JPH01283887A - 酸化物超伝導体用パターン形成方法 - Google Patents
酸化物超伝導体用パターン形成方法Info
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- JPH01283887A JPH01283887A JP63112352A JP11235288A JPH01283887A JP H01283887 A JPH01283887 A JP H01283887A JP 63112352 A JP63112352 A JP 63112352A JP 11235288 A JP11235288 A JP 11235288A JP H01283887 A JPH01283887 A JP H01283887A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の属する技術分野
本発明は、酸化物超伝導体又は酸化物超伝導体上の金属
や酸化物のパターンニングを行う酸化物超伝導体用パタ
ーン形成法に関するものである。
や酸化物のパターンニングを行う酸化物超伝導体用パタ
ーン形成法に関するものである。
（２）従来の技術とその問題点
従来、超伝導体のパターンを形成したり、超伝導体上に
金属や酸化物のパターンを形成する場合には、以下に示
すようなフォトレジスト単層を用いた工程が使用されて
いた。ここでは、フォトレジストとしてＡＺ系レジスト
を使用しリフトオフにより酸化物超伝導体上に金属（あ
るいは絶縁体）のパターンを形成する場合を例に取り第
６図を用いて従来技術を説明する。
金属や酸化物のパターンを形成する場合には、以下に示
すようなフォトレジスト単層を用いた工程が使用されて
いた。ここでは、フォトレジストとしてＡＺ系レジスト
を使用しリフトオフにより酸化物超伝導体上に金属（あ
るいは絶縁体）のパターンを形成する場合を例に取り第
６図を用いて従来技術を説明する。
（１）基板１１上に形成されている酸化物超伝導体１２
上にＡＺ系レジスト１３を塗布し、レジストベークを行
う。
上にＡＺ系レジスト１３を塗布し、レジストベークを行
う。
（２）フォトマスク１４を通してＡＺ系レジスト１３の
露光をし、マスクパターンをレジスト１３に転写する。
露光をし、マスクパターンをレジスト１３に転写する。
（３）レジスト１３を現像することにより、レジストパ
ターンを形成する。この時レジスト１３が取れる部分の
超伝導体は直接水に接触する。
ターンを形成する。この時レジスト１３が取れる部分の
超伝導体は直接水に接触する。
（４）全面に金属（あるいは絶縁体）膜１５を蒸着する
。
。
（５） ＭＩＢＫ、アセトン等の有機溶剤でリフトオフ
を行うことにより、金属（あるいは絶縁体）膜１５のパ
ターンが形成される。
を行うことにより、金属（あるいは絶縁体）膜１５のパ
ターンが形成される。
上記の工程においては、現像の際に酸化物超伝導体６２
の膜面が水に触れ、膜の超伝導性の低下を招（。図７に
酸化物超伝導体上のレジストパターン形成を行う前後の
超伝導性として、熱処理（ａ）と現像工程（ｂ）におけ
る超伝導体の抵抗温度特性の測定結果を示す。実線は電
流Ｉ＝６ｍＡの場合、点線は電流Ｉ ＝０．１ｍＡの場
合である。この図により従来のパターン形成行程を経る
ことによって、膜の抵抗が完全にゼロになる温度が低下
し、超伝導性が劣化することがわかる。
の膜面が水に触れ、膜の超伝導性の低下を招（。図７に
酸化物超伝導体上のレジストパターン形成を行う前後の
超伝導性として、熱処理（ａ）と現像工程（ｂ）におけ
る超伝導体の抵抗温度特性の測定結果を示す。実線は電
流Ｉ＝６ｍＡの場合、点線は電流Ｉ ＝０．１ｍＡの場
合である。この図により従来のパターン形成行程を経る
ことによって、膜の抵抗が完全にゼロになる温度が低下
し、超伝導性が劣化することがわかる。
（３）発明の目的
本発明の目的は、酸化物超伝導体の膜面に直接水が接触
することを排除することにより、超伝導性の劣化を招く
ことのないパターン形成法を実現することにある。
することを排除することにより、超伝導性の劣化を招く
ことのないパターン形成法を実現することにある。
（４）発明の構成
本発明は酸化物超伝導体の膜面がパターン形成時に直接
水に接触することを排除するために、フォトレジストを
塗布する前に水を通さない第１層の膜を形成し、第２層
フォトレジストのパターン形成の際に水が膜面に直接接
触することを防止し、さらに第１層の膜をフォトレジス
トをマスクとし、有機溶剤やドライエツチングのような
水を使用しない方法でパターンニングすることを特徴と
する酸化物超伝導体用パターン形成法である。
水に接触することを排除するために、フォトレジストを
塗布する前に水を通さない第１層の膜を形成し、第２層
フォトレジストのパターン形成の際に水が膜面に直接接
触することを防止し、さらに第１層の膜をフォトレジス
トをマスクとし、有機溶剤やドライエツチングのような
水を使用しない方法でパターンニングすることを特徴と
する酸化物超伝導体用パターン形成法である。
（５）実施例
以下に本発明の実施例につき説明する。
（第層の実施例）
図１に酸化物超伝導体用パターン形成法の第層の実施例
を示す。
を示す。
実施手順を以下に説明する。
（１）第１層として水を通さない膜２を酸化物超伝導体
膜１上に形成する。この膜厚は水を通さない程度の膜厚
があればよい。
膜１上に形成する。この膜厚は水を通さない程度の膜厚
があればよい。
（２）第２層としてフォトレジスト例えばＡＺ系レジス
ト３を塗布し、レジストベークを行う。
ト３を塗布し、レジストベークを行う。
（３）ＡＺ系レジスト３をフォトマスクを通して露光し
、現像、水洗を行うことによりマスクパターンをＡＺ系
レジストに転写する。ＡＺ系レジストの現像の際には、
酸化物超伝導体膜１は第１層の膜で覆われているので、
直接水に接触す＼ ることはない。 ・ （４）ＡＺ系レジスト３をマスクとして第１層の膜２に
第２層３のパターンを転写する。
、現像、水洗を行うことによりマスクパターンをＡＺ系
レジストに転写する。ＡＺ系レジストの現像の際には、
酸化物超伝導体膜１は第１層の膜で覆われているので、
直接水に接触す＼ ることはない。 ・ （４）ＡＺ系レジスト３をマスクとして第１層の膜２に
第２層３のパターンを転写する。
以上の様な工程を用いることで、パターン形成中酸化物
超伝導体薄膜が直接水に接触することは防止でき、膜質
の劣化を防止する効果がある。
超伝導体薄膜が直接水に接触することは防止でき、膜質
の劣化を防止する効果がある。
（第２の実施例）
図２に酸化物超伝導体用パターン形成法の第２の実施例
の行程を示す。
の行程を示す。
以下に実施手順を説明する。
（１）第１層として酸化物超伝導体１２上にＰＭＭＡし
シスト４を塗布し、レジストベークを行う。
シスト４を塗布し、レジストベークを行う。
（２）第２層としてフォトレジスト例えばＡＺ系レジス
ト３を塗布し、レジストベークを行う。
ト３を塗布し、レジストベークを行う。
（３）ＡＺ系フォトレジスト３をフォトマスクを通して
露光し、現像、水洗を行うことによりマスクパターンを
ＡＺ系フォトレジスト３に転写する。
露光し、現像、水洗を行うことによりマスクパターンを
ＡＺ系フォトレジスト３に転写する。
（４）ＡＺ系フォトレジスト３のパターンをマスクとし
て０２ＲＩＥによりＰＭＭＡレジスト４を削りフォトレ
ジストのパターンをＰＭＭＡレジスト４に転写する。
て０２ＲＩＥによりＰＭＭＡレジスト４を削りフォトレ
ジストのパターンをＰＭＭＡレジスト４に転写する。
図３（ａ）にパターン形成前の薄膜の電流１ ＝０．０
５ｍＡのときの抵抗値Ｒ（Ω）の温度Ｔ（Ｋ）に対する
依存性を、図３（ｂ）に幅５μｍ、長さ１００μｍの線
をパターニングした後この線の電流１ ＝０．０１ｍＡ
のときの抵抗値Ｒ（Ω）の温度Ｔ （Ｋ）に対する依存
性を測定した結果を示す。これらの図を比較するとわか
るように、パターン形成の前後で膜の特性を示すパラメ
ータである臨界温度（Ｔｃ）の低下は見られず、パター
ン形成に伴う膜の劣化は生じていないと判断できる。
５ｍＡのときの抵抗値Ｒ（Ω）の温度Ｔ（Ｋ）に対する
依存性を、図３（ｂ）に幅５μｍ、長さ１００μｍの線
をパターニングした後この線の電流１ ＝０．０１ｍＡ
のときの抵抗値Ｒ（Ω）の温度Ｔ （Ｋ）に対する依存
性を測定した結果を示す。これらの図を比較するとわか
るように、パターン形成の前後で膜の特性を示すパラメ
ータである臨界温度（Ｔｃ）の低下は見られず、パター
ン形成に伴う膜の劣化は生じていないと判断できる。
また、本実施例のパターン形成法を用いれば膜質の劣化
を防ぐばかりでなく、多少劣化した膜が０２ＲＩＥの際
に回復することが期待できる。
を防ぐばかりでなく、多少劣化した膜が０２ＲＩＥの際
に回復することが期待できる。
（第３の実施例）
図４に酸化物超伝導体用パターン形成法の第３の実施例
の工程を示す。
の工程を示す。
以下に実施手順を説明する。
（１）第１層として酸化物超伝導体膜１上にＰＭＭＡレ
ジスト４を塗布し、レジストベークを行う。
ジスト４を塗布し、レジストベークを行う。
（２）第２層としてフォトレジスト例えばＡＺ系レジス
ト３を塗布し、レジストベークを行う。
ト３を塗布し、レジストベークを行う。
（３）ＡＺ系フォトレジストをフォトマスクを通して露
光し、現像、水洗を行うことによりマスクパターンをＡ
Ｚ系フォトレジスト３に転写する。
光し、現像、水洗を行うことによりマスクパターンをＡ
Ｚ系フォトレジスト３に転写する。
（４）ＡＺ系フォトレジスト３のパターンをマスクとし
てＤＵＶＵ３Ｏ８面照射を行い、ＰＭＭＡレジスト４を
露光する。
てＤＵＶＵ３Ｏ８面照射を行い、ＰＭＭＡレジスト４を
露光する。
（５） ＰＭＭＡレジスト４を酸化物超伝導体ｌに超伝
導性の劣化を生じさせないモノクロロベンゼンにより現
像する。表面に残っているモノクロロベンゼンを乾燥さ
せる。
導性の劣化を生じさせないモノクロロベンゼンにより現
像する。表面に残っているモノクロロベンゼンを乾燥さ
せる。
本実施例の方法においては、ＰＭＭＡレジスト４をモノ
クロロベンゼンで現像する際、多少サイドからの現像が
進み、図４（５）に示すようなオーバーハング構造が形
成される。このオーバーハング構造は蒸着物のレジスト
側面への付着を防止し、リフトオフを容易にする効果を
持っている。
クロロベンゼンで現像する際、多少サイドからの現像が
進み、図４（５）に示すようなオーバーハング構造が形
成される。このオーバーハング構造は蒸着物のレジスト
側面への付着を防止し、リフトオフを容易にする効果を
持っている。
（第４の実施例）
図５に酸化物超伝導体用パターン形成法の第４の実施例
の工程を示す。
の工程を示す。
以下に実施手順を説明する。
（１）第１層として水を通さない膜２を酸化物超伝導体
膜１上に形成する。
膜１上に形成する。
（２）第２Ｎとしてフォトレジスト例えばＡＺ系レジス
ト３を塗布し、レジストベークを行う。
ト３を塗布し、レジストベークを行う。
（３）ＡＺ系フォトレジスト３をフォトマスクを通して
露光し、現像、水洗を行うことによりマスクパターンを
ＡＺ系フォトレジスト３に転写する。
露光し、現像、水洗を行うことによりマスクパターンを
ＡＺ系フォトレジスト３に転写する。
（４）フォトレジストをマスクとしてドライエツチング
などの方法により水を通さない膜２をパターニングする
。
などの方法により水を通さない膜２をパターニングする
。
ここで水を通さない膜２としては、Ａｕ、Ａｇ。
Ｎｂ、ＡＩなどの緻密な金属膜、ＭｇＯ，ＳｉＮなどの
緻密な酸化物を適用させる。
緻密な酸化物を適用させる。
また、水を通さない膜と酸化物超伝導体との反応を考慮
すると、現在までのところ反応性が無いことが明らかと
なっているＡ ｕ （Ｈａｔｔａ ｅｔ ａｌ、５Ｈ−
６ｌ５ＥＣＡｕｇ、２Ｂ−２９，１９８７）を適用する
のがよい。
すると、現在までのところ反応性が無いことが明らかと
なっているＡ ｕ （Ｈａｔｔａ ｅｔ ａｌ、５Ｈ−
６ｌ５ＥＣＡｕｇ、２Ｂ−２９，１９８７）を適用する
のがよい。
図１は本発明の第層の実施例を説明するための断面図、
図２は本発明の第２の実施例を説明するための断面図、
図３（ａ）（ｂ）はパターン形成前後の膜の抵抗の温度
依存性の測定結果を示す特性図、図４は本発明の第３の
実施例を説明するだめの断面図、図５は本発明の第４の
実施例を説明するための断面図、図６は従来技術を説明
するための断面図、図７（ａ）（ｂ）は熱処理直後及び
現像工程後の抵抗値の温度依存性を測定した結果を示す
特性図である。 １．１２・・・酸化物超伝導体膜、 ２・・・水を通さ
ない膜、 ３，１３・・・ＡＺ系レジスト、 ４・
・・ＰＭＭＡレジスト、 ５・・・ＤＵＶ光、 １１
・・・基板、１４・・・フォトマスク、 １５・・・金
属（あるいは絶縁体）膜。 特許出願人 日本電信電話株式会社
図２は本発明の第２の実施例を説明するための断面図、
図３（ａ）（ｂ）はパターン形成前後の膜の抵抗の温度
依存性の測定結果を示す特性図、図４は本発明の第３の
実施例を説明するだめの断面図、図５は本発明の第４の
実施例を説明するための断面図、図６は従来技術を説明
するための断面図、図７（ａ）（ｂ）は熱処理直後及び
現像工程後の抵抗値の温度依存性を測定した結果を示す
特性図である。 １．１２・・・酸化物超伝導体膜、 ２・・・水を通さ
ない膜、 ３，１３・・・ＡＺ系レジスト、 ４・
・・ＰＭＭＡレジスト、 ５・・・ＤＵＶ光、 １１
・・・基板、１４・・・フォトマスク、 １５・・・金
属（あるいは絶縁体）膜。 特許出願人 日本電信電話株式会社
Claims (5)
- （１）第１層に水を通さない膜を酸化物超伝導体膜上に
形成し、その上に第２層としてフォトレジストを塗布し
、まず通常の方法で該第２層のフォトレジストのパター
ンニングを行い、しかる後に前記フォトレジストをマス
クとして前記第１層の膜を水を用いない処理でパターン
ニングすることを特徴とする酸化物超伝導体用パターン
形成方法。 - （２）前記第１層をＰＭＭＡレジストに、前記第２層を
ＡＺ系レジストとし、該第２層のＡＺ系レジストを通常
のフォト工程によりパターンニング後、前記ＡＺ系レジ
ストをマスクとして前記ＰＭＭＡレジストをＯ２ＴＩＥ
によりパターンニングすることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の酸化物超伝導体用パターン形成方法。 - （３）前記第１層をＰＭＭＡレジストに、前記第２層を
ＡＺ系レジストとし、該第２層のＡＺ系レジストを通常
のフォト行程によりパターンニング後、前記ＡＺ系レジ
ストをマスクとしてＤＵＶ光を照射し、前記第１層のパ
ターンニングをモノクロロベンゼンにより行うことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の酸化物超伝導体用
パターン形成方法。 - （４）前記第１層を水を通さない膜とし、前記第２層を
ＡＺ系のレジストとし、該第２層のＡＺ系レジストを通
常のフォト行程によりパターンニング後、ドライエッチ
ングにより前記第１層の水を通さない膜のパターンニン
グを行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
酸化物超伝導体用パターン形成方法。 - （５）前記第１層の水を通さない膜としてＡｕを使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の酸化物
超伝導体用パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112352A JPH01283887A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 酸化物超伝導体用パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112352A JPH01283887A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 酸化物超伝導体用パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283887A true JPH01283887A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14584546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63112352A Pending JPH01283887A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 酸化物超伝導体用パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283887A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03235380A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-21 | Sumitomo Cement Co Ltd | 超伝導薄膜パターンの製造方法 |
| JPH04287382A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-12 | Hitachi Ltd | 超電導薄膜パタンの形成方法 |
| US5650377A (en) * | 1990-11-30 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Selective epitaxial growth of high-TC superconductive material |
| JP2020532865A (ja) * | 2017-08-31 | 2020-11-12 | グーグル エルエルシー | 多層スタックを使用したデバイスの作製 |
| CN112117376A (zh) * | 2020-09-24 | 2020-12-22 | 中国科学院微电子研究所 | 一种超导纳米线结构及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62184451A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6321831A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-29 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS6489483A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Fujitsu Ltd | Treatment of superconductor thin-film |
| JPH01208878A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-22 | Hitachi Ltd | 超電導デバイス及び超電導配線の製造方法 |
| JPH01274481A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-02 | Dowa Mining Co Ltd | 超伝導薄膜の回路パターン形成方法 |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP63112352A patent/JPH01283887A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62184451A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6321831A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-29 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS6489483A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Fujitsu Ltd | Treatment of superconductor thin-film |
| JPH01208878A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-22 | Hitachi Ltd | 超電導デバイス及び超電導配線の製造方法 |
| JPH01274481A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-02 | Dowa Mining Co Ltd | 超伝導薄膜の回路パターン形成方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03235380A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-21 | Sumitomo Cement Co Ltd | 超伝導薄膜パターンの製造方法 |
| US5650377A (en) * | 1990-11-30 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Selective epitaxial growth of high-TC superconductive material |
| JPH04287382A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-12 | Hitachi Ltd | 超電導薄膜パタンの形成方法 |
| JP2020532865A (ja) * | 2017-08-31 | 2020-11-12 | グーグル エルエルシー | 多層スタックを使用したデバイスの作製 |
| US11935748B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-03-19 | Google Llc | Fabricating a device using a multilayer stack |
| CN112117376A (zh) * | 2020-09-24 | 2020-12-22 | 中国科学院微电子研究所 | 一种超导纳米线结构及其制备方法 |
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