JPS646448B2 - - Google Patents
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- JPS646448B2 JPS646448B2 JP14316185A JP14316185A JPS646448B2 JP S646448 B2 JPS646448 B2 JP S646448B2 JP 14316185 A JP14316185 A JP 14316185A JP 14316185 A JP14316185 A JP 14316185A JP S646448 B2 JPS646448 B2 JP S646448B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はフオトリソグラフイで用いるフオト
マスクの製造方法に関する。
マスクの製造方法に関する。
（従来の技術）
近年、半導体装置とか、エンコーダとか、その
他の微細パターン形状を有する装置をフオトリソ
グラフイで超微細加工して作製するに当り、サブ
ミクロンオーダの微細パターンのフオトマスクが
要求されてきている。
他の微細パターン形状を有する装置をフオトリソ
グラフイで超微細加工して作製するに当り、サブ
ミクロンオーダの微細パターンのフオトマスクが
要求されてきている。
フオトリソグラフイで用いるこのようなフオト
マスクは、通常は、ガラス基板上にクロム（Cr）
又はその他の光吸収剤から成る遮光膜パターンを
形成した構造となつている。クロムは200〜
450nmの波長領域で極めて吸光係数が大きく、50
〜100nm程度の膜厚で完全にこの波長領域の光を
カツトすることが出来るので、最も一般的な光吸
収剤として用いられている。
マスクは、通常は、ガラス基板上にクロム（Cr）
又はその他の光吸収剤から成る遮光膜パターンを
形成した構造となつている。クロムは200〜
450nmの波長領域で極めて吸光係数が大きく、50
〜100nm程度の膜厚で完全にこの波長領域の光を
カツトすることが出来るので、最も一般的な光吸
収剤として用いられている。
例えば、大規模集積回路（LSI）を工業的に製
造する場合、同一のフオトマスクを多数回使用す
るが、マスクは使用の度毎に傷がつくので、一般
にはマスターマスクを用いてワーキングマスクを
多数作製しておき、これをLSIの製造に用いてい
る（文献：電子通信学会「LSI技術」（昭54−７
−25）電気通信学会p89〜95）。
造する場合、同一のフオトマスクを多数回使用す
るが、マスクは使用の度毎に傷がつくので、一般
にはマスターマスクを用いてワーキングマスクを
多数作製しておき、これをLSIの製造に用いてい
る（文献：電子通信学会「LSI技術」（昭54−７
−25）電気通信学会p89〜95）。
第２図Ａ〜Ｆはこの従来のワーキングマスクの
製造方法を説明する製造工程図である。
製造方法を説明する製造工程図である。
先ず、第２図Ａに示すように、ガラス基板１１
上に一例としてクロム皮膜或いはクロム酸化膜皮
膜の遮光膜１３を真空蒸着法、スパツタリング
法、反応性スパツタリング法などの適当な方法で
形成する。
上に一例としてクロム皮膜或いはクロム酸化膜皮
膜の遮光膜１３を真空蒸着法、スパツタリング
法、反応性スパツタリング法などの適当な方法で
形成する。
次に、この遮光膜１３上にホトレジスト１５を
塗布し（第２図Ｂ）、マスターマスク１７を用い
てホトレジスタ１５にマスクパターンを転写し
（第２図Ｃ）、続いて、現像処理を行つてレジスト
パターン１５ａを形成する（第２図Ｄ）。
塗布し（第２図Ｂ）、マスターマスク１７を用い
てホトレジスタ１５にマスクパターンを転写し
（第２図Ｃ）、続いて、現像処理を行つてレジスト
パターン１５ａを形成する（第２図Ｄ）。
次に、このレジストパターン１５ａを用いて遮
光膜１３のエツチングを行つて遮光膜パターン１
３ａを形成し（第２図Ｅ）、続いて、レジストパ
ターン１５ａを除去してワーキングマスク１９を
形成していた（第２図Ｆ）。
光膜１３のエツチングを行つて遮光膜パターン１
３ａを形成し（第２図Ｅ）、続いて、レジストパ
ターン１５ａを除去してワーキングマスク１９を
形成していた（第２図Ｆ）。
（発明が解決しようとする問題点）
この従来の製造方では、エツチングをウエツト
エツチング法或いはドライエツチング法のいづれ
かの方法で行つていた。
エツチング法或いはドライエツチング法のいづれ
かの方法で行つていた。
しかしながら、ウエツトエツチング法では、等
方性エツチングのため、クロム等がサイドエツチ
ングされてしまう。特に、レジストパターン１５
ａの密着性が悪いと、エツチヤントが遮光膜１３
とレジストパターン１５ａとの界面にしみ込み、
これがため、サイドエツチ量が著しく大きくなつ
てしまい、奇麗で、シヤープな微細な遮光層パタ
ーンを形成出来ないという問題があつた。
方性エツチングのため、クロム等がサイドエツチ
ングされてしまう。特に、レジストパターン１５
ａの密着性が悪いと、エツチヤントが遮光膜１３
とレジストパターン１５ａとの界面にしみ込み、
これがため、サイドエツチ量が著しく大きくなつ
てしまい、奇麗で、シヤープな微細な遮光層パタ
ーンを形成出来ないという問題があつた。
さらに、遮光膜１３の表面状態の変化に起因し
てエツチング開始時間の遅れが異るため、エツチ
ング時間を決定することが著しく困難であり、遮
光性膜パターン１３ａの製造の再現性が悪いとい
う問題があつた。
てエツチング開始時間の遅れが異るため、エツチ
ング時間を決定することが著しく困難であり、遮
光性膜パターン１３ａの製造の再現性が悪いとい
う問題があつた。
また、ドライエツチング法では、通常は、平行
平板型プラズマエツチング装置で四塩化炭素等の
塩化系のガスを用いて反応性イオンエツチング
（RIE）を行つていた。
平板型プラズマエツチング装置で四塩化炭素等の
塩化系のガスを用いて反応性イオンエツチング
（RIE）を行つていた。
しかし、このRIE法でのクロム等のエツチング
は再現性が悪く、また、エツチングの終了時点の
検出も容易ではなく、これがため、この場合に
も、奇麗で、シヤープな微細な遮光層パターンを
形成出来ないという問題があつた。
は再現性が悪く、また、エツチングの終了時点の
検出も容易ではなく、これがため、この場合に
も、奇麗で、シヤープな微細な遮光層パターンを
形成出来ないという問題があつた。
この発明の目的は、上述した従来の問題点を除
去した、簡単かつ再現性の優れたフオトマスクの
製造方法を提供することにある。
去した、簡単かつ再現性の優れたフオトマスクの
製造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明では、要
約すると、次のような手段を取る（第１図Ａ〜
Ｅ）。
約すると、次のような手段を取る（第１図Ａ〜
Ｅ）。
先ず、透明基板２１として例えばガラス、石英
又はその他の好適材料から成る基板を用い、この
透明基板２１上にレジストとしてノボラツク樹脂
のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル（以
下、LMRと称することもある）の皮膜（レジス
ト皮膜）２３を形成する。
又はその他の好適材料から成る基板を用い、この
透明基板２１上にレジストとしてノボラツク樹脂
のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル（以
下、LMRと称することもある）の皮膜（レジス
ト皮膜）２３を形成する。
次に、このレジスト皮膜２３にマスターマスク
２５のマスタパターン２５ａを露光により転写す
る。この場合、露光光として185〜500nmから選
択された波長の光を用いて選択照射を行つて、皮
膜２３に、マスタパターン２５ａで遮光された部
分に対応する未照射部２３ａと、遮光されない部
分に対応する照射部２３ｂとを選択的に形成す
る。この場合、185nmより波長の短い露光用光源
は現在のところ入手出来ないこと及び500nmより
も長い波長ではLMRが感光しないので、露光波
長領域を上述のような範囲に限定した。
２５のマスタパターン２５ａを露光により転写す
る。この場合、露光光として185〜500nmから選
択された波長の光を用いて選択照射を行つて、皮
膜２３に、マスタパターン２５ａで遮光された部
分に対応する未照射部２３ａと、遮光されない部
分に対応する照射部２３ｂとを選択的に形成す
る。この場合、185nmより波長の短い露光用光源
は現在のところ入手出来ないこと及び500nmより
も長い波長ではLMRが感光しないので、露光波
長領域を上述のような範囲に限定した。
次に、露光済みの皮膜２３を有機溶剤で現像処
理してレジスト皮膜２３の未照射部２３ａを除去
することによつて残存した照射部２３ｂからなる
レジスト皮膜パターン２７を形成する。LMRの
現像液として遠紫外露光の場合には酢酸イソアミ
ル系の有機溶剤が知られているが、紫外線露光の
場合には酢酸イソアミルやシクロヘキサノンでは
LMRが全面溶解してしまうためパターン形成が
出来ない。従つて、この発明では、現像液とし
て、モノクロロベンゼンを含む溶液、例えば、モ
ノクロロベンゼン或いはこれとのシクロヘキサ
ン、イソプロピルアルコール又はエタノール等の
混合液を使用して好適である。
理してレジスト皮膜２３の未照射部２３ａを除去
することによつて残存した照射部２３ｂからなる
レジスト皮膜パターン２７を形成する。LMRの
現像液として遠紫外露光の場合には酢酸イソアミ
ル系の有機溶剤が知られているが、紫外線露光の
場合には酢酸イソアミルやシクロヘキサノンでは
LMRが全面溶解してしまうためパターン形成が
出来ない。従つて、この発明では、現像液とし
て、モノクロロベンゼンを含む溶液、例えば、モ
ノクロロベンゼン或いはこれとのシクロヘキサ
ン、イソプロピルアルコール又はエタノール等の
混合液を使用して好適である。
次に、レジスト皮膜パターン２７が形成されて
いる透明基板２１上に遮光膜２９を被着し、リフ
トオフ法で透明基板２１上に遮光膜パターン３１
を形成する。この場合、遮光膜２９として従来か
ら使用されているクロム膜或いは酸化クロム膜は
もとより、酸化鉄、クロム−酸化クロム、酸化ク
ロム−クロム−酸化クロム又はその他好適な膜を
使用することが出来る。これら遮光膜の被着を蒸
着、スパツタリング、反応性スパツタリング等の
方法で行うのが好適である。また、リフトオフの
際に使用する溶液はクロム系膜の場合にはアセト
ンを用いるのが好適であるが、こ溶液は使用する
膜材料に適した溶液を用いること明らかである。
いる透明基板２１上に遮光膜２９を被着し、リフ
トオフ法で透明基板２１上に遮光膜パターン３１
を形成する。この場合、遮光膜２９として従来か
ら使用されているクロム膜或いは酸化クロム膜は
もとより、酸化鉄、クロム−酸化クロム、酸化ク
ロム−クロム−酸化クロム又はその他好適な膜を
使用することが出来る。これら遮光膜の被着を蒸
着、スパツタリング、反応性スパツタリング等の
方法で行うのが好適である。また、リフトオフの
際に使用する溶液はクロム系膜の場合にはアセト
ンを用いるのが好適であるが、こ溶液は使用する
膜材料に適した溶液を用いること明らかである。
（作用）
このように、この発明では、先ず最初にLMR
を使用したリフトオフ法により遮光膜パターンを
形成する方法である。
を使用したリフトオフ法により遮光膜パターンを
形成する方法である。
LMRは185〜500nmの波長領域の光に高感度を
持つているジアジド基を含む感光材で形成してい
るので、高解像度のレジストであり、また、この
発明の方法はエツチング工程を必要としないリフ
トオフ法で遮光膜パターンを得るのであるから、
フオトマスクの製造が簡単かつ容易となり、しか
も、奇麗でシヤープなサブミクロンの遮光膜パタ
ーンを有するフオトマスクを再現性良く形成する
ことが出来る。
持つているジアジド基を含む感光材で形成してい
るので、高解像度のレジストであり、また、この
発明の方法はエツチング工程を必要としないリフ
トオフ法で遮光膜パターンを得るのであるから、
フオトマスクの製造が簡単かつ容易となり、しか
も、奇麗でシヤープなサブミクロンの遮光膜パタ
ーンを有するフオトマスクを再現性良く形成する
ことが出来る。
さらに、LMRは500nm以下の波長の光の吸収
が大きく、しかも、照射部の特に表面側が不溶化
するので、レジスト皮膜パターンのレジスト断面
がオーバーハングとなる。そのため、遮光膜のリ
フトオフ加工が容易に行うことが出来る。
が大きく、しかも、照射部の特に表面側が不溶化
するので、レジスト皮膜パターンのレジスト断面
がオーバーハングとなる。そのため、遮光膜のリ
フトオフ加工が容易に行うことが出来る。
（実施例）
以下、図面を参照して、この発明の実施例につ
き説明する。尚、以下の実施例をこの発明の好ま
しい特定の範囲内の材料、数値的条件で詳細に説
明するが、これらの条件は単なる例示にすぎず、
この発明がこれらに限定されるものではないこと
を理解されたい。
き説明する。尚、以下の実施例をこの発明の好ま
しい特定の範囲内の材料、数値的条件で詳細に説
明するが、これらの条件は単なる例示にすぎず、
この発明がこれらに限定されるものではないこと
を理解されたい。
尚、以下の実施例では、透明基板として石英板
を使用し、また、遮光膜としてクロム膜を用いる
場合につき説明する。
を使用し、また、遮光膜としてクロム膜を用いる
場合につき説明する。
実施例
この実施例では透明基板２１としての4″角の厚
さ３mmの両面鏡面仕上げした石英板上にスピンコ
ーテイング法によりLMRのレジスト皮膜２３を
厚み約0.3μmで被着し、第１図Ａに示すような構
造体を得た。
さ３mmの両面鏡面仕上げした石英板上にスピンコ
ーテイング法によりLMRのレジスト皮膜２３を
厚み約0.3μmで被着し、第１図Ａに示すような構
造体を得た。
次に、この構造体を約70℃の温度で約30分間プ
リベーキングを行つた。
リベーキングを行つた。
続いて、マスクパターン２５ａを具えるマスタ
ーマスク２５を用い、コンタクト法で、このレジ
スト皮膜２３を選択露光を行つた（第１図Ｂ）。
露光用光源として200〜300nmの波長の光を放射
するXe−Hgランプを使用した。この場合のドー
ズ量を60mJ／cm2とした。この露光時に、マスク
パターン２５ａにより光が遮光されてレジスト皮
膜２３に未照射部２３ａが形成されると共に、遮
光されずに光の照射を受けた照射部２３ｂが形成
され、よつて、マスクパターン２５ａがレジスト
皮膜２３が転写された。
ーマスク２５を用い、コンタクト法で、このレジ
スト皮膜２３を選択露光を行つた（第１図Ｂ）。
露光用光源として200〜300nmの波長の光を放射
するXe−Hgランプを使用した。この場合のドー
ズ量を60mJ／cm2とした。この露光時に、マスク
パターン２５ａにより光が遮光されてレジスト皮
膜２３に未照射部２３ａが形成されると共に、遮
光されずに光の照射を受けた照射部２３ｂが形成
され、よつて、マスクパターン２５ａがレジスト
皮膜２３が転写された。
然る後、この露光済みの構造体を約100℃の温
度で約30分間アフタベーキングを行つた後、現像
処理を行つて未露光部２３ａを除去し、よつて残
存する照射部２３ｂから成る皮膜パターン２７を
形成し第１図Ｃに示すような構造体を得た。この
皮膜パターンの断面形状はオーバーハング形状と
なつているが、これは照射部２３ｂの表面側は不
溶化するが基板側は完全に不溶化されないために
照射部２３ｂの側部が部分的に除去されるからで
ある。この場合、現像液として、有機溶剤を使用
するが、この実施例ではこの現像液を体積比でモ
ノクロロベンゼン１０に対しシクロヘキサン1.5
の混合液で約15秒間現像を行つた。続いて、シク
ロヘキサンで約１０秒間リンスを行つた。尚、現
像液及びリンス液の温度を23℃とした。
度で約30分間アフタベーキングを行つた後、現像
処理を行つて未露光部２３ａを除去し、よつて残
存する照射部２３ｂから成る皮膜パターン２７を
形成し第１図Ｃに示すような構造体を得た。この
皮膜パターンの断面形状はオーバーハング形状と
なつているが、これは照射部２３ｂの表面側は不
溶化するが基板側は完全に不溶化されないために
照射部２３ｂの側部が部分的に除去されるからで
ある。この場合、現像液として、有機溶剤を使用
するが、この実施例ではこの現像液を体積比でモ
ノクロロベンゼン１０に対しシクロヘキサン1.5
の混合液で約15秒間現像を行つた。続いて、シク
ロヘキサンで約１０秒間リンスを行つた。尚、現
像液及びリンス液の温度を23℃とした。
次に、この構造体の基板２１の、皮膜パターン
２７が形成されている面に真空蒸着法でクロムを
60nmの厚みに蒸着して遮光膜２９を形成し第１
図Ｄに示すような構造体を得た。この遮光膜２９
は基板面上に蒸着した部分２９ａと、レジスト皮
膜パターン２７上に蒸着した部分２９ｂとから成
り、それぞれ互いに分離されて個別に形成されて
いる。
２７が形成されている面に真空蒸着法でクロムを
60nmの厚みに蒸着して遮光膜２９を形成し第１
図Ｄに示すような構造体を得た。この遮光膜２９
は基板面上に蒸着した部分２９ａと、レジスト皮
膜パターン２７上に蒸着した部分２９ｂとから成
り、それぞれ互いに分離されて個別に形成されて
いる。
次に、レジスト皮膜パターン２７の除去を行う
ため、この構造体をアセトン中に浸漬させ、リフ
トオフ法によつて基板２１上に残存する遮光膜の
部分２９ａから成るクロムの遮光膜パターン３１
を形成し、第１図Ｅに示すようなフオトマスク３
３を形成した。
ため、この構造体をアセトン中に浸漬させ、リフ
トオフ法によつて基板２１上に残存する遮光膜の
部分２９ａから成るクロムの遮光膜パターン３１
を形成し、第１図Ｅに示すようなフオトマスク３
３を形成した。
形成されたフオトマスク３３を走査型電子顕微
鏡（SEM）で観測したところ、0.5μmのラインア
ンドスペース（Ｌ／Ｓ）のクロムの遮光膜パター
ン３１が形成されていることが確認された。この
パターン３１の寸法はマスターマスクの寸法と同
一であつた。
鏡（SEM）で観測したところ、0.5μmのラインア
ンドスペース（Ｌ／Ｓ）のクロムの遮光膜パター
ン３１が形成されていることが確認された。この
パターン３１の寸法はマスターマスクの寸法と同
一であつた。
次に、このフオトマスク３３を使用して、シリ
コンウエハ上にLMRのパターニングを行つた。
その場合のLMRの膜厚を0.5μmとし、また、露
光を、200〜300nmの波長領域の光を用いかつド
ーズ量を60mJ／cm2として、コンタクト法により
行つた。続いて、ウエハを約100℃の温度で約30
分間ベーキングした後、前述と同一の23℃の現像
液で現像し、約10秒間リンスを行つたところ、
0.5μmのラインアンドスペースのパターンが得ら
れた。これは基板２１上のクロムの遮光膜パター
ン３１と寸法的に同一であつた。
コンウエハ上にLMRのパターニングを行つた。
その場合のLMRの膜厚を0.5μmとし、また、露
光を、200〜300nmの波長領域の光を用いかつド
ーズ量を60mJ／cm2として、コンタクト法により
行つた。続いて、ウエハを約100℃の温度で約30
分間ベーキングした後、前述と同一の23℃の現像
液で現像し、約10秒間リンスを行つたところ、
0.5μmのラインアンドスペースのパターンが得ら
れた。これは基板２１上のクロムの遮光膜パター
ン３１と寸法的に同一であつた。
実施例
この実施例では、超高圧水銀ランプから放射さ
れらる300〜450nmの光を用い、コンタクト法で
LMRのレジスト皮膜２３の選択露光を行い、よ
つてマスターマスク２５のマスクパターン２５ａ
の転写を行つた。その時のドーズ量を100mJ／cm2
とした。この点以外の他の条件は実施例と同一
であつた。
れらる300〜450nmの光を用い、コンタクト法で
LMRのレジスト皮膜２３の選択露光を行い、よ
つてマスターマスク２５のマスクパターン２５ａ
の転写を行つた。その時のドーズ量を100mJ／cm2
とした。この点以外の他の条件は実施例と同一
であつた。
このような条件下で得られたレジスト皮膜パタ
ーン２７を用いて、実施例と同様にクロムの蒸
着及びリフトオフを行い、クロムの遮光膜パター
ン３１を形成しフオトマスク３３を得た。その結
果を同様にSEMで観測したところ、0.75μmのラ
インアンドスペースの遮光膜パターン３１が形成
されていることが確認された。このパターン３１
の寸法はマスターマスクの寸法と同一であつた。
ーン２７を用いて、実施例と同様にクロムの蒸
着及びリフトオフを行い、クロムの遮光膜パター
ン３１を形成しフオトマスク３３を得た。その結
果を同様にSEMで観測したところ、0.75μmのラ
インアンドスペースの遮光膜パターン３１が形成
されていることが確認された。このパターン３１
の寸法はマスターマスクの寸法と同一であつた。
実施例
この実施例では、透明基板２１として4″φの両
面鏡面仕上げの石英板を使用し、この石英板上に
スピンコーテイング法でLMRのレジスト皮膜２
３を0.8μmの膜厚に被着した。
面鏡面仕上げの石英板を使用し、この石英板上に
スピンコーテイング法でLMRのレジスト皮膜２
３を0.8μmの膜厚に被着した。
続いて、約70℃の温度で約30分間プリベーキン
グを行つた後、ｉ−ラインを用いる1/10縮小投影
型アライナで露光を行つた。その時のドーズ量を
100mJ／cm2とした。この露光後、約100℃の温度
で約30分間アフタベーキングを行い、続いて体積
比でモノクロロベンゼン10に対してシクロヘキサ
ン1.5の23℃の混合液でcm2で約30秒間現像を行い、
シクロヘキサンで約10秒間リンスを行つた。
グを行つた後、ｉ−ラインを用いる1/10縮小投影
型アライナで露光を行つた。その時のドーズ量を
100mJ／cm2とした。この露光後、約100℃の温度
で約30分間アフタベーキングを行い、続いて体積
比でモノクロロベンゼン10に対してシクロヘキサ
ン1.5の23℃の混合液でcm2で約30秒間現像を行い、
シクロヘキサンで約10秒間リンスを行つた。
得られたレジスト皮膜パターン２７をSEMで
観測したところ、0.5μmのラインアンドスペース
が得られていることが確認された。
観測したところ、0.5μmのラインアンドスペース
が得られていることが確認された。
このLMRのレジスト皮膜パターン２７を使用
して、実施例と同様に、クロムの蒸着及びリフ
トオフを行つたところ0.5μmのラインアンドスペ
ースの遮光膜パターン３１が形成されたフオトマ
スク３３が得られた。
して、実施例と同様に、クロムの蒸着及びリフ
トオフを行つたところ0.5μmのラインアンドスペ
ースの遮光膜パターン３１が形成されたフオトマ
スク３３が得られた。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明
によるフオトマスクの製造方法によれば、レジス
ト材料として、レボラツク樹脂ナフトキノンジア
ジドスルホン酸エステル（LMR）を用い、かつ、
このLMRの皮膜パターンを用いて遮光膜パター
ンをリフトオフで形成してフオトマスクを製造す
る方法であるので、エツチングにより形成する場
合よりも遥に製造が簡単かつ容易となり、しか
も、LMRの高解像性とリフトオフ法とによりサ
ブミクロンの奇麗でシヤープな遮光膜パターンを
有するワーキングフオトマスクを製造することが
出来ると共に、フオトマスクの製造のスループツ
トも従来よりも向上する。
によるフオトマスクの製造方法によれば、レジス
ト材料として、レボラツク樹脂ナフトキノンジア
ジドスルホン酸エステル（LMR）を用い、かつ、
このLMRの皮膜パターンを用いて遮光膜パター
ンをリフトオフで形成してフオトマスクを製造す
る方法であるので、エツチングにより形成する場
合よりも遥に製造が簡単かつ容易となり、しか
も、LMRの高解像性とリフトオフ法とによりサ
ブミクロンの奇麗でシヤープな遮光膜パターンを
有するワーキングフオトマスクを製造することが
出来ると共に、フオトマスクの製造のスループツ
トも従来よりも向上する。
また、LMRは450nm以下の光の吸収が大きく、
しかも、光照射部が不溶化するので、レジスト皮
膜パターンのレジスト断面がオーバーハングとな
る。これがため、遮光膜のリフトオフによる加工
が容易となる。さらに、この発明によれば、
LMRを紫外線及び遠紫外線のいずれでも同じ現
像液すなわちモノクロロベンゼンを含む溶液で現
像出来る従つて、紫外線での露光は、ステツパ等
の解像力の高い投影型露光装置を使用できるし、
又、普及型の、安価でスループツトの高いコンタ
クト型の露光装置をも使用できる。この発明はフ
オトマスクと同様なプロセスで製造可能なエンコ
ーダ又はその他の微細パターンを有する装置の製
造に適用して好適である。
しかも、光照射部が不溶化するので、レジスト皮
膜パターンのレジスト断面がオーバーハングとな
る。これがため、遮光膜のリフトオフによる加工
が容易となる。さらに、この発明によれば、
LMRを紫外線及び遠紫外線のいずれでも同じ現
像液すなわちモノクロロベンゼンを含む溶液で現
像出来る従つて、紫外線での露光は、ステツパ等
の解像力の高い投影型露光装置を使用できるし、
又、普及型の、安価でスループツトの高いコンタ
クト型の露光装置をも使用できる。この発明はフ
オトマスクと同様なプロセスで製造可能なエンコ
ーダ又はその他の微細パターンを有する装置の製
造に適用して好適である。
第１図Ａ〜Ｅはこの発明のフオトマスクの製造
方法を説明するための製造工程図、第２図Ａ〜Ｆ
は従来のフオトマスクの製造方法を説明するため
の製造工程図である。 ２１……透明基板、２３……レジスト皮膜、２
３ａ……（レジスト皮膜の光の）照射部、２３ｂ
……（レジスト皮膜の光の）未照射部、２５……
マスターマスク、２５ａ……マスクパターン、２
７……レジスト皮膜パターン、２９……遮光膜、
２９ａ……（遮光膜のレジスト上の）部分、２９
ｂ……（遮光膜の基板面上の）部分、３１……遮
光膜パターン、３３……フオトマスク。
方法を説明するための製造工程図、第２図Ａ〜Ｆ
は従来のフオトマスクの製造方法を説明するため
の製造工程図である。 ２１……透明基板、２３……レジスト皮膜、２
３ａ……（レジスト皮膜の光の）照射部、２３ｂ
……（レジスト皮膜の光の）未照射部、２５……
マスターマスク、２５ａ……マスクパターン、２
７……レジスト皮膜パターン、２９……遮光膜、
２９ａ……（遮光膜のレジスト上の）部分、２９
ｂ……（遮光膜の基板面上の）部分、３１……遮
光膜パターン、３３……フオトマスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上にノボラツク樹脂のナフトキノジ
アジドスルホン酸エステルのレジスト皮膜を形成
し、 該レジスト皮膜を185〜500nmから選択された
波長の光で選択的に照射し、 該レジスト皮膜をモノクロロベンゼン又はモノ
クロロベンゼンを含む溶液で現像処理し該レジス
ト皮膜の未照射部を除去することによつてレジス
ト皮膜パターンを形成し、 該レジスト皮膜パターンを用いたリフトオフ法
で透明基板上に遮光膜パターンを形成する ことを特徴とするフオトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143161A JPS625241A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | フオトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143161A JPS625241A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625241A JPS625241A (ja) | 1987-01-12 |
| JPS646448B2 true JPS646448B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=15332334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60143161A Granted JPS625241A (ja) | 1985-06-29 | 1985-06-29 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS625241A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293843A (en) * | 1992-12-09 | 1994-03-15 | A. Ahlstrom Corporation | Combustor or gasifier for application in pressurized systems |
| KR101606338B1 (ko) * | 2014-04-22 | 2016-03-24 | 인트리 주식회사 | 나노구조의 패턴을 구비한 광투과성 도전체를 제조하기 위한 포토마스크 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045244A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS6045242A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPS6161153A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
-
1985
- 1985-06-29 JP JP60143161A patent/JPS625241A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS625241A (ja) | 1987-01-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |