JPS62184451A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS62184451A JPS62184451A JP61025773A JP2577386A JPS62184451A JP S62184451 A JPS62184451 A JP S62184451A JP 61025773 A JP61025773 A JP 61025773A JP 2577386 A JP2577386 A JP 2577386A JP S62184451 A JPS62184451 A JP S62184451A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000012744 reinforcing agent Substances 0.000 abstract 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 8
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 8
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 101100536577 Caenorhabditis elegans cct-4 gene Proteins 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
Landscapes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はノＪ？ターン形成方法に関し、特に半導体装
置等の製造における２層レジストを用いた微細ノｅター
ンを形成する方法に関するものである。
置等の製造における２層レジストを用いた微細ノｅター
ンを形成する方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、この種のパターン形成方法に関して、文献ジャー
ナル・オツ・バキューム舎すイエンス拳アンド・テクノ
ロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＶａｃｕｕｍＳｃｉｅ
ｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ） 、 １６
（６） ｇ （１９７９） 。
ナル・オツ・バキューム舎すイエンス拳アンド・テクノ
ロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＶａｃｕｕｍＳｃｉｅ
ｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ） 、 １６
（６） ｇ （１９７９） 。
ｐｐ１６６９−１６７１に、下層にポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）上層にポジ型のホトレジストＡｚ−
１３５０（シラプレー社製）を用いた二層レジスト構成
を用いた方法が記載されている。上層のホトレジストを
ノ母ターニング後、遠紫外線を７括照射しパターニング
するものであシ、一括照射の際上層の７オトレジストは
下層のマスクとなシ、遠紫外線を下層へ通過させないた
め、上層のパターンは下層へ転写できる。この場合、Ｐ
ＭＭＡ層はウェハー表面の平たん化の役割も有する。こ
のだめ上層は均一な皮膜を形成でき高い解像力のレジス
トパターンを得ることができる。
レート（ＰＭＭＡ）上層にポジ型のホトレジストＡｚ−
１３５０（シラプレー社製）を用いた二層レジスト構成
を用いた方法が記載されている。上層のホトレジストを
ノ母ターニング後、遠紫外線を７括照射しパターニング
するものであシ、一括照射の際上層の７オトレジストは
下層のマスクとなシ、遠紫外線を下層へ通過させないた
め、上層のパターンは下層へ転写できる。この場合、Ｐ
ＭＭＡ層はウェハー表面の平たん化の役割も有する。こ
のだめ上層は均一な皮膜を形成でき高い解像力のレジス
トパターンを得ることができる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のレジスト構成を用いたノぐターン
形成方法であると、下層にＰＭＭＡを用いているため、
パターン被形成部材をエツチング加工する場合のドライ
エッチ耐性が劣シ高いドライエッチ耐性が要求される微
細加工等の工程では用いることが難しく又、ＰＭＭＡの
感度が低いためＰＭＭＡのパターニングに時間がかがシ
、スループット（単位時間当シのウエノ・−処理枚数）
が低いという欠点があった。
形成方法であると、下層にＰＭＭＡを用いているため、
パターン被形成部材をエツチング加工する場合のドライ
エッチ耐性が劣シ高いドライエッチ耐性が要求される微
細加工等の工程では用いることが難しく又、ＰＭＭＡの
感度が低いためＰＭＭＡのパターニングに時間がかがシ
、スループット（単位時間当シのウエノ・−処理枚数）
が低いという欠点があった。
そこで、この発明は二層レジストを用いたパターン形成
方法において下層レジストの耐ドライエ、チ性が劣ると
いう欠点と下層レジストの感度が低いという欠点を除去
し、ウェハー等の微細加工におけるドライエッチ性に優
れ、且つスループットの高い／母ターン形成方法を提供
することを目的とする。
方法において下層レジストの耐ドライエ、チ性が劣ると
いう欠点と下層レジストの感度が低いという欠点を除去
し、ウェハー等の微細加工におけるドライエッチ性に優
れ、且つスループットの高い／母ターン形成方法を提供
することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、前記問題点を解決するために、ノ母ターン
被形成部材上に下層レジストとしてＭＰ−２４００（シ
ラプレー社製ホトレジスト）又はＡＺ−５２００（ヘキ
スト社製ホトレジスト）等のｇ憩（約４３６ｎｍ）に対
して感度の低い、好ましくは感度を有さないポジ型のホ
トレジスト層を塗布し、この下層レジスト上に上層レジ
ストとしてノボラック樹脂のナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステル（以下ＬＭＲという）よりなるネガ型レ
ジスト材料のレジスト皮膜を形成し、この上層レジスト
にｇ線を照射し現像することにより上層レジストパター
ンを形成し、少なくとも前記下層レジストに２００〜４
１０ ｎｍ程度のｇ線より短波長の光を一括照射しアル
カリ現像液で下層レジス）／Ｐパターン照射部を現像す
ることにより下層レジストパターンを形成し、しかる後
、これらレジストパターンをマスクとして前記パターン
被形成部材をエツチング加工するものである。
被形成部材上に下層レジストとしてＭＰ−２４００（シ
ラプレー社製ホトレジスト）又はＡＺ−５２００（ヘキ
スト社製ホトレジスト）等のｇ憩（約４３６ｎｍ）に対
して感度の低い、好ましくは感度を有さないポジ型のホ
トレジスト層を塗布し、この下層レジスト上に上層レジ
ストとしてノボラック樹脂のナフトキノンジアジドスル
ホン酸エステル（以下ＬＭＲという）よりなるネガ型レ
ジスト材料のレジスト皮膜を形成し、この上層レジスト
にｇ線を照射し現像することにより上層レジストパター
ンを形成し、少なくとも前記下層レジストに２００〜４
１０ ｎｍ程度のｇ線より短波長の光を一括照射しアル
カリ現像液で下層レジス）／Ｐパターン照射部を現像す
ることにより下層レジストパターンを形成し、しかる後
、これらレジストパターンをマスクとして前記パターン
被形成部材をエツチング加工するものである。
（作用）
以上説明したように本発明によれば、下層レジストとし
てｇ線に対して感度を有さないあるいは感度の低いポジ
型ホトレジストを用い、上層レジストとしてＬＭＲのネ
ガ型ホトレジストを用いて２層レジストを形成している
ので、上層レジストはｇ線照射及び現像によシ高い感度
でレジストパターンが形成でき、下層レジストは２００
〜４１０ｎｍ程度のｇ線より短波長の光を用いて一括照
射し現像することにより高い感度で且つ耐ドライエツチ
性に優れたレジストパターンが形成できる。
てｇ線に対して感度を有さないあるいは感度の低いポジ
型ホトレジストを用い、上層レジストとしてＬＭＲのネ
ガ型ホトレジストを用いて２層レジストを形成している
ので、上層レジストはｇ線照射及び現像によシ高い感度
でレジストパターンが形成でき、下層レジストは２００
〜４１０ｎｍ程度のｇ線より短波長の光を用いて一括照
射し現像することにより高い感度で且つ耐ドライエツチ
性に優れたレジストパターンが形成できる。
（実施例）
第１図囚〜（６）はこの発明の１実施例を説明するだめ
の構造断面図であり、以下図面に沿って説明する。
の構造断面図であり、以下図面に沿って説明する。
実施例
第１図囚に示すように、Ｓｉ基板１上に配線金属のＡｔ
層２を積層した被加工試料を予め用意する。
層２を積層した被加工試料を予め用意する。
次に第１図（Ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１上に図示し
ない０ＡＰ（東京応化製密着増強剤）をスピンコーティ
ングにてコーティングし、続いて下層レジスト３として
ＭＰ−２４００を１．０μｍ厚にスピンコーティング法
によ多形成した。
ない０ＡＰ（東京応化製密着増強剤）をスピンコーティ
ングにてコーティングし、続いて下層レジスト３として
ＭＰ−２４００を１．０μｍ厚にスピンコーティング法
によ多形成した。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、６０℃で３０分間ベ
ーキングした後、上層レジスト４としてＬＭＲヲ１５
ｗｔ％モノクロルベンゼンに溶解したものを用い、上層
レジスト４を下層レジスト３上に０．５μｍ厚にスピン
コーティングによ多形成し、６０℃で３０分間ベーキン
グを行った後、ｇ線の光ステ、ツク−（レンズ開口数；
ＮＡ＝０．３５）によ如露光を行った。露光量は１００
ｍＪ、乙−とした。
ーキングした後、上層レジスト４としてＬＭＲヲ１５
ｗｔ％モノクロルベンゼンに溶解したものを用い、上層
レジスト４を下層レジスト３上に０．５μｍ厚にスピン
コーティングによ多形成し、６０℃で３０分間ベーキン
グを行った後、ｇ線の光ステ、ツク−（レンズ開口数；
ＮＡ＝０．３５）によ如露光を行った。露光量は１００
ｍＪ、乙−とした。
次に、１００℃で３０分間ベーキング後、モノクロルベ
ンゼン５に対してシクロヘキサン２の混合溶液（体積比
）で２３℃で２０秒間現像して、シクロへΦサンで１０
秒間リンスを行うことによシ、第１図（ロ）に示すよう
に、０．７μｍ幅のラインアントス硬−ス（以下Ｌ／Ｓ
という）を有した上層レジスト４のパターンが形成され
た。そして５００ＷのＸｓ −）１ｇランプを用い２０
０〜３００ｎｍの光を基板１に全面照射した。露光量は
４００ ｍＪ／ｄとした。
ンゼン５に対してシクロヘキサン２の混合溶液（体積比
）で２３℃で２０秒間現像して、シクロへΦサンで１０
秒間リンスを行うことによシ、第１図（ロ）に示すよう
に、０．７μｍ幅のラインアントス硬−ス（以下Ｌ／Ｓ
という）を有した上層レジスト４のパターンが形成され
た。そして５００ＷのＸｓ −）１ｇランプを用い２０
０〜３００ｎｍの光を基板１に全面照射した。露光量は
４００ ｍＪ／ｄとした。
然る後ＭＰ−２４０１現像液（ＭＰ−２４００用現像液
）を水で７倍（体積比）に希釈した水溶液で２３℃で６
０秒間現像を行い続いて２０秒間水でリンスを行うこと
によシ、第１図（ト）に示すように、レジストパターン
５が形成された。レジストパターン５を走査型電子顕微
鏡（以下ＳＥＭという）で観察したところ０．７μｍ幅
のパターンが１．５μｍ厚で形成されていることが分っ
た。
）を水で７倍（体積比）に希釈した水溶液で２３℃で６
０秒間現像を行い続いて２０秒間水でリンスを行うこと
によシ、第１図（ト）に示すように、レジストパターン
５が形成された。レジストパターン５を走査型電子顕微
鏡（以下ＳＥＭという）で観察したところ０．７μｍ幅
のパターンが１．５μｍ厚で形成されていることが分っ
た。
次にこのレジストパターン５をマスクとしてＡＬ層２を
通常の方法によシトライエツチングし、レジストパター
ン５を除去処理することによって、第１図（ト）に示す
ように、Ａｔの配線パターン６を０．７μｍ幅で形成す
るものである。
通常の方法によシトライエツチングし、レジストパター
ン５を除去処理することによって、第１図（ト）に示す
ように、Ａｔの配線パターン６を０．７μｍ幅で形成す
るものである。
実施例２
Ｓｔ基板１上のＡｔ層２上にＯＡＰをコミティング後下
層レジスト３としてＡＺ−５２００を１．４μｍ厚コー
テイングし、６０℃で３０分ベーキング後、上層レジス
ト４として前記ＬＭＲを０．８μｍコーティングして、
６０℃で３０分間ベーキングを行った。
層レジスト３としてＡＺ−５２００を１．４μｍ厚コー
テイングし、６０℃で３０分ベーキング後、上層レジス
ト４として前記ＬＭＲを０．８μｍコーティングして、
６０℃で３０分間ベーキングを行った。
実施例１と同様に露光、ベーキング及び上層レジスト４
の現像及びリンスを行った。この場合の現像時間は３０
秒間とした。０．７μｍ Ｌ／Ｓの上層レジスト４のノ
ぐターンが形成された。然る後、キャピラリー型水銀ラ
ング（１ｋＷ）を用い、これをバンドパスフィルタを介
して２８０−３２０ ｎｍの光のみにより基板１の一括
照射を行った。露光量は１５０ ｍＪ／ｃａとした。然
る後、ＡＺ現像液（ヘキスト製）を２倍に希釈して、現
像を２３℃で３０秒間行い、水で２０秒間リンスを行う
ＳＥＭで観察したところ０．７μｍ幅の２μｍ厚のレジ
ストノやターン５が形成されていることが分った。
の現像及びリンスを行った。この場合の現像時間は３０
秒間とした。０．７μｍ Ｌ／Ｓの上層レジスト４のノ
ぐターンが形成された。然る後、キャピラリー型水銀ラ
ング（１ｋＷ）を用い、これをバンドパスフィルタを介
して２８０−３２０ ｎｍの光のみにより基板１の一括
照射を行った。露光量は１５０ ｍＪ／ｃａとした。然
る後、ＡＺ現像液（ヘキスト製）を２倍に希釈して、現
像を２３℃で３０秒間行い、水で２０秒間リンスを行う
ＳＥＭで観察したところ０．７μｍ幅の２μｍ厚のレジ
ストノやターン５が形成されていることが分った。
（比較例）
１μｍ厚のＰＭＭＡをメチルイソブチルケトンで２３℃
で２分で現像できる露光量は実施例１のＸｅ −Ｈｇラ
ンプで４ Ｊ／ｃｒｌが必要であった。又、実施例２の
バンドパスフィルタからの光では５Ｊ／ａｌｌの照射量
でもＰＭＭＡは現像できなかった。又、ＭＰ−２４００
をＳｉ基板上に１．２μｍコーティングし６０℃で３０
分プリベーキング後、実施例１と同様のｇ線光ステッパ
ーで１００ ｍＪ／ｄｉの露光量で露光を行い実施例１
で用いた現像液で６０秒間現像したところまったくノ母
ターンは形成されなかった。ＡＺ−５２００についても
ｇ線光ステッパーで１００ ｍＪ／ｄの露光を行ったが
この場合もパターンは形成できなかった。
で２分で現像できる露光量は実施例１のＸｅ −Ｈｇラ
ンプで４ Ｊ／ｃｒｌが必要であった。又、実施例２の
バンドパスフィルタからの光では５Ｊ／ａｌｌの照射量
でもＰＭＭＡは現像できなかった。又、ＭＰ−２４００
をＳｉ基板上に１．２μｍコーティングし６０℃で３０
分プリベーキング後、実施例１と同様のｇ線光ステッパ
ーで１００ ｍＪ／ｄｉの露光量で露光を行い実施例１
で用いた現像液で６０秒間現像したところまったくノ母
ターンは形成されなかった。ＡＺ−５２００についても
ｇ線光ステッパーで１００ ｍＪ／ｄの露光を行ったが
この場合もパターンは形成できなかった。
又、ＭＰ−２４００をＳｉ基板上にコーティングし、６
０℃で３０分ベーキングを行った。然る後、モノクロル
ベンゼンに３０秒間浸せきした後、ＭＰ−２４００の厚
さ及び表面を観察したところまったくＭＰ−２４００は
エツチングされていないことが分つ・た。又、実施例１
で用いたＬＭＲの現像液でも同様の実験を行いこれに対
してもＭＰ−２４００はエツチングされていないことが
分った。ＡＺ−５２００もＭＰ−２４００と同様の結果
を得た。
０℃で３０分ベーキングを行った。然る後、モノクロル
ベンゼンに３０秒間浸せきした後、ＭＰ−２４００の厚
さ及び表面を観察したところまったくＭＰ−２４００は
エツチングされていないことが分つ・た。又、実施例１
で用いたＬＭＲの現像液でも同様の実験を行いこれに対
してもＭＰ−２４００はエツチングされていないことが
分った。ＡＺ−５２００もＭＰ−２４００と同様の結果
を得た。
又、ＬＭＲを０．５μｍＳｉ基板上にコーティングし実
施例１で用い九Ｘｅ −Ｈｇランプで２００〜３００ｎ
ｍ波長の光を４００ ｍＪ／ｃａ照射し実施例１又は実
施例２のアルカリ現像液で現像したところ２３℃で１分
間行っても露光部及び未露光部とも溶解せずパターニン
グができなかった。
施例１で用い九Ｘｅ −Ｈｇランプで２００〜３００ｎ
ｍ波長の光を４００ ｍＪ／ｃａ照射し実施例１又は実
施例２のアルカリ現像液で現像したところ２３℃で１分
間行っても露光部及び未露光部とも溶解せずパターニン
グができなかった。
又、ＬＭＲの吸光特性を測定したところ２００〜４１０
ｎｍの間で吸光係数は４μｍ−’ よシ大きい値であ
った。
ｎｍの間で吸光係数は４μｍ−’ よシ大きい値であ
った。
又、平行平板型プラズマエツチング装置を用いＣＣｔ４
ガスプラズマ中でのレジストのエツチングレートを測定
したところ、（エツチング条件は兜。
ガスプラズマ中でのレジストのエツチングレートを測定
したところ、（エツチング条件は兜。
流量： ５０ ＳＣＣＭ （スタンダードＣＣ／−）、
ガス圧；２０Ｐａ、パワー密度； ０．１６ ｗ／ｃｔ
ｌ、エツチング時間；５分とした。）各レジストのエツ
チング景はＰＭＭＡ； ２．Ｉ Ａｍ 、ＡＺ−１３
５０に ０．５１１ｍ 。
ガス圧；２０Ｐａ、パワー密度； ０．１６ ｗ／ｃｔ
ｌ、エツチング時間；５分とした。）各レジストのエツ
チング景はＰＭＭＡ； ２．Ｉ Ａｍ 、ＡＺ−１３
５０に ０．５１１ｍ 。
ＬＭＲ；０．４５ ｆｉｍ 、ＭＰ−２４００；０．
５μｍ、ＡＺ−５２００； ０．５ ｆｉｍであった。
５μｍ、ＡＺ−５２００； ０．５ ｆｉｍであった。
以上述べた本発明の実施例及び比較実験例よシ、本発明
の実施例によれば、下層レジスト３としてＭＰ−２４０
０あるいはＡＺ−５２００等のｇ線に対して感度が極め
て低いレジスト材料を用いているので上層レジスト４の
ＬＭＲをｇ線を用いてｉ？ターンニングしても、下層レ
ジストは全く影響を受けず、又、ＬＭＲの現像液に用い
たモノクロルベンゼンに対しても下層レジスト３は影響
を受けない。又、下層レジスト４のＬＭＲに、下層レジ
ストのノ４ターンニングに用いた２００〜４１０ ｎｍ
波長の光を照射し、下層レジストの現像に用いたアルカ
リ現像液で現像しても、上層レジスト４のＬＭＲは全く
影響を受けることがないので微細なレジストパターン５
を形成することができる。
の実施例によれば、下層レジスト３としてＭＰ−２４０
０あるいはＡＺ−５２００等のｇ線に対して感度が極め
て低いレジスト材料を用いているので上層レジスト４の
ＬＭＲをｇ線を用いてｉ？ターンニングしても、下層レ
ジストは全く影響を受けず、又、ＬＭＲの現像液に用い
たモノクロルベンゼンに対しても下層レジスト３は影響
を受けない。又、下層レジスト４のＬＭＲに、下層レジ
ストのノ４ターンニングに用いた２００〜４１０ ｎｍ
波長の光を照射し、下層レジストの現像に用いたアルカ
リ現像液で現像しても、上層レジスト４のＬＭＲは全く
影響を受けることがないので微細なレジストパターン５
を形成することができる。
尚、本発明の実旋例では、レジストパターン５をマスク
として、Ａｔ層等のパターン被形成部材をドライエツチ
ングによシパターンニングする方法を述べたが、微細な
レジストパターン５をリフトオフマスクとして用いるこ
ともできる。
として、Ａｔ層等のパターン被形成部材をドライエツチ
ングによシパターンニングする方法を述べたが、微細な
レジストパターン５をリフトオフマスクとして用いるこ
ともできる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によれば、上層レジ
ストとしてＬＭＲ，下層レジストとしてｇ線の光に対し
て感度の低い、好ましくは感応しないレジスト材料を用
い、ｇ線の光で上層レジストをパターンユング後、２０
０〜４１０ ｎｍ波長の光を一括照射して下層レジスト
をＡ？ターンニングしているので、サブミクロンのレジ
ストパターンを高スループ、トで形成できる。さらに、
レジストノやターンは耐ドライエツチ性にすぐれている
ため、本発明は超ＬＳＩ製造における微細ノ母ターン形
成に適用できる。
ストとしてＬＭＲ，下層レジストとしてｇ線の光に対し
て感度の低い、好ましくは感応しないレジスト材料を用
い、ｇ線の光で上層レジストをパターンユング後、２０
０〜４１０ ｎｍ波長の光を一括照射して下層レジスト
をＡ？ターンニングしているので、サブミクロンのレジ
ストパターンを高スループ、トで形成できる。さらに、
レジストノやターンは耐ドライエツチ性にすぐれている
ため、本発明は超ＬＳＩ製造における微細ノ母ターン形
成に適用できる。
第１図（４）〜（ト）は本発明の詳細な説明するだめの
構造断面図である。 １・・・Ｓｔ基板、２・・・配線金属、３・・・下層レ
ジスト、４・・・上層レジスト、５・・・レジストパタ
ーン、６・・・配線ノぐターン。
構造断面図である。 １・・・Ｓｔ基板、２・・・配線金属、３・・・下層レ
ジスト、４・・・上層レジスト、５・・・レジストパタ
ーン、６・・・配線ノぐターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体上に下層レジストとしてｇ線（波長約４３６ｎｍ）
の光に対して感度を有さないあるいは感度の低いポジ型
のホトレジスト層を塗布する工程と、該下層レジスト上
に上層レジストとしてノボラック樹脂のナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルよりなるネガ型レジスト材料
のレジスト皮膜を形成する工程と、 該上層レジストにｇ線の光を選択照射し現像することに
より上層レジストパターンを形成する工程と、 少なくとも前記下層レジストにｇ線より短波長の光を一
括照射し現像することにより下層レジストパターンを形
成する工程とを備えてなることを特徴とするパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025773A JPS62184451A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61025773A JPS62184451A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62184451A true JPS62184451A (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=12175164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61025773A Pending JPS62184451A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62184451A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283887A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物超伝導体用パターン形成方法 |
-
1986
- 1986-02-10 JP JP61025773A patent/JPS62184451A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283887A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物超伝導体用パターン形成方法 |
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