート１は厚さ0.25インチ
の石英等にてなる透光基板２の表面全体に、例えば金属
クローム膜を0.１μｍの厚さに形成したのち酸素を導入
して 420nmの波長で反射率が10％以下になるように酸化
クローム(CrOX ) を生成させた遮光膜３を形成させたの
ち、スピンナを用いて遮光膜３の上にホトレジスト膜４
を形成してなる。
【０００７】レジスト膜４を均一厚さにするスピンナ
は、基板２が嵌合する凹部を設けたプレートホルダが回
転し、基板２の中心部に滴下したレジストを、該回転の
遠心力によって拡げる方式である。
は、基板２が嵌合する凹部を設けたプレートホルダが回
転し、基板２の中心部に滴下したレジストを、該回転の
遠心力によって拡げる方式である。
【０００８】かかるホトプレート１は、例えば電子ビー
ム露光装置にセットし、電子ビームを走査してパターン
描画を行ない、次に現像処理してレジストパターンを形
成したのち、該レジストパターンを用いて遮光膜３をエ
ッチングし、マスクまたはレチクルが完成する。
ム露光装置にセットし、電子ビームを走査してパターン
描画を行ない、次に現像処理してレジストパターンを形
成したのち、該レジストパターンを用いて遮光膜３をエ
ッチングし、マスクまたはレチクルが完成する。
【０００９】ここで、電子ビーム露光を行なう理由は優
れた解像力が得られるからであり、光源として例えば波
長が 500μm の光を使用したとき、0.５μm の解像力が
理論的な限界となる。一方、電子ビームの波長は加速電
圧に反比例するが、光の波長の４桁以上も短いため優れ
た解像力が得られる。
れた解像力が得られるからであり、光源として例えば波
長が 500μm の光を使用したとき、0.５μm の解像力が
理論的な限界となる。一方、電子ビームの波長は加速電
圧に反比例するが、光の波長の４桁以上も短いため優れ
た解像力が得られる。
【００１０】しかし、電子は負の電荷を有しており、レ
ジスト膜４は絶縁物であるためレジスト膜４内での電子
の停滞，基板面での反射等によりチャージアップし、そ
れによる干渉のために高い解像力を得ることができな
い。
ジスト膜４は絶縁物であるためレジスト膜４内での電子
の停滞，基板面での反射等によりチャージアップし、そ
れによる干渉のために高い解像力を得ることができな
い。
【００１１】そこで、遮光膜３にアースピンを接続しレ
ジスト膜４によるチャージアップをなくすため、遮光膜
３の一部を下記〜等の方法で露呈させていた。 基板２端部のレジスト膜４を削り取る。
ジスト膜４によるチャージアップをなくすため、遮光膜
３の一部を下記〜等の方法で露呈させていた。 基板２端部のレジスト膜４を削り取る。
【００１２】遮光膜３の端部に弗素樹脂等を接触させ
ておき、レジストの濡れ性を悪くしてスピンコートして
も付かないようにしておく。 遮光膜３の端部にフルオロカーボン（フロン）等のガ
スを吹き付けて撥水性にしておき、スピンコートしても
付かないようにしておく。
ておき、レジストの濡れ性を悪くしてスピンコートして
も付かないようにしておく。 遮光膜３の端部にフルオロカーボン（フロン）等のガ
スを吹き付けて撥水性にしておき、スピンコートしても
付かないようにしておく。
【００１３】遮光膜３の端部に剥離可能な水溶性樹脂
（例えばポリビニルアルコール）を付着しておき、レジ
スト塗布後に剥離する。 スピンナの基板押さえを遮光膜３の上まで来るように
し、レジスト塗布を妨げるようにして、基板押さえの下
の遮光膜３にレジストが付かないようにする。
（例えばポリビニルアルコール）を付着しておき、レジ
スト塗布後に剥離する。 スピンナの基板押さえを遮光膜３の上まで来るように
し、レジスト塗布を妨げるようにして、基板押さえの下
の遮光膜３にレジストが付かないようにする。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ホトプレートはホトマ
スクやレチクルを作成する際の原板であり、高精度のレ
ジストパターンを形成する必要から、電子ビーム露光法
によりレジストパターンが形成されてる。
スクやレチクルを作成する際の原板であり、高精度のレ
ジストパターンを形成する必要から、電子ビーム露光法
によりレジストパターンが形成されてる。
【００１５】そこで、ホトプレートは、電子ビーム露光
時のチャージアップをなくすため遮光膜３の一部を露呈
させると共に、レジスト膜４の現像時および遮光膜３の
エッチング時の発塵をなくす必要がある。
時のチャージアップをなくすため遮光膜３の一部を露呈
させると共に、レジスト膜４の現像時および遮光膜３の
エッチング時の発塵をなくす必要がある。
【００１６】レジスト膜４の微細片剥離である前記発塵
は、レジスト膜４形成用ホルダーの凹部とホトプレート
エッジとが擦られてレジスト膜４周辺部が剥離し易くな
ったり、チャージアップ防止用アースピンで擦られ、レ
ジスト膜４の微細片が剥離することである。
は、レジスト膜４形成用ホルダーの凹部とホトプレート
エッジとが擦られてレジスト膜４周辺部が剥離し易くな
ったり、チャージアップ防止用アースピンで擦られ、レ
ジスト膜４の微細片が剥離することである。
【００１７】そして、従来のホトプレートは電子ビーム
露光時のチャージアップをなくす種々の対策〜等が
採られていたが、剥離し易いレジスト膜４周辺部の対策
が採られていなかった。
露光時のチャージアップをなくす種々の対策〜等が
採られていたが、剥離し易いレジスト膜４周辺部の対策
が採られていなかった。
【００１８】
【課題を解決するための手段】ホトプレートの表面品質
を改善し発塵をなくすようにした本発明の第１の手段
は、基板表面に金属遮光膜を形成し、該遮光膜の所定領
域にはイオン注入による疎水部を形成し、該疎水部では
じかれたホトレジスト膜を該遮光膜の上に形成させるホ
トレジスト膜の被着方法である。
を改善し発塵をなくすようにした本発明の第１の手段
は、基板表面に金属遮光膜を形成し、該遮光膜の所定領
域にはイオン注入による疎水部を形成し、該疎水部では
じかれたホトレジスト膜を該遮光膜の上に形成させるホ
トレジスト膜の被着方法である。
【００１９】ホトプレートの表面品質を改善し発塵をな
くすようにした本発明の第２の手段は、基板表面の金属
遮光膜をホトレジスト膜で被覆してなり、該レジスト膜
を選択的に露光・現像してレジストパターンを形成した
のち、該遮光膜の露呈部を溶去してマスク又はレチクル
を作成するホトプレートにおいて、該基板表面に形成し
た該遮光膜の所定領域にはイオン注入による疎水部が設
けられ、該遮光膜の上に該疎水部ではじかれたホトレジ
スト膜が形成されてなることである。
くすようにした本発明の第２の手段は、基板表面の金属
遮光膜をホトレジスト膜で被覆してなり、該レジスト膜
を選択的に露光・現像してレジストパターンを形成した
のち、該遮光膜の露呈部を溶去してマスク又はレチクル
を作成するホトプレートにおいて、該基板表面に形成し
た該遮光膜の所定領域にはイオン注入による疎水部が設
けられ、該遮光膜の上に該疎水部ではじかれたホトレジ
スト膜が形成されてなることである。
【００２０】さらに、前記本発明の第２の手段におい
て、金属遮光膜が前記基板の全表面に形成されたもので
あり、前記所定領域を、該遮光膜の周辺領域と電子ビー
ム露光におけるチャージアップ防止用導電ピンの接触領
域とすることである。
て、金属遮光膜が前記基板の全表面に形成されたもので
あり、前記所定領域を、該遮光膜の周辺領域と電子ビー
ム露光におけるチャージアップ防止用導電ピンの接触領
域とすることである。
【００２１】
【作用】上記手段は、通常のホトレジスト膜が疎水性下
地に被着し難いことを利用し、金属遮光膜の所定領域に
その遮光膜を疎水性にするイオンを注入する、即ちホト
レジスト膜の形成領域を前記イオン注入によって限定
し、剥離し易い領域にホトレジスト膜を形成しないよう
にしたものである。
地に被着し難いことを利用し、金属遮光膜の所定領域に
その遮光膜を疎水性にするイオンを注入する、即ちホト
レジスト膜の形成領域を前記イオン注入によって限定
し、剥離し易い領域にホトレジスト膜を形成しないよう
にしたものである。
【００２２】従って、前記手段を適用したホトプレート
は表面品質が向上し、マスクおよびレチクルの製造工程
における発塵（レジスト膜の微細剥離）をなくすことが
できる。
は表面品質が向上し、マスクおよびレチクルの製造工程
における発塵（レジスト膜の微細剥離）をなくすことが
できる。
【００２３】
【実施例】図１は本発明の実施例の説明図である。図１
（ａ）において、大きさが６インチ角で厚さが0.１イン
チの石英基板２の上に、金属遮光膜３を形成させる。遮
光膜３は、スパッタ法により約0.１μｍの厚さのＣｒ膜
を被着したのち、０2 を導入して420nm の波長で反射率
が10％以下になるようにＣｒ０x を形成したものであ
る。
（ａ）において、大きさが６インチ角で厚さが0.１イン
チの石英基板２の上に、金属遮光膜３を形成させる。遮
光膜３は、スパッタ法により約0.１μｍの厚さのＣｒ膜
を被着したのち、０2 を導入して420nm の波長で反射率
が10％以下になるようにＣｒ０x を形成したものであ
る。
【００２４】次いで、図１（ｂ）に示す如く遮光膜３の
所要領域に疎水部７、即ち遮光膜３の全エッジ領域と電
子ビーム露光におけるチャージアップ防止用アースピン
の当接領域に、例えば弗素イオン（弗素濃度＝１×１０
20ｃｍ-20)を選択的に注入し疎水部７を形成する。
所要領域に疎水部７、即ち遮光膜３の全エッジ領域と電
子ビーム露光におけるチャージアップ防止用アースピン
の当接領域に、例えば弗素イオン（弗素濃度＝１×１０
20ｃｍ-20)を選択的に注入し疎水部７を形成する。
【００２５】疎水部７の形成に際し、遮光膜３の選択的
疎水性は遮光膜３の表面のみに付与すればよい。従っ
て、弗素イオンの注入深さは考慮しなくてよい。次い
で、図１（ｃ）に示す如く疎水部７ではじかれたレジス
ト膜８を形成し、ホトプレート９が完成する。
疎水性は遮光膜３の表面のみに付与すればよい。従っ
て、弗素イオンの注入深さは考慮しなくてよい。次い
で、図１（ｃ）に示す如く疎水部７ではじかれたレジス
ト膜８を形成し、ホトプレート９が完成する。
【００２６】疎水部７ではじかれたレジスト膜８は通常
のスピンコート法によって、例えば２２ｃｐのポジ型電
子線レジストを基板２の中心部に５ｃｃ滴下し、基板２
を２０００ｒｐｍで６０秒程度回転させる。すると、レ
ジスト膜８は疎水部７に被着されることなく、即ち疎水
部７に被着したレジストは基板２外に飛ばされるように
なる。
のスピンコート法によって、例えば２２ｃｐのポジ型電
子線レジストを基板２の中心部に５ｃｃ滴下し、基板２
を２０００ｒｐｍで６０秒程度回転させる。すると、レ
ジスト膜８は疎水部７に被着されることなく、即ち疎水
部７に被着したレジストは基板２外に飛ばされるように
なる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明のホトレジス
ト膜の形成方法とホトプレートは、該レジスト膜および
その下に形成した遮光膜のパターニング工程における発
塵をなくし、高精度かつ高品位のマスクおよびレチクル
を製造可能にした。
ト膜の形成方法とホトプレートは、該レジスト膜および
その下に形成した遮光膜のパターニング工程における発
塵をなくし、高精度かつ高品位のマスクおよびレチクル
を製造可能にした。
【図１】 本発明の実施例の説明図
【図２】 従来のホトプレートを示す斜視図
２ 基板 ３ 金属遮光膜 ７ イオン注入による疎水部 ８ ホトレジスト膜 ９ ホトプレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７７
Claims (3)
- 【請求項１】 基板(2) 表面に金属遮光膜(3) を形成
し、該遮光膜(3) の所定領域にはイオン注入による疎水
部(7) を形成し、該遮光膜(3) の上には該疎水部(7) で
はじかれたホトレジスト膜(8) を形成させること、を特
徴とするホトレジスト膜の形成方法。 - 【請求項２】 基板(2) 表面の金属遮光膜(3) をホトレ
ジスト膜(8) で被覆してなり、該レジスト膜(8) を選択
的に露光・現像してレジストパターンを形成したのち、
該遮光膜(3) の露呈部を溶去してマスク又はレチクルを
作成するホトプレートにおいて、 該基板(2) 表面に形成した該遮光膜(3) の所定領域には
イオン注入による疎水部(7) が設けられ、該遮光膜(3)
の上に該疎水部(7) ではじかれたホトレジスト膜(8) が
形成されてなること、を特徴とするホトプレート。 - 【請求項３】 前記金属遮光膜(3) が前記基板(2) の全
表面に形成されたものであり、前記所定領域を該遮光膜
(3) の周辺領域と電子ビーム露光におけるチャージアッ
プ防止用導電ピンの接触領域としたこと、を特徴とする
請求項２記載のホトプレート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6118889A JPH07325385A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | ホトレジスト膜の形成方法とホトプレート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6118889A JPH07325385A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | ホトレジスト膜の形成方法とホトプレート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07325385A true JPH07325385A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14747660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6118889A Withdrawn JPH07325385A (ja) | 1994-05-31 | 1994-05-31 | ホトレジスト膜の形成方法とホトプレート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07325385A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012004235A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Fujitsu Ltd | 樹脂膜形成方法およびパターン形成方法 |
| CN111599869A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-08-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管和薄膜晶体管制备方法 |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP6118889A patent/JPH07325385A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012004235A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Fujitsu Ltd | 樹脂膜形成方法およびパターン形成方法 |
| CN111599869A (zh) * | 2020-05-27 | 2020-08-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管和薄膜晶体管制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010731 |